专利名称：电路板钻孔方法
技术领域：
本发明涉及一种钻孔精度高的电路板钻孔方法。
背景技术：
在电路板上所钻孔的参数在孔的深度、孔径及孔的相对位置要求非常精确，在通常的钻孔方法中，因钻孔过程中产生的瞬间局部温度过高而造成的电路板材料热膨胀形变，导致钻孔参数达不到所要求的参数精度范围，钻孔精度低，进而降低电路板的可靠性， 使电路板的品质难以保证。发明内容
本发明主要解决的技术问题是现有技术的电路板钻孔方法因热膨胀造成的形变而导致所钻孔精度低，进而降低电路板的可靠性。
为了解决上述技术问题，本发明实施例公开一种电路板钻孔方法，其包括如下步骤提供电路板，于所述电路板表面界定功能区及测试区，所述功能区及所述测试区的热膨胀系数一致，于所述测试区设定待加工钻孔的待加工参数，于所述测试区进行钻孔加工，待钻孔区域冷却至室温后检测加工后的钻孔的实际参数与所述待加工参数之间的偏差值，依据所述测试区的所述偏差值，对所述实际参数进行调整后于所述功能区设定所述待加工钻孔的最终参数，依据所述最终参数于所述功能区进行钻孔加工，完成钻孔工艺。
在本发明的一较佳实施例中，所述待加工参数为一参数域。
在本发明的一较佳实施例中，依据所述最终参数加工得到的钻孔待冷却至室温后检测的参数属于所述参数域。
在本发明的一较佳实施例中，所述待加工参数为孔深度或孔径或孔间距。
在本发明的一较佳实施例中，所述钻孔工艺为激光钻孔工艺或钻头钻孔工艺。
在本发明的一较佳实施例中，所述电路板钻孔方法还包括将所述功能区及所述测试区相互分离的步骤。
相较于现有技术，本发明的电路板钻孔方法中，将所述电路板界定所述功能区及所述测试区，在所述测试区进行多次钻孔及冷却直至得到符合精度要求的所述最终参数并在所述功能区对应钻出符合精度要求的钻孔，从而提高了钻孔的精度，提高了电路板的可靠性。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中
图I是本发明电路板钻孔方法的步骤示意图。
图2是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的电路板表面结构示意图。
图3是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔深加工方法的电路板钻孔截面结构示意图。
图4是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔径加工方法的电路板表面结构示意图。
图5是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔间距加工方法的电路板表面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种电路板钻孔方法，请参阅图1，其是本发明电路板钻孔方法的步骤示意图。所述步骤如下
步骤SI，提供电路板I，如图2所示。
在所述电路板I中，界定相邻设置的功能区10及测试区12。其中，所述测试区12 是用于测定待加工区域的钻孔热膨胀原因带来钻孔误差的区域，设定测试区的孔为13。所述功能区10用于实现实际孔径加工的区域，设定功能区的孔为11。
步骤S2，设定待加工参数域。
具体而言，在钻孔加工中，由于设备、操作及室温的因素，实际加工的参数无法达到期望加工的一固定参数值，而是随着设备性能提升、操作技能提高及室温的恒定而越来越接近所述固定参数值，因此在钻孔加工中需要设定一满足加工精度的参数范围，即所述待加工参数域，设定待加工孔深的参数域为LI至L2，其中LI小于L2，设定待加工孔径的参数域为Dl至D2，其中Dl小于D2，设定待加工孔间距的参数域为SI至S2，其中SI小于 S2。
步骤S3，于测试区钻孔。
具体而言，采用接近参数域的实际预设值于所述测试区钻孔，得到测试区的孔13 的参数，由于钻孔加工时材料产生热膨胀的原因，预设值X与实际尺寸Y不一致，记录钻孔前的预设值X与钻孔后并冷却至室温的孔13的实际尺寸Y的差值Z，在电路板孔深的加工方法中设置预设值X接近参数域LI至L2或属于参数域LI至L2，即L1〈X〈L2;路板孔径的加工方法中设置预设值X接近参数域Dl至D2或属于参数域Dl至D2，即D1〈X〈D2;在电路板孔间距的加工方法中设置预设值X接近参数域SI至S2或属于参数域SI至S2，SP S1〈X〈S2。
步骤S4，调整参数。
具体而言，在孔深的加工方法中当实际尺寸Y不在参数域LI至L2内且Y小于LI 时，采用略微大于差值Z的增量增加预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于LI至L2的钻孔；当实际尺寸Y不在参数域LI至L2内且Y大于L2时，采用略微小于差值Z的减量减小预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于LI至L2的钻孔13 ；
在孔径的加工方法中当实际尺寸Y不在参数域Dl至D2内且Y小于Dl时，采用略微大于差值Z的增量增加预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于Dl至D2的钻孔；当实际尺寸Y不在参数域Dl至D2内且Y大于D2 时，采用略微小于差值Z的减量减小预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于Dl至D2的钻孔13 ；
在孔间距的加工方法中当实际尺寸Y不在参数域SI至S2内且Y小于SI时，采用略微大于差值Z的增量增加预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于S I至S2的钻孔；当实际尺寸Y不在参数域SI至S2内且Y大于S2 时，采用略微小于差值Z的减量减小预设值X并再次在所述测试区12的未钻孔区域再次钻孔，直到得到实际尺寸Y属于SI至S2的钻孔13。
步骤S5，根据上一步骤中最终属于参数域的实际尺寸Y所对应的预设值X对所述功能区10钻孔，因所述功能区10与所述测试区12的热膨胀系数一致，故以相同的预设值 X在所述功能区10得到的钻孔11与在所述测试区12得到的钻孔13具有相同的热膨胀形变量，从而孔11与孔13的各自对应实际尺寸Y的热膨胀形变一致，所述孔11的实际尺寸属于参数域。
步骤S6，在所述功能区11钻孔结束后，切割分离掉所述测试区以得到一钻孔11全部达到精度要求的电路板。
本发明实施例还公开一种电路板孔深的加工方法，请参阅图3，图3是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔深加工方法的电路板钻孔截面结构示意图，具体操作步骤如下
首先，提供电路板2。所述电路板2界定功能区20及测试区22，所述功能区20及所述测试区22的热膨胀系数相同；
其次，设定待加工参数域。于所述测试区22设定待加工钻孔的孔深度的待加工参数，所述待加工参数域LI至L2，LI为O. 12毫米L2为O. 13毫米，即钻孔孔深度的精度合格的范围；
进一步的，于测试区钻孔。使用钻头钻孔设备于所述测试区22进行钻孔加工，设置钻头的深度X为O. 13毫米，待钻孔结束后将钻孔冷却至室温后，由于钻孔过程中瞬间在钻孔部位产生了大量的热，导致钻孔四周的材料因热膨胀发生了形变，经检测加工后的钻孔的实际参数Y为O. 14毫米，比所述待加工参数域的最大参数L2的O. 13毫米大O. 01毫米;
进一步的，调整参数。依据所述测试区22的所述偏差值Z为O. 01毫米，并考虑到钻孔时因热膨胀带来的偏差，再次设置钻头的深度X2为O. 115毫米，在所述测试区22没有钻孔的区域再次钻孔，待钻孔结束后冷却钻孔23至常温，测量上述钻孔23的孔深；
若所得孔深仍大于所述参数域的上限值L2即O. 13毫米，则再次设置钻头深度X 小于O. 115毫米并在所述测试区22没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔深介于 LI的O. 12毫米至L2的O. 13毫米之间；
若所得孔深小于所述参数域的下限值LI的O. 12毫米，则再次设置钻头深度X介于O. 115毫米至O. 13毫米之间并在所述测试区22没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔深介于O. 12毫米至O. 13毫米之间；
进一步的，于功能区钻孔。以此刻的钻头的深度为准对所述功能区20进行钻孔；
最后，分离功能区及测试区。待钻孔结束分离所述功能区20及所述测试区22，因所述电路板表面的各个区域的热膨胀系数相同，故在所述功能区20得到的钻孔21与在所述测试区22得到的最终的钻孔因热膨胀而产生的钻孔四周的材料形变一致，因而解决了在电路板钻孔方法中，因热胀冷缩而带来尺寸不精确的问题。
本发明实施例还公开一种电路板孔径在设定值的加工方法，请参阅图4，图4是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔径加工方法的电路板表面结构示意图，具体操作步骤如下
首先，提供电路板3。所述电路板3界定功能区30及测试区32，所述功能区30及所述测试区32的热膨胀系数相同。
其次，设定待加工参数域。于所述测试区32设定待加工钻孔的孔径的待加工参数，所述待加工参数域Dl为4. I毫米至D2为4. 2毫米，即钻孔孔径的精度合格的范围；
进一步的，于测试区钻孔。使用激光钻孔设备于所述测试区32进行钻孔加工，设置激光的预设切割直径X为4. I毫米，待钻孔结束后将钻孔33冷却至室温后，由于钻孔过程中瞬间在钻孔部位产生了大量的热，导致钻孔33位置四周的材料因热膨胀发生了形变， 经检测加工后的钻孔的直径实际参数Y为4. 25毫米，比所述待加工参数域的最大参数D2 的4. 2毫米大O. 05毫米；
进一步的，调整参数。依据所述测试区32的所述偏差值Z为O. 05毫米，并考虑到钻孔时因热膨胀带来的偏差，再次设置激光的切割直径X为4毫米，在所述测试区32没有钻孔的区域再次钻孔，待钻孔33结束后冷却钻孔至常温，测量上述钻孔33的孔径；
若所得孔径仍大于所述参数域的上限值D2的4. 2毫米，则再次设置激光预设切割直径X小于4毫米并在所述测试区32没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔径Y 介于Dl的4. I毫米至D2的4. 2毫米之间，以此刻的激光预设切割直径X为准对所述功能区30进行钻孔；
若所得孔径小于所述参数域的下限值D2的4. I毫米，则再次设置激光预设切割直径X介于4毫米至4. I毫米之间并在所述测试区32没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔径介于Dl的4. I毫米至D2的4. 2毫米之间；
进一步的，于功能区钻孔。以此刻的激光预设切割直径X为准对所述功能区30进行钻孔；
最后，分离功能区及测试区。待钻孔结束分离所述功能区30及所述测试区32，因所述电路板表面的各个区域的热膨胀系数相同，故在所述功能区30得到的钻孔与在所述测试区32得到的最终的钻孔因热膨胀而产生的钻孔四周的材料形变一致，因而解决了在电路板钻孔方法中，因热胀冷缩而带来尺寸不精确的问题。
本发明实施例同时还公开一种电路板孔间距在设定值的孔加工方法，请参阅图5， 图5是本发明电路板钻孔方法一较佳实施例的孔间距加工方法的电路板表面结构示意图， 具体操作步骤如下
首先，提供电路板4。所述电路板4界定功能区40及测试区42，所述功能区40及所述测试区42的热膨胀系数相同，于所述测试区42设定待加工的两钻孔之间的孔间距的待加工参数，所述待加工参数域为SI的7毫米至S2的7. 2毫米，即两钻孔的孔间距的精度合格的范围；
其次，设定待加工参数域。使用激光钻孔设备于所述测试区42进行钻孔加工，设置激光切割上述两钻孔的预期孔间距X为6. 9毫米，待钻孔结束后将钻孔43冷却至室温后，由于钻孔过程中瞬间在钻孔部位产生了大量的热，导致钻孔43四周的材料因热膨胀发生了形变，经检测加工后的两钻孔的孔间距的实际参数Y为6. 98毫米，比所述待加工参数域的最小参数S2的7毫米小O. 02毫米；
进一步的，调整参数。依据所述测试区42的所述偏差值Z为O. 02毫米，并考虑到钻孔时因热膨胀带来的偏差，再次设置激光切割的两钻孔的预设孔间距X为6. 95毫米，在所述测试区42没有钻孔的区域再次钻孔，待钻孔结束后冷却钻孔43至常温，测量上述两钻孔的孔间距Y ；
若所得孔间距Y仍小于所述参数域的下限值S2的7毫米，则再次设置激光切割两孔预设间距X大于6. 95毫米并在所述测试区42没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔径43介于SI的7毫米至S2的7. 2毫米之间；
若所得孔间距Y大于所述参数域的上限值S2的7. 2毫米，则再次设置激光切割预设间距X介于6. 9毫米至6. 95毫米之间并在所述测试区42没有钻孔的区域再次钻孔，直到得到冷却后的孔间距Y介于SI的7毫米至S2的7. 2毫米之间；
进一步的，于功能区钻孔。以此刻的激光切割预设孔距X为准对所述功能区40进行钻孔；
最后，分离功能区及测试区。待钻孔结束分离所述功能区40及所述测试区42，因所述电路板表面的各个区域的热膨胀系数相同，故在所述功能区40得到的钻孔与在所述测试区42得到的最终的钻孔因热膨胀而产生的钻孔四周的材料形变一致，因而解决了在电路板钻孔方法中，因热胀冷缩而带来尺寸不精确的问题。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种电路板钻孔方法，其包括如下步骤提供电路板，于所述电路板表面界定功能区及测试区，所述功能区及所述测试区的热膨胀系数一致；于所述测试区设定待加工钻孔的待加工参数；于所述测试区进行钻孔加工，待钻孔冷却至室温后检测加工后的钻孔的实际参数与所述待加工参数之间的偏差值；依据检测所述测试区的所述偏差值，对所述实际参数进行调整后于所述功能区设定所述待加工钻孔的最终参数；依据所述最终参数于所述功能区进行钻孔加工，完成钻孔工艺。
2.根据权利要求I所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述待加工参数为一参数域。
3.根据权利要求2所述的电路板钻孔方法，其特征在于，依据所述最终参数加工得到的钻孔待冷却至室温后检测的参数属于所述参数域。
4.根据权利要求I所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述待加工参数为孔深度、孔径或孔间距。
5.根据权利要求I所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述钻孔工艺为激光钻孔工艺或钻头钻孔工艺。
6.根据权利要求I所述的电路板钻孔方法，其特征在于，还包括将所述功能区及所述测试区相互分离的步骤。
全文摘要
本发明提供一种电路板钻孔方法。所述电路板钻孔方法包括如下步骤提供包括功能区及测试区的电路板，于所述测试区设定待加工参数域，于所述测试区钻孔，调整参数，于所述功能区钻孔，分离所述功能区及所述测试区。本发明的电路板钻孔方法降低了因钻孔造成的热膨胀而使钻孔形变的问题，具有钻孔效果精度高的优点。
文档编号B26F1/16GK102922144SQ20121047541
公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月21日 优先权日2012年11月21日
发明者冉彦祥, 林洪军 申请人:东莞市五株电子科技有限公司