一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备的制作方法

本发明涉及晶圆涂膜领域，具体的是一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备。

背景技术：

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅,晶圆在加工的时候需要进行切片，才能够成为晶圆片，而在切割生产的时候通过半导体晶圆加工用硅圆片切割设备对晶圆进行切割。

基于上述本发明人发现，现有的一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备主要存在以下几点不足，比如：晶圆在切割的时候，刀片下刀的速度过快，晶圆片的切割面所受到的摩擦力会变大，使得所切割处断的晶圆切割面会较为粗糙，导致晶圆的切割面不平整，造成需要缓慢让刀片进行才能将切割面切割平整，从而需要较长的时间才可以将晶圆的切割面切割平整。

技术实现要素：

针对上述问题，本发明提供一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备，其结构包括主体、操作台、警报灯，所述主体的前端设有操作台，所述警报灯嵌固在主体的顶部侧端，所述主体包括滑轨、切刀、放料槽、载盘、传送带，所述滑轨设置在主体的底部，所述切刀安装在滑轨的末端，所述放料槽位于滑轨的顶部前端，所述载盘卡合于滑轨的内部，所述传送带安装在滑轨的侧端，且与载盘活动配合。

进一步的，所述载盘包括载体、接触块、下压板、剖光装置，所述载体的底部设有接触块，所述接触块与传送带活动配合，所述下压板安装在载体的内部上端，所述剖光装置设置在下压板的正中间，所述下压板与载体相卡合。

进一步的，所述剖光装置包括支撑座、摆动杆、剖光块，所述支撑座设有两个，且分别位于剖光装置内部两端，所述摆动杆卡合于支撑座的内部，所述剖光块安装在摆动杆的底端，所述摆动杆的顶端设有弹簧，所述摆动杆的顶端具有一定的弹性。

进一步的，所述支撑座包括弹簧槽、卡合槽、复位弹簧，所述弹簧槽设置在支撑座的内端，所述卡合槽设置在弹簧槽的上下端面，且卡合有摆动杆，所述复位弹簧设有两个，分别位于弹簧槽的两端，且与摆动杆活动配合，所述卡合槽为圆弧状。

进一步的，所述剖光块包括安装座、剖光层、转轴、限位槽、卡块，所述安装座的前端面设有剖光层，所述转轴卡合于安装座的顶端，所述限位槽设置在转轴下方，所述卡块嵌固在转轴的底端，所述卡块与限位槽活动卡合。

进一步的，所述剖光层包括安装槽、橡胶垫、磨砂块，所述安装槽设置在安装座的前端面，所述橡胶垫设有三个，且垂直排列于安装槽的内端，所述磨砂块卡合于安装槽的内部，所述橡胶垫内部为剖空状。

有益效果

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

1.本发明通过摆动杆顶端的弹簧复位，带动摆动杆的末端与切刀的侧端面接触，从而让摆动杆跟随切刀进行来回摆动，使得安装在摆动杆底端的剖光块能够跟随摆动，能够让剖光块对晶圆的切割面进行剖光，使得切割出来的晶圆端面具有较为平整的端面，从而以快速的吓到速度对晶圆进行切割也不会出现切割面粗糙的情况。

2.本发明通过橡胶垫内部为剖空状，能够让橡胶垫复位带动磨砂块紧贴于晶圆的切割面，将晶圆的切割面剖光平整，避免晶圆在切割后的切割面出现不平整的情况。

附图说明

图1为本发明一种半导体晶圆加工用硅圆片切割设备的主视结构示意图。

图2为本发明的主体剖视结构示意图。

图3为本发明的载盘剖视结构示意图。

图4为本发明的剖光装置剖视结构示意图。

图5为本发明的支撑座侧视结构示意图。

图6为本发明的剖光块剖视结构示意图。

图7为本发明的剖光层剖视结构示意图。

图中：主体1、操作台2、警报灯3、滑轨11、切刀12、放料槽13、载盘14、传送带15、载体141、接触块142、下压板143、剖光装置144、支撑座a1、摆动杆a2、剖光块a3、弹簧槽a11、卡合槽a12、复位弹簧a13、安装座b1、剖光层b2、转轴b3、限位槽b4、卡块b5、安装槽b21、橡胶垫b22、磨砂块b23。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

实施例一：请参阅图1-图5，本发明具体实施例如下：

其结构包括主体1、操作台2、警报灯3，所述主体1的前端设有操作台2，所述警报灯3嵌固在主体1的顶部侧端，所述主体1包括滑轨11、切刀12、放料槽13、载盘14、传送带15，所述滑轨11设置在主体1的底部，所述切刀12安装在滑轨11的末端，所述放料槽13位于滑轨11的顶部前端，所述载盘14卡合于滑轨11的内部，所述传送带15安装在滑轨11的侧端，且与载盘14活动配合。

所述载盘14包括载体141、接触块142、下压板143、剖光装置144，所述载体141的底部设有接触块142，所述接触块142与传送带15活动配合，所述下压板143安装在载体141的内部上端，所述剖光装置144设置在下压板143的正中间，所述下压板143与载体141相卡合，有利于下压板143在载体141中进行翻转。

所述剖光装置144包括支撑座a1、摆动杆a2、剖光块a3，所述支撑座a1设有两个，且分别位于剖光装置144内部两端，所述摆动杆a2卡合于支撑座a1的内部，所述剖光块a3安装在摆动杆a2的底端，所述摆动杆a2的顶端设有弹簧，有利于通过摆动杆a2中具有的弹性带动摆动杆a2与切刀12的侧端面接触，从而让摆动杆a2跟随切刀12进行来回摆动。

所述支撑座a1包括弹簧槽a11、卡合槽a12、复位弹簧a13，所述弹簧槽a11设置在支撑座a1的内端，所述卡合槽a12设置在弹簧槽a11的上下端面，且卡合有摆动杆a2，所述复位弹簧a13设有两个，分别位于弹簧槽a11的两端，且与摆动杆a2活动配合，所述卡合槽a12为圆弧状，有利于通过复位弹簧a13复位带动摆动杆a2在弹簧槽a11中进行来回摆动。

基于上述实施例，具体工作原理如下：当切刀12的下刀速度过快导致晶圆的切割端面切割不平整，利用载盘14带动晶圆在滑轨11上滑动，传送到切刀12的位置进行切割，再利用将剖光装置144安装在下压板143的正中间，通过摆动杆a2顶端的弹簧复位带动摆动杆a2的末端与切刀12的侧端面接触，从而让摆动杆a2跟随切刀12进行来回摆动，再将卡合槽a12设置为圆弧状，使得复位弹簧a13复位带动摆动杆a2在弹簧槽a11中进行来回摆动，从而让安装在摆动杆a2下端的剖光块a3也跟随摆动，从而能够对切割后的晶圆切割面进行打磨，将晶圆的切割面打磨平整。

实施例二：请参阅图6-图7，本发明具体实施例如下：

所述剖光块a3包括安装座b1、剖光层b2、转轴b3、限位槽b4、卡块b5，所述安装座b1的前端面设有剖光层b2，所述转轴b3卡合于安装座b1的顶端，所述限位槽b4设置在转轴b3下方，所述卡块b5嵌固在转轴b3的底端，所述卡块b5与限位槽b4活动卡合，避免转轴b3向后进行旋转。

所述剖光层b2包括安装槽b21、橡胶垫b22、磨砂块b23，所述安装槽b21设置在安装座b1的前端面，所述橡胶垫b22设有三个，且垂直排列于安装槽b21的内端，所述磨砂块b23卡合于安装槽b21的内部，所述橡胶垫b22内部为剖空状，有利于让橡胶垫b22复位带动磨砂块b23紧贴于晶圆的切割面，将晶圆的切割面摩擦平整。

基于上述实施例，具体工作原理如下：通过在安装座b1的顶端设置转轴b3，再通过将卡块b5嵌固在转轴b3的底端，使得卡块b5能够与限位槽b4活动卡合，能够限制转轴b3旋转的角度，避免转轴b3向后端进行旋转，让剖光块a3保持与晶圆的切割面进行摩擦，再利用将橡胶垫b22内部设置为剖空状，有利于让橡胶垫b22复位带动磨砂块b23紧贴于晶圆的切割面，将晶圆的切割面摩擦平整。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。