专利名称：具有图案化介电层的液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。更加具体而言，本发明涉及具有改善的显示质量和亮度的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术：
液晶显示(以下称作“LCD”)装置是一类平板显示装置。与大多数平板显示装置类似，LCD装置比屏幕尺寸相当的阴极射线管(CRT)显示装置更小且更轻。较小的尺寸和较低的重量使得平板显示器在各种应用中具有优势。
LCD装置通过使用液晶分子的光学性质显示诸如字符、图像、以及移动影像的信息。响应电压形成在液晶分子层中的电场改变液晶分子的排列和/或取向。这种液晶分子的排列和/或取向的改变接着影响了通过液晶层的光的透射率。由于液晶本身不发射光，LCD装置需要光源来显示图像。因此，LCD装置有时采用单独的光源。
LCD装置分为三种类型透射型LCD装置、反射型LCD装置、以及透射反射型LCD装置。
透射型LCD装置使用内部光源来显示图像。由此，透射型LCD装置中，通过向光源施加电功率产生的光提供给液晶层用来在LCD装置的屏幕上显示信息。相比，反射型LCD装置使用来自处于LCD装置以外的光源的光。这种外部光源可以是，例如，诸如阳光的自然光或诸如从灯照射的光的人工光。透射反射型LCD装置使用内部光源和外部光源来显示图像。通常，在外部光量不足时，透射反射型LCD装置使用内部光源，而在其足够时，使用外部光。
反射型和透射反射型LCD装置两者都包括用于反射来自外部光源的光的反射电极，由此显示图像。因此，扩大反射电极的反射表面通常会改善这些LCD装置的前部亮度(front luminance)。
在反射电极的表面积最大化时，在反射型和透射反射型LCD装置中，反射电极之间的非反射区减小。目前，LCD装置已制成为反射电极设置在信号线上，其中预定电压的电源施加在信号线上。反射电极设置在信号线上是反射型或透射反射型LCD装置的优点。
然而，反射型或透射反射型LCD装置也遇到了降低显示质量的缺点。设置在信号线上的反射电极必须与反射信号线电隔离。为实现这种电分离，具有约3.3的介电常数的有机绝缘层设置在反射电极与信号线之间。绝缘层表面通常被构图，从而引导光使得前部亮度得到改善。总的来说，前部亮度的改善是因为光所通过的表面积的增大，以及随之而来的光散射增大。由于这种改善的亮度源于反射电极表面积增大，这可以通过绝缘层的存在而实现，绝缘层显著影响反射型或透射反射型LCD装置的显示质量。
通常，期望使绝缘层较薄，因为薄的绝缘层便于接触孔的形成和光的透射。然而，在绝缘层太薄时，会在导电信号线与非导电绝缘层之间、以及非导电绝缘层与导电反射电极之间形成寄生电容器。这种寄生电容器的形成是不期望的，因为其扭曲了通过信号线施加的电信号，并改变了施加到反射电极的电压。最终，寄生电容器破坏了LCD装置的显示质量。
为降低寄生电容，绝缘层的厚度可以增大。然而，这种绝缘层的变厚负面影响了光透射，如上所述。尽管若反射电极不形成在信号线之上，则寄生电容可以降低而不增厚绝缘层，但这种解决方法还具有降低反射电极的反射面积的不期望的效果，由此仍然降低了LCD装置的亮度。因此，每种选择都具有缺陷。由此，一直需要可以改善LCD装置的前部亮度的新颖的LCD装置结构及其制造方法。
发明内容
因此，本发明针对一种LCD装置，其基本消除了由现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。本发明提供了具有改善了的光反射、降低了的寄生电容、以及未降低的光透射的LCD装置，所有这些改善了显示质量。本发明还提供了制造这种LCD装置的方法。
本发明为一种显示装置，其包括具有第一区和第二区、以及沉积在第一和第二区上的介电层的第一基板。第一区的介电层具有第一图案，而第二区的介电层具有与第一图案不同的第二图案。第二基板连接至第一基板，从而形成第二基板与介电层之间的空间，液晶层位于该空间中。
在另一方面，本发明为一种显示装置，包括第一基板、形成在第一基板上的导电区、以及沉积在第一基板和导电区上的介电材料，其中导电区包括信号线和晶体管。介电材料的表面具有以规则间隔隔开的凸起部分的表面图案，其中间隔依赖于介电材料的期望厚度。第一电极沉积在介电材料上。第一电极具有基本与表面图案匹配的电极图案。第二电极与第一电极连接，而液晶层位于第一与第二电极之间。
在另一方面，本发明为一种显示装置，包括具有多个区的基板、以及沉积在多个区上的介电层，其中多个区的每一个中的介电层的表面具有特别的图案。
本发明还包括一种制造具有改善亮度的显示装置的方法。该方法包括获得具有第一区和第二区的第一部件，在第一区和第二区上沉积介电层，构图覆盖第一区的介电层从而形成第一被构图区，以及构图覆盖第二区的介电层从而形成具有与第一被构图区不同的图案的第二被构图区。将第二部件连接至第一部件从而在第二部件与介电层之间形成空间并在该空间中设置液晶层。
通过结合附图参照以下详细介绍，本发明的上述和其它目的和优点将变得易于理解，附图中图1为示出根据本发明第一示例实施例的LCD装置的概念图；图2为示出图1所示LCD装置内部的截面图；图3为示出图1所示第一部件的概念图；图4为示出图2所示薄膜晶体管的截面图；图5A为示出根据本发明第一示例实施例的防泄漏电流图案和增亮度图案的平面图；图5B为示出根据本发明第一示例实施例的另一防泄漏电流图案和增亮度图案的平面图；图6为沿图5A的线B-B截取的截面图；图7为示出图2所示的第一电极的平面图；图8为示出根据本发明第二示例实施例的LCD装置的第一部件的概念图；图9为沿图8所示的第一部件的线C-C截取的截面图；
图10为示出形成在根据本发明示例实施例的LCD装置的第一部件上的第一信号线和栅极电极的视图；图11为示出形成在根据本发明示例实施例的第一部件上的沟道层的视图；以及图12为示出形成在根据本发明示例实施例的LCD装置的第一部件上的第二信号线、源极电极和漏极电极的视图。
具体实施例方式
现在，将在下面参照附图更全面地介绍本发明，附图中示出了本发明的示例实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，而不应解释为限于此处所述的实施例。作为示例实施例，本发明公开了包括信号线、介电层(dielectric layer)、以及反射层的反射型LCD装置。然而，本发明的实质和范围不应限于反射型LCD，这对于本领域技术人员是显而易见的。
在此处使用时，“连接至”和“与..连接”表示任何直接或间接的连接。同样，在一种材料“沉积在”另一种材料上时，两种材料可以彼此相邻或通过中间层分开。介电层的“厚度”为沿着基本垂直于基板表面测量的介电层的厚度。介电层的厚度包括介电层表面上任何图案的厚度。
“图案”是具有凸起部分(bumpy portion)和下陷部分(dip portion)的任何形式的规则和/或不规则图案。此处，“凸起部分”表示图案中局部厚度大于相关区中该层的平均厚度的任何部分。此处，“下陷部分”表示图案中局部厚度小于或等于相关区中介电层的平均厚度的任何部分。被构图部分的“高度”指最近下陷部分的底部与最近凸起部分的顶部之间的距离。仅用于规则图案的“重复频率”表示给定的表面积中凸起部分的数量。“间隔”表示两个凸起部分之间的距离，该距离在两个凸起部分的对应实际部分之间测量。
<LCD装置的示例实施例>
<实施例1>
图1为示出根据本发明第一示例实施例的LCD装置的概念图，而图2为示出图1所示LCD装置内部的截面图。图3为示出图1所示第一部件的概念图。
参照图1，LCD装置400包括第一部件100、液晶层300、以及第二部件200。第一部件100和第二部件200以预定距离分开，夹位液晶层300。如图2和3所示，第一部件100包括第一基板110、多条信号线120、薄膜晶体管(以下称做TFT)130、介电层140、以及第一电极150。第二部件200包括第二基板210、第二电极220、以及滤色片230。
第一基板110包括透明材料。在一个实施例中，第一基板110为具有高透射率的玻璃基板。信号线120设置在第一基板110上，且第一和第二驱动信号从外部电源施加于其上。第一驱动信号为定时信号，第二驱动信号为包含信息的数据信号。第一和第二驱动信号施加于其上的信号线120相对于彼此在不同方向上但按照其不会电短路的方式设置。
在所示的实施例中，信号线120包括彼此基本垂直排列但未电连接的第一信号线122和第二信号线128。第一信号线122沿第一方向在第一基板110上延伸，第一驱动信号施加于第一信号线122。第二信号线128沿垂直于第一方向的第二方向在第一基板110上延伸，第二驱动信号施加于第二信号线128。
熟知，信号线的数量与显示屏的尺寸和分辨率相关。例如，在LCD装置具有19英寸的对角长度和1024×768像素的分辨率，并显示全色图像时，第一信号线122包括768个子线，第二信号线128包括3072个子线，其等于1024×3。
图4为图2所示薄膜晶体管的截面图。
参照图2和4，TFT 130形成在像素112处。像素的边界近似通过第一信号线122和第二信号线128描绘。TFT 130包括栅极电极123、绝缘层124、沟道区131、源极电极129、以及漏极电极134。
第一信号线沿第一方向延伸从而在像素112处形成栅极电极123。绝缘层124形成在第一基板110的整个表面上，由此绝缘栅极电极123。
沟道区131(见图11)设置在每个像素112处栅极电极123上方，且包括非晶硅薄膜132、第一n+非晶硅薄膜133a和第二n+非晶硅薄膜133b。非晶硅薄膜132设置在绝缘层的覆盖栅极电极123的部分上，第一n+非晶硅薄膜133a和第二n+非晶硅薄膜133b设置在非晶硅薄膜132表面上。
通常沿第二方向延伸的第二信号线128具有沿第一方向延伸的段，从而形成源极电极129(见图12)。源极电极129与第一n+非晶硅薄膜133a接触，且漏极电极134与第二n+非晶硅薄膜133b接触。漏极电极134包括第一接触孔134a。
图5A为示出根据本发明第一示例实施例的第一图案142和第二图案144的平面图，而图6为沿图5A的线B-B截取的截面图。
参照图5A和6，介电层140形成在第一基板110的表面上用于从第一电极150绝缘信号线120和TFT 130(见图2)。在示例实施例中，介电层140通过首先使用诸如旋涂的方法，随后构图基本平坦的表面从而实现期望的表面图案而形成。表面图案起到了沿期望方向反射或折射入射光的作用，期望方向一般为显示装置从该方向看起来为方形的方向。
构图介电层140从而形成通过介电材料延伸的第二接触孔143、用于防泄漏电流的第一图案142、以及用于增加显示装置亮度的第二图案144。第二接触孔143连接于漏极电极134的第一接触孔134a，一同形成LCD装置的接触孔。漏极电极134和第一电极150可以彼此通过接触孔143电连接。
第一图案142，此处也称作“防泄漏电流图案”，形成在介电层140的第一区142c，并且第二图案144，此处也称作“增亮度图案”，形成在介电层140的第二区144c。第二区144c在图5A中示为由断线包围。断线外部的区域构成第一区142c。本领域技术人员将理解，接触孔143周围的区(此处称作“接触孔区”)将具有非第一图案142亦非第二图案144的图案，从而容纳接触孔143的存在。
第一区142c为介电层140的覆盖电信号传输所通过的信号线120的部分，且第二区144c为介电层140的覆盖未被导电层覆盖的栅极绝缘层124的部分。特别地，第一区142c为介电层140的与第一信号线122、第二信号线128、以及TFT 130对应的部分。第二区144c为介电层140的其余部分。由此，第一信号线122、第二信号线128、以及TFT 130基本显示出第二区144c边界的轮廓。
第一电极150边缘附近的区(见图2)覆盖在第一信号线122、第二信号线128、以及TFT 130上面。形成在第一电极与信号线122、128之间的寄生电容与第一电极150与第一信号线122、128之间的距离成反比。同样，第一电极150与TFT 130之间的寄生电容与第一电极150与TFT 130之间的距离成反比。由此，介电层可以具有约1.5至约1.7μm范围内的平均厚度，从而降低寄生电容。然而，如上所述，介电层变厚具有不期望的结果，诸如接触孔形成的复杂和光透射效率的下降。
根据本发明，多个第一凸起部分142a形成在第一区142c中，用于降低寄生电容和均匀分布光。例如，每个第一凸起部分142a可以具有直径为约5μm至约7μm而高度为约0.3μm至0.5μm的半球形状。介电层140在第一区142c的平均厚度在从1.5μm至约1.7μm范围内。在另一实施例中，每个第一凸起部分142a可以形成为多边形，诸如具有多边形截面的多边柱形或多边锥形，如图5B所示。多边形凸起部分在多边形截面中具有约5μm至约7μm的对角长度和约0.3μm至约0.5μm的高度。介电层140在第一区142c的平均厚度还在约1.5μm至约1.7μm的范围。两个相邻第一凸起部分142a之间的下陷部分142b的宽度为约5μm至约7μm。除半球形和多边形以外，第一凸起部分还可具有任何形状，这为本领域技术人员所知。
由于电信号未在第二区144c下的区域中传输，没有寄生电容器形成在第二区144c中。由此，第二图案144，而非第一图案142形成在第二区144c中。用于显示图像的大部分光通过用于提高光透射率的第二图案144提供。因此，第二图案144明显影响了LCD装置的反射和亮度，且最终影响了显示质量。
一般而言，透射过层的光的量与该层的厚度成反比。然而，如上所述，期望用厚层来降低寄生电容。因此，迄今，LCD装置设计采用最大化光透射和降低寄生电容的折衷。本发明通过在介电层140的不同区形成两种不同图案实现了高光透射和降低寄生电容。优选选择两种不同的图案从而产生两种不同的平均厚度，使得具有较高平均厚度的图案可以形成在可能形成寄生电容的区，并且具有较低平均厚度的图案可以形成在发生光透射的区。层的平均厚度由图案的凸起部分与下陷部分的比例确定。
在所示实施例中，第一图案142比第二图案144具有更高的平均厚度。由于寄生电容易于形成在第一区142c中，其位于TFT 130上方，第一图案142形成在第一区142c中。对于第二区144c，第二图案144形成于其上，因为较薄的介电层对于提高光透射是有利的。
在示例实施例中，每个第二凸起部分144a形成为具有范围为从10μm至约15μm的直径和范围为约0.8μm至约1.5μm的高度的半球形状。结果，第二凸起部分144a比第一凸起部分142a大。因此，由于第二凸起部分144a，介电层140的平均厚度在约0.8μm至约1.2μm的范围内，从而第二图案144的介电层140具有低于第一图案142的介电层140的平均厚度的平均厚度。如图所示，第二凸起部分144a的直径大于第一凸起部分142a的直径。然而，第二下陷部分144b的直径以比凸起部分142a与144a的直径之间的差更大的量大于第一下陷部分142b的直径。结果，与第二区144c相比，更多百分比的第一区142c由突出部分覆盖，并且对应于第二图案144的介电层140的平均厚度降低从而提高光透射。
在另一实施例中，每个第二凸起部分144a可以形成为具有多边形截面的结构。例如，凸起部分可以具有诸如多边柱形或多边锥形的多边形形状，如图5B所示。多边形凸起部分144a具有约10μm至约15μm的对角长度和约0.8μm至约1.5μm的高度。介电层140在第二区144c中的平均厚度在约0.8μm至约1.2μm的范围内。第二凸起部分144a之间的下陷部分的宽度在约5μm至约7μm的范围内。多边形截面同样可以用于第一凸起部分142。
除了此处公开的半球形和多边形以外，第一凸起部分144a还可以具有任何形状，这对于本领域技术人员是显然的。在一个实施例中，图案的凸起部分规则排列，即以固定的频率排列，从而每个凸起部分以预定的距离与邻近的凸起部分隔开。在另一实施例中，图案不规则，且凸起部分之间的距离在一个被构图区(patterned region)内改变。
图7为图2所示的第一电极的平面图。如图所示，第一电极150形成在介电层140的表面上。可用于第一电极150的材料的示例包括铝和铝合金。在介电层140表面上第一电极150定位为与TFT 130适应。由于本实施例的TFT 130以矩阵构造排列，第一电极150也以类似的矩阵构造排列。
在一个实施例中，第一电极150靠近像素112边界的部分覆盖第一信号线122的一部分和第二信号线128的一部分，从而最大化反射的第一电极150的表面积。图7中的附图标记T表示包括第一电极150和第一和第二信号线122和128中至少一个的交叠部分的宽度。第一电极1 50的交叠部分可以具有约1至约3μm范围内的宽度T。没有反射电极表面的距离G的间隙可以具有约2至约4μm之间的宽度。间隙G越小，则第一电极150的反射表面积越大，且反射效率越大。反射表面积越大，LCD显示器的质量和亮度越高。
在可选实施例中，第一电极150覆盖第一信号线122和第二信号线128(即，G＝0)。由于第一图案142形成在第一信号线122和第二信号线128上，寄生电容可以有效降低，即使第一电极150设置在第一和第二信号线122和128上方。
第一电极150的表面具有与介电层140类似的图案，因为第一电极150经溅镀或化学汽相沉积(CVD)形成。第一突出部分152形成在第一图案142第一电极150的第一区上，且第二突出部分154形成在第一电极150的第二区上。第一和第二突出部分152和154具有与第一和第二凸起部分142a和144a类似的形状。与第一和第二凸起部分142a和144a类似，第一和第二突出部分152和154可以具有半球形、多边形或任何其它形状。
再参照图2，上述第一部件100与基本平行于第一部件100定位的第二部件组合，且液晶层300设置在第一与第二部件100与200之间。
根据LCD装置的示例实施例，信号线与电极之间和TFT与电极之间的寄生电容可以通过在介电层表面上形成多个凸起部分降低，由此防止显示质量下降。另外，LCD的亮度可以通过降低介电层的厚度提高。
<实施例2>
图8为根据本发明第二示例实施例的LCD装置的第一部件的概念图，而图9为沿图8所示的第一部件的线C-C截取的截面图。
本发明的第二实施例具有与本发明第一实施例相同的元件，除了介电层以外，因此对相同元件的任何进一步介绍将省略。
参照图8和图9，具有第一图案145的第一区和具有第二图案146的第二区的表面积影响LCD装置的寄生电容和亮度。更具体而言，当具有第二图案146的第二区的表面积减小而具有第一图案145的第一区的表面积增大时，第一信号线122与第一电极150之间或第二信号线122与第一电极150之间的寄生电容明显降低。
在示例实施例中，与第一实施例相比，第一区与第二区之间的边界设置得更加远离信号线122、128和TFT 130。例如，边界可以位于距第一信号线、第二信号线和TFT中的每个约10μm至约30μm。第一图案145包括多个第一凸起部分142a，且第二图案包括多个第二凸起部分144a。
因此，寄生电容可以通过加大防泄漏电流图案145的表面积而大大降低，由此防止显示故障。
<制造LCD装置的示例方法>
现在，将参照附图介绍制造本发明的示例方法。图10至12为示出用于制造根据本发明示例实施例的LCD装置的工艺的不同阶段的视图。
首先，在第一基板110的表面上形成信号线122和栅极电极123，如图10所示。图10为示出其上形成有多个第一信号线122和多个栅极电极123的第一部件100的部分形成形式的视图。
在第一基板110的整个表面上沉积金属，由此在第一基板110上形成金属层。金属层的示例包括铝层、铝合金层等。接着，在金属层上沉积光致抗蚀剂膜，并通过使用光掩模的曝光工艺构图。金属层可以使用光致抗蚀剂图案构图，在金属层上形成沿第一方向的多个第一信号线122。每个第一信号线122在其不同的点沿第二方向延伸，由此形成多个栅极电极123。形成第一信号线122后，透明绝缘层沉积在第一信号线122上。
接着，在第一部件上形成沟道层，如图11所示。图11为示出形成在第一部件100上的沟道层的视图。
在沉积绝缘层后，其上已经沉积了第一信号线122、栅极电极123、以及绝缘层的第一基板110上接着沉积非晶硅层和n+非晶硅层。随后，使用光致抗蚀剂图案和图案掩模构图非晶硅层和n+非晶硅层，从而形成包括下沟道132和上沟道133的沟道层131。
下沟道132位于栅极电极123上，且具有比对应的栅极电极123的宽度W大的宽度。当向栅极电极123施加信号电压时下沟道132是导电的，且当切断来自栅极电极123的信号电压时是不导电的。上沟道133形成在下沟道132上，且包括第一子沟道133a和第二子沟道133b。
接着，在第一部件上形成多个第二信号线、源极电极、以及漏极电极，如图12所示。图12为示出形成在第一部件上的多个第二信号线、源极电极、以及漏极电极的视图。
在第一基板110的整个表面上沉积金属，由此在第一基板110上形成金属层。适合的金属的示例包括铝、铝合金等，如图12所示。接着，在金属层上涂覆光致抗蚀剂薄膜，随后通过使用掩模的曝光和显影工艺构图。使用光致抗蚀剂图案构图金属层，使得多个第二信号线128沿第二方向形成在金属层上。每个第二信号线128从金属层上特别的点沿第一方向延伸，由此形成多个源极电极129和漏极电极134。源极电极129与第一子沟道133a接触，且漏极电极134与第二次沟道133b接触。还在漏极电极134上形成第一接触孔134a。TFT包括栅极电极123、源极电极129、沟道层、以及漏极电极134。
以下，参照图5A及
用于形成介电层和第一电极的工艺。
参照图5A和5B，在第一基板110的整个表面上沉积介电层140，由此覆盖所有的第二信号线128、源极电极129、以及漏极电极134。介电层140将第一信号线、第二信号线、以及第一电极彼此电绝缘。构图介电层140，从而形成第一图案144、第二图案142、以及第二接触孔143(见图9)。
更具体而言，介电层140分为其上形成防泄漏电流图案(第一图案142)的第一区和其上形成增亮度图案(第二图案144)的第二区。第一区位于第一和第二信号线122和128、源极电极129、以及漏极电极134上。第二区为介电层的非第一区部分的其余部分。构图介电层140使得第一区的平均厚度小于第二区的平均厚度。
作为一个实施例，防泄漏电流图案可以形成为具有约5μm至约7μm的直径和约0.3μm至约0.5μm的高度的半球形，或具有约5μm至约7μm的对角长度和约0.3μm至约0.5μm的高度的多边形状。第一区的平均厚度在约1.5μm至约1.7μm的范围。泄漏第一图案142除半球形和多边形外还可以具有任何形状，这对本领域技术人员是显然的。
同时，第二图案144可以形成为具有约10μm至约15μm的直径和约0.8μm至约1.5μm的高度的半球形，或诸如多边柱形和多边锥形的多边形状。该多边形状在对角截面中具有约10μm至约15μm的对角长度和约0.8μm至约1.5μm的高度。例如，第二区的平均厚度在约0.8μm至约1.2μm的范围。第一图案142除半球形和多边形外还可以具有任何形状，这对本领域技术人员是显然的。在构图介电层140时，形成第二接触孔143从而暴露TFT 130的漏极电极134。
在介电层140的表面上沉积金属，从而以矩阵形状在介电层140上形成金属层。因此，第一电极150形成在介电层140的表面上，如图7所示。第一电极150的高度根据对应介电层的高度改变，使得第一区中第一电极150的平均高度比第二区中第一电极150的平均高度大。另外，第一电极150具有多个突出部分152，用于充分地反射光。第一区中第一电极150的突出部分也形成得比第二区中第一电极150的突出部分大。
第二电极220形成在第二透明基板210的整个表面上，其耦合到第一电极150，如图2所示。滤色器230还可以设置在第二电极220与第二透明基板210之间。
第一部件100和第二部件200在彼此对准后组装。随后，在第一部件100与第二部件200之间注入液晶，由此完成LCD装置。
虽然本发明实施例说明了反射型LCD装置，所公开的设备和方法不限于这种应用，而是可以应用于使用介电层和反射电极显示图像的所有类型的LCD装置。例如，本发明实施例可以应用于使用介电层、反射电极、以及透射电极且可不管显示地点的暗或明都可以显示图像的透射反射型LCD，因为反射电极和透明电极的形状由根据本发明的介电层的形状确定。
尽管已经介绍了本发明的示例实施例，应理解本发明不限于这些优选实施例，本领域技术人员可以在所附权利要求限定的本发明的实质和范围内进行各种改动和调整。
权利要求
1.一种显示装置，包括具有第一区和第二区的第一基板；沉积在所述第一和所述第二区上的介电层，其中所述第一区的所述介电层具有第一图案，并且所述第二区的所述介电层具有与所述第一图案不同的第二图案；第二基板，结合到所述第一基板从而在所述第二基板与所述介电层之间形成空间；以及位于该空间中的液晶层。
2.如权利要求1的显示装置，其中具有所述第一图案的所述介电层具有与具有所述第二图案的所述介电层不同的平均厚度。
3.如权利要求1的显示装置，其中所述第一图案基本为第一重复频率的重复图案，且所述第二图案基本为第二重复频率的重复图案，其中所述第一重复频率和所述第二重复频率不同。
4.如权利要求1的装置，其中所述第一图案包括第一凸起部分和第一下陷部分，且所述第二图案包括第二凸起部分和第二下陷部分。
5.如权利要求4的装置，其中所述第一凸起部分以第一预定距离彼此规则地分开。
6.如权利要求5的装置，其中所述第二凸起部分以第二预定距离彼此规则地分开。
7.如权利要求4的装置，其中所述第一凸起部分具有约0.3至约0.5微米的高度，其中该高度为第一区中所述介电层的最薄部分与所述介电层的最厚部分之间的差。
8.如权利要求7的装置，其中所述第二凸起部分具有约0.8微米至约1.5微米的高度。
9.如权利要求1的装置，其中具有所述第二图案的所述介电层的平均厚度在约0.8微米至约1.2微米之间。
10.如权利要求1的装置，其中所述介电层具有所述第一图案的部分的平均厚度为约1.5微米至约1.7微米。
11.如权利要求4的装置，其中与所述第一下陷部分相比，第一凸起部分构成所述第一图案的更大部分。
12.如权利要求4的装置，其中所述第二凸起部分和所述第二下陷部分构成所述第二图案的约相等比例。
13.如权利要求4的装置，其中每个所述第一凸起部分具有多边形截面。
14.如权利要求13的装置，其中所述多边形截面具有约5微米至约7微米之间的最长直径。
15.如权利要求4的装置，其中每个所述第二凸起部分为具有圆形截面的半球形凸起，该圆形截面的直径在约0.8微米至约1.5微米之间。
16.如权利要求4的装置，其中每个所述第一凸起部分为具有约5微米至约7微米直径的半球形状的凸起。
17.如权利要求1的装置，还包括位于所述第一区中所述第一基板与所述介电层之间的导电信号线；以及沉积在所述介电层上的第一电极。
18.如权利要求17的装置，其中所述第一电极是反射的，且其中所述第一电极沉积在信号线的一部分之上，从而最大化反射表面。
19.如权利要求17的装置，其中所述介电层的具有所述第一图案的部分比所述介电层的具有所述第二图案的部分具有更高的平均厚度，用于减小所述信号线与所述第一电极之间的寄生电容。
20.如权利要求19的装置，其中与所述第一图案相比，更多的光透射过所述第二图案，且其中所述第二图案设计成提高光透射。
21.如权利要求17的装置，其中所述第一区和所述第二区中的所述第一电极分别具有与所述第一图案和所述第二图案基本类似的图案。
22.如权利要求1的装置，其中所述第一区和所述第二区设置在像素内，其中所述像素基本由形成在所述第一基板上的信号线围绕。
23.如权利要求1的装置，其中所述第一和第二图案为不规则图案。
24.如权利要求1的装置，其中信号线和晶体管形成在所述第一区上。
25.如权利要求1的显示装置，还包括接触孔区，其中沉积在所述接触孔区上的介电层具有与所述第一图案和所述第二图案不同的第三图案，所述第三图案容纳了通过所述介电层延伸的接触孔。
26.一种显示装置，包括第一基板；形成在所述第一基板上的导电区，其中所述导电区包括信号线和晶体管；沉积在所述第一基板和所述导电区上的介电材料，其中所述介电材料的表面具有以规则间距隔开的凸起部分的表面图案，其中所述间距取决于所述介电材料的期望厚度；沉积在所述介电材料上的第一电极，所述第一电极具有与所述表面图案基本匹配的电极图案；与所述第一电极连接的第二电极；以及位于所述第一与所述第二电极之间的液晶层。
27.如权利要求26的装置，其中每个所述凸起部分具有多边形截面。
28.一种显示装置，包括具有多个区的基板；以及沉积在所述多个区上的介电层，其中所述多个区的每一个中的所述介电层的表面具有特别的图案。
29.一种制造发光设备的方法，该方法包括获得具有第一区和第二区的第一部件；在所述第一区和所述第二区上沉积介电层；构图覆盖所述第一区的所述介电层从而形成第一被构图区；构图覆盖所述第二区的所述介电层从而形成具有与所述第一被构图区不同的图案的第二被构图区；将第二部件连接至所述第一部件从而在所述第二部件与所述介电层之间形成空间；以及在该空间中设置液晶层。
30.如权利要求29所述的方法，还包括构图所述介电层，从而所述介电层的平均厚度在所述第一被构图区中比在所述第二被构图区中小。
31.如权利要求29所述的方法，其中所述第一区包括导电部分，该导电部分包括信号线和晶体管，所述第二区包括光透射区。
32.如权利要求29所述的方法，其中所述第一被构图区包括第一凸起部分和第一下陷部分，其中所述第一凸起部分具有多边形截面。
33.如权利要求29所述的方法，其中所述第一被构图区具有包括第一凸起部分和第一下陷部分的规则图案，其中所述第一凸起部分以第一预定距离彼此分开。
34.如权利要求33所述的方法，其中所述第二被构图区具有包括第二凸起部分和第二下陷部分的规则图案，其中所述第二凸起部分按照与所述第一预定距离不同的第二预定距离彼此分开。
全文摘要
公开了具有改善的显示质量和前部亮度的LCD装置，及制造这些LCD装置的方法。用于传输驱动信号的信号线(122、128)及TFT(130)形成在透明基板(110)上，介电层(140)沉积在透明基板(110)上。防泄漏电流图案形成在覆盖介电层(140)与信号线(122、128)和TFT(130)的第一区(145)上。增亮度图案形成在介电层(140)与第一区(145)分开的第二区(146)上。平均而言，防泄漏电流图案处的介电层(140)的厚度比增亮度图案处的高。防泄漏电流图案具有不同尺寸的突出(142a)(例如，凸起部分或多边锥)。因此，可以防止泄漏电流，且可以改善LCD装置的亮度。
文档编号G02F1/1343GK1717613SQ200380104418
公开日2006年1月4日 申请日期2003年12月11日 优先权日2002年12月13日
发明者尹荣男 申请人:三星电子株式会社