一种新型低辐射玻璃的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型低辐射玻璃,其特征在于：包括玻璃基板，在所述玻璃基板上磁控溅射有TiO2介质层，在所述TiO2介质层上磁控溅射有CrNx阻挡层，在所述CrNx阻挡层上磁控溅射有AZO平整层，在所述AZO平整层上磁控溅射有Ag功能层，在所述Ag功能层上磁控溅射有(NiCr)xOy层，在所述(NiCr)xOy层上磁控溅射有SnO2保护层，在所述SnO2保护层上磁控溅射有C层。本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本相对较低的新型低辐射玻璃。
【专利说明】一种新型低辐射玻璃
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种新型低辐射玻璃。
【背景技术】
[0002] 低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜 玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地 方。
[0003] 现有的低辐射玻璃其强度不够很容易遭受损坏，影响正常的使用，不能满足使用 者的需求，故此，现有的低辐射玻璃有待于进步完善。 实用新型内容
[0004] 本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产 成本相对较低的新型低辐射玻璃。
[0005] 为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案：
[0006] -种新型低辐射玻璃，其特征在于：包括玻璃基板，在所述玻璃基板上磁控溅射 有Ti02介质层，在所述Ti02介质层上磁控溅射有CrNx阻挡层，在所述CrNx阻挡层上磁控 溅射有ΑΖ0平整层，在所述ΑΖ0平整层上磁控溅射有Ag功能层，在所述Ag功能层上磁控溅 射有（NiCr)xOy层，在所述（NiCr)xOy层上磁控溉射有Sn02保护层，在所述Sn02保护层上 磁控溉射有C层。
[0007] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述1102介质层的厚度为10? 30nm〇
[0008] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述CrNx阻挡层的厚度为0.5? 2nm〇
[0009] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述ΑΖ0平整层的厚度为5?20nm。
[0010] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述Ag功能层的厚度为7?10nm。
[0011] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述（NiCr)X〇y层的厚度为0. 5? 5nm〇
[0012] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述Sn02保护层的厚度为20? 50nm〇
[0013] 如上所述的一种新型低辐射玻璃，其特征在于所述C层的厚度为10?20nm。
[0014] 综上所述，本实用新型的有益效果：
[0015] 本实用新型结构简单，生产成本相对较低。本实用新型中（NiCr)x0y能提高膜层耐 磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。
[0016] 本实用新型中C层代替PE保护膜或隔离粉，防止镀膜玻璃在处理过程中被划伤； 此膜层在钢化过程中会被完全燃烧，从而不影响镀膜玻璃的光学性能。
[0017] 本实用新型产品特点：透过率达83%，辐射率小于0. 08,膜层不易被划伤。
【专利附图】
【附图说明】
[0018] 图1为本实用新型的示意图。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合【具体实施方式】对本实用新型做进一步描述：
[0020] 本实用新型一种新型低辐射玻璃，包括玻璃基板1，在所述玻璃基板1上磁控溅射 有Ti02介质层2,在所述Ti02介质层2上磁控溅射有CrNx阻挡层3,在所述CrNx阻挡层3 上磁控溅射有ΑΖ0平整层4,在所述ΑΖ0平整层4上磁控溅射有Ag功能层5,在所述Ag功 能层5上磁控溉射有（NiCr)xOy层6,在所述（NiCr)xOy层6上磁控溉射有Sn02保护层7， 在所述Sn02保护层7上磁控溅射有C层8。
[0021] 本实用新型所述Ti02介质层的厚度为10?30nm。所述CrNx阻挡层的厚度为 0.5?2nm。所述ΑΖ0平整层的厚度为5?20nm。所述Ag功能层的厚度为7?10nm。所 述（NiCr)xOy层的厚度为0· 5?5nm。所述Sn02保护层的厚度为20?50nm。所述C层的 厚度为10?20nm。
[0022] 本实用新型低辐射玻璃，可以通过以下制备方法制备：
[0023]A、采用氩气作为反应气体，交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射 Ti02介质层；所述氩气的气体流量lOOOsccm，，溅射功率为30KW;
[0024]B、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤A 中Ti02介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；，氩气与氮气的体积流量比为1 :2,即氩气与氮气 的体积流量比为500sccm:1000sccm;CrNx阻挡层有效防止Ag层被氧化；
[0025] C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的 Ti02介质层上磁控溅射ΑΖ0平整层；ΑΖ0平整层为Ag层作铺垫，降低辐射率；
[0026] D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZ0平整层上磁控 溉射Ag功能层；
[0027] E、采用氮气作为反应气体，渗少量氧气，直流电源溅射，在步骤D中的Ag功能层上 磁控溅射（NiCr)xOy层；(NiCr)xOy层能有效提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗 高温氧化性；
[0028]F、采用氧气作为反应气体，交流中频电源溉射锡祀，在步骤E中的（NiCr)xOy层上 磁控溅射Sn02保护层；Sn02保护层耐腐蚀性好；
[0029] G、直流电流溅射石墨靶，在步骤F中的Sn02保护层上磁控溅射C层。此层不是 L0W-E玻璃的功能层，是用来代替镀完L0W-E膜后的TO保护膜或隔离粉，防止镀膜玻璃在处 理过程中被划伤；此膜层在钢化过程中会被完全燃烧，从而不影响镀膜玻璃的光学性能。
[0030] 本实用新型产品透过率达83%，辐射率小于0. 08,膜层不易被划伤。
[0031] 以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行 业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述 的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还 会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型 要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1. 一种新型低辐射玻璃，其特征在于：包括玻璃基板（1)，在所述玻璃基板（1)上磁 控溅射有Ti02介质层（2)，在所述Ti02介质层（2)上磁控溅射有CrNx阻挡层（3)，在所述 CrNx阻挡层（3)上磁控溅射有AZO平整层（4)，在所述AZO平整层（4)上磁控溅射有Ag功 能层（5)，在所述Ag功能层（5)上磁控溉射有（NiCr)xOy层（6)，在所述（NiCr)xOy层（6) 上磁控溅射有Sn02保护层（7)，在所述Sn02保护层（7)上磁控溅射有C层（8)，所述1102介 质层的厚度为10?30nm，所述CrNx阻挡层的厚度为0. 5?2nm，所述AZ0平整层的厚度为 5?20nm，所述Ag功能层的厚度为7?10nm，所述（NiCr)xOy层的厚度为0· 5?5nm，所述 Sn02保护层的厚度为20?50nm，所述C层的厚度为10?20nm。
【文档编号】B32B33/00GK203864111SQ201320854827
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2013年12月21日 优先权日:2013年12月21日
【发明者】魏佳坤 申请人:揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司