一种oled显示器的像素驱动电路、阵列基板以及相应显示器的制造方法

文档序号:2546997阅读:94来源:国知局
一种oled显示器的像素驱动电路、阵列基板以及相应显示器的制造方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种OLED显示器的像素驱动电路,包括:扫描开关管TFT1,其源极接数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容C1的第一端,存储电容C1第二端接地;预充电开关管TFT3,其源极接数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容C1的第一端;驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFT1的漏极,其漏极接地;有机发光二极管OLED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd;其中,本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠。本发明实施例相应地提供了阵列基板以及显示器,实施本发明实施例,可以提高各像素单元中的存储电容的充电效率,从而提高显示效果。
【专利说明】—种OLED显示器的像素驱动电路、阵列基板以及相应显示器
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管的显示器的像素驱动技术,特别是涉及一种有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)显示器的像素驱动电路、阵列基板以及相应显示器。
【背景技术】
[0002]相比传统的液晶面板,有机发光二极管OLED显示面板具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等特点,因此,OLED得到了显示技术开发商日益广泛的关注。
[0003]图1是现有的一种OLED显示器的像素驱动电路示意图;其为采用2个TFT晶体管以及I个电容组成的电压驱动型像素驱动电路结构(2T1C)。
[0004]其中,在扫描控制线(Gate_n)信号控制下,第一晶体管TFTl将数据线(如Data_η)上的电压传输到驱动晶体管TTFT2的栅极,驱动晶体管TFT2将这个数据电压转化为相应的电流供给有机发光二极管0LED,在正常工作时,驱动晶体管TFT2应处于饱和区,在一行的扫描时间内为OLED提供稳定的驱动电流。
[0005]如图2所示,是图1中所采用电路的栅极扫描时序示意图;其中,CLKA/B为栅极扫描芯片(IC)的时钟信号,STV为栅极扫描同步信号,其中栅极扫描米用逐行打开的方式,在上一行扫描关闭后,下一行扫描打开。扫描时间为WCFxa),其中,F为OLED显示器的场扫描频率,m为OLED显示面板的行扫描频率。
[0006]但是,在现有的像素驱动路中,在输入相同的灰阶电压时,由于不同像素单元所对应的不同的驱动晶体管TFT2会存在不同的阈值电压,故不同的驱动晶体管TFT2会产生不同的电流,故在一个OLED显示面板上会造成驱动电流的不一致性。另外,针对高分辨率的AMOLED显示屏,由于受限于TFTl尺寸的限制,且每一行像素单元中均是等上一行的扫描时间结束后,才开始工作,故可能存在TFTl的饱和电流会不能满足需求的情形,即在一行的扫描时间内,存储电容Cl可能会存在不能充电到预定电压的风险,进而会影响到输入至OLED的驱动电流。

【发明内容】

[0007]本发明所要解决的技术问题在于,提供一种OLED显示器的像素驱动电路、阵列基板以及相应显示器,可以提高OLED显示器的像素驱动电路中存储电容的充电效果,从而提高显示器的显示效果。
[0008]为了解决上述技术问题,本发明的实施例的一方面提供了一种OLED显示器的像素驱动电路,包括:
扫描开关管TFT1,其源极接数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地;
预充电开关管TFT3,其源极接数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端;
驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;
有机发光二极管OLED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ;
其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠 其中,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
[0009]其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/CFxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠IiCFxa)时间,其中,Jr为OLED显示器的场扫描频率,η为OLED显示面板的行扫描频率。
[0010]相应地,本发明实施例的另一方面还一种OLED显示器的阵列基板,包括由多行扫描控制线和多列数据线限定的多个像素单元,每个像素单元包括有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:
扫描开关管TFTl,其源极接本列数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述 存储电容Cl第二端接地;
预充电开关管TFT3,其源极接本列数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端;
驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;
有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ;
其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠 其中,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
[0011]其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/CFxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠!/(Fxii)时间,其中,p为OLED显示器的场扫描频率m力OLED显示面板的行扫描频率。
[0012]相应地,本发明实施例的再一方面还提供一种OLED显不器,其包括一 OLED显不器的阵列基板,所述OLED显示器的阵列基板,包括由多行扫描控制线和多列数据线限定的多个像素单元,每个像素单元包括有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:
扫描开关管TFTl,其源极接本列数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地;
预充电开关管TFT3,其源极接本列数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端;
驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;
有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ;
其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠 其中,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
[0013]其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/CPxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠I^xa)时间,其中,,为OLED显示器的场扫描频率,?为OLED显示面板的行扫描频率。
[0014]实施本发明的实施例,具有如下的有益效果:
由于在每一个像素单元的像素驱动电路中采用了一个预充电开关管TFT3,且情形预充电开关管TFT3的栅极连接的本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间部分重叠(如,相互重叠1/2的脉宽),从而可以通过该预充电开关管TFT3实现,以在上一行扫描周期中就对存储电容Cl提前充电,从而可以提高其充电效果,使其能保证达到预定的电压,从而可以使驱动晶体管TFT2为OLED提供稳定的驱动电流,以提高整个OLED显示器的显示效果O
【专利附图】

【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0016]图1是现有的一种OLED显不器的像素驱动电路不意图;
图2是图1中所采用电路的栅极扫描时序示意图;
图3是本发明提供的OLED显示器的像素驱动电路的一个实施例的电路示意图;
图4是图3中所采用电路 的栅极扫描时序示意图;
图5是本发明提供的OLED显示器的阵列基板的一个实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
[0018]如图3所示,是本发明提供的OLED显示器像素驱动电路的一个实施例的电路示意图。在该实施例中,每一像素单元中均设置有一个像素驱动电路,其中,该像素驱动电路包括:
扫描开关管TFT1,其源极接数据线(如,Data_n),其栅极接本行扫描控制线(如,Gate_n),其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地;
预充电开关管TFT3,其源极接数据线,其栅极接上一行扫描控制线(如,Gate_n-1),其漏极连接存储电容Cl的第一端;
驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;
有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ;
其中,所述本行扫描控制线(如,Gate_n)与上一行扫描控制线(如,Gate_n_l)的扫描时间至少部份重叠,例如可以相互重叠1/2的脉宽,可以理解的是,可以根据实际需要选择其他的重叠时间。
[0019]具体地,如图4所示,是图3中所采用电路的栅极扫描时序示意图;在该实施例中,其中,CLKA/B为栅极扫描芯片(IC)的时钟信号,STV为栅极扫描同步信号,其中栅极扫描米用逐行打开的方式,在上一行扫描关闭后,下一行扫描打开。所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/<Fx:n),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠时间,例如扫描控制线Gate 2的前半段的扫描时间与其上一行的扫描控制线Gate I的后半段的扫描时间重叠,后面的依次类推。其中,F为OLED显示器的场扫描频率,?为OLED显示面板的行扫描频率。
[0020]从中可以看出相邻两行之间的栅极扫描有Ι—Χη)时间的共享充电时间。这样,可以主要为了保证当前行各像素单元中的的OLED驱动电路中的各存储电容Cl有足够的充电时间达到预定的灰阶电压。
[0021]每一行真正的充电时间其实只有后半个脉冲时间,因此不会出现您说的串绕; 其中,由于OLED属于电流驱动,故驱动晶体管TFT2的电压保持要求很严格,存储电容
Cl主要作用是为了保持OLED驱动晶体管的电位,如果太小,电荷保持能力就会降低,因此不能减小存储电容Cl的大小,而本发明实施例提供的电路,采用预充电的机制,由于相邻两行之间的栅极扫描有的重叠时间的共享充电时间,即在上一行扫描控制线的处于后半段扫描时间时,在本行扫描控制线的前半段扫描时间,即开始对存储电容Cl开始充电,充到上一行的灰阶电压,从而在本行扫描控制线的后半段扫描时间内,很容易地将存储电容Cl充电到预定的灰阶电压,从而可以提高存储电容Cl的充电效率和充电效果。
[0022]如图5所示,是本发明提供的OLED显示器的阵列基板的一个实施例的结构示意图。在该实施例中,该OLED显示器的阵列基板,包括由多行扫描控制线(图中仅示出了 Gaten-2^Gate n+2)和多列数据线(图中仅示出了 Data n-3~Data n+3)限定的多个像素单元,每个像素单元包括有一个像素驱动电路,该像素单元采用图3示出的像素驱动电路,具体地该像素驱动电路包括:
扫描开关管TFTl,其源极接本列数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地;
预充电开关管TFT3,其源极接本列数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端;
驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;
有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ;
其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠,例如可以相互重叠1/2的脉宽。
[0023]其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/CFxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠MCFxii)时间,其中F力OLED显示器的场扫描频率,n为OLED显示面板的行扫描频率。
[0024]更多的细节可以参考前述对图3和图4的描述,在此不进行赘述。
[0025]相应地,本发明实施例还提供一种采用图5示出的阵列基板的OLED显示器,具体的细节可以参考前面的描 述。
[0026]实施本发明实施例,具有如下的有益效果:
在本发明实施例中,由于在每一个像素单元的像素驱动电路中采用了一个预充电开关管TFT3,且情形预充电开关管TFT3的栅极连接的本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽,从而可以通过该预充电开关管TFT3实现,以在上一行扫描周期中就对存储电容Cl提前充电,从而可以提高其充电效果,使其能保证达到预定的电压,从而可以使驱动晶体管TFT2为OLED提供稳定的驱动电流,以提高整个OLED显示器的显示效果。
[0027]以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。
【权利要求】
1.一种OLED显示器的像素驱动电路,其特征在于,包括: 扫描开关管TFT1,其源极接数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地; 预充电开关管TFT3,其源极接数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端; 驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地; 有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ; 其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的一种OLED显示器的像素驱动电路,其特征在于,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
3.如权利要求2所述的一种OLED显示器的像素驱动电路,其特征在于,所述本行 扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/(Fxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠时间,其中FtS OLED显示器的场扫描频率,m为OLED显示面板的行扫描频率。
4.一种OLED显示器的阵列基板,包括由多行扫描控制线和多列数据线限定的多个像素单元,其特征在于,每个像素单元包括有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括: 扫描开关管TFT1,其源极接本列数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地; 预充电开关管TFT3,其源极接本列数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端; 驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地; 有机发光二极管0LED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ; 其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部分重叠。
5.如权利要求4所述的一种OLED显示器的阵列基板,其特征在于,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
6.如权利要求5所述的一种OLED显示器的阵列基板,其特征在于,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠WCFxn)时间,其中JT力OLED显示器的场扫描频率,?为OLED显示面板的行扫描频率。
7.一种OLED显示器,其包括一 OLED显示器的阵列基板,其特征在于,所述OLED显示器的阵列基板,包括由多行扫描控制线和多列数据线限定的多个像素单元,每个像素单元包括有像素驱动电路,所述像素驱动电路包括: 扫描开关管TFTl,其源极接本列数据线,其栅极接本行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端,所述存储电容Cl第二端接地; 预充电开关管TFT3,其源极接本列数据线,其栅极接上一行扫描控制线,其漏极连接存储电容Cl的第一端; 驱动晶体管TFT2,其栅极接扫描开关管TFTl的漏极,其漏极接地;有机发光二极管OLED,其负极接驱动晶体管TFT2的源极,其正极接电源线Vdd ; 其中,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间至少部份重叠。
8.如权利要求7所述的一种OLED显示器,其特征在于,所述每一本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间相互重叠1/2的脉宽。
9.如权利要求8所述的一种OLED显示器,其特征在于,所述本行扫描控制线与上一行扫描控制线的扫描时间均为2/CFxn),所述本行扫描控制线前半段扫描时间与上一行扫描控制线的后半段扫描时间重叠,两者重叠时间,其中,,为OLED显示器的场扫描频率,n为OLED显示面板的行扫描频率。
【文档编号】G09G3/32GK103927985SQ201410127996
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日
【发明者】徐向阳 申请人:深圳市华星光电技术有限公司
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