专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其是以广角为特征的面内开关(In Plane SwitchingIPS)形式的液晶显示装置。
背景技术：
液晶显示装置，在优选玻璃的2块绝缘基板之间夹着由液晶分子构成的液晶层，而且，在上述绝缘基板中的一个或两个上具有用于在该液晶层上施加电场的至少一对电极。IPS形式的液晶显示装置通过在一个基板上形成全部用于在上述液晶层上施加电场的电极，形成对液晶层具有与基板面平行的成分的电场，而点亮或熄灭(即开关)像素。
图14是采用IPS形式的液晶显示装置的一像素附近的示意图，图14A所示是俯视图，图14B所示是沿图14A的A-A′线剖切的剖视图。在构成液晶显示装置的一对基板中的一个基板(第1基板、通常如在以下说明的那样，由于是形成薄膜晶体管的基板，所以，称为薄膜晶体管基板)SUB1的内面具有以下那样的像素结构。而且，将形成有滤色片等的第2基板SUB2(图未示)贴合于该第1基板SUB1上，将液晶层夹在两者的间隙中并密封。
一像素(以下也称为单位像素)的内面具有在第1方向(以下称为X方向)延伸、在与该X方向交叉的第2方向(以下称为Y方向)排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线(也称为公共存储线)CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX；以及与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接、交替配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
如图14B所示，是沿图14A的A-A′沿剖切的剖视图，在第1基板SUB1上具有公共信号线CL，中间隔着栅绝缘层GI形成有数据信号线DL以及薄膜晶体管TFT的源极电极SD。这些电极和配线被无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS的层叠膜覆盖着，在它上面形成有像素电极PX和公共电极CT。虽然在这些像素电极PX和公共电极CT上形成有与图未示的液晶层连接的取向膜，但在此省略了。
像素电极PX和公共电极CT配置成相互以梳齿状邻接的结构。如图14B所示，像素电极PX通过通孔SH与作为薄膜晶体管TFT的输出电极的源极电极SD连接。如图14A所示，源极电极SD与公共信号线CL重叠，形成通孔SH的部分在单位像素区域内凸出成台阶状。而且，图中的参照标号OR代表施加在取向膜上的取向控制能的方向(所谓摩擦方向)。另外，粗的虚线所示的范围表示通常在第2基板上形成的遮光膜(黑色基体)BM的假想线。而且，遮光膜BM的表示方法，在以下所说明的各图中也是同样的。
这样的结构的液晶显示装置，存在的问题是，在单位像素的周边，尤其在薄膜晶体管TFT附近的公共信号线CL和像素电极PX以及公共电极之间形成有不希望的电场，该电场与图像数据无关地开关液晶层的液晶分子，产生所谓的残留图像，使图像质量恶化。
图15是图14A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图，图15A是俯视图，图15B是图15A的沿B-B′线剖切的剖视图，图15C是沿图15A的C-C′线剖切的剖视图。图15中的参照标号ZN表示容易产生残留图像的区域，E表示成为产生残留图像的原因的电场，Ef表示诱发产生残留图像的特别强的电场。即，如图15B和图15C所示，由于在公共信号线CL和像素电极PX之间产生的电场E、以及在源极电极SD和公共电极CT之间产生的电场E，液晶层的液晶分子不按要求进行开关。另外，在接近的源极电极SD的端缘和公共信号线CL之间，产生对于液晶分子交叉方向的成分强大的电场，使其产生很大的残留图像。结果发现，有时由于与单位像素的正常的开关动作无关的液晶分子的开关，透射光(或反射光)出现不均匀，使图像质量恶化了。
发明内容
本发明的目的是，与上述图14的结构的液晶显示装置相比，能进一步减少残留图像，获得高图像品质的图像显示。
为了达到上述目的，本发明设置用于屏蔽公共信号线和像素电极之间的电场，或屏蔽薄膜晶体管的源极电极和公共电极之间电场，或屏蔽源极电极的端缘和公共信号线之间的电场的各电极结构。该电极结构的详细情况通过结合附图对各实施例的说明得以阐明。
作为本发明的一个技术方案，提供一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极；上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接；上述公共电极覆盖上述公共信号线并且延伸到上述单位像素内地形成。
图1是本发明的液晶显示装置的第1实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图2是图1的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图3是本发明的液晶显示装置的第2实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图4是图3的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图5是本发明的液晶显示装置的第3实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图6是图5的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图7是本发明的液晶显示装置的第4实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图8是图7的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图9是本发明的液晶显示装置的第5实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图10是图9的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图11是本发明的液晶显示装置的第6实施例的单位像素附近的结构的示意图。
图12是图11的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
图13是用于说明本发明的液晶显示装置的单位像素部分和周边部分的结构例子的示意剖视图。
图14是采用IPS形式的液晶显示装置的一像素附近的示意图。
图15是图14的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
具体实施例方式
以下，参照实施例的附图，详细地对本发明的实施形式进行说明。
图1是本发明的液晶显示装置的第1实施例的单位像素附近的结构示意图，图1A所示是俯视图，图1B所示是沿图1A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图2是图1 A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图，图2A所示是俯视图，图2B是沿图2A的B-B′线剖切的剖视图，图2C是沿图2A的C-C′线剖切的剖视图。在图1和图2中，由于与上述图14和图15相同的参考标号与相同的功能部分相对应，所以，省略其重复说明。而且，以下各实施例也同样。
在图1和图2中，在第1基板SUB1上形成的单位像素，在内面上具有在X方向延伸、在与该X方向交叉的Y方向排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX；以及与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接、交替配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
公共电极CT中间隔着绝缘层(无机绝缘层PAS和层叠在它上面的有机绝缘层OPAS，以下的各实施例也相同。但是，也可以取代有机绝缘层OPAS采用无机绝缘层。这在以下各实施例也相同。)重叠配置在公共信号线CL的上层，像素电极PX通过贯穿由上述无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS构成的绝缘层的通孔SH与薄膜晶体管TFT的源极电极SD连接。以覆盖公共信号线CL并在单位像素内延伸(伸出)的方式形成公共电极CT，屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场E。
像素电极PX在从公共电极CT到单位像素内的方向上具有端部，源极电极SD具有向与公共电极CT的延伸方向交叉的方向凸出成台阶状的第1凸出部SD1和第2凸出部SD2。该台阶状的第1凸出部SD1(源极电极一侧)位于公共信号线CL和像素电极PX之间的被公共电极CT屏蔽的位置上。另外，台阶状的第2凸出部SD2(从第1凸出部SD1进一步向单位像素一侧凸出的部分)处于与像素电极PX重叠的位置上，用通孔SH连接在该像素电极PX上。
进而，设第2凸出部的与Y方向平行的端缘和在X方向邻接的像素电极PX之间的间隔为a、像素电极PX和第1凸出部的Y方向的端部之间的间隔为b、像素电极PX和在Y方向与其邻接的公共电极CT之间的间隔为c时，分别满足a＞c或b＞c。进而，满足a＞c且b＞c。因此，能屏蔽公共信号线和像素电极之间的电场，或能屏蔽薄膜晶体管的源极电极SD和公共电极CT之间的电场，也能屏蔽源极电极SD的端缘和公共信号线CL之间的电场E。
根据本实施例，能抑制与单位像素的正常的开关动作无关的液晶分子的开关，液晶层的透射光(或反射光)不会出现斑点，能获得高质量的图像显示。
图3是本发明的液晶显示装置的第2实施例的单位像素附近的结构示意图，图3A所示是俯视图，图3B所示是沿图3A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图4是图3A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图，图4A所示是俯视图，图4B是沿图4A的B-B′线剖切的剖视图，图4C是沿图4A的C-C′线剖切的剖视图。
在图3和图4中，在第1基板SUB 1上形成的单位像素，在内面上具有在X方向延伸、在与该X方向交叉的Y方向排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX；以及与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
像素电极PX中间隔着绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)重叠配置在公共信号线CL的上层，通过贯穿上述绝缘层的通孔SH与薄膜晶体管TFT的源极电极SD连接。另外，像素电极PX的一部分从单位像素伸出到公共信号线CL的上方，伸出的前端具有从公共信号线CL的与单位像素相反一侧的边后退的伸出部PXJ。公共电极CT制成除了沿着像素电极PX的伸出部PXJ的部分之外，其余覆盖公共信号线CL、在单位像素内延伸。由该结构，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场E。
另外，像素电极PX的伸出部PXJ在X方向上比像素电极PX宽，源极电极SD在与公共信号线CL的延伸方向交叉的方向上具有凸出成台阶状的凸出部SD3。该台阶状的凸出部SD3位于公共信号线CL和公共电极CT之间的被公共电极CT屏蔽的位置上。台阶状的凸出部SD3在公共信号线CL上，处于与像素电极PX的伸出部PXJ重叠的位置上，由通孔SH连接在该像素电极PX上。
进而，在设源极电极SD的台阶状的凸出部SD3在Y方向上距公共信号线CL的端部的距离为a、像素电极PX的与伸出部PXJ相连的与公共信号线CL平行在Y方向上的端缘在X方向的尺寸为b、像素电极PX的伸出部PXJ的Y方向的端缘与公共电极CT之间在X方向上的间隔为c，满足a≥0。另外，满足b＞c×2.0。进而，满足a≥0且b＞c×2.0。因此，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场E，或能屏蔽薄膜晶体管TFT的源极电极SD和公共电极CT之间的电场E，也能屏蔽源极电极SD的端缘和公共信号线CL之间的电场E。
根据本实施例，能抑制与单位像素的正常的开关动作无关的液晶分子进行开关，液晶层的透射光(或反射光)不会出现斑点，能获得高质量的图像显示。
图5是本发明的液晶显示装置的第3实施例的单位像素附近的结构示意图，图5A所示是俯视图，图5B所示是沿图5A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图6是图5A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
在图5和图6中，在第1基板SUB 1上形成的单位像素，在内面上具有在X方向延伸、在Y方向排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX；以及与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
像素电极PX中间隔着绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)重叠配置在公共信号线CL的上层，通过贯穿绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)的通孔SH与薄膜晶体管TFT的源极电极SD连接。另外，像素电极PX的一部分具有从单位像素内跨到公共信号线CL的上方的扩大部PXE。公共电极CT除了沿着像素电极PX的扩大部PXE的部分之外，其余覆盖公共信号线CL并在单位像素内延伸而形成，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场。
像素电极PX的扩大部PXE是具有沿着单位像素X方向的2条边和沿着Y方向的另外2条边的近似矩形的形状，沿着X方向的2条边中的该单位像素一侧的边相对于公共信号线CL伸出到单位像素内，该2条边中的与单位像素相反一侧的边位于公共信号线CL的与单位像素相反一侧的端缘的内侧，且位于源极电极SD的与单位像素相反一侧的端缘的外侧。
进而，在设在单位像素内从上述扩大部PXE在Y方向延伸的像素电极PX和在该像素电极PX的X方向上邻接的公共电极CT之间的间隔为a、沿着X方向的2条边的与在X方向上邻接的两公共电极CT之间的间隔为b、沿着X方向的2条边的单位像素PX一侧的边与公共信号线CL之间的间隔为c，满足a＞b。另外，满足b×0.5＜c。进而，满足a＞b且b×0.5＜c。这样一来，由于扩大了像素电极PX，所以，扩大了屏蔽公共信号线CL的区域，因此，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场E，或能屏蔽薄膜晶体管TFT的源极电极SD和公共电极CT之间的电场，也能屏蔽源极电极SD的端缘和公共信号线CL之间的电场。
图7是本发明的液晶显示装置的第4实施例的单位像素附近的结构示意图，图7A所示是俯视图，图7B所示是沿图7A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图8是图7A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
本实施例是在第3实施例的源极电极SD的凸出部SD4的两侧，使公共信号线CL的一部分宽度较窄，由此使该公共信号线CL的单位像素一侧的端缘向后退，以增大从该单位像素一侧到像素电极PX的扩大部PXE的、单位像素一侧的、X方向的边的距离。即，在源极电极SD的被像素电极PX的扩大部PXE覆盖的部分的区域内向单位像素一侧凸出，而且，凸出部PXE相对于公共信号线CL向单位像素一侧凸出成台阶状，在凸出部SD4的X方向上，使位于数据信号线DL一侧的公共信号线CL的单位像素一侧的端缘向与该单位像素相反的一侧后退，使间隔a＞间隔b。因此，在第3实施例的效果的基础上，能进一步抑制与单位像素的正常的开关动作无关的液晶分子进行开关，液晶层的透射光(或反射光)不会出现斑点，能获得高质量的图像显示。
图9是本发明的液晶显示装置的第5实施例的单位像素附近的结构示意图，图9A所示是俯视图，图9B所示是沿图9A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图10是图9A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图，图10A所示是俯视图，图10B所示是沿图10A的B-B′线剖切的剖视图。
在图9和图10中，在内面上具有在X方向延伸、在Y方向排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX和与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
像素电极PX中间隔着绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)重叠配置在公共信号线CL的上层，通过贯穿绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)的通孔SH与薄膜晶体管TFT的源极电极SD连接。像素电极PX的一部分具有从单位像素内跨到公共信号线CL的上方的扩大部PXE。
公共电极CT制成除了沿着像素电极PX的扩大部PXE的部分之外，其余覆盖公共信号线CL、在单位像素内延伸(伸出)，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场。像素电极PX的扩大部PXE具有沿着该单位像素的X方向的2条边和沿着Y方向的另外2条边。该沿着X方向的2条边的单位像素一侧的边位于公共信号线CL的单位像素一侧的端缘(边)的内侧，该2条边的与单位像素相反一侧的边位于公共信号线CL的与单位像素相反一侧的端缘的外侧，且位于像素电极PX的扩大部PXE的与单位像素相反一侧的端缘的外侧。
薄膜晶体管TFT的源极电极SD的与单位像素相反一侧的边，在接近薄膜晶体管TFT的方向上，在X方向延伸，形成延长部SDE的1条边，从沿着Y方向的其它2条边的接近薄膜晶体管TFT的边，与单位像素相反一侧的边中的上述延长部SDE的一条边平行地，形成在X方向延伸的延长部SDE的另外1条边。而且，假设延长部SDE的另外1条边与公共信号线CL的与单位像素相反一侧的端缘之间的间隔为a，源极电极SD的另外2条边的与单位像素PX相反一侧的边和在X方向邻接的公共电极CT之间的间隔为b，分别设a≥0、b≥0。
因此，如图10B所示，能用像素电极PX将作为在源极电极SD和公共信号线CL之间形成的强电场的干扰电场Ef的发生处完全屏蔽，能进一步抑制与单位像素的正常的开关动作无关的液晶分子进行开关，液晶层的透射光(或反射光)不会出现斑点，能获得高质量的图像显示。
图11是本发明的液晶显示装置的第6实施例的单位像素附近的结构示意图，图11A所示是俯视图，图11B所示是沿图11A的A-A′线剖切的剖视图。另外，图12是图11A的薄膜晶体管TFT附近的详细结构的主要部位示意图。
在图11和图12中，在内面上具有在X方向延伸、在与X方向交叉的Y方向排列的多个扫描信号线GL；在Y方向延伸、在X方向排列的多个数据信号线DL；接近扫描信号线GL、在X方向延伸、在Y方向排列的公共信号线CL；配置在扫描信号线GL和数据信号线DL的交叉部的多个薄膜晶体管TFT；由薄膜晶体管TFT驱动的像素电极PX和与公共信号线CL连接、相对像素电极PX在X方向邻接配置的公共电极CT。而且，在由扫描信号线GL和数据信号线DL包围的区域形成单位像素。
像素电极PX中间隔着绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)重叠配置在公共信号线CL的上层，通过贯穿绝缘层(无机绝缘层PAS和有机绝缘层OPAS)的通孔SH与薄膜晶体管TFT的源极电极SD连接。
另外，像素电极PX的一部分具有从单位像素内跨到上述公共信号线的上方的大致矩形的扩大部PXE，源极电极SD在被像素电极PX的扩大部PXE覆盖的部分具有凸出到单位像素一侧、而且在上述公共信号线CL的单位像素一侧凸出成台阶状的凸出部SD4。
公共电极CT制成除了沿着像素电极PX的扩大部PXE的部分之外，其余覆盖公共信号线CL、在单位像素内延伸(伸出)，能屏蔽公共信号线CL和像素电极PX之间的电场，而且，在公共电极CT的薄膜晶体管TFT一侧的一部分上，具有与像素电极PX的扩大部PXE相对应的、相对Y方向在X方向以角度θ延伸的边和在Y方向延伸的边，具有像是覆盖公共信号线CL上面一样扩大了的公共电极扩大部CTE。而且，单位像素内的像素电极PX，从该扩大部PXE上立的角度也是θ。
像素电极PX的扩大部PXE具有沿着单位像素的X方向的2条边和沿着Y方向的另外2条边，沿着X方向的2条边的单位像素一侧的边，比公共信号线CL靠近单位像素内侧，该2条边的与单位像素相反一侧的边位于公共信号线CL的与单位像素相反一侧的端缘的内侧。
而且，由于设90°≤θ＜180°，所以，像素电极PX和公共电极CT扩大了，假设公共电极扩大部CTE的沿着X方向的边和源极电极SD的上述台阶状的沿着上述第1方向的端缘之间的间隔为a，公共信号线CL的单位像素一侧的端缘和源极电极SD的凸出成台阶状的凸出部SD4的沿着X方向的端缘之间的间隔为b，像素电极PX和公共电极扩大部CTE的Y方向的端缘之间的间隔为c，通过使a＞b，最好是(a-b)＞c，能可靠地屏蔽来自公共信号线CL的电场，减少残留图像发生区域，提高有效开口率。
而且，在上述各实施例，例如，通过使图1中的像素电极PX和源极漏极电极SD的间隔比邻接的像素电极PX和公共电极CT的间隔小，能减少残留在电极间的DC成分，抑制残留图像，同时能提高有效开口率。而且，如果形成图14所示的黑色基体BM，使其覆盖单位像素内的像素电极PX和公共电极CT的长度方向的端部，则能进一步抑制由于残留图像引起的图像品质的恶化。
另外，与上述各实施例的结构相对应，通过进一步在扫描信号线GL的两侧配置公共信号线CL，能获得屏蔽来自扫描信号线的漏电场的效果。此时，使公共信号线CL的端部从单位像素内的公共电极CT的端部向后退。
图13是用于说明本发明的液晶显示装置的单位像素部分和周边部分的结构例子的模型剖视图。在图中，SUB1是在上述各实施例中说明的第1基板，在与液晶层LC接触的最上层涂敷有第1取向膜，并进行了摩擦处理。而且，在外面配置有第1偏振片POL1。而且，与上述说明相同的参考标号，与相同的功能部分相对应，PSV是保护膜，第1基板的结构简化了。另外，SUB2是作为相对基板的第2基板，具有由黑色基体BM划分的滤色片CF、在其上层具有外敷层OC，再有，涂敷有与液晶层LC接触的第2取向膜ORI2，且进行了摩擦处理。在该第2基板SUB2的外面(观察一侧)设置有第2偏振片POL2。第1基板SUB1和第2基板SUB2的周边部分用密封剂SL密封。在像素电极PX和公共电极CT之间，在与该各基板面平行的方向上形成有进行单位像素开关(单位像素的点亮/熄灭)的电场EP。
如以上说明的那样，根据本发明，能提供一种能抑制在单位像素的周缘、特别是在薄膜晶体管附近的公共信号线和像素电极以及公共电极之间形成不希望有的电场，能减少残留图像的产生，能显示高品质的图像的液晶显示装置。
权利要求
1.一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极，上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接，上述公共电极覆盖上述公共信号线并且延伸到上述单位像素内地形成。
2.根据权利要求1的液晶显示装置，其特征是上述像素电极在从上述公共电极到上述单位像素内的方向具有端部，上述源极电极具有向与上述公共电极的延伸方向交叉的方向凸出的凸出部，所述凸出部位于从上述公共信号线到达上述像素电极的位置上，上述凸出部的一部分位于与上述像素电极重叠的位置上，并通过上述通孔与该像素电极连接，设上述源极电极中的与上述扫描信号线平行的端缘、且为不同于上述凸出部的区域，和上述像素电极之间的间隔为b，并且设在与扫描信号线正交的方向上的上述像素电极和上述公共电极的间隔为c时，满足b＞c。
3.根据权利要求1的液晶显示装置，其特征是上述像素电极在从上述公共电极到上述单位像素内的方向具有端部，上述源极电极具有向与上述公共电极的延伸方向交叉的方向凸出的凸出部，所述凸出部位于从上述公共信号线到上述像素电极的位置上，上述凸出部的一部分位于与上述像素电极重叠的位置上，并通过上述通孔与该像素电极连接，设上述凸出部和上述像素电极的端部的、在与上述扫描信号线平行方向上的距离为a，并且设与扫描信号线正交的方向上的上述像素电极和上述公共电极的间隔为c时，满足a＞c。
4.根据权利要求1至3中任意一项的液晶显示装置，其特征是覆盖上述公共信号线并延伸到上述单位像素内形成的公共电极，屏蔽上述公共信号线和上述像素电极之间的电场。
5.一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极，上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接，上述像素电极的一部分具有从上述单位像素伸出到上述公共信号线的上方的伸出部。
6.根据权利要求5的液晶显示装置，其特征是上述源极电极具有凸出部，上述凸出部与上述像素电极的伸出部重叠且在与上述像素电极的伸出部相对的方向上形成。
7.根据权利要求6的液晶显示装置，其特征是设上述源极电极的凸出部距上述公共信号线的端部的距离为a时，满足a≥0。
8.根据权利要求6的液晶显示装置，其特征是设上述像素电极在与扫描信号线平行的方向上的上述凸出部和端部的距离为b，设上述像素电极在上述伸出部的、与扫描信号线平行的方向上的上像素电极与公共电极的间隔为c时，满足b＞c×2.0。
9.根据权利要求5至8的任意一项的液晶显示装置，其特征是上述公共电极形成得除了沿着上述像素电极的上述伸出部的部分之外，其余部分覆盖上述公共信号线，并且延伸到上述单位像素内，其屏蔽上述公共信号线和上述像素电极之间的电场。
10.一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极，上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接，上述像素电极的一部分具有从上述单位像素内跨到上述公共信号线的上方的扩大部，上述公共电极形成得除了沿着上述像素电极的上述扩大部的部分之外，其余部分覆盖上述公共信号线，并且延伸到上述单位像素内。
11.根据权利要求10的液晶显示装置，其特征是设上述像素电极的扩大部和上述公共电极在与扫描信号线平行方向的间隔为b，并且设在上述像素电极的扩大部以外的部分上述像素电极和上述公共电极在与扫描信号线平行方向的间隔为a时，满足a＞b。
12.根据权利要求10的液晶显示装置，其特征是设上述像素电极的扩大部和上述公共电极在与扫描信号线平行方向的间隔为b，并且设上述像素电极的扩大部距上述公共电极较远的一侧的端部和上述公共信号线距离为c时，满足b＜2c。
13.根据权利要求10至12中的任意一项的液晶显示装置，其特征是上述像素电极的扩大部屏蔽来自上述公共信号线的电场。
14.一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极，上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接，上述像素电极的一部分具有从上述单位像素内跨到上述公共信号线的上方的扩大部，上述公共电极和上述像素电极的凸出部在扫描信号线的延伸方向上具有分别向相同方向形成的越出部。
15.根据权利要求14的液晶显示装置，其特征是上述公共电极和上述公共电极的越出部所成的角度θ满足90°≤θ＜180°。
16.根据权利要求14的液晶显示装置，其特征是上述像素电极和上述像素电极的越出部所成的角度θ满足90°≤θ＜180°。
17.根据权利要求14的液晶显示装置，其特征是上述像素电极和上述像素电极的越出部所成的角度与上述公共电极和上述公共电极的越出部所成的角度大致相等。
18.根据权利要求14的液晶显示装置，其特征是设在上述公共电极的越出部，公共电极和源极电极的距离为a，上述源极电极在上述公共信号线上形成的端部和上述公共信号线的端部的距离为b，上述公共电极的越出部和上述像素电极的扩大部之间的间隔为c时，满足(a-b)＞c。
19.一种液晶显示装置，在作为由隔着液晶而相对配置的第1基板和第2基板构成的一对基板中的一个基板的第1基板上，具有扫描信号线、数据信号线、薄膜晶体管、与上述薄膜晶体管连接的源极电极、像素电极、与上述像素电极同层形成的公共电极、以及在与上述公共电极不同的层上形成的公共信号线，并具有在作为上述相对配置的一对基板中的另一基板的第2基板上形成的遮光层，该液晶显示装置的特征是上述公共电极和上述公共信号线具有重叠部，上述源极电极和上述公共信号线具有重叠部，上述源极电极或上述像素电极中的任意一个具有平面凸部，其通过该凸部与上述源极电极或上述像素电极中的另一个相连接，上述凸部具有如下区域，该区域的上述凸部和上述公共电极间的在与上述扫描信号线平行方向的距离，大于在从上述遮光层露出的区域上的上述像素电极和上述公共电极间的在与上述扫描信号线平行方向的距离。
20.一种液晶显示装置，在作为由隔着液晶而相对配置的第1基板和第2基板构成的一对基板中的一个基板的第1基板上，具有扫描信号线、数据信号线、薄膜晶体管、与上述薄膜晶体管连接的源极电极、像素电极、与上述像素电极同层形成的公共电极、以及在与上述公共电极不同的层上形成的公共信号线，并具有在作为上述相对配置的一对基板中的另一基板的第2基板上形成的遮光层，该液晶显示装置的特征是上述公共电极和上述公共信号线具有重叠部，上述源极电极和上述公共信号线具有重叠部，上述像素电极在像素内有多个，并且具有连接该多个像素电极的连接部，上述连接部具有如下区域，该区域的上述连接部和上述公共电极间的在与上述扫描信号线平行方向的距离，小于在从上述遮光层露出的区域上的上述像素电极和上述公共电极间的在与上述扫描信号线平行方向的距离。
全文摘要
一种液晶显示装置，包括第1和第2基板，所述第1和第2基板之间的液晶层，在所述第1基板上形成的多个扫描信号线和多个数据信号线，以及接近上述扫描信号线配置的公共信号线，其特征是在由上述扫描信号线和数据信号线包围的区域所形成的各单位像素中，具有经由薄膜晶体管以电方式供给数据信号线的信号的像素电极和与上述公共信号线电连接的公共电极；上述公共电极隔着绝缘层重叠配置在上述公共信号线的上层，上述像素电极经由贯穿上述绝缘层的通孔与上述薄膜晶体管的源极电极电连接；上述公共电极覆盖上述公共信号线并且延伸到上述单位像素内地形成。
文档编号G02F1/13GK1517770SQ200410000570
公开日2004年8月4日 申请日期2004年1月14日 优先权日2003年1月15日
发明者仓桥永年, 宫嵜香织, 石井正宏, 铃木雅彦, 梅田启之, 之, 宏, 彦, 织 申请人:株式会社日立显示器