一种低温烧结陶瓷介质材料的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种低温烧结陶瓷介质材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质：瓷石31-47份，碳酸钠11-17.9份，聚乙烯醇10-25份，二氧化硅5.7-13.6份，绢云母12-34份，合成橡胶11-54份，乙酰丙酮铈1-11份，聚碳硅烷4-9份，二氧化锰3-15份，疏水改性的纳米级氧化硅5.7-18.4份，丁基橡胶3-14份。本发明其烧结温度低，而且介电常数高、介电损耗低、同时具有烧结收缩率范围宽、并能与高电导率的银金属内电极共烧。
【专利说明】一种低温烧结陶瓷介质材料
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种低温烧结陶瓷介质材料。
【背景技术】
[0002] MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损耗率低、适合大量生产、价格低廉及稳 定性高等特性，在信息产品讲求轻、薄、短、小及表面贴装技术（SMT)日益普及的趋势下， 具有良好的发展前景。MLCC的优点在于耐高电压和高热、工作温度范围广，能够小型化、片 式化，主要应用在主机板、笔记本电脑、手机、液晶显示器及电视、光碟机、汽车等领域中。目 前，MLCC成为世界上用量最大、发展最快的一种片式化元件。
[0003] 军事与宇航领域一直是先进国家实力展现的主战场，也是高新技术首先得到应用 的场所。宽温使用范围也一直是某些军用电子设备和特殊电子设备对电子元件的苛刻要 求。宽温度应用范围的大容量X9R MLCC电容产品在军事领域应有大量需求，因此研究并 制备宽温度稳定型电子材料成为当务之急。近年来，低温共烧陶瓷技术为多层线路和电子 元器件的设计带来了巨大的灵活性，成为研究的热点。
[0004] 由于该技术需要将不同的电介质材料（如电容、基板等）、磁介质材料（如电感 等）或导电材料（主要是银电极）等以叠层的形式一次性烧成多层独石结构，前提必须 是以先进的流延技术和共烧技术为依托，其中共烧技术是"瓶颈"。为了降低商业化产品面 世的难度和成本，在保证合适的介电性能前提下，不仅需要降低MLCC材料的烧结温度（ 尽可能低于900°C )，以便和优良导体的银、金电极能够共烧，而且需要灵活控制MLCC材 料的烧结收缩率，避免共烧体内产生应力，从而弯曲变形甚至开裂。
[0005] 目前报道较多的X8R瓷材料有BaTi03系、BiSc03系、和BiO. 5NaO. 5Ti03系等 介质陶瓷材料，但这些陶瓷材料存在烧结温度高、介电常数低和损耗偏高等问题。
【发明内容】
[0006] 本发明所要解决的技术问题是提供一种低温烧结陶瓷介质材料。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是： 一种低温烧结陶瓷介质材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质：瓷石31-47份， 碳酸钠11-17. 9份，聚乙烯醇10-25份，二氧化硅5. 7-13. 6份，絹云母12-34份，合成橡胶 11-54份，乙酰丙酮铈1-11份，聚碳硅烷4-9份，二氧化锰3-15份，疏水改性的纳米级氧化 硅5. 7-18. 4份，丁基橡胶3-14份。
[0008] 本发明的有益效果是：本发明选择添加玻璃粉为助烧剂的方法，使其烧结温度低 于1000°C而且介电常数高、介电损耗低、同时具有烧结收缩率范围宽、并能与高电导率的 银金属内电极共烧。
【具体实施方式】 [0009] 实施例1 一种低温烧结陶瓷介质材料，包括下列重量份数的物质：瓷石31份，碳酸钠11份，聚 乙烯醇10份，二氧化硅5. 7份，絹云母12份，合成橡胶11份，乙酰丙酮铈1份，聚碳硅烷4 份，二氧化锰3份，疏水改性的纳米级氧化硅5. 7份，丁基橡胶3份。
[0010] 实施例2 一种低温烧结陶瓷介质材料，包括下列重量份数的物质：瓷石47份，碳酸钠17. 9份，聚 乙烯醇25份，二氧化硅13. 6份，絹云母34份，合成橡胶54份，乙酰丙酮铈11份，聚碳硅烷 9份，二氧化锰15份，疏水改性的纳米级氧化硅18. 4份，丁基橡胶14份。
【权利要求】
1. 一种低温烧结陶瓷介质材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质：瓷石31-47 份，碳酸钠11-17. 9份，聚乙烯醇10-25份，二氧化硅5. 7-13. 6份，絹云母12-34份，合成橡 胶11-54份，乙酰丙酮铈1-11份，聚碳硅烷4-9份，二氧化锰3-15份，疏水改性的纳米级氧 化硅5. 7-18. 4份，丁基橡胶3-14份。
【文档编号】C04B33/32GK104140243SQ201410365589
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月30日 优先权日:2014年7月30日
【发明者】张昊亮 申请人:青岛祥海电子有限公司