压电/电致伸缩膜型元件的制造方法

专利名称：压电/电致伸缩膜型元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成空腔的基板、和在该基板的第一主面上与该空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体。
背景技术：
图58的截面图是说明压电/电致伸缩膜型元件9的现有制造方法的模式图，所述元件构成在喷墨打印机的机头中所使用的用于喷出油墨的压电/电致伸缩执行器的主要部分。在现有的制造方法中，如图58(a)所示，在形成有作为油墨加压室的空腔拟6的基板902的表面上，丝网印刷导电材料的糊，将得到的涂布膜进行烧成，形成下部电极膜912。 其后，如图58(b)所示，在下部电极膜912上丝网印刷压电/电致伸缩材料的糊，将得到的涂布膜进行烧成，形成压电/电致伸缩体膜914。进而在其后，如图58(c)所示，在压电/ 电致伸缩体膜914上丝网印刷导电材料的糊，将得到的涂布膜进行烧成，形成上部电极膜 916。在专利文献1中，公开了喷墨打印机的机头所使用的用于喷出油墨的压电/电致伸缩执行器的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特许第3999044号公报

发明内容
发明要解决的课题但是，现有的制造方法中存在如下问题基于形成下部电极膜后进行的烧成，导致下部电极膜中孔隙增加，下部电极膜的被覆率低下。该问题，在为了增加弯曲位移的位移量而使下部电极膜的膜厚变薄时特别显著。另外，在现有的制造方法中，由于基板、丝网版的尺寸的偏差、变形，下部电极膜的平面位置与空腔的平面位置偏离，存在使压电/电致伸缩执行器的油墨的吐出量产生偏差这样的问题。这些问题，不仅存在于构成压电/电致伸缩执行器的主要部分的压电/电致伸缩膜型元件，也同样存在于压电/电致伸缩膜型元件中，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成空腔的基板和在该基板的表面上与该空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/ 电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体，例如，具有隔膜结构的压电薄膜共振子(FBAR =Film Bulk Acoustic Resonator (薄膜体声波谐振器))等。本发明为了解决这些问题而进行，目的在于提供一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述方法在增加最下层的电极膜的被覆率的同时，可防止空腔的平面位置与最下层的电极膜的平面位置的偏离。解决课题的方法以下表示解决上述课题的方法。第一发明为，一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板、和在上述基板的第一主面上与上述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体；所述方法具有(a)制作上述基板的工序；(b)在上述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(C)由上述基板的第二主面的一侧照射光，将转印有上述空腔的平面形状的潜像描画于上述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在形成有上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成含有催化剂金属树脂酸盐的树脂酸盐膜的工序；(f)除去上述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成有上述第一光致抗蚀剂膜图案的区域上所形成的上述树脂酸盐膜，形成树脂酸盐膜的图案的工序；(g)将上述树脂酸盐膜的图案进行烧成，形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的图案的工序；(h)在上述催化剂层的图案上将镀敷膜进行无电解镀敷，形成构成上述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(i)形成构成上述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了上述最下层电极膜以外的膜的工序。第二发明为，在第一发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(a) 是制作通过板厚为30 μ m以下的板将上述空腔与第一主面的一侧隔开的上述基板。第三发明为，在第一或第二发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有(j)在上述工序(c)之前，向上述空腔填充遮光剂的工序；上述工序(c)是将在未形成上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜进行选择性曝光；上述工序(d)是除去上述第一光致抗蚀剂膜的未曝光部分。第四发明为，在第三发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(j) 是填充含有颜料的上述遮光剂。第五发明为，在第一或第二发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(C)是将在形成有上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜进行选择性曝光， 上述工序(d)是除去上述第一光致抗蚀剂膜的曝光部分。第六发明为，在第五发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有 (k)在上述工序(C)之前，在上述基板第二主面的未形成上述空腔的区域形成遮光膜的工序。第七发明为，在第六发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(k) 是形成含有颜料的上述遮光膜。第八发明为，在第一至第七的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(i)进一步具有(i_l)重叠于构成上述振动层叠体的任意的压电/电致伸缩体膜并在上述基板的第一主面上形成第二光致抗蚀剂膜的工序；(i-幻由上述基板的第二主面的一侧照射光，将在未形成上述任意的压电/电致伸缩体膜的区域所形成的上述第二光致抗蚀剂膜进行选择性曝光的工序；(iD除去上述第二光致抗蚀剂膜的未曝光部分， 形成第二光致抗蚀剂膜的图案的工序；(i_4)在未形成上述第二光致抗蚀剂膜的图案的区域形成构成上述振动层叠体的电极膜的工序；(i-幻除去上述第二光致抗蚀剂膜的图案的
8工序。第九发明为，在第一至第八的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(i)进一步具有(i_6)重叠于构成上述振动层叠体的任意电极膜并在上述基板的第一主面上形成第三光致抗蚀剂膜的工序；(i-7)由上述基板的第二主面的一侧照射光，将在未形成上述任意电极膜的区域所形成的上述第三光致抗蚀剂膜进行选择性曝光的工序；(i_8)除去上述第三光致抗蚀剂膜的未曝光部分，形成第三光致抗蚀剂膜的图案的工序；(i-9)在未形成上述第三光致抗蚀剂膜的图案的区域形成构成上述振动层叠体的压电/电致伸缩体膜的工序；(i-io)除去上述第三光致抗蚀剂膜的图案的工序。第十发明为，在第一至第九的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(i)进一步具有(i-ll)通过向着构成上述振动层叠体的任意电极膜使压电/ 电致伸缩材料进行电泳来形成构成上述振动层叠体的压电/电致伸缩体膜的工序。第十一发明为，在第一至第十的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有(1)在上述工序(d)此后、上述工序(e)之前，用比上述第一光致抗蚀剂膜的图案疏水性高的疏水膜来被覆上述第一光致抗蚀剂膜的图案的工序。第十二发明为，在第十一发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(1)具有(1-1)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成掩蔽膜的工序；(1-2)除去上述掩蔽膜直至上述第一光致抗蚀剂膜的图案露出，形成掩蔽膜的图案的工序；(1-3)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案及上述掩蔽膜的图案并在上述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(1-4)除去上述掩蔽膜的图案及在上述掩蔽膜的图案上所形成的上述疏水膜的工序。第十三发明为一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板、和在上述基板的第一主面上与上述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体；所述制造方法具有(a) 制作上述基板的工序；(b)在上述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(C)由上述基板的第二主面的一侧照射光，将转印有上述空腔的平面形状的潜像描画于上述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影来除去在形成有上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的工序；(f)在上述催化剂层上将镀敷膜进行无电解镀敷的工序；(g)将上述第一光致抗蚀剂膜的图案、和在形成有上述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的上述催化剂层及上述镀敷膜除去， 形成构成上述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(h)形成构成上述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了上述最下层的电极膜以外的膜的工序。第十四发明为，在第十三发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有(i)在上述工序⑷此后、上述工序(e)之前，用比上述第一光致抗蚀剂膜的图案疏水性高的疏水膜被覆上述第一光致抗蚀剂膜的图案的工序。第十五发明为，在第十四发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(i)具有(i_l)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成掩蔽膜的工序；(i_2)除去上述掩蔽膜直至上述第一光致抗蚀剂膜的图案露出，形成掩蔽膜的图案的工序；(iD重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案及上述掩蔽膜的图案并在上
9述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(i_4)除去上述掩蔽膜的图案及在上述掩蔽膜的图案上所形成的上述疏水膜的工序。第十六发明为，在第十三发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有(j)在上述工序(a)此后、上述工序(b)之前，将上述基板的第一主面进行粗面化的工序。第十七发明为，在第十三发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，进一步具有(k)在上述工序(a)此后、上述工序(b)之前，在上述基板的第一主面上形成提高上述镀敷膜的密合性的密合层工序。第十八发明为，在第十三至第十七的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(e)是使催化剂金属溶解于溶剂中形成的催化剂金属溶液接触于上述基板的第一主面。第十九发明为，在第十三至第十七的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(e)是使催化剂金属的微粒分散于分散介质中形成的催化剂金属分散液接触于上述基板的第一主面。第二十发明为，在第十三至第十七的任一个发明的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法中，上述工序(e)是在上述基板的第一主面上蒸镀催化剂金属。第二十一发明为，一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板、和在上述基板的第一主面上与上述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体，所述制造方法具有以下工序(a)制作上述基板的工序；(b)在上述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由上述基板的第二主面的一侧照射光，将转印有上述空腔的平面形状的潜像描画于上述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在未形成上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(f)除去上述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成有上述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的上述疏水膜，形成疏水膜的图案的工序；(g)重叠于上述疏水膜的图案并在上述基板的第一主面上形成含有催化剂金属的树脂酸盐的树脂酸盐膜的工序；(h)除去上述疏水膜的图案，形成树脂酸盐膜的图案的工序；(i)烧成上述树脂酸盐膜的图案，形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的图案的工序；(j)在上述催化剂层的图案上将镀敷膜进行无电解镀敷，形成构成上述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(k)形成构成上述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了上述最下层的电极膜以外的膜的工序。第二十二的发明为，一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板、和在上述基板的第一主面上与上述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜进行层叠的振动层叠体，所述制造方法具有以下工序(a)制作上述基板的工序；(b)在上述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由上述基板的第二主面的一侧照射光，将转印有上述空腔的平面形状的潜像描画于上述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在未形成上述空腔的区域所形成的上述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)重叠于上述第一光致抗蚀剂膜的图案并在上述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(f)除去上述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成上述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的上述疏水膜，形成疏水膜的图案的工序；(g)重叠于上述疏水膜的图案并在上述基板的第一主面上形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的工序；(h)在上述催化剂层上将镀敷膜进行无电解镀敷的工序；(i)除去上述疏水膜的图案、和在形成有上述疏水膜的图案的区域所形成的上述催化剂层及上述镀敷膜，形成构成上述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(j)形成构成上述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了上述最下层的电极膜以外的膜的工序。发明效果通过第一发明，最下层的电极膜的填充密度提高的同时耐热性提高，因此最下层的电极膜的被覆率增加。另外，在形成有空腔的区域形成最下层的电极膜，因此可抑制空腔的平面位置与最下层的电极膜的平面位置的偏离。通过第二发明，形成有空腔的区域的温度变得均勻，因此在形成有空腔的区域均勻地形成最下层的电极膜。通过第四发明，提高图案的分辨率。通过第六发明，形成有空腔的区域的光透过率与未形成空腔的区域的光透过率的差变大，因此可提高图案的分辨率。通过第七发明，进一步提高图案的分辨率。通过第八发明，在形成有压电/电致伸缩体膜的区域形成电极膜，因此可抑制压电/电致伸缩体膜的平面位置与电极膜的平面位置的偏离。通过第九发明，在形成有电极膜的区域形成压电/电致伸缩体膜，因此可抑制电极膜的平面位置与压电/电致伸缩体膜的平面位置的偏离。通过第十发明，在包含形成有电极膜的区域的区域形成压电/电致伸缩体膜，因此可抑制电极膜的平面位置与压电/电致伸缩体膜的平面位置的偏离。通过第十一的发明，最下层的电极膜被疏水膜排斥，因此可抑制最下层的电极膜的端部的弹起。通过第十三发明，最下层的电极膜的耐热性提高，因此最下层的电极膜的被覆率增加。另外，在形成有空腔的区域形成最下层的电极膜，因此可抑制空腔的平面位置与最下层的膜的平面位置的偏离。通过第十四发明，将形成最下层的电极膜的面进行粗面化，因此最下层的电极膜的密合性提高。通过第十五发明，在形成最下层的电极膜的面上形成可提高最下层电极膜的密合性的密合层，因此最下层的电极膜的密合性提高。通过第十九发明，最下层的电极膜的耐热性提高，因此最下层的电极膜的被覆率增加。另外，在形成有空腔的区域形成最下层的电极膜，因此可抑制空腔的平面位置与最下层的膜的平面位置的偏离。进而，最下层的电极膜被疏水膜排斥，因此可抑制最下层的电极膜的端部的弹起。通过第二十发明，最下层的电极膜的耐热性提高，因此最下层的电极膜的被覆率增加。另外，在形成有空腔的区域形成最下层的电极膜，因此可抑制空腔的平面位置与最下层的膜的平面位置的偏离。进而，最下层的电极膜被疏水膜排斥，因此可抑制最下层的电极膜的端部的弹起。


[图1]表示通过第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法制造的压电 /电致伸缩膜型元件的结构的立体图。[图2]图1的沿着I-I的压电/电致伸缩膜型元件的截面图。[图3]图1的沿着II-II的压电/电致伸缩膜型元件的截面图。[图4]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图5]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图6]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图7]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图8]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图9]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图10]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图11]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图12]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图13]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图14]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图15]说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的图。[图16]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图17]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图18]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图19]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图20]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图21]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图22]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图23]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图24]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图25]说明第一实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图26]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图27]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图28]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图29]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图30]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图31]说明第二实施方式的下部电极膜的形成方法的图。[图32]说明第三实施方式的压电/电致伸缩体膜的形成方法的图。[图33]说明第三实施方式的压电/电致伸缩体膜的形成方法的图。[图34]说明第三实施方式的压电/电致伸缩体膜的形成方法的图。[图35]说明第三实施方式的压电/电致伸缩体膜的形成方法的图。
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[图36]说明第三实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图37]说明第三实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图38]说明第三实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图39]说明第三实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图40]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图41]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图42]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图43]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图44]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图45]说明第四实施方式的抗蚀剂图案的形成方法的图。[图46]说明第五实施方式的抑制处理弹起的图。[图47]说明第五实施方式的抑制处理弹起的图。[图48]说明第五实施方式的抑制处理弹起的图。[图49]说明第五实施方式的抑制处理弹起的图。[图50]表示下部电极膜的端部的没有弹起的状态和有弹起的状态的图。[图51]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图52]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图53]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图54]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图55]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图56]说明第六实施方式的疏水膜图案的形成方法的图。[图57]比较热处理后的下部电极膜的被覆率的曲线图。[图58]说明压电/电致伸缩膜型元件的现有制造方法的截面图。
具体实施例方式<1第一实施方式〉在第一实施方式中，在压电/电致伸缩膜型元件的制造中，将内腔中填充有遮光剂的基板作为掩模通过光刻法形成下部电极膜，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有成为空腔的内腔的基板；在基板的表面上与内腔平面位置相对应而设置的将下部电极膜、压电/电致伸缩体膜及上部电极膜层叠而成的振动层叠体。其后，通过向着下部电极膜使压电/电致伸缩材料的粉末进行电泳来形成压电/电致伸缩体膜，并且将压电/电致伸缩体膜作为掩模通过光刻法形成上部电极膜。<1. 1压电/电致伸缩膜型元件1002的结构>图1 图3为表示通过本发明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法制造的压电/电致伸缩膜型元件1002的概略结构的模式图。图1为压电/电致伸缩膜型元件1002的立体图，图2为图1的沿着II-II线的压电/电致伸缩膜型元件1002的截面图，图3为图1的沿着III-III线的压电/电致伸缩膜型元件1002的截面图。压电/电致伸缩膜型元件1002，构成在喷墨打印机的机头中所使用的用于喷出油墨的压电/电致伸缩执行器的主要部分。此外，下述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，也可用于制造其
13他种类的压电/电致伸缩膜型元件。如图1 图3所示，压电/电致伸缩膜型元件1002，具有将多个振动层叠体1004 在基板1006表面规制地排列的结构。此外，下述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法， 也可用于制造仅具有一个振动层叠体1004的压电/电致伸缩膜型元件。如图2及图3所示，压电/电致伸缩膜型元件1002，具有如下的截面结构在将底板1008、底板1010及振动板1012按照列举的顺序由下到上进行层叠的基板1006表面，设置有将下部电极膜1014、压电/电致伸缩体膜1016及上部电极膜1018按照列举的顺序由下到上进行层叠的振动层叠体1004。{基板 10( }基板1006为绝缘陶瓷的烧成体。绝缘陶瓷的种类没有限制，从耐热性、化学的稳定性及绝缘性的观点出发，优选含有选自由氧化锆、氧化铝、氧化镁、莫来石、氮化铝及氮化硅组成的组中的至少一种。其中，从机械的强度及韧性的观点出发，优选稳定化的氧化锆。 在这里，所谓“稳定化的氧化锆”，是指通过添加稳定剂来抑制结晶相转变的氧化锆，除了稳定化氧化锆以外，包含部分稳定化氧化锆。底板1008，具有在大致均勻板厚的板上形成有具有圆形的平面形状的喷墨孔 1020及油墨供给孔1022的结构。喷墨孔1020，形成于下述的形成有内腔IOM的区域(以下称为“内腔区域”)1902的一端的近傍，油墨供给孔1022，形成于内腔区域1902的另一端的近傍。底板1010，具有在大致均勻板厚的板上形成具有细长矩形的平面形状的内腔 1024的结构。为了增加下述的弯曲位移的位移量、并增加排除体积，优选使内腔IOM横向的宽Wl较宽，优选为50 μ m以上。其中，如果内腔IOM宽Wl变得过宽，则振动层叠体1004 的排列间隔变得过宽，因此内腔IOM宽Wl优选为100 μ m以下。为了减少流路阻力，内腔 1024纵向的长度L优选较短，优选为3mm以下。为了增加弯曲位移的位移量，增加排除体积，存在于邻接的内腔IOM间的隔板10 的宽W2优选较窄，优选为100 μ m以下。内腔IOM平面形状并不限于细长矩形。S卩，内腔IOM平面形状可以是三角形、四角形等多角形，也可以是圆形、椭圆形等轮郭的全部或一部分为曲线的平面形状。另外，没有必要在一个方向上排列内腔IOM，例如，可在相互垂直的2个方向上以格子状排列内腔 1024ο振动板1012为板厚大致均勻的板。振动板1012的板厚优选为1 μ m以上30 μ m 以下，进一步优选为Iym以上15 μ m以下。因为低于该范围时，振动板1012容易损伤，高于该范围时，振动板1012的刚性变高，弯曲位移的位移量有减少的倾向。振动板1012不是必须平坦，即使振动板1012有若干的凹凸、弯曲，也可采用下述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法。通过底板1008、底板1010及振动板1012的层叠结构，内腔1024，成为通过振动板 1012与表面的一侧隔开并通过底板1010与背面的一侧隔开的基板1006内部的空腔，作为保持油墨的油墨室而发挥功能。另外，喷墨孔1020连接于内腔1024，作为由内腔IOM流出的油墨流路而发挥功能。进而，油墨供给孔1022也连接于内腔1024，作为流入内腔IOM 的油墨流路而发挥功能。底板1008、底板1010及振动板1012的板厚的合计，以充分透过用于下述曝光的光的形式来决定。当然，板厚的合计为何种程度可充分透过用于曝光的光，根据绝缘陶瓷的种类、烧成体的致密度而变化。{振动层叠体1004}下部电极膜1014为导电材料的镀敷析出物。上部电极膜1018为导电材料的烧成体。上部电极膜1018也可为导电材料的镀敷析出物。导电材料的种类没有限制，从电阻及耐热性的观点出发，优选钼、钯、铑、金、银等金属或将它们作为主成分的合金。其中，优选耐热性特别优异的钼或将钼作为主成分的合金。下部电极膜1014膜厚优选为0. Ιμπι以上5.0μπι以下，上部电极膜1018膜厚优选为0. Ιμπι以上3.0μπι以下。超过该范围时，下部电极膜1014及上部电极膜1018刚性变高，弯曲位移的位移量有减少的倾向，低于该范围时，下部电极膜1014及上部电极膜1018 的电阻倾向于上升，或者下部电极膜1014及上部电极膜1018倾向于断线。下部电极膜1014及上部电极膜1018，优选以覆盖实际上有助于压电/电致伸缩体膜1016的弯曲位移的区域的形式来形成。例如，优选以包含压电/电致伸缩体膜16中央部分，覆盖压电/电致伸缩体膜1016上面及下面的80%以上的区域的形式来形成。压电/电致伸缩体膜1016为压电/电致伸缩陶瓷的烧成体。压电/电致伸缩陶瓷的种类没有限制，从场致应变的观点出发，优选铅(Pb)系钙钛矿氧化物，进一步优选钛锆酸铅(PZT ；Pb (ZrxTi1J O3)或导入单纯氧化物、复合钙钛矿氧化物等的钛酸锆酸铅的改性物。其中，优选为在钛锆酸铅与铌镁酸铅O^b(Mg1Z3Nlv3)O3)的固溶体导入氧化镍(NiO) 的物质、钛酸锆酸铅与镍酸铌酸铅O^b(Ni1Z3Nlv3)O3)的固溶体。压电/电致伸缩体膜1016膜厚优选为1 μ m以上20 μ m以下。低于该范围时，压电/电致伸缩体膜1016致密化有变得不充分的倾向，超过该范围时，压电/电致伸缩体膜 1016烧结时的收缩应力变大，因此有必要使振动板1012的板厚较厚。进而，振动层叠体1004，具有成为针对下部电极膜1014的供电经路的下部配线电极10 ；成为针对上部电极膜1018的供电经路的上部配线电极1030。下部配线电极 1028的一端，在下部电极膜1014与压电/电致伸缩体膜1016之间并与下部电极膜1014 一端进行电导通，下部配线电极10 的另一端，位于内腔区域1902的外侧的非内腔区域 1904。上部配线电极1030的一端，在上部电极膜1018上并与上部电极膜1018 —端进行电导通，上部电极膜1018的另一端，位于非内腔区域1904。 设置下部配线电极10 及上部配线电极1030，并向位于下部配线电极10 及上部配线电极1030的非内腔区域1904的供电点给予驱动信号，则对于下述的弯曲振动不给予影响，并可对压电/电致伸缩体膜1016施加电场。振动层叠体1004，在内腔IOM上方并与振动板1012 —体化。通过这样的结构，经由下部配线电极10 及上部配线电极1030在下部电极膜1014与上部电极膜1018之间给予驱动信号，对于压电/电致伸缩体膜1016施加电场时，压电/电致伸缩体膜1016在与基板1006表面平行的方向进行伸缩，一体化的压电/电致伸缩体膜1016及振动板1012发生弯曲位移。通过该弯曲位移，内腔IOM内部的油墨经由喷墨口 1020喷出于外部。<1. 2压电/电致伸缩膜型元件的制造方法>图4 图15为说明第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法的模式图。图4 图15为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。
{基板1006的制作}在第一实施方式的压电/电致伸缩膜型元件1002的制造方法中，如图4所示，制作基板1006。基板1006例如通过将绝缘陶瓷成形为片状的生片进行压接、烧成来制作。{下部电极膜1014的形成}接着，如图5所示，在基板1006表面形成未覆盖内腔区域1902而覆盖非内腔区域 1904的抗蚀剂的图案1042。将基板1006作为掩模，将覆盖基板1006表面的抗蚀剂膜通过光刻法进行图案化来形成抗蚀剂膜的图案1042。形成抗蚀剂膜的图案1042形成后，如图6所示，重叠于抗蚀剂膜的图案1042并在基板1006表面形成树脂酸盐膜1044。此后除去抗蚀剂膜的图案1042，因此树脂酸盐膜 1044即使溢出至非内腔区域1904也没有问题。另外，树脂酸盐膜1044在非内腔区域1904 的形成即使不完全也没有问题。树脂酸盐膜1044，通过涂布含有催化剂金属的树脂酸盐的溶液(以下称为“催化剂金属树脂酸盐液”)后除去溶剂来形成。催化剂金属树脂酸盐液通过旋涂、喷涂等来涂布。 催化剂金属，根据可无电解镀敷的导电材料来选择，典型地选择钼(Pt)、钯(Pd)等作为催化剂金属。形成树脂酸盐膜1044后，如图7所示，除去抗蚀剂膜的图案1042及在形成有抗蚀剂膜的图案1042的区域所形成的树脂酸盐膜1044。由此，在与内腔IOM相同的平面位置形成具有与内腔IOM相同的平面形状的树脂酸盐膜的图案1045。抗蚀剂膜的图案1042，通过药液法来剥离。在抗蚀剂膜的图案1042的剥离中使用的药液，根据抗蚀剂膜的图案1042 的感光材料来选择，典型地可选择有机溶剂、胼系或非胼系的强碱性蚀刻液等。另外，抗蚀剂膜的图案1042，可通过热处理法、等离子体处理法等来剥离，通过热处理法来剥离时，处理温度优选为500°C以上。剥离抗蚀剂膜的图案1042后残留有残渣时，或者向在制品喷射洗涤用的气体，或者向在制品喷射研磨剂的粉末，或者用洗涤用的液体冲洗在制品，或者将在制品浸渍于洗涤用的液体中，由此除去该残渣。通过在树脂酸盐膜的图案1045的烧成之前剥离抗蚀剂膜的图案1042，在烧成树脂酸盐膜的图案1045时可抑制抗蚀剂膜的图案1042影响下述的催化剂层的图案1046。除去抗蚀剂膜的图案1042后，如图8所示，烧成树脂酸盐膜的图案1045。由此， 在与内腔IOM相同的平面位置形成具有与内腔IOM相同的平面形状的催化剂层的图案 1046。所谓“催化剂层”，是使催化剂金属的核分散于平面内的层。在形成有催化剂层的图案1046的内腔区域1902，吸附有成为导电材料析出起点的催化剂金属的核。烧成是在树脂酸盐进行分解且成为催化剂金属的核的微粒析出的温度下进行。因此，烧成温度根据树脂酸盐的种类进行选择，典型地树脂酸盐膜的图案1045在200 1300°C下进行烧成。为了形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的图案1046，S卩，为了不形成催化剂金属的完全的被膜，不使树脂酸盐膜1044所含有的催化剂金属变得过多。例如，树脂酸盐膜1044膜厚为3 10 μ m时，催化剂金属树脂酸盐液中的催化剂金属的含有量优选为0. 1 重量％以上20重量％以下。形成催化剂层的图案1046后，在催化剂层的图案1046上将镀敷膜无电解镀敷。由此，如图9所示，形成下部电极膜1014。
在无电解镀敷中，在还原催化剂层的图案1046后导电材料由镀敷液析出。催化剂层的图案1046，通过将在制品浸渍于还原剂液中使还原剂液接触催化剂层的图案1046来进行还原。作为还原剂液，例如，可使用氢氧化钠及硼氢化钠的复合水溶液。通过将在制品浸渍于镀敷液中使被还原并活性化的催化剂层的图案1046接触镀敷液，使得导电材料由镀敷液析出。此时，振动板1012的板厚薄至30 μ m以下时，在内腔区域1902中基板1006表面的温度变得均勻，因此在内腔区域1902中均勻地形成下部电极膜1014。{压电/电致伸缩体膜1016的形成}接着，如图10所示，形成成为压电/电致伸缩体膜1016的压电/电致伸缩材料膜1048。压电/电致伸缩材料膜1048的形成通过如下方式进行如图10所示，在将压电 /电致伸缩材料分散于分散介质的浆液中，将在制品及对向电极1050隔开间隔浸渍其中的同时，对于下部电极膜1014和对向电极1050施加电压，通过使压电/电致伸缩材料向下部电极膜1014进行电泳。由此，在与下部电极膜1014相同的平面位置形成比具有下部电极膜1014稍大的平面形状的压电/电致伸缩材料膜1048。此时，将形成有下部配线电极10 的区域等的没有必要形成压电/电致伸缩材料膜1048的区域通过有机保护膜等进行掩蔽，在形成压电/电致伸缩材料膜1048后优选将不要的压电/电致伸缩材料与有机保护膜一起除去。由此，可防止在下部配线电极10 上形成压电/电致伸缩材料膜1048。形成压电/电致伸缩材料膜1048后，烧成压电/电致伸缩材料膜1048。由此，如图11所示，压电/电致伸缩材料膜1048，形成压电/电致伸缩体膜1016，并在与下部电极膜1014相同的平面位置形成具有比下部电极膜1014稍大的平面形状的压电/电致伸缩体膜1016。另外，容许由于烧成引起的若干收缩。压电/电致伸缩材料膜的1048烧成，优选在将在制品收容于氧化铝、氧化镁等的套筒中的状态下进行。{上部电极膜1018的形成}烧成压电/电致伸缩材料膜1048后，如图12所示，不覆盖形成有压电/电致伸缩体膜1016的区域(以下称为“压电/电致伸缩体区域”)1906而覆盖压电/电致伸缩体区域1906外侧的非压电/电致伸缩体区域1908的抗蚀剂膜的图案1052，在基板1006表面形成。将压电/电致伸缩体膜1016作为掩模并将覆盖基板1006表面的抗蚀剂膜通过光刻法进行图案形成，由此形成抗蚀剂膜的图案1052。此时，下部配线电极10 也成为掩模，因此在下部配线电极10 上未形成抗蚀剂膜的图案1052。因此，优选将形成有下部配线电极10 区域等的没有必要形成上部电极膜 1018的区域以有机保护膜进行掩蔽，并在除去抗蚀剂膜的图案1052前、除去后或除去的同时除去该有机保护膜。由此，防止在下部配线电极10 上形成上部电极膜1018。形成抗蚀剂膜的图案1052后，如图13所示，在基板1006表面的未形成抗蚀剂膜的图案1052的压电/电致伸缩体区域1906，成为上部电极膜1018的导电材料膜IOM重叠于压电/电致伸缩体膜1016上来形成。另外，此后除去抗蚀剂膜的图案1052，因此即使导电材料膜IOM溢出至非压电/电致伸缩体区域1908也没有问题。导电材料膜1054，可通过将导电糊、导电材料的树脂酸盐溶解于溶剂中而成的树脂酸盐液(以下称为“导电树脂酸盐液”。)进行涂布后除去分散介质或溶剂来形成，也可通过蒸镀导电材料来形成。导电
17糊通过丝网印刷等进行涂布，导电树脂酸盐液通过旋涂、喷涂等进行涂布。导电材料通过溅射蒸镀、电阻加热蒸镀等来进行蒸镀。为了抑制导电材料膜IOM端部的弹起，导电糊对于抗蚀剂膜的图案1052的接触角优选为50°以上，进一步优选为70°以上。形成导电材料膜IOM后，如图14所示，除去残存于非压电/电致伸缩体区域1908 的抗蚀剂膜的图案1052。由此，在与压电/电致伸缩体膜1016相同的平面位置形成具有与压电/电致伸缩体膜1016相同的平面形状的导电材料膜10M。抗蚀剂膜的图案1052，与抗蚀剂膜的图案1042同样地除去。除去抗蚀剂膜的图案1052后，烧成导电材料膜ΙΟΜ。由此，如图15所示，导电材料膜1054，形成上部电极膜1018，并在与压电/电致伸缩体膜1016相同的平面位置形成具有与压电/电致伸缩体膜1016相同的平面形状的上部电极膜1018。另外，可容许由于烧成引起的若干收缩。导电材料膜IOM烧成，通过将钼的纳米粒子分散于分散介质而成的导电糊进行丝网印刷来形成导电材料膜IOM时，烧成温度优选为200°C以上300°C以下，通过将钼的粉末分散于分散介质而成的导电糊进行丝网印刷来形成导电材料膜IOM时，烧成温度优选为1000°C以上1350°C以下。另外，通过将钼树脂酸盐溶解于溶剂而成的导电树脂酸盐液进行旋涂来形成导电材料膜IOM时，烧成温度优选为600°C以上800°C以下。可按照与下部电极膜1014同样的顺序通过无电解镀敷形成上部电极膜1018。{上部配线电极1030的形成}烧成导电材料膜IOM后，形成上部配线电极1030。上部配线电极1030，与下部配线电极10 同样地形成。上部配线电极1030的烧成，可与上部电极膜1018烧成同时进行。通过这样的压电/电致伸缩膜型元件1002的制造方法，提高下部电极膜1014的填充密度的同时也提高耐热性，因此下部电极膜1014被覆率增加。另外，在内腔区域1902形成下部电极膜1014，因此可抑制内腔IOM的平面位置与下部电极膜1014的平面位置的偏离。进而，在包含形成有下部电极膜1014的内腔区域1902的压电/电致伸缩体区域 1906，形成压电/电致伸缩体膜1016，因此可抑制下部电极膜1014的平面位置与压电/电致伸缩体膜1016的平面位置的偏离。另外，在压电/电致伸缩体区域1906上形成上部电极膜1018，因此可抑制压电/ 电致伸缩体膜1016的平面位置与上部电极膜1018的平面位置的偏离。由此，内腔IOM的平面位置和构成振动层叠体1004的下部电极膜1014、压电/电致伸缩体膜1016及上部电极膜1018的平面位置的偏离被抑制，结果，可抑制内腔IOM的平面位置与振动层叠体1004平面位置的偏离。这有助于抑制包含压电/电致伸缩膜型元件1002而构成的压电/电致伸缩执行器的喷墨量的偏差。<1. 3抗蚀剂膜的图案1042的形成方法>图16 图21为说明第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042的形成方法的模式图。 图16 图21为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在抗蚀剂膜的图案1042的形成中，如图16所示，在基板1006表面形成抗蚀剂膜 1056。抗蚀剂膜1056的形成如下用旋转涂膜机将抗蚀剂的固体成分溶解于溶剂或分散于分散介质的抗蚀剂液涂布于基板1006表面，通过加热板、烘箱等加热在制品并使溶剂从涂布膜中蒸发。当然，抗蚀剂液也可通过喷涂等其他方法来涂布。作为抗蚀剂，使用曝光时对
18于显影液的溶解性低下的负型光致抗蚀剂。因此，抗蚀剂膜1056，成为曝光时对于显影液的溶解性低下的感光膜。抗蚀剂，优选使用适合于形成厚膜的厚膜对应品，进一步优选使用即使形成高纵横尺寸比的图案该图案的截面形状也难以形成锥形的高纵横尺寸比对应品。抗蚀剂膜的图案1042在下述的无电解镀敷中置于强碱性的还原剂液及镀敷液时，抗蚀剂选自聚酰亚胺、氟树脂等的耐强碱性的感光材料。形成抗蚀剂膜1056后，如图17所示，将遮光剂1058填充于内腔1024，赋予基板 1006以遮蔽内腔区域1902而不遮蔽非内腔区域1904的掩模的功能。向内腔IOM填充遮光剂1058，只要在下述的从背面照射光之前进行就足够了。因此，在内腔IOM中填充遮光剂1058后可在基板1006表面形成抗蚀剂膜1056。向内腔IOM中填充遮光剂1058可如下进行将遮光剂1058固体成分溶解于溶剂或分散于分散介质的遮光液，用注射器注入喷墨孔1020或油墨供给孔1022，通过加热板、烘箱等加热在制品来干燥遮光液。替代通过注射器的注入，也可使含浸遮光液的烧结金属等的多孔质材与基板1006背面进行接触，通过毛细管现象使遮光液由多孔质体移动至内腔10M。另外，注入遮光液后可进行真空脱泡。遮光剂1058，优选含有吸收用于曝光的光的染料或颜料，特别优选含有颜料。这是因为，遮光剂1058含有颜料时，图案的分辨率提高。遮光剂1058的换算为OD值的光密度优选为2 3。另外，也可使用与基板1006折射率不同的遮光剂1058，使在内腔区域1902用于曝光的光进行全反射。形成抗蚀剂膜1056，在内腔IOM填充遮光剂1058后，如图18所示，由基板1006 背面的一侧照射光，对非内腔区域1904所形成的抗蚀剂膜1056进行选择性曝光，形成未曝光部分1060及曝光部分1062。由此，在抗蚀剂膜1056描画出反转印有内腔IOM平面形状
的潜像。描画潜像后，如图19所示，通过显影除去在内腔区域1902所形成的抗蚀剂膜1056 的未曝光部分1060。潜像的显影如下进行将在制品浸渍于显影液的同时进行摇动来除去未曝光部分1060后，通过用纯水等洗涤在制品。作为显影液，选择可选择性溶解未曝光部分1060、不溶解曝光部分1062的溶液。将潜像进行显影后，由基板1006表面的一侧照射光，将残存于非内腔区域1904的曝光部分1062进行进一步曝光，烘烤曝光部分1062。由此，如图20所示，完成抗蚀剂膜的图案1042。完成抗蚀剂膜的图案1042后，如图21所示，由内腔IOM除去遮光剂1058。由内腔IOM除去遮光剂1058，在上述由背面照射光后进行就足够了。因此，也可在由内腔IOM 除去遮光剂1058后除去未曝光部分1060。由内腔IOM除去遮光剂1058，通过将在制品浸渍于溶剂中进行。<1.4抗蚀剂膜的图案1052的形成方法〉图22 图25为说明第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1052的形成方法的模式图。 图22 图25为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在抗蚀剂膜的图案1052的形成中，如图22所示，在基板1006表面重叠于压电/ 电致伸缩体膜1016而形成抗蚀剂膜1064。抗蚀剂膜1064，与抗蚀剂膜1056同样地形成， 在抗蚀剂膜1064的形成中，使用与抗蚀剂膜1056的形成中使用的抗蚀剂同样的抗蚀剂。形成抗蚀剂膜1064后，如图23所示，由基板1006背面的一侧照射光，将非压电/电致伸缩体区域1908所形成的抗蚀剂膜1064进行选择性曝光，形成未曝光部分1066及曝光部分1068。由此，在抗蚀剂膜1064，描画反转印有压电/电致伸缩体膜1016平面形状的潜像。描画潜像后，如图M所示，通过显影来除去在压电/电致伸缩体区域1906所形成的抗蚀剂膜1064的未曝光部分1066。潜像可与描画于抗蚀剂膜1056的潜像同样地进行显影，在潜像的显影中，使用与描画于抗蚀剂膜1056的潜像的显影所使用的显影液同样的显影液。将潜像进行显影后，由基板1006表面的一侧照射光，将残存于非压电/电致伸缩体区域1908的曝光部分1068进一步曝光，烘烤曝光部分1068。由此，如图25所示，完成抗蚀剂膜的图案1052。<2第二实施方式〉第二实施方式，涉及代替第一实施方式的下部电极膜1014形成方法而采用的下部电极膜2014形成方法。在第二实施方式的下部电极膜2014形成方法中，通过将在制品浸渍于催化剂金属溶液等来形成催化剂层2046。图沈 图31为说明第二实施方式的下部电极膜2014形成方法的图。图沈 图 31为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在第二实施方式的下部电极膜2014形成方法中，如图沈所示，作为前处理将基板 1006表面进行粗面化。由此，形成下部电极膜2014的面被粗面化，因此下部电极膜2014的
密合性提高。基板1006表面，可通过氟化合物的湿式蚀刻、干式蚀刻等的化学性作用进行粗面化，也可通过干式喷砂、湿式喷砂、真空喷砂等的物理性作用进行粗面化。代替将基板1006表面进行粗面化的前处理，如图31所示，可进行如下前处理在基板1006表面形成提高下部电极膜2014密合性的密合层2102。密合层2102，只要是与基板1006表面相比对于下部电极膜2014的密合性良好的层即可，典型地可通过溅射蒸镀、电阻加热蒸镀等将钛、铬等的金属薄膜在基板1006表面进行蒸镀来形成。基板1006表面进行前处理后，如图27所示，未覆盖内腔区域1902而覆盖非内腔区域1904的抗蚀剂膜的图案2042在基板1006表面形成。抗蚀剂膜的图案2042，与第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042同样地形成。形成抗蚀剂膜的图案2042后，如图观所示，重叠于抗蚀剂膜的图案2042并在基板1006表面形成催化剂层2046。此后除去抗蚀剂膜的图案2042，因此即使催化剂层2046 溢出至非内腔区域1904也不存在问题。另外，对于非内腔区域1904中催化剂层2046的形成即使不完全也没有问题。催化剂层2046可如下形成将在制品浸渍于使催化剂金属溶解于溶剂的催化剂金属溶液等，并使抗蚀剂膜的图案2042残存于非内腔区域1904的基板1006表面接触催化剂金属溶液，通过干燥除去附着于基板1006表面的溶剂。代替催化剂金属溶液，可使催化剂金属的微粒分散于分散介质的催化剂金属分散液接触基板1006表面，通过干燥除去附着于基板1006表面的分散介质。催化剂金属为钼时，作为催化剂金属溶液，例如，使用氯钼酸的水溶液，作为催化剂金属分散液，例如，使用钼纳米胶体分散液。另外在这里，可使用金属微粒分散糊代替钼纳米胶体分散液。所谓金属微粒分散糊，例如举出可常温烧结的金属纳米糊等。在抗蚀剂膜的图案2042残存于非内腔区域1904的基板1006表面，通过溅射蒸镀、电阻加热蒸镀等蒸镀催化剂金属，从而形成催化剂层2046。此时，催化剂层2046膜厚优选为 0.01 0. Ιμ 。形成催化剂层2046后，在催化剂层2046上无电解镀敷形成镀敷膜。由此，如图四所示，在内腔区域1902形成下部电极膜2014。形成下部电极膜2014后，如图30所示，将残存于非内腔区域1904的抗蚀剂膜的图案2042剥离、除去。抗蚀剂膜的图案2042，与第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042同样地进行剥离。通过第二实施方式的下部电极膜2014的形成方法，在下部电极膜2014填充密度提高的同时耐热性提高，因此下部电极膜2014被覆率增加。进而，在内腔区域1902形成下部电极膜2014，因此可抑制内腔IOM的平面位置与下部电极膜2014平面位置的偏离。由此，提供代替第一实施方式的下部电极膜1014而采用的下部电极膜2014。<3第三实施方式〉第三实施方式，涉及代替第一实施方式的压电/电致伸缩体膜1016形成方法而采用的压电/电致伸缩体膜3016形成方法。在第三实施方式的压电/电致伸缩体膜3016形成方法中，将下部电极膜1014作为掩模并通过光刻法形成压电/电致伸缩体膜3016。<3. 1压电/电致伸缩体膜3016形成方法>图32 图35为说明第三实施方式的压电/电致伸缩体膜3016形成方法的模式图。图32 图35为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在压电/电致伸缩体膜3016的形成中，如图32所示，在基板1006的表面形成未覆盖内腔区域1902而覆盖非内腔区域1904的抗蚀剂膜的图案3302。抗蚀剂膜的图案3302， 通过将下部电极膜1014作为掩模，并将覆盖基板1006表面的抗蚀剂膜进行图案形成来形成。形成抗蚀剂膜的图案3302后，如图33所示，在基板1006表面的未形成抗蚀剂膜的图案3302的内腔区域1902中，成为压电/电致伸缩体膜3016的压电/电致伸缩材料膜 3048重叠于下部电极膜1014而形成。另外，此后除去抗蚀剂膜的图案3302，因此即使压电/电致伸缩材料膜3048溢出至非内腔区域1904也不存在问题。压电/电致伸缩材料膜 3048，通过将压电/电致伸缩材料分散于分散介质的糊(以下称为“压电/电致伸缩糊”。) 进行涂布后除去分散介质来形成。压电/电致伸缩糊，通过丝网印刷等来进行涂布。为了抑制压电/电致伸缩体膜3016端部的弹起，压电/电致伸缩糊对于抗蚀剂膜的图案3302 的接触角，优选为50°以上，进一步优选为70°以上。形成压电/电致伸缩材料膜3048后，如图34所示，除去残存于未形成下部电极膜 1014的非内腔区域1904的抗蚀剂膜的图案3302。由此，在与下部电极膜1014相同的平面位置形成具有与下部电极膜1014相同的平面形状的压电/电致伸缩材料膜3048。抗蚀剂膜的图案3302，与第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042同样地进行剥离。剥离抗蚀剂膜的图案3302后，烧成压电/电致伸缩材料膜3048。由此，如图35所示，压电/电致伸缩材料膜3048，成为压电/电致伸缩体膜3016，并在与下部电极膜1014 相同的平面位置形成具有与下部电极膜1014相同的平面形状的压电/电致伸缩体膜3016。另外，可容许由烧成引起的若干的收缩。压电/电致伸缩材料膜3048，与第一实施方式的压电/电致伸缩材料膜1048同样地进行烧成。通过第三实施方式的压电/电致伸缩体膜3016的形成方法，在形成有下部电极膜 1014的内腔区域1902形成压电/电致伸缩体膜3016，因此可抑制下部电极膜1014的平面位置与压电/电致伸缩体膜3016的平面位置的偏离。由此，提供代替第一实施方式的压电 /电致伸缩体膜1016而采用的压电/电致伸缩体膜3016。<3. 2抗蚀剂膜的图案3302的形成方法>图36 图39为说明第三实施方式的抗蚀剂膜的图案3302的形成方法的模式图。 图36 图39为压电/电致伸缩膜型元件的在制品的截面图。在抗蚀剂膜的图案3302的形成中，如图36所示，在基板1006表面与下部电极膜 1014重叠地形成抗蚀剂膜3304。抗蚀剂膜3304，与第一实施方式的抗蚀剂膜1056同样地形成，在抗蚀剂膜3304的形成中，使用与第一实施方式的抗蚀剂膜1056的形成所使用的抗蚀剂同样的抗蚀剂。形成抗蚀剂膜3304后，如图37所示，由基板1006背面的一侧照射光，将在未形成下部电极膜1014的非内腔区域1904所形成的抗蚀剂膜3304进行选择性曝光，形成未曝光部分3306及曝光部分3308。由此，在抗蚀剂膜3304，描画反转印有下部电极膜1014平面形状的潜像。描画潜像后，如图38所示，通过显影除去在内腔区域1902所形成的抗蚀剂膜3304 的未曝光部分3306。潜像与描画于抗蚀剂膜1056的潜像同样地进行显影，使用与在描画于抗蚀剂膜1056的潜像的显影中使用的显影液同样的显影液进行显影。将潜像进行显影后，由基板1006表面的一侧照射光，将残存于非内腔区域1904的曝光部分3308进一步曝光，烘烤曝光部分3308。由此，如图39所示，完成抗蚀剂膜的图案 3302。<4第四实施方式〉第四实施方式，涉及代替第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042的形成方法而采用的抗蚀剂膜的图案4042的形成方法。<4. 1抗蚀剂膜的图案4042的形成方法>图40 图45为说明第四实施方式的抗蚀剂膜的图案4042的形成方法的模式图。 图40 图45为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在第四实施方式的抗蚀剂膜的图案4042的形成方法中，使用正型的光致抗蚀剂。在抗蚀剂膜的图案4042的形成中，如图40所示，在将基板4010及振动板4012按照列举的顺序由下到上进行层叠而成的基板4006表面，形成抗蚀剂膜4056。振动板4012 的板厚优选为30 μ m以下。抗蚀剂膜4056，与抗蚀剂膜1056同样地形成。作为抗蚀剂，使用曝光时对于显影液的溶解性上升的正型光致抗蚀剂。因此，抗蚀剂膜4056，成为曝光时对于显影液的溶解性上升的感光膜。抗蚀剂，优选使用适合于形成厚膜的厚膜对应品，进一步优选使用即使形成高纵横尺寸比的图案，图案的截面形状也难以成为锥形的高纵横尺寸比对应品。抗蚀剂膜的图案4042在无电解镀敷中置于强碱性的还原剂液及镀敷液时，抗蚀剂选自感光材料和聚酰亚胺、氟树脂等耐强碱性的非感光材料的复合材料。
形成抗蚀剂膜4056后，如图41所示，在基板4006背面的非内腔区域1904形成遮光膜4402，并赋予基板4006以遮蔽非内腔区域1904而不遮蔽内腔区域1902的掩模的功能。遮光膜4402的形成，在下述的由背面光照射之前进行就足够了。因此，形成遮光膜 4402后可在基板4006表面形成抗蚀剂膜4056。遮光膜4402可如下形成将遮光膜4402 的固体成分溶解于溶剂或分散于分散介质的遮光液通过旋转涂布机涂布于基板4006背面，通过加热板、烘箱等加热在制品使溶剂或分散介质从涂布膜蒸发。当然，也可通过喷涂等其他的方法来涂布遮光液。此时，优选用液体、有机树脂等之后能够除去的材料预先对内腔IOM内部进行掩蔽，使遮光膜4402不浸入内腔IOM内部。另外，可采用转印方式的胶版印刷·辊转印等、含浸印刷等遮光膜4402的形成方法。遮光膜4402，优选含有吸收用于曝光的光的染料或颜料，特别优选含有颜料。因为遮光膜4402含有颜料时，图案的分辨率提高。形成这样的遮光膜4402，内腔区域1902的光透过率与非内腔区域1904的光透过率的差变大，因此具有图案的分辨率提高这样的优点， 即使不形成遮光膜4402只要得到充分的光透过率的差，也可省略形成遮光膜4402的工序。形成抗蚀剂膜4056、并形成遮光膜4402后，如图42所示，由基板4006背面的一侧照射光，将内腔区域1902所形成的抗蚀剂膜4056进行选择性曝光，形成未曝光部分4060 及曝光部分4062。由此，在抗蚀剂膜4056，描画非反转印有空腔40M平面形状的潜像。描画潜像后，如图43所示，通过显影除去在内腔区域1902所形成的抗蚀剂膜4056 的曝光部分4062。潜像的显影，是将在制品浸渍于显影液的同时进行摇动除去曝光部分 4062后，通过用纯水等洗涤在制品来进行。在潜像的显影中，选择可选择性溶解曝光部分 4062、不溶解未曝光部分4060的显影液。将潜像进行显影后，由基板4006表面的一侧照射光，将残存于非内腔区域1904的未曝光部分4060进行曝光，烘烤未曝光部分4060。由此，如图44所示，完成抗蚀剂膜的图案 4042。完成抗蚀剂膜的图案4042后，如图45所示，除去遮光膜4402。遮光膜4402的除去，在上述的由背面实施光照射后进行就足够了。因此，除去遮光膜4402后可除去抗蚀剂膜4056的曝光部分4062。通过药液法除去遮光膜4402。也可通过热处理法、等离子体处理法等除去遮光膜4402。这样操作形成的抗蚀剂膜的图案4042，与第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042 同样地发挥功能。与第一实施方式时同样地，为了抑制导电材料膜1045的端部的弹起，导电材料对于抗蚀剂膜的图案4042的接触角优选为50°以上，进一步优选为70°以上。<5第五实施方式>第五实施方式，涉及在形成第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042后(图4)、形成催化剂层的图案1044前(图幻，优选进行的抑制下部电极膜1014端部的弹起的处理(以下称为“弹起抑制处理”)。该弹起的抑制处理，在代替第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042 而采用第四实施方式的抗蚀剂膜的图案4042时也优选进行。第五实施方式的弹起抑制处理，在第一实施方式或第四实施方式中在不能增大导电材料对于抗蚀剂膜的图案1042、 4042的接触角时优选采用。图46 图49为说明第五实施方式的弹起抑制处理的图。图46 图49为压电/ 电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。
在第五实施方式的弹起抑制处理中，如图46所示，在基板1006表面与残存在非内腔区域1904的抗蚀剂膜的图案1042重叠地形成掩蔽膜5502。掩蔽膜5502可如下形成 将含有环氧树脂、聚酰亚胺树脂等树脂的树脂液通过旋转涂布机涂布于基板1006表面，通过加热板、烘箱等进行加热或通过紫外线灯照射紫外线使涂布膜固化。当然，树脂液也可通过喷涂等其他的方法来涂布。形成掩蔽膜5502后，除去掩蔽膜5502直至抗蚀剂膜的图案1042露出。掩蔽膜 5502，通过将在制品浸渍于溶剂中等溶解掩蔽膜5502来除去。由此，如图47所示，形成了残存于内腔区域1902的掩蔽膜的图案5504。使抗蚀剂膜的图案1042露出后，如图48所示，在基板1006表面与抗蚀剂膜的图案1042及掩蔽膜的图案5504重叠地形成疏水膜5506。疏水膜5506，至少对于导电材料的疏水性与抗蚀剂膜的图案1042相比必须较高，对于该导电材料的接触角优选为50°以上， 进一步优选为70°以上。将硅树脂、氟树脂等疏水材料溶解于溶剂或分散于分散介质的疏水剂用旋转涂布机涂布于基板1006表面，用加热板、烘箱等加热在制品使溶剂从涂布膜蒸发，从而使疏水材料固化，由此形成疏水膜5506。当然，疏水剂也用喷涂等其他的方法来涂布。另外，使用常温固化型的疏水剂时，可省略加热。形成疏水膜5506后，如图49所示，除去掩蔽膜的图案5504及疏水膜5506的内腔区域1902所形成的部分，即，在形成有掩蔽膜的图案5504的区域所形成的部分。掩蔽膜的图案阳04及疏水膜5506，通过将在制品浸渍于溶剂中等使掩蔽膜的图案5504溶解来除去。 由此，形成被覆抗蚀剂膜的图案1042的疏水膜5008。通过疏水膜5008，可抑制如图50(b) 所示的下部电极膜1014端部的弹起，如图50(a)所示，下部电极膜1014被疏水膜5008排斥，形成平坦的下部电极膜1014。疏水膜5008，在除去抗蚀剂膜的图案1042时被一起除去。<6第六实施方式>第六实施方式，涉及可代替第一实施方式的抗蚀剂膜的图案1042、第四实施方式的抗蚀剂膜的图案4042而采用的疏水膜的图案6042的形成方法。图51 图56为说明第六实施方式的疏水膜的图案6042的形成方法的图。图51 图56为压电/电致伸缩膜型元件1002的在制品的截面图。在疏水膜的图案6042的形成中，如图51所示，在基板1006表面形成抗蚀剂膜 6602。抗蚀剂膜6602，与第一实施方式的抗蚀剂膜1056同样地形成。作为抗蚀剂，使用曝光时对于显影液的溶解性上升的正型的光致抗蚀剂。因此，抗蚀剂膜6602，成为曝光时对于显影液的溶解性上升的感光膜。抗蚀剂，优选使用适合于形成膜厚的厚膜对应品，进一步优选使用即使形成高纵横尺寸比的图案，图案的截面形状也难以成为锥形的高纵横尺寸比对应品。形成抗蚀剂膜6602后，如图52所示，将遮光剂6058填充于内腔1024，赋予基板 1006以遮蔽内腔区域1902而不遮蔽非内腔区域1904的掩模的功能。遮光剂6058，与第一实施方式的遮光剂1058同样地填充。另外，向内腔IOM中填充遮光剂6058，在下述的由背面照射光之前进行就足够了。因此，可在将遮光剂6058填充于内腔IOM后在基板1006表面形成抗蚀剂膜6602。遮光剂6058，使用与第一实施方式的遮光剂1058同样的物质。形成抗蚀剂膜6602、并将遮光剂6058填充于内腔IOM后，如图53所示，由基板 1006背面的一侧照射光，将在非内腔区域1904形成的抗蚀剂膜6602进行选择性曝光，形成未曝光部分6604及曝光部分6606。由此，在抗蚀剂膜6602，描画反转印有内腔IOM平面形状的潜像。描画潜像后，如图M所示，通过显影除去在非内腔区域1904形成的抗蚀剂膜6602 的曝光部分6606，形成残存于内腔区域1902的抗蚀剂膜的图案6608。潜像，是将在制品浸渍于显影液的同时进行摇动来除去曝光部分6606后，通过用纯水等洗涤在制品来除去。在潜像的显影中，选择可选择性溶解曝光部分6606、不溶解非曝光部分6604的显影液。形成抗蚀剂膜的图案6608后，如图55所示，在基板1006表面与抗蚀剂膜的图案 6608重叠地形成疏水膜6010。疏水膜6010，与第五实施方式的疏水膜5506同样地形成。 在疏水膜6010形成中，使用与在第五实施方式的疏水膜5506形成中使用的疏水剂同样的疏水剂。疏水膜的图案6042在无电解镀敷中置于强碱性的还原剂液及镀敷液时，疏水剂选自耐强碱性的疏水剂。形成疏水膜6010后，除去抗蚀剂膜的图案6608及疏水膜6010的在内腔区域1902 上形成的部分，即，在形成有抗蚀剂膜的图案6608的区域所形成的部分。抗蚀剂膜的图案 6608及疏水膜6010，通过将在制品浸渍于溶剂中等使溶剂与抗蚀剂膜的图案6608进行接触从而溶解抗蚀剂膜的图案6608来除去。由此，如图56所示，完成疏水膜的图案6042。通过采用该疏水膜的图案6042来代替抗蚀剂膜的图案1042或抗蚀剂膜的图案4042，下部电极膜1014被疏水膜的图案6042排斥，因此可抑制下部电极膜1014端部的弹起。疏水膜的图案6042对于导电材料的接触角优选为50°以上，进一步优选为70°以上。疏水膜的图案6042，与抗蚀剂膜的图案1042同样地除去。<7 其他 >在上述的说明中，以具有一层的压电/电致伸缩体膜的场合为例来说明压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，在具有二层以上的压电/电致伸缩体膜的场合也可利用上述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法。即，在具有二层以上的压电/电致伸缩体膜的场合，如第一实施方式中说明的那样，也可将构成振动层叠体的任意的压电/电致伸缩体膜作为掩模来将抗蚀剂膜的图案进行图案形成，利用该抗蚀剂膜的图案在压电/电致伸缩体膜之上形成电极膜。相反，如第二实施方式中说明的那样，将构成振动层叠体的任意电极膜作为掩模来将抗蚀剂膜的图案进行图案形成，利用该抗蚀剂膜的图案在电极膜上形成压电 /电致伸缩体膜。另外，上述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，不仅是构成压电/电致伸缩执行器的主要部分的压电/电致伸缩膜型元件，在制造如下压电/电致伸缩膜型元件(例如， 具有隔膜结构的压电/电致伸缩共振子(FBAR;Film bulkAcoustic Resonator)等)时也可采用，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成空腔的基板；在该基板的第一主面上与该空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜层叠而成的振动层叠体。<8 实验〉以下，对关于下部电极膜1014、2014的形成和下部电极1014、2014耐热性的评价
的实验结果进行说明。在以下的实验中使用的基板1006，是将部分稳定化氧化锆的生片进行层叠并在 1450°C进行烧成的烧成体。底板1008、底板1010及振动板1012的板厚，分别为150 μ m、 80μπι及5μπι。内腔10 的宽Wl及长L，分别为200 μ m及1讓。
<8. 1 实验 1>在实验1中，按照第一实施方式中说明的顺序，在基板1006表面形成下部电极膜 1014。在形成抗蚀剂膜1056的工序中，用旋转涂布机将抗蚀剂液涂布于基板1006表面， 用加热板加热在制品使溶剂从涂布膜蒸发。涂布抗蚀剂液时的旋转数为IOOOrpm，旋转保持时间为6秒。蒸发溶剂时的温度为100°C，加热时间为3分钟。作为抗蚀剂液，使用固体成分浓度为19重量％的聚酰亚胺涂布剂。形成的抗蚀剂膜的图案1042的膜厚为6. 5μπι。在填充遮光剂1058的工序中，由喷墨孔1020及油墨供给孔1022向内腔10 注入遮光液，将在制品收容于真空室并将遮光液进行脱泡，用加热板加热在制品使溶剂从遮光液蒸发。将遮光液进行脱泡时的压力为6. 7Pa。蒸发溶剂时的温度为90°C，加热时间为20 分钟。遮光液含有颜料，颜料的固体成分浓度为19%。遮光剂1058的换算为OD(Optical Density)值的光密度为2. 3。填充的遮光剂1058膜厚为1. 2 μ m。在曝光抗蚀剂膜1056的工序中，以累计光量为60mJ/cm2的形式将波长365nm、 405nm、436nm这三种光线照射一分钟。曝光装置，使用USHIO电气公司(东京都千代田区) 制的卟子，^f 卜(Multi Lite)。将潜像进行显影的工序中，将在制品浸渍于显影液的同时进行摇动后，用纯水洗涤在制品，干燥在制品。浸渍于显影液的时间为1 2分钟。作为显影液，使用TMAH(四甲基氢氧化铵)的水溶液。TMAH的浓度为2. 38重量％。干燥在制品时的温度为U9°C。在制品的干燥进行5分钟。在烘烤曝光部分1062的工序中，将在制品收容于自然对流型烘箱。烘烤曝光部分 1062时的温度为230°C，加热时间为60分钟。在形成树脂酸盐膜1044的工序中，用旋转涂布机将催化剂金属树脂酸盐液涂布于基板1006表面，用加热板加热在制品使溶剂从涂布膜蒸发。蒸发溶剂时的温度为100°C， 加热时间为15分钟。作为催化剂金属树脂酸盐液，使用钼含有率为17重量％的钼树脂酸盐液。形成的树脂酸盐膜1044膜厚为3 10 μ m。在烧成树脂酸盐膜1044的工序中，使用保持最高温度800°C为7分钟的烧成曲线 (profile)来进行烧成。在还原催化剂层的图案1046的工序中，将在制品浸渍于还原剂液后用纯水洗涤在制品。作为还原剂液，使用氢氧化钠和硼氢化钠的复合水溶液。氢氧化钠与硼氢化钠的重量比为3 1，氢氧化钠和硼氢化钠的浓度为1.5重量％。还原剂液的温度为30°C。将在制品浸渍于还原剂液的时间为15分钟。在析出导电材料的工序中，将在制品在50°C的镀敷液中浸渍1. 5 5. 0小时后用干燥器干燥在制品。作为镀敷液，使用无电解镀敷专用液(钼化合物的浓度为1重量％的钼化合物的水溶液)。钼的浓度，根据下部电极膜1014的目标膜厚0. 2 0. 8 μ m而调整为 0. 24 0. 30g/l。在除去抗蚀剂膜的图案1042的工序中，在使基板1006的表面向着下侧的状态下用传送带式连续烧成炉对在制品进行热处理后，对基板1006表面喷射空气来除去残渣。在热处理中，使用以下的热处理步骤用27分钟升温至600°C，将600°C保持7分钟，用沈分钟降温至常温。
<8. 2 实验 2>在实验2中，按照第二实施方式中说明的顺序，在基板1006表面形成下部电极膜 2014。在将基板1006表面进行粗面化的工序中，将在制品浸渍于蚀刻液后用水洗涤在制品并用干燥器干燥。浸渍于蚀刻液的时间为15分钟。作为蚀刻液，使用氢氟酸。氟化氢的浓度为30重量％。蚀刻液的液温为40 50°C。洗涤使用超音波洗涤器。洗涤用的时间为5分钟。水的温度为室温。在形成催化剂层2046的工序中，将在制品浸渍于催化剂金属溶液后干燥在制品。 作为催化剂金属溶液，使用氯钼酸的水溶液。氯钼酸的浓度为0.01重量％。浸渍的时间为 5分钟。催化剂金属溶液的温度为30°C。在干燥中，将在制品在室温下进行自然干燥后将在制品收容于自然对流型烘箱中进行加热干燥。自然干燥的时间为20分钟。进行加热干燥时的温度为125°C，加热时间为20分钟。在剩余的工序中，采用与实验1同样的条件。<8. 3 实验 3>在实验3中，按照第二实施方式中说明的顺序，在基板1006表面形成下部电极膜 2014。在形成催化剂层2046的工序中，将在制品浸渍于催化剂金属分散液后干燥在制品。作为催化剂金属分散液，使用钼纳米胶体分散液。钼的微粒的粒子尺寸为5nm。在干燥中，将在制品在室温下进行自然干燥后将在制品收容于自然对流型烘箱并进行加热干燥。 自然干燥的时间为20分钟。进行加热干燥时的温度为125°C，加热时间为20分钟。在剩余的工序中，采用与实验2同样的条件。<8. 4 实验 4>在实验4中，按照第二实施方式中说明的顺序，在基板1006表面形成下部电极膜 2014。在形成催化剂层2046的工序中，在基板1006表面将催化剂金属通过溅射蒸镀来进行蒸镀。作为催化剂金属使用钼。催化剂层2046膜厚为0. 1 μ m。在剩余的工序中，采用与实验2同样的条件。<8. 5 实验 5>在实验5中，评价在实验1 4中形成的下部电极1014、2014的耐热性。在耐热性的评价中，将形成有下部电极1014、2014的基板1006进行热处理，通过将热处理后的下部电极1014、2014的电子显微镜(SEM)像进行图像处理来算出下部电极膜 1014,2014的被覆率。其结果，在实验1 4中形成的下部电极1014、2014的任一个，被覆率都良好。作为其代表例，在实验2中形成的下部电极膜1014的被覆率，与经过用丝网印刷涂布导电材料的糊的工序而制作的下部电极膜的场合进行比较，将其结果示于图57。图57，是表示热处理后的下部电极膜1014、2014被覆率相对于下部电极膜1014、2014的膜厚的变化的曲线图。如图57所示，无电解镀敷下部电极膜1014、2014的场合，与用丝网印刷涂布导电材料的糊的场合相比，以较薄的膜厚获得充分的被覆率。
详细说明了本发明，但上述的说明在所有的局面中为例示，本发明并不限定于上述说明。没有例示的无数的变形例，不脱离本发明的范围可推定得到。尤其是将第一实施方式 第六实施方式中说明的事项进行组合来使用是当然可以预想到的。
权利要求
1.一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板；在所述基板的第一主面上与所述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜层叠而成的振动层叠体，所述制造方法具有(a)制作所述基板的工序；(b)在所述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由所述基板的第二主面一侧照射光，将转印有所述空腔的平面形状的潜像描画于所述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在形成有所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成含有催化剂金属的树脂酸盐的树脂酸盐膜的工序；(f)除去所述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成有所述第一光致抗蚀剂膜图案的区域所形成的所述树脂酸盐膜，形成树脂酸盐膜的图案的工序；(g)将所述树脂酸盐膜的图案进行烧成，形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的图案的工序；(h)在所述催化剂层的图案上进行无电解镀敷来形成镀敷膜，形成构成所述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(i)形成构成所述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了所述最下层的电极膜以外的膜的工序。
2.根据权利要求1所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(a)是制作通过板厚为30 μ m以下的板来将所述空腔与第一主面一侧隔开的所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有 (j)在所述工序(c)之前向所述空腔填充遮光剂的工序，所述工序(c)是对在未形成所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜进行选择性曝光，所述工序(d)是除去所述第一光致抗蚀剂膜的未曝光部分。
4.根据权利要求3所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(j)是填充含有颜料的所述遮光剂。
5.根据权利要求1或2所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(c)是对在形成有所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜进行选择性曝光，所述工序(d)是除去所述第一光致抗蚀剂膜的曝光部分。
6.根据权利要求5所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有 (k)在所述工序(c)之前，在所述基板的第二主面的未形成所述空腔的区域形成遮光膜的工序。
7.根据权利要求6所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(k)是形成含有颜料的所述遮光膜。
8.根据权利要求1或2所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序 (i)进一步具有(i-1)与构成所述振动层叠体的任意的压电/电致伸缩体膜重叠地在所述基板的第一主面上形成第二光致抗蚀剂膜的工序；(i-2)由所述基板的第二主面一侧照射光，对在未形成所述任意的压电/电致伸缩体膜的区域所形成的所述第二光致抗蚀剂膜进行选择性曝光的工序；(i-3)除去所述第二光致抗蚀剂膜的未曝光部分，形成第二光致抗蚀剂膜的图案的工序；(i-4)在未形成所述第二光致抗蚀剂膜的图案的区域形成构成所述振动层叠体的电极膜的工序；(i-5)除去所述第二光致抗蚀剂膜的图案的工序。
9.根据权利要求1或2所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序 (i)进一步具有(i-6)与构成所述振动层叠体的任意的电极膜重叠地在所述基板的第一主面上形成第三光致抗蚀剂膜的工序；(i-7)由所述基板的第二主面一侧照射光，对在未形成所述任意的电极膜的区域所形成的所述第三光致抗蚀剂膜进行选择性曝光的工序；(i-8)除去所述第三光致抗蚀剂膜的未曝光部分，形成第三光致抗蚀剂膜的图案的工序；(i-9)在未形成所述第三光致抗蚀剂膜的图案的区域形成构成所述振动层叠体的压电 /电致伸缩体膜的工序；(i-10)除去所述第三光致抗蚀剂膜的图案的工序。
10.根据权利要求1或2所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序 (i)进一步具有(i-ll)通过向着构成所述振动层叠体的任意的电极膜使压电/电致伸缩材料进行电泳来形成构成所述振动层叠体的压电/电致伸缩体膜的工序。
11.根据权利要求1 10中的任一项所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有(1)在所述工序(d)之后、所述工序(e)之前，用比所述第一光致抗蚀剂膜的图案疏水性高的疏水膜来被覆所述第一光致抗蚀剂膜的图案的工序。
12.根据权利要求11所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(1) 具有(1-1)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成掩蔽膜的工序；(1-2)除去所述掩蔽膜直至所述第一光致抗蚀剂膜的图案露出，形成掩蔽膜的图案的工序；(1-3)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案及所述掩蔽膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(1-4)除去所述掩蔽膜的图案及在所述掩蔽膜的图案上所形成的所述疏水膜的工序。
13.—种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有形成有空腔的基板；在所述基板的第一主面上与所述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜层叠而成的振动层叠体， 所述制造方法具有(a)制作所述基板的工序；(b)在所述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由所述基板的第二主面一侧照射光，将转印有所述空腔的平面形状的潜像描画于所述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影来除去在形成有所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的工序；(f)在所述催化剂层上进行无电解镀敷来形成镀敷膜的工序；(g)将所述第一光致抗蚀剂膜的图案、和在形成有所述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的所述催化剂层及所述镀敷膜除去，形成构成所述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(h)形成构成所述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了所述最下层的电极膜以外的膜的工序。
14.根据权利要求13所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有 (i)在所述工序(d)之后、所述工序(e)之前，用比所述第一光致抗蚀剂膜的图案的疏水性高的疏水膜被覆所述第一光致抗蚀剂膜的图案的工序。
15.根据权利要求14所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(i) 具有(i-1)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成掩蔽膜的工序；(i-2)除去所述掩蔽膜直至所述第一光致抗蚀剂膜的图案露出，形成掩蔽膜的图案的工序；(i-3)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案及所述掩蔽膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(i-4)除去所述掩蔽膜的图案及在所述掩蔽膜的图案上所形成的所述疏水膜的工序。
16.根据权利要求13所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有 (j)在所述工序(a)之后、所述工序(b)之前，将所述基板的第一主面进行粗面化的工序。
17.根据权利要求13所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，进一步具有 (k)在所述工序(a)之后、所述工序(b)之前，在所述基板的第一主面上形成提高所述镀敷膜的密合性的密合层的工序。
18.根据权利要求13 17中的任一项所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(e)是使催化剂金属溶解于溶剂中而得的催化剂金属溶液接触于所述基板的第一主面。
19.根据权利要求13 17中的任一项所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(e)是使催化剂金属的微粒分散于分散介质中而得的催化剂金属分散液接触于所述基板的第一主面。
20.根据权利要求13 17中的任一项所述的压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，其中，所述工序(e)是在所述基板的第一主面上蒸镀催化剂金属。
21.—种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有 形成有空腔的基板；在所述基板的第一主面上与所述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜层叠而成的振动层叠体， 所述制造方法具有以下工序(a)制作所述基板的工序；(b)在所述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由所述基板的第二主面一侧照射光，将转印有所述空腔的平面形状的潜像描画于所述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在未形成所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(f)除去所述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成有所述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的所述疏水膜，形成疏水膜的图案的工序；(g)与所述疏水膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成含有催化剂金属的树脂酸盐的树脂酸盐膜的工序；(h)除去所述疏水膜的图案，形成树脂酸盐膜的图案的工序；(i)烧成所述树脂酸盐膜的图案，形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的图案的工序；(j)在所述催化剂层的图案上进行无电解镀敷来形成镀敷膜，形成构成所述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(k)形成构成所述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了所述最下层的电极膜以外的膜的工序。
22.—种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述压电/电致伸缩膜型元件具有 形成有空腔的基板；在所述基板的第一主面上与所述空腔平面位置相对应而设置的将电极膜和压电/电致伸缩体膜层叠而成的振动层叠体， 所述制造方法具有以下工序(a)制作所述基板的工序；(b)在所述基板的第一主面上形成第一光致抗蚀剂膜的工序；(c)由所述基板的第二主面一侧照射光，将转印有所述空腔的平面形状的潜像描画于所述第一光致抗蚀剂膜的工序；(d)通过显影除去在未形成所述空腔的区域所形成的所述第一光致抗蚀剂膜，形成第一光致抗蚀剂膜的图案的工序；(e)与所述第一光致抗蚀剂膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成疏水膜的工序；(f)除去所述第一光致抗蚀剂膜的图案及在形成有所述第一光致抗蚀剂膜的图案的区域所形成的所述疏水膜，形成疏水膜的图案的工序；(g)与所述疏水膜的图案重叠地在所述基板的第一主面上形成分布有催化剂金属的核的催化剂层的工序；(h)在所述催化剂层上进行无电解镀敷来形成镀敷膜的工序；(i)除去所述疏水膜的图案、和在形成有所述疏水膜的图案的区域所形成的所述催化剂层及所述镀敷膜，形成构成所述振动层叠体的最下层的电极膜的工序；(j)形成构成所述振动层叠体的电极膜和压电/电致伸缩体膜中的除了所述最下层的电极膜以外的膜的工序。
全文摘要
本发明提供一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法，所述方法在增加最下层的电极膜的被覆率的同时，可防止空腔的平面位置与最下层的电极膜的平面位置的偏离。在制造压电/电致伸缩膜型元件时，将空腔中填充了遮光剂的基板作为掩膜通过光刻法形成下部电极膜，所述元件具有基板；在基板的表面上与该空腔平面位置相对应而设置的层叠下部电极膜、压电/电致伸缩体膜及上部电极膜而成的振动层叠体。下部电极膜，在形成催化剂层后，通过无电解镀敷来形成。
文档编号B41J2/055GK102484201SQ201080039
公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月6日 优先权日2009年9月7日
发明者北川睦, 清水秀树 申请人:日本碍子株式会社