专利名称：使用h的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体元件的制作方法，特别是有关于一种从晶圆上释放电荷的方法。
背景技术：
集成电路是已为熟此技艺者所习知，通常集成电路包括有建构于单一晶圆上的完整电子电路。集成电路是使用许多不同的制程所建构而成。这些制程包括氧化、微影、蚀刻、离子掺杂以及金属化。在制程之中，累积在晶圆表面的电荷会降低闸极和/或介电层的氧化品质，并且/或改变元件的参数。
例如，通过光学微影所定义的光阻图案层，是用来作为蚀刻晶圆下层的光罩。蚀刻之后的光阻层，例如是光阻或电子束光阻(E-Beam Resist)，通常会在氧等离子体制程中被移除。在此氧等离子体制程中，晶圆是置放于光阻剥除制程室中，然后将主要成份为氧气的蚀刻气体配方(Recipe)通入制程室。此氧气蚀刻气体更可包含其它物质，例如是水蒸气和/或少量的氮气。实质由氧气组成的氧气体离子等离子体形成在晶圆的上方并用来移除光阻层。
请参阅图1所示，由于氧基(O2Radicals)的负电特性，因此氧基离子会有捕捉等离子体中的电子的高度倾向，这会导致相对低的电子密度而造成氧等离子体不均匀的空间分布。此氧等离子体不均匀的空间分布会导致电荷逐渐在晶圆上累积，而累积在晶圆上的电荷则会造成某些缺陷，包括有接垫孔蚀(Pad Pitting)、伽凡尼金属腐蚀(Galvanic Metal Corrosion)、钨腐蚀(Tungsten Dredging)以及低品质的闸极氧化物等，然不限于此。
在集成电路制程中，一般用来释放累积在晶圆表面的电荷的现有习知方法，是在晶圆表面进行一种原位(in-situ)水烘烤制程(Water BakingProcess)。然而，通常无法完全将所有从晶圆上的电荷完全释放。
因此，非常需要一种在集成电路制程中，能实质地将累积在晶圆上的电荷消除或释放的方法。
由此可见，上述现有的释放累积在晶圆表面的电荷的方法在使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的释放电荷的方法，便成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的释放累积在晶圆表面的电荷的方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的使用H2O等离子体和H2O蒸气释放电荷的方法，能够改进一般现有的释放累积在晶圆表面的电荷的方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的释放累积在晶圆表面的电荷的方法存在的缺陷，而提供一种新型的使用H2O等离子体和H2O蒸气释放电荷的方法及其应用，所要解决的技术问题是使其一种在集成电路制程中，能实质地将累积在基材或晶圆上的电荷移除的方法。在本发明的一个实施例之中，此一方法包括将基材或晶圆放置在制程室中，并且在制程室中产生水等离子体(Water Plasma)，从而更加适于实用。
在本发明的另一个实施例之中，此一方法包括将基材或晶圆放置在制程室中，并且将水蒸气导入制程室中。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种移除累积于一基材或一晶圆表面的电荷的方法，包括置放该基材或该晶圆于一反应室中；在该反应室中产生一水等离子体。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的电荷移除方法，其中在该反应室中产生一水等离子体的步骤包括通入包含有一水反应物(Reactive Species)的一气体至该反应室中；以及在该反应室中释放自由电子，借以在该反应室中形成该水等离子体。
前述的电荷移除方法，其中所述的水反应物包括至少实质为70％的一分压。
前述的电荷移除方法，更包括调整该气体的压力至实质介于0.1托尔与10托尔之间。
前述的电荷移除方法，其中所述的气体更包括一非反应物。
前述的电荷移除方法，其中所述的非反应物是选自于由氩、氦以及上述组合所组成的一族群。
前述的电荷移除方法，其中所述的气体更包括一氟基反应物。
前述的电荷移除方法，其中所述的气体更包括一氟基反应物。
前述的电荷移除方法，其中所述的基板或该晶圆是由一半导体材料所组成。
前述的电荷移除方法，其中累积于该基材或该晶圆表面的电荷，是经由先前所进行的一集成电路建构制程所造成。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种移除累积于一基材或一晶圆表面的电荷的方法，包括置放该基材或该晶圆于一反应室中；将一水蒸气导入该反应室中。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的电荷移除方法，其更包括调整该水蒸气的压力至实质介于2托尔与100托尔之间。
前述的电荷移除方法，其中所述的基板或该晶圆是由一半导体材料所组成。
前述的电荷移除方法，其中累积于该基材或该晶圆表面的电荷，是经由先前所进行的一集成电路建构制程所造成。
经由上述可知，本发明的一种使用纯H2O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H2O等离子体或纯H2O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。
借由上述技术方案，本发明使用H2O等离子体和H2O蒸气释放电荷的方法及其应用至少具有下列优点本发明是揭示一种在集成电路制程中，能实质地将累积在基材或晶圆上的电荷消除或释放。
综上所述，本发明新颖的使用H2O等离子体和H2O蒸气释放电荷的方法具有上述诸多优点及实用价值，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的释放累积在晶圆表面的电荷的方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是绘示现有习知因氧气等离子体为主的光阻移除方法造成晶圆表面电荷累积的示意图。
图2是绘示用来进行纯H2O等离子体方法的典型等离子体反应室的示意图，其中纯H2O等离子体方法系。
图3是根据本发明纯H2O等离子体方法的一实施例，绘示从基材或晶圆上移除光阻层使其表面实质不会累积电荷的方法的步骤流程图。
图4是绘示通过纯H2O等离子体为主的光阻移除方法使晶圆表面电荷释放的示意图。
图5A-5B是绘示使用现有习知氧气等离子体方法进行光阻剥除制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图5C是绘示在使用纯H2O等离子体方法进行光阻剥除制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图6A-6B是绘示使用现有习知氧气等离子体方法进行光阻剥除制程以后，形成在晶圆上的金属接垫的光学显微镜照片。
图7A-7B是绘示使用本发明纯H2O等离子体方法进行光阻剥除制程以后，形成在晶圆上的金属接垫的光学显微镜照片。
图8A是绘示采用另一水烘烤制程来解决钨腐蚀问题的现有习知制程流程图。
图8B是绘示本发明采用纯H2O等离子体的光阻剥除方法来解决钨腐蚀问题的典型制程流程图。
图9A是绘示在去电荷之前典型的晶圆表面电荷分布图。
图9B是绘示在晶圆上进行另一现有习知原位水烘烤制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图9C是绘示在晶圆上进行纯H2O等离子体去电荷制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图10是绘示当采用纯H2O等离子体方法从基材或晶圆的表面移除或释放电荷时，位于图2的等离子体反应室中的制程示意图。
图11是绘示实施纯H2O等离子体方法，从基材或晶圆表面移除或释放电荷的实施例的流程图。
图12A是绘示在晶圆上进行洗涤清洁制程之后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图12B是绘示图12A的晶圆在进行纯H2O等离子体去电荷制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图13A是绘示在晶圆上进行薄膜沉积制程以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图13B是绘示图13A在进行纯H2O等离子体电荷移除方法以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
图14是绘示当采用纯H2O蒸汽方法从基材或晶圆的表面移除或释放电荷时，位于图2的反应室中的制程示意图。
图15是绘示进行纯H2O蒸汽方法，从基材或晶圆表面移除或释放电荷的实施例的流程图。
图16A是绘示在进行显影制程之后，晶圆表面的电荷分布图。
图16B是绘示图16A的晶圆在进行纯H2O蒸汽电荷移除方法以后，位于晶圆表面的电荷分布图。
100在反应室内放置一晶圆110通入制程气体至反应室内120在反应室内产生射频130在反应室内释放出自由电子200反应室210外壳220晶圆平台230气体入口喷嘴240气体入口260废气出口270真空泵280基材或晶圆282光阻层284制程气体290H2O等离子体380基材或晶圆480基材或晶圆580基材或晶圆584H2O蒸气具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的使用H2O等离子体和H2O蒸气释放电荷的方法及其应用其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明所揭示的原位实施方法是用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷，以及/或从此一基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。此一方法可消除或实质降低会导致电化学问题恶化的电荷。其中电化学问题包含接垫孔蚀、伽凡尼金属腐蚀、钨腐蚀、低品质的闸极氧化物以及其他电化学问题。
本发明的方法是在等离子体反应室中进行，例如可在传统的光阻剥除制程室、等离子体蚀刻反应器或其他合适的反应室中进行。图2是绘示用来实施此一方法的典型反应室200。其中基材反应室200，包含定义反应室200的外壳210。晶圆平台220是位于反应室200中，欲处理的基材或晶圆是放置于此晶圆平台220上，淋浴头(shower head)形状的气体入口喷嘴230是位于晶圆平台220的上方，反应气体经由连通到气体入口喷嘴230的气体入口240进入反应室200，而连接到真空泵270的废气出口260是用来将反应室200抽真空，电场产生器(未绘示于图)是用来在反应室200内产生一足够大的电场，以使流进此反应室200中的制程气体可以解离而离子化。等离子体使用例如从反应室200内的负偏压电极引起的场发射，在反应室200中释放或放射的自由电子来初始化。
在本发明的一个实施例中，纯H2O等离子体的方法是用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷(例如正电荷)电。请参照图2和图3的流程图，关于本发明的纯H2O等离子体方法，首先在步骤100中，于反应室200中将基材或晶圆280置放于晶圆平台220上，此基材或晶圆280可由半导体材料所组成，例如硅。基材或晶圆280包含有形成在其上的一层或多层光阻层282。此光阻层282至少包含例如光阻或电子束光阻。光阻层282至少部份位于基材或晶圆280的金属层上；或至少部份位于基材或晶圆280的介电层上(介电层至少部份位于基材或晶圆280的金属层上)，金属层至少包含，例如铝基或钨基的金属氮化物。介电层至少包含氮氧化硅或其它介电材料。基本上，在这个步骤中的基材或晶圆280是已经进行过蚀刻制程，而在蚀刻制程中是使用光阻层作为光罩来图案化下层的金属层或介电层。
在步骤110中，在压力之下经由气体入口240以及气体入口喷嘴230，将包含一或多个化学物质的制程气体284输送入至反应室200中。此一或多个化学物质被反应室内产生的电场所离子化。在本发明的一些实施例之中，此一或多个化学物质至少包含水、氩气、氦气、氟基物质以及上述的组合，其中H2O与氟基物质是包含有反应物，氩气、氦气是非反应物。未使用氧气和/或氮气的物质以防止电荷累积(因此以下以「纯」(Pure)一字表示在纯H2O等离子体之中不含有氧气和/或氮气)。在初始化等离子体之前，反应室200内由制程气体所施加的压力(分压)，被调整至实质为制程气体284所施加的总压力的70％至100％之间。
在步骤120中，利用电场产生装置在反应室200中产生电场。在本发明的一些实施例之中，用来激发等离子体的电场是位于微波与射频的频率范围之内，而且此一电场的功率大小实质介于100瓦特至10000瓦特之间。
在步骤130中，在反应室200中释放自由电子，使自由电子穿越过制程气体，借以在反应室200中形成纯H2O等离子体290。当此纯H2O等离子体290被安定化后，在反应室200中所施加的制程气体284的压力被调整到实质介于0.1托尔与10托尔之间。如图4所绘示，使用纯H2O等离子体290从基材或晶圆280上移除或剥除光阻层282时，并没有在基材或晶圆280上实质累积电荷。
请参阅图5A-5C为绘示使用现有习知的氧等离子体方法与本发明的H2O等离子体方法在裸硅晶圆(没有光阻披覆)上进行光阻剥除制程之后的晶圆表面电荷分布图。此表面电荷分布图可比较现有习知方法与本发明方法之间的去电荷能力。图5A是绘示第一晶圆在经过光阻剥除方法处理80秒后的表面电荷分布图。其中反应室温度245℃、反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为1400瓦特，使用第一现有习知的氧气等离子体配方，此第一现有习知的氧气等离子体配方至少包含每分钟5000立方公分(sccm)的氧气流量、每分钟200立方公分的氮气流量以及每分钟500立方公分的H2O流量。第一晶圆具有8.18伏特且标准差为0.17伏特的平均表面电荷。图5B是绘示第二晶圆在经过光阻剥除制程处理120分钟后的表面电荷分布图。其中等离子体反应室温度80℃、等离子体反应室压力实质为0.8托尔(800m-Torr)，以及射频功率实质为500瓦特，使用第二现有习知的氧气等离子体配方，此第二现有习知的氧气等离子体配方至少包含每分钟500立方公分的氧气流量。第二晶圆具有14.1伏特且标准差为7.77伏特的平均表面电荷。图5C是绘示第三晶圆在经过纯H2O等离子体光阻剥除制程处理130秒后的表面电荷分布图。其中反应室温度245℃、反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为1400瓦特，使用本发明的纯H2O等离子体配方，此纯H2O等离子体配方至少包含每分钟500立方公分的H2O流量。第三晶圆具有0.328伏特且标准差为0.058伏特的平均表面电荷。
请参阅图6A与图6B是绘示使用现有习知氧气等离子体方法进行光阻剥除制程以后，形成在晶圆上的金属接垫的光学显微镜照片。如照片所示，金属接垫在使用氧气等离子体光阻剥除方法后，会有严重的接垫孔蚀产生。
请参阅图7A-7B是绘示使用本发明纯H2O等离子体方法进行光阻剥除制程以后，形成在晶圆上的金属接垫的光学显微镜照片。如照片所示，使用可在光阻剥除制程时中和或释放电荷的H2O等离子体方法进行光阻剥除处理后，金属接垫事实上不会有接垫孔蚀产生。
在光阻剥除处理后，某些产品的晶圆有约为20分钟的等候时间。可发现使用现有习知氧等离子体法方进行光阻剥除处理后的产品晶圆上的上金属有严重的伽凡尼金属腐蚀。一般认为腐蚀的严重程度是由于这些产品上累积正电荷而加速伽凡尼金属腐蚀。本发明的纯H2O等离子体方法因为延长腐蚀窗的时间至约4小时，故可实质解决伽凡尼金属腐蚀的问题。这样可依次允许等候窗的时间延长。需注意的是加入氧气或氮气至纯H2O等离子体配方中会实质减少腐蚀窗的时间至约20分钟，一般认为是由于加入氧气或氮气至纯H2O等离子体配方中会感应正电荷而导致伽凡尼金属腐蚀的恶化。
随着次微米技术的发展，减小金属线与金属(例如钨)填充介层窗之间的叠置误差会引起一些技术上的困难，介层窗的钨插塞的电荷感应腐蚀(Dredge)是其中一个问题，用本发明的H2O等离子体方法取代氧等离子体方法来进行光阻剥除制程可实质解决钨腐蚀的问题。图8A为绘示现有习知制程的流程图，现今皆会附加一H2O烘烤制程(没有射频)去解决钨腐蚀的问题。然而，一些电荷在经过附加的H2O烘烤制程后仍残留在晶圆表面上，若使用H2O等离子体方法，如图8B所绘示的制程流程图，即可不需要另一H2O烘烤制程，且可实质地移除晶圆表面上的残留电荷。
本发明的另一实施例之中，本发明H2O等离子体方法是用来从此一基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程(例如等离子体光阻剥除、洗涤清洁以及/或薄膜沉积)所累积的电荷。
请同时参照图10和图11所示，图10是绘示当采用纯H2O等离子体电荷移除方法时，位于第2图的等离子体反应室中的制程示意图。图11是绘示实施纯H2O等离子体方法的实施例的流程图。首先在步骤300中，于反应室200中将基材或晶圆480置放于晶圆平台220上。基本上，在这个步骤中的基材或晶圆480已经完成集成电路的建构制程，其中电荷已经累积在基材或晶圆480的表面上。
在步骤310中，在压力之下经由气体入口240以及气体入口喷嘴230，将包含一或多个化学物质的制程气体284输送入至反应室200中。此一或多个化学物质被反应室内产生的电场所离子化。如先前的实施例所述，此一或多个化学物质至少包含水、氩气、氦气、氟基物质以及上述的组合。未使用氧气和/或氮气的物质以防止电荷累积。在初始化等离子体之前，反应室200内由制程气体所施加的压力(分压)，被调整至实质为制程气体284所施加的总压力的70％至100％之间。
在步骤320中，利用电场产生装置在反应室200中产生电场。在本发明的一些实施例之中，用来激发等离子体的电场是位于微波与射频的频率范围之内，而且此一电场的功率大小实质介于100瓦特至10000瓦特之间。
在步骤330中，释放在反应室200中的自由电子穿越过制程气体以于反应室200中形成纯H2O等离子体290。当此纯H2O等离子体290被安定化后，在反应室200中所施加的制程气体284的压力被调整到实质介于0.1托尔与10托尔之间。
纯H2O等离子体方法比另一现有习知的H2O烘烤制程具有更大的去电荷的能力，其可从图9A-9C所绘示的表面电荷分布图中发现。图9A为绘示在去电荷前的典型晶圆表面电荷分布图，此晶圆在去电荷之前，具有10.6伏特且标准差为0.176伏特的平均表面电荷。图9B是绘示在晶圆上进行另一现有习知原位水烘烤制程50秒以后，位于晶圆表面的电荷分布图。其中反应室温度245℃、反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为0瓦特。此晶圆在经过现有习知方法去电荷后具有2.26伏特且标准差为0.154伏特的平均表面电荷。图9C是绘示在晶圆上进行纯H2O等离子体去电荷制程130秒以后，位于晶圆表面的电荷分布图。其中等离子体反应室温度245℃、等离子体反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为0瓦特。使用本发明的纯H2O等离子体配方，此纯H2O等离子体配方至少包含每分钟500立方公分的H2O流量。此晶圆在使用H2O等离子体去电荷后具有1.57伏特且标准差为0.214伏特的平均表面电荷。
请参阅图12A是绘示在晶圆上进行洗涤清洁制程后，位于裸晶圆表面的电荷分布图。此一洗涤清洁制程是采用例如，喷气式洗涤器(JetScrubber)，使用高压去离子水喷雾来清洁晶圆。图12A所绘示的晶圆在进行洗涤清洁制程后，具有12.000伏特且标准差16.700伏特的平均表面电荷。图12B是绘示图12A在进行纯H2O等离子体方法130秒以后，位于晶圆表面的电荷分布图。其中反应室温度245℃、反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为1400瓦特。使用本发明的纯H2O等离子体配方，此H2O等离子体配方至少包含每分钟500立方公分的H2O流量。如图所绘示，晶圆在H2O等离子体方法处理之后，平均表面电荷为1.740伏特且标准差为0.419伏特，显现已有实质降低。
请参阅图13A是绘示在晶圆上进行薄膜沉积制程后，位于裸晶圆表面的电荷分布图。图13A所绘示的晶圆在进行薄膜沉积制程后，具有6.490伏特且标准差4.770伏特的平均表面电荷。图13B是绘示图13A在进行纯H2O等离子体方法130秒以后，位于晶圆表面的电荷分布图。其中反应室温度245℃、反应室压力实质为2托尔，以及射频功率实质为1400瓦特。使用本发明的纯H2O等离子体配方，此纯H2O等离子体配方至少包含每分钟500立方公分的H2O流量。经过纯H2O等离子体方法处理后的晶圆具有0.643伏特且标准差为0.478伏特实质上已降低的平均表面电荷。
在本发明的又一实施例之中，可使用纯H2O蒸气方法来从此一基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程(例如等离子体光阻剥除、洗涤清洁以及/或薄膜沉积)所累积的电荷。在本发明的一些实施例之中，纯H2O蒸气至少包含以H2O为基质的反应物。在纯H2O蒸气并未使用氧气和/或氮气的物质以防止电荷累积(因此以下以「纯」字表示在纯H2O蒸气之中不含有氧气和/或氮气)。
请同时参照图14和图15所示，图14是绘示当采用纯H2O蒸气电荷移除方法时，位于图2的反应室中的制程示意图。第图15是绘示实施纯H2O蒸气方法的实施例的流程图。首先在步骤400中，于反应室200中将基材或晶圆580置放于晶圆平台220上。基本上，在这个步骤中的基材或晶圆580，已经完成集成电路的建构制程，其中电荷已经累积在基材或晶圆580的表面上。
在步骤410中，在压力之下经由气体入口240以及气体入口喷嘴230，将纯H2O蒸气584输送入至反应室200中。在具有压力地环境下，将纯H2O蒸气584引导至晶元的表面。在本发明的一些实施例之中，进入反应室200纯H2O蒸气584，温度实质为75℃至80℃之间。纯H2O蒸气584在步骤420中，当纯H2O蒸气584充满反应室200时，纯H2O蒸气584在反应室200中所施加的压力可被调整到预定值。在本发明的一些实施例之中，在反应室200中纯H2O蒸气584所施加的压力，可被实质调整为100托尔。
请参阅图16A是绘示在晶圆上进行显影制程后，位于裸晶圆表面的电荷分布图。在进行显影制程之后，晶圆具有19.400伏特且标准差9.630伏特的平均表面电荷。图16B是绘示图16A的晶圆在进行纯H2O蒸气方法130秒以后，位于晶圆表面的电荷分布图。其中反应室温度实质为245℃、反应室压力实质为2托尔。使用本发明的纯H2O蒸气配方，此H2O蒸气配方至少包含每分钟500立方公分的H2O流量。如图所绘示，晶圆在H2O蒸气方法处理之后具有1.740伏特且标准差为0.419伏特，实质已降低的平均表面电荷。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种移除累积于一基材或一晶圆表面的电荷的方法，其特征在于其包括置放该基材或该晶圆于一反应室中；在该反应室中产生一水等离子体。
2.根据权利要求1所述的电荷移除方法，其特征在于其中在该反应室中产生一水等离子体的步骤包括通入包含有一水反应物的一气体至该反应室中；以及在该反应室中释放自由电子，借以在该反应室中形成该水等离子体。
3.根据权利要求2所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的水反应物包括至少实质为70％的一分压。
4.根据权利要求2所述的电荷移除方法，其特征在于其更包括调整该气体的压力至实质介于0.1托尔与10托尔之间。
5.根据权利要求2所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的气体更包括一非反应物。
6.根据权利要求5所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的非反应物是选自于由氩、氦以及上述组合所组成的一族群。
7.根据权利要求6所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的气体更包括一氟基反应物。
8.根据权利要求2所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的气体更包括一氟基反应物。
9.根据权利要求1所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的基板或该晶圆是由一半导体材料所组成。
10.根据权利要求1所述的电荷移除方法，其特征在于其中累积于该基材或该晶圆表面的电荷，是经由先前所进行的一集成电路建构制程所造成。
11.一种移除累积于一基材或一晶圆表面的电荷的方法，其特征在于其包括置放该基材或该晶圆于一反应室中；将一水蒸气导入该反应室中。
12.根据权利要求11所述的电荷移除方法，其特征在于其更包括调整该水蒸气的压力至实质介于2托尔与100托尔之间。
13.根据权利要求11所述的电荷移除方法，其特征在于其中所述的基板或该晶圆是由一半导体材料所组成。
14.根据权利要求11所述的电荷移除方法，其特征在于其中累积于该基材或该晶圆表面的电荷，是经由先前所进行的一集成电路建构制程所造成。
全文摘要
一种使用纯H
文档编号G03F7/42GK1941279SQ20061007844
公开日2007年4月4日 申请日期2006年5月26日 优先权日2005年5月27日
发明者李元榜, 吴子扬, 潘昇良, 林耀辉, 赖育志, 陈德芳, 林佩璇, 吴善华, 刘鸿兴 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司