专利名称：形成图形的方法和制造磁记录介质的方法
技术领域：
本发明的一个实施例涉及一种形成图形的方法和制造磁记录介质的方法。
背景技术：
近年来由于信息设备如个人计算机功能的显著进展，用户处理的信息量显著增加。在这种条件下，需要一种具有信息密度比以前显著高的信息记录和再生器件和高度集成的半导体器件。至于作为磁器件的硬盘驱动器(HDD)，提出了一种离散磁道记录介质(DTR介质)，其中记录磁道用非磁性材料或沟槽物理地分离，以提高记录密度。由于可以在DTR介质中减少诸如记录时的侧边擦除现象和复制时的侧边读取等现象，所以能够增加磁道密度，并且可以提供能实现高密度记录的磁记录介质。而且，当伺服信息与DTR介质中的图形一起形成时，不需要用磁头写入伺服信号，而这种写入需要一长段时间。另一方面，当伺服信息没有形成为所设计的图形时，伺服寻道变得很困难。因此，为了提高记录密度，精细且更精确的制造技术成为必要。
微制造技术的一个实例是利用曝光工艺的常规光刻，其能够一次实现大面积的微制造。然而，难以制造400nm或更小的精细结构，因为它不具有光波长或更小的分辨率。尽管400nm级或更小的微制造技术的实例包括电子束光刻和聚焦离子束光刻，但低的生产量是个问题，而且，还存在光刻器件随着小型化而变昂贵的问题。
相反，作为具有约10nm分辨率的制造技术，由Chou等人提出的纳米压印光刻廉价且引人注目(美国专利No.5,772,905)。Chou等人使用一种通过电子束光刻和活性离子蚀刻(RIE)形成图形的压模。首先，在硅衬底上形成热塑性树脂的甲基丙烯酸酯(PMMA)膜作为抗蚀剂。利用上述的压模进行热循环纳米压印，并将图形转印到抗蚀剂上。用氧RIE移除留在抗蚀剂图形凹口底部处的残留物来暴露出硅表面。然后，例如，利用抗蚀剂图形作掩模通过蚀刻进行衬底的微制造，并且在形成Al等的膜之后，通过剥离金属膜形成布线。
压印法的实例一般包括UV型压印法(其中使用紫外线(UV)固化树脂)、热模压印型压印法和室温的高压型压印法。尽管UV型能够实现将要形成的高精确的图形，但存在抗蚀剂厚度均匀性的问题，因为在UV固化之前抗蚀剂的流动性高，且压模和衬底平坦性的波动直接影响抗蚀剂的厚度。而且，压模具有成本高的问题，因为它必须具有UV透射率。在热模压印型中，由于加热容易出现由收缩引起的变形，并且由于加热和冷却步骤而使生产量不好。而且，像UV型一样，厚度的均匀性也是个问题，因为抗蚀剂的流动性在加热时高。
因此，考虑到批量生产和抗蚀剂厚度的均匀性，优选在室温下的高压型压印，其中在不加热的情况下在高压进行图形形成，以便通过施加高压来抵消衬底和压模之间厚度的不均匀性。然而，在利用高压型压印的情况下，出现了由图形的突起所移动的和填充图形的凹口的抗蚀剂的量随着压模的每个图形区域中的凹口与突起的面积比而变化的问题(J.Vac.Sci.Technol.B21，98(2003))。DTR介质具有包括记录磁道的数据区域和包括地址部分、引导部分(preamble portion)以及脉冲部分(burst portion)的伺服区域，其中在每个区域中磁性材料的面积比是不同的。因此，在制造DTR介质的压模的每个区域中，图形的凹口与突起的面积比是不同的。结果，在压模最大限度地压入抗蚀剂中的条件下，留在抗蚀剂的凹口中的抗蚀剂残留物的厚度的差别依赖于压模的凹口与突起的面积比。
当出现抗蚀剂残留物的厚度的离散时，当通过RIE移除抗蚀剂残留物时，产生了问题。即，具有薄厚度的抗蚀剂残留物比具有厚厚度的抗蚀剂残留物更早地被移除，并且在这些位置过多地产生了侧边蚀刻。结果，产生了压模中的图形和转移到抗蚀剂上的图形之间尺寸的变化。图形尺寸的变化在每个区中是不同的。
因此，尽管尝试通过改变抗蚀剂的粘性、压印时间和压印温度来进行调节抗蚀剂残留物，但是这些方法不是有效的对策。
发明内容
根据本发明的一个实施例，提出了一种形成图形的方法，包括在衬层材料上形成抗蚀剂；将具有突起和凹口的图形的压模按压到抗蚀剂上以形成具有突起和凹口的图形化的抗蚀剂，压模的突起的侧壁是倾斜渐变的，该图形化的抗蚀剂突起的侧壁是倾斜渐变的；在图形化的抗蚀剂上形成保护膜；进行各向异性蚀刻以在图形化的抗蚀剂的突起的倾斜侧壁上留下保护膜；利用保护膜作为掩模，蚀刻保留在图形化的抗蚀剂凹口内的抗蚀剂残留物；以及利用保护膜和图形化的抗蚀剂作为掩模，蚀刻衬层材料。
现在将参考各图描述实施本发明各个特征的通用结构。提供附图和相关的说明来阐明本发明的实施例并且不限制本发明的范围。
图1是示出DTR介质的数据区域和伺服区域的图形的一个实例的平面图；图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G和2H是示出根据本发明的制造DTR介质的方法的一个实例的截面图；图3A和3B是图2F中所示的蚀刻掩模的放大截面图；以及图4是示出用本发明的方法制造的DTR介质的保护膜的厚度和所形成的图形尺寸的变化之间的关系。
具体实施例方式
下文将参考附图来描述根据本发明的各个实施例。
图1是示出沿着DTR介质圆周方向的伺服区域和数据区域的图形的一个实例的平面图。当DTR介质放入驱动器时，磁头相对于介质从左向右移动。
在图1中，数据区域10包括由磁性材料制成的记录磁道和由非磁性材料制成的防护带(guard band)。记录磁道和防护带在介质的圆周方向上延伸。每个记录磁道都被防护带分隔开并且设置为具有恒定周期(磁道间距Tp)。记录磁道的宽度与防护带的宽度的比设置为2∶1。因此，在数据区域10中磁性材料的面积比为约67％。
如前所述，伺服区域20粗略地分成引导部分21、地址部分22和脉冲部分23。在下文，将详细地说明这些区域的作用。
提供引导部分21用于进行锁相环(PLL)处理和自动增益控制(AGC)处理，该锁相环(PLL)处理用于使伺服信号再生时钟同步，该自动增益控制(AGC)处理用于相对于由介质的离心旋转等引起的时滞适当地保持信号再生幅度。引导部分21由其中磁性材料和非磁性材料重复交替地布置在圆周方向上的图形形成，并且磁性材料和非磁性材料在径向上延伸以形成圆弧。引导部分21中的磁性材料与非磁性材料的比为近似1∶1。即，引导部分21中的磁性材料的面积比为近似50％。同时，在圆周方向上的重复周期与径向距离成比例变化。然而，甚至在最外圆周它也是可见波长或更小，并且像数据区域10一样，难以通过光学衍射识别伺服区域。
地址部分22具有称为伺服标记的伺服信号识别码、扇区信息、柱面信息等，它们以与引导部分21的圆周间距相同的间距以曼彻斯特码(Manchester code)形成。尤其是，柱面信息形成为图形，在每一伺服磁道其信息都发生变化。为此，进行相邻磁道的变化变得最小的称为格雷代码(Gray code)的代码转换，以便在寻找操作时的地址读取错误的影响变小，然后以曼彻斯特代码记录信息。这个区域的磁性材料的占用比近似为50％。
脉冲部分23是跑偏(off-track)检测区域，用于检测柱面地址相对于磁道对准状态(on-track state)的跑偏量。形成四个标记为A、B、C和D脉冲的图形，在它们当中在径向上存在图形相位滞后。在各个脉冲中，和引导部分一样以相同的间距在圆周方向上布置多个标记。在径向上每个脉冲的周期与地址图形的周期，即，伺服磁道周期成比例。例如，形成图形，在该图形中在圆周方向上每10个周期形成一个脉冲标记，并且在径向上以伺服磁道周期的两倍周期重复该脉冲标记。由于脉冲标记由非磁性材料形成，所以在ABCD脉冲中的磁性材料的面积比近似75％。
尽管将ABCD脉冲解释为图1中的脉冲部分23的实例，但可形成图形以执行相位差伺服控制。在相位差伺服图形中的磁性材料的面积比约为50％。
如上所述，在将要制造的DTR介质的每个区域中的磁性材料的面积比是不同的。对应于每个区域中磁性材料的面积比的差异，用于制造DTR介质的压模的凹口与突起的面积比也不同。在压模的各图形区域之间的凹口与突起的面积比的差异产生了依赖于所述图形区域的抗蚀剂残留物的厚度的差量(dispersion)。由于该差量，出现了过多的侧边蚀刻，并且图形化的抗蚀剂的尺寸会发生变化。本发明的发明人已发现，通过在图形化抗蚀剂的突起的侧壁上形成具有抗蚀刻性的保护膜，可以解决以上问题，以防止侧边蚀刻。
在图2A至2H中示出了根据本发明的制造DTR介质的方法的一个实例。
如图2A所示，在衬底1上形成磁性膜2。衬底1的实例包括锂基的结晶玻璃。磁性膜2的实例是所谓的在高导磁率的软衬层上具有垂直磁记录层的垂直双层介质。软磁性材料的实例包括CoZr、CoZrNb和CoZrTa基合金。记录层的实例包括CoCrPt。而且，由非磁性材料制成的中间层可设置在软衬层和记录层之间，以切断软衬层和记录层之间的交换耦合相互作用以及控制记录层的结晶度。可以使用Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、包括这些元素的合金、以及它们的氧化物和氮化物作为中间层的材料。然而，磁性膜2的结构不限于这些。
接下来，在磁性膜2上形成用于压印的抗蚀剂3。根据将要制造的高密度记录介质，选择适合于在压印工艺之后进行诸如蚀刻的工艺的抗蚀剂作为抗蚀剂3。而且，要求该抗蚀剂比压模材料软，以便在压印时可以准确地转印压模表面上的突起和凹口的图形，以及具有稳定性以保持在室温压印之后转印的突起和凹口的图形。因此，抗蚀剂的玻璃转变温度和熔点在室温以上。为了更具体，希望抗蚀剂足够软以能够在500巴以上的载荷转印压模的突起和凹口的图形，并且希望其玻璃转变温度为100℃或更低。因此，尽管抗蚀剂的实例是用于半导体工艺中的光致抗蚀剂(如酚醛清漆树脂，novolac resin)和旋涂玻璃(SOG)，但并不限于这些。
如图2B所示，通过在抗蚀剂3上按压压模4来转印图形。压模4例如由镍制成。压模4具有与将要被转印的突起和凹口的图形相反的突起和凹口的图形，并且在每个图形区域中具有不同面积比的凹口与突起。为了获得良好释放特性的压模，使压模中的突起的侧壁倾斜渐变。而且，正常地进行提高压模释放特性的工艺。通过在抗蚀剂3上按压突起的侧壁倾斜渐变的压模，将要转印到抗蚀剂3上的图形的突起的侧壁也是倾斜渐变的。
当在压印时按压压模时，首先压模的凹口与突起的面积比低的区域中(图2B中的右侧区域)的凹口内部被抗蚀剂填充，并且突起将不能够按压得更深。在这一点，由于在压模的凹口与突起的面积比高(图2B中的左侧区域)的区域中的凹口没有填充满抗蚀剂，所以还存在将所述突起压进的空间。当继续按压时，压模略微变形，在压模的凹口与突起的面积比高的区域中所述突起被按压得更深，并且在该区域中的凹口也填充满有抗蚀剂。以这种方式，取决于压模的每个区域中的凹口与突起的面积比所述突起被压入多深是变化的，并且出现了抗蚀剂残留物的厚度的差异。在图2C中示出了移除压模4之后的状态。
如图2D所示，在图形化的抗蚀剂3上形成保护转印的图形形式的保护膜5。关于移除下文描述的抗蚀剂残留物的蚀刻，使用具有比抗蚀剂3更高抗蚀刻性的材料用作保护膜5。这里，尽管抗蚀刻性差异是在研磨等方面的物理抗性差异，也就是硬度差，以及对于RIE等化学抗性的差异，也就是反应性的差异，但没有特别地限定于此。尽管保护膜5的材料的实例包括金属膜(例如，Ti、Ta、W、Pt和Al)、金属氧化膜(例如，TiO2和Al2O3)、金属化合物(例如，AlTi)、无机材料(例如，SiO2和C)、有机聚合物(例如，常用的光致抗蚀剂)和低分子有机化合物，但没有特别地限定于这些，只要其满足以上的条件。
而且，在制造400nm或更小精细图形的情况下，保护膜5的厚度优选1nm至15nm。当它是1nm或更小时，具有良好膜质量的膜不能与图形一起形成，并且抗蚀刻性不好。相反，当它是15nm或更多时，难以与图形一起形成膜。而且，由于蚀刻时间增加，所以工艺时间本身变长。
形成保护膜5的方法的实例是溅射方法。溅射在批量生产时是优良的，并且可以提供具有良好质量的膜。这里，在利用能够用氧蚀刻的抗蚀剂如光致抗蚀剂作为压印的抗蚀剂的情况下，优选通过溅射形成SiO2，SiO2能够用氟基气体如CF4和SF6蚀刻。而且，在利用能够用氟基气体蚀刻的抗蚀剂如SOG作为用于压印的抗蚀剂的情况下，优选通过溅射形成能够用氧蚀刻的碳作为保护膜。
可以使用浸渍作为形成保护膜的另一方法。浸渍时，可以一次为多个介质的图形一起形成保护膜。这里，在利用能够用氧蚀刻的光致抗蚀剂作为抗蚀剂的情况下，优选浸渍能够用氟基气体如CF4和SF6蚀刻的SOG作为保护膜。而且，在利用能够用氟基气体蚀刻的SOG作为抗蚀剂的情况下，优选浸渍能够用氧蚀刻的酚醛清漆树脂(光致抗蚀剂)作为保护膜。由于将被浸渍的保护膜没有被化学吸收到所述抗蚀剂中，所以应当降低上拉速度以抑制液体表面的振动。
形成保护膜5的方法不限于这两种方法，并且可以使用喷涂、喷墨涂敷等。在形成保护膜的这些方法当中，在批量生产方面优选浸渍。
如图2E所示，通过各向异性蚀刻保护膜5，将保护膜5留在图形化抗蚀剂3的突起的倾斜侧壁上。在各向异性蚀刻时，在保护膜不具有各向异性如结晶各向异性的情况下，优选使离子长度的平均自由程。根据保护膜5的抗蚀刻性的差异，可从例如离子研磨和RIE等方法选择各向异性蚀刻的方法。
如图2F所示，通过利用残留在抗蚀剂3的突起侧壁上的保护膜5作为掩模来蚀刻残留在图形化的抗蚀剂3的凹口中的抗蚀剂残留物。优选使用如RIE和感应耦合等离子体(ICP)的方法进行各向异性蚀刻来移除抗蚀剂残留物。由于通过在该步骤中使用的具有比抗蚀剂3更高抗蚀刻性的保护膜5来保护图形的突起的侧壁，突起的侧壁上之外的抗蚀剂3被蚀刻掉。在该步骤中，尽管抗蚀剂残留物的厚度薄的区域中的抗蚀剂残留物比厚度厚的区域中的抗蚀剂残留物移除得早，但必须继续蚀刻直至厚度厚的区域中的抗蚀剂残留物被移除。尽管使用反应性离子的蚀刻一般显示出各向异性，但当移除抗蚀剂残留物时会出现侧边蚀刻。然而，在本发明中，可以在具有不同的突起与凹口面积比的所有图形区域中移除抗蚀剂残留物，而没有侧边蚀刻，因为图形突起的侧壁被具有比抗蚀剂3更高抗蚀刻性的保护膜5保护。因为上述原因，可以抑制压模的各个图形尺寸之间的变化，而与面积无关，该图形尺寸是设定值。
因为通过用各向异性蚀刻移除抗蚀剂残留物来蚀刻图形化的抗蚀剂3的顶部，所以突起的形式就成为了如图3A所示的形式。图3A是图2F中所示的突起中之一的放大图。如图3A所示，在保护膜5顶部的位置比抗蚀剂3顶部的位置高，因为在移除抗蚀剂残留物时保护膜5具有高的抗蚀刻性，并且当蚀刻抗蚀剂3的突起的顶部时，不再继续进行蚀刻。
如图2G所示，利用保护膜5和图形化的抗蚀剂3作为掩模来蚀刻磁性膜2。例如，Ar离子研磨，用于制造磁性膜2。此时，通过将离子入射角设定到30°和70°来进行离子研磨的蚀刻，从而可以抑制再沉积以消除铁磁记录层的损伤。为了抑制再沉积，通过进行具有高角度的蚀刻，磁性膜的图形的侧壁以约40°至75°倾斜。
具有用本发明的形成图形的方法制造的图3A中所示的结构的蚀刻掩模，在通过具有高角度的蚀刻制造时会产生良好的效果。通常，当移除抗蚀剂残留物时，部分地移除形成变成蚀刻掩模的所述图形突起的抗蚀剂，从而抗蚀刻性降低。然而，因为在保护图形突起侧壁的保护膜5顶部的位置比抗蚀剂3顶部处的位置高，所以即使当抗蚀剂3顶部被蚀刻时耐受高角度蚀刻的抗蚀刻性也没有降低。因此，如图3B所示，可以提高包括保护膜5和抗蚀剂的突起的掩模的耐受高角度的蚀刻的抗蚀刻性。
如图2H所示，与保护膜5一起移除用作蚀刻掩模的抗蚀剂3。利用适合于抗蚀剂3的材料的移除方法来进行移除抗蚀剂3。尽管在使用SOG作为抗蚀剂3的情况下移除方法的实例是利用ICP蚀刻机器通过SF6气体移除的，但不限于此。根据情况需要，可进行例如用水冲洗移除处理的磁性膜表面上的杂质的工艺。
此外，为了制造磁记录介质(未示出)，进行包括在制造DTR介质的常用方法中的步骤，如形成由非磁性材料制成的平坦膜、用于平坦化的回蚀刻工艺、形成保护膜和用滑润剂层涂敷。
如上所述，当利用本发明的方法制造DTR介质时，可以抑制移除抗蚀剂残留物时的过多的侧边蚀刻，并且可以降低在制造介质之后所述图形尺寸相对于压模的图形尺寸的变化，而与所述面积无关，其中压模的图形尺寸是设定值。
尽管以上利用制造DTR介质的方法作为实例说明了本发明，但形成本发明中的图形的方法不限于此，并且显而易见的是其可以应用于其它的利用高压型压印方法的微制造方法。其它微制造方法的实例包括制造用于半导体器件中的硅衬底的方法。
实例以下利用实例具体地说明了本发明。
(例1)利用图2中所示的本发明的方法制造了DTR介质。
使用直径为2.5英寸的锂基结晶玻璃衬底作为衬底1。在清洗衬底1之后，将它引入溅射机器中，并且通过按顺序沉积软衬层、中间层和记录层形成了磁性层2。使用上述材料用于软衬层和中间层。使用CoCrPt用于记录层。
接下来，在磁性层2上以6000rpm旋涂SOG(商标名OCD-78000T，由Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造)作为抗蚀剂3。然后，在100℃进行预烘焙20分钟，从而将SOG制作为具有适合的硬度以用于压印。
另一方面，准备了将图形转印到抗蚀剂(SOG)3的压模4。将要使用的压模4具有的压模图形对应于所述伺服区域(包括地址部分和引导部分(凹口与突起的面积比为50％)，以及脉冲部分(凹口与突起的面积比为75％)和数据区域(凹口与突起的面积比为67％)。压模的凹口深度为90nm。
为了进行压印，在作为氟基脱模剂的全氟烃基衍生物(perfluoroalkylderivative)中浸渍压模4，增强了压印时的释放特性。首先，为了增加全氟烃基衍生物和由镍制成的压模之间的粘性，在40℃以上在灰化剂中氧化了压模5分钟。然后，利用遮光罩(louver)用全氟烃基衍生物涂敷了压模，该遮光罩包含通过用GALDEN-HT70(由Solvay Solexis公司制造的)稀释作为全氟烃基衍生物的全氟聚醚(HOOC-CF2-O-(CF2-CF2-O)m-(CF2-O)n-(CF2-COOH))而获得的溶液。最后，在氮环境中在150℃将压模4退火达10分钟。
通过在2000巴将所述处理了的压模4按压到抗蚀剂3(SOG)上1分钟，将其图形转印到了抗蚀剂3上。在图形转印之后的抗蚀剂3的凹口的深度约为80nm，抗蚀剂残留物的厚度约为50nm。
在转印图形之后，将衬底放置在溅射机器中，并且与所转印的图形一起形成10nm厚的碳作为保护层5。
在形成保护层5之后，利用氧气体通过RIE在抗蚀剂3的突起的侧壁上留下了保护层5。然后，利用SF6气体通过RIE移除抗蚀剂残留物。在约2毫乇(mTorr)的蚀刻压力下通过利用ICP蚀刻机进行RIE。
在移除抗蚀剂残留物之后，通过Ar离子研磨蚀刻了磁性膜。此时，通过将离子入射角设定到30°和70°进行了通过Ar离子研磨蚀刻，以便可以抑制再沉积以消除铁磁性记录层的损伤。结果，磁性膜2的突起的侧壁在以40°至75°倾斜渐变。
在制造磁性膜之后，利用SF6气体通过RIE移除了SOG，SOG是抗蚀剂3。此时，使用了ICP蚀刻机，如同其用于抗蚀剂残留物的移除。证明了保护膜5中的碳与SOG的抗蚀剂3一起被剥离了。然后，进行用水的冲洗，以移除贴附到所述表面上的氟化物。
比较了制造的DTR介质的磁道、地址部分和脉冲部分中的图形尺寸的相对于作为设定值的压模的图形尺寸的变化，并且证明了与所述区域无关，几乎没有任何的改变。
接下来，除了改变保护膜5的碳的厚度至0.5nm、1nm、5nm、15nm和20nm之外，利用如上所述的相同方法制造了DTR介质。而且，作为比较例，除了没有形成保护膜5之外，通过利用与上述相同的方法制造了DTR介质。
检查了每个制造的DTR介质的图形尺寸相对于压模的图形尺寸的变化。在图4中示出了保护膜的厚度和脉冲部分的图形尺寸的变化之间的关系，在该脉冲部分中压模的凹口与突起的面积比最大。这里，当在脉冲部分以及磁道中一起进行抗蚀剂残留物的移除时，脉冲部分的图形尺寸的变化是偏离压模的图形尺寸的偏移量的绝对值。使用原子力显微镜(AFM)用于测量。在没有保护膜的情况的比较例中，图形尺寸的变化为10nm，并且这是最大的。在某种程度观察了图形尺寸的变化，其中保护膜的厚度为1nm或更少。然而，在其中形成了1nm或更厚保护膜的介质中，没有观察到图形尺寸的变化。
接下来，相对于利用10nm厚的保护膜制造的实例1的DTR介质和没有保护膜制造的比较例1的DTR介质，比较了凹口的深度。使用AFM用于该测量。在比较例1中制造的DTR介质中的凹口的深度为25nm。相反，在例1中制造的DTR介质中的凹口的深度为40nm，并且可以获得具有显著深度的凹口。如上通过利用图3所述，这是因为通过形成保护膜提高了耐受高角度的蚀刻的耐受性。
(例2)除利用酚醛清漆光致抗蚀剂(商标名S1801，由Rohm and HaasElectronic Material公司制造)作为保护膜5外，利用与实例1相同的方法制造DTR介质。通过减小衬底的上拉速度(1mm/min)，当通过浸渍形成酚醛清漆光致抗蚀剂时，该衬底上涂敷了和所述图形形状一起的光致抗蚀剂，以形成10nm厚度的保护膜。
比较了制造的DTR介质的磁道部分、地址部分和脉冲部分中的图形尺寸相对于压模的图形尺寸的变化，该压模的图形尺寸是一个设定值，并且确认与图形区域无关地几乎不存在任何变化。
虽然已描述了本发明的某些实施例，但仅通过实例的方式展示了这些实施例，并且不意指限制本发明的范围。实际上，这里描述的新颖的方法和系统可以用多种其它的形式具体化；此外，在不脱离本发明的精神的前提下，可以以这里描述的方法和系统的形式进行各种省略、替代和改变。附加的权利要求和它们的等效物是用来覆盖如将落入本发明的范围和精神内的这种形式或修改。
权利要求
1.一种形成图形的方法，其特征在于包括在衬层材料(2)上形成抗蚀剂(3)；在所述抗蚀剂(3)上按压具有突起和凹口的图形的压模(4)，该压模的侧壁的突起是倾斜的，以形成具有突起和凹口的图形的图形化的抗蚀剂(3)，其突起的侧壁是倾斜的；在所述图形化的抗蚀剂(3)上形成保护膜(5)；进行各向异性蚀刻以将所述保护膜(5)留在所述图形化的抗蚀剂(3)的突起的倾斜的侧壁上；利用所述保护膜(5)作掩模，蚀刻残留在所述图形化的抗蚀剂(3)的凹口中的抗蚀剂残留物；以及利用所述保护膜(5)和所述图形化的抗蚀剂(3)作为掩模，蚀刻所述衬层材料(2)。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于通过溅射形成所述保护膜(5)。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于通过浸渍形成所述保护膜(5)。
4.根据权利要求1的方法，特征在于通过喷涂形成所述保护膜(5)。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于通过喷墨涂敷形成所述保护膜。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于所述保护膜(5)具有1nm至15nm的厚度。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于所述保护膜(5)由选自包含Ti、Ta、W、Pt和Al的组的金属制成。
8.根据权利要求1的方法，其特征在于所述保护膜(5)包括选自包含TiO2和Al2O3的组的金属氧化物。
9.根据权利要求1的方法，其特征在于所述保护膜(5)由金属化合物制成。
10.根据权利要求1的方法，其特征在于所述保护膜(5)包括选自由无机材料、有机聚合物化合物和低分子有机化合物组成的组的材料。
11.根据权利要求1的方法，其特征在于当蚀刻所述抗蚀剂残留物时，使所述保护膜(5)顶部的位置比所述图形化的抗蚀剂(3)顶部的位置高。
12.一种制造磁记录介质的方法，其特征在于包括在衬底(1)上按顺序形成磁性膜(2)和抗蚀剂(3)；在所述抗蚀剂(3)上按压具有突起和凹口的图形的压模(4)，该压模侧壁的突起是倾斜的，以形成图形化的抗蚀剂(3)，该图形化的抗蚀剂(3)具有对应于包括地址部分(21)、引导部分(22)和脉冲部分(23)的伺服区域(20)和包括记录磁道的数据区域(10)的突起和凹口的图形，其突起的侧壁是倾斜的；在所述图形化的抗蚀剂(3)上形成保护膜(5)；进行各向异性蚀刻以将所述保护膜(5)留在所述图形化的抗蚀剂(3)的突起的倾斜侧壁上；利用所述保护膜(5)作掩模，蚀刻残留在所述图形化的抗蚀剂(3)的凹口中的抗蚀剂残留物；以及利用所述保护膜(5)和所述图形化的抗蚀剂(3)作为掩模，蚀刻所述磁性膜(2)。
全文摘要
根据一个实施例，一种形成图形的方法，包括在衬层材料(2)上形成抗蚀剂(3)，在抗蚀剂(3)上按压具有突起和凹口的图形的压模(4)，其突起的侧壁逐渐变细，以形成具有突起和凹口的图形的图形化的抗蚀剂(3)，其突起的侧壁逐渐变细，在图形化的抗蚀剂(3)上形成保护膜(5)，进行各向异性蚀刻以将保护膜(5)留在图形化的抗蚀剂(3)的锥形侧壁上，利用保护膜(5)作掩模蚀刻残留在图形化的抗蚀剂(3)的凹口中的抗蚀剂残留物，以及利用保护膜(5)和图形化的抗蚀剂(3)作为掩模，蚀刻衬层材料(2)。
文档编号G03F7/00GK1956064SQ20061013758
公开日2007年5月2日 申请日期2006年10月26日 优先权日2005年10月26日
发明者白鸟聪志, 镰田芳幸, 樱井正敏, 喜喜津哲 申请人:株式会社东芝