Tft-lcd阵列基板、液晶显示面板及其制造方法

专利名称：Tft-lcd阵列基板、液晶显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种TFT-LCD阵列基板、 液晶显示面板及其制造方法。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近十年得到 飞速发展，从屏幕尺寸到显示质量都取得了很大进步。目前，LCD生产的重 点集中在轻薄化、降低生产成本、提高市场竟争力等方面。
目前，现有技术LCD的生产模式和结构严重制约了 LCD的轻薄化发展。 现有技术LCD生产模式主要采用将液晶面板和背光源分开生产，LCD结构则 是液晶面板和背光源组合封装。背光源是LCD的主要组成部分和重要资材， 背光源的质量和成本直接影响到LCD的质量和成本，同时由于背光源的厚度 远大于液晶面板的厚度，因此背光源的厚度也决定了 LCD的厚度。
现有技术的背光源一般由反光板、荧光灯管、导光板、扩散板、底部棱 镜、顶部棱镜、保护膜等部件组成，过多的部件导致背光源比较厚重，管理 复杂，生产成本较高，因此导致LCD厚重，生产成本居高不下。同时，由于 背光源的发光模式为整体同时发出同等强度的光，会导致一些应该显示为黑 色的像素区仍然有少量光线透过，造成显示对比度下降。

发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方 法，通过将背光源的功能集成到阵列基板上，大幅度降低液晶显示面板的厚度和重量，提高显示质量。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基 板，所述玻璃基板上设置有以逐行扫描方式提供光源的发光层，所述发光层 上设置有阵列结构。
所述发光层为形成在所述玻璃基板上并与所述阵列结构的栅电极形状相 同的金属电致发光材料层。所述金属电致发光材料层为钨层或钨合金层。所 述发光层的厚度为0. 25 |u m ~ 3. 4 ja m。
所述阵列结构包括
栅电极，形成在所述发光层上；
栅绝缘层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个玻璃基板； 非晶硅层，形成在所述栅电极上； n+非晶硅层，形成在所述非晶硅层上； 源漏电极层，形成在所述n+非晶硅层上，并形成沟道区域； 钝化层，形成在所述源漏电极层上，并覆盖整个玻璃基板，其上形成钝 化层过孔；
像素电极，形成在所述钝化层上，并通过所述钝化层过孔与所述源漏电 极层中的漏电极连接。
为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括与所述阵列 基板对盒的彩膜基板，所述阵列基板的内侧设置有阵列取向膜，外侧依次设 置有阵列偏光片和反光膜，所述彩膜基板的内侧设置有彩膜取向膜，外侧设 置有彩膜偏光片。
所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与 彩膜偏光片的偏振方向相同。所述阵列取向膜的摩擦取向方向与阵列偏光片 的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩4察取向方向与彩膜偏光片的偏振方向 相互垂直。
所述阵列基板的外侧还设置有散热组件，所述散热组件形成在所述反光膜上。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法， 包括
步骤1、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和金属薄膜，通过光
刻工艺和蚀刻工艺形成形状相同的发光层和栅电极；
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和 n+非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成非晶硅层和 n+非晶硅层；
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀 刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n+非晶硅层，形成沟道区域；
步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积钝化层，并形成钝化层过孔；
步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺 和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极通过所述钝化层过孔与所述源漏电极 层中的漏电极连接。
所述步骤1具体为
步骤11、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜； 步骤12、在完成步骤11的玻璃基板1上均匀涂覆光刻胶； 步骤13、通过掩膜板对位和紫外线曝光，使所述光刻胶曝光； 步骤14、经过显影、刻蚀和剥离光刻胶，形成形状相同的发光层和栅电极。
所述金属电致发光薄膜为金属鴒薄膜或金属鴒合金薄膜。所述发光层的 厚度为0. 25 |am~ 3. 4 jum。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示面板的制造方法，包 括分别制备阵列基板和彩膜基板；在所述阵列基板的内侧形成具有设定摩 擦取向方向的阵列取向膜，在所述彩膜基板的内侧形成具有设定摩擦取向方 向的彩膜取向膜；在所述阵列基板的外侧依次形成阵列偏光片和反光膜，在所述彩膜基板的外侧形成彩膜偏光片。
所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与 彩膜偏光片的偏振方向相同。所述阵列取向膜的摩擦取向方向与阵列偏光片 的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩擦取向方向与彩膜偏光片的偏振方向 相互垂直。
还包括步骤在所述阵列基板外侧的反光膜上设置散热组件。 本发明提出了一种TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法，通 过在阵列基板上形成发光层结构，将背光源功能集成到阵列基板上，利用栅 电极信号控制发光层为液晶显示提供光源，因此最大限度地减小了液晶显示
面板的厚度和重量。同时，本发明改变了现有技术背光源整体同时发光的控 制方式，发光层光源的开启/关闭为栅电极的逐行扫描方式，避免了光线透过 黑色像素区，具有较高的对比度和亮度均匀性。与现有技术相比，采用本发 明TFT-LCD阵列基板的液晶显示面板的厚度只是同类型液晶显示面板的五分 之一，筒化了制备工艺，节约了设备和资材成本，提高了 TFT LCD的质量和 制作效率。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。


图1为本发明TFT-LCD阵列基板的结构示意图； 图2为本发明形成发光层和栅电极的示意图； 图3为本发明形成栅绝缘层和有源层的示意图； 图4为本发明形成源漏电极层的示意图； 图5为本发明形成钝化层的示意图6为本发明沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜的示意图； 图7为本发明涂覆光刻胶的示意图； 图8为本发明光刻胶曝光的示意图；图9为本发明显影的示意图； 图IO为本发明刻蚀的示意图； 图11为本发明剥离光刻胶的示意图； 图12为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法流程图； 图13为本发明形成发光层和栅电极的流程图； 图14为本发明液晶显示面板的结构示意图； 图15为本发明液晶显示面板的制造方法的实施流程图。 附图标记说明 l一玻璃基板； 4一栅绝缘层； 7—源漏电极层； ll一金属电致发光薄膜 14一掩膜板； IOO—阵列基板； 130—散热组件； 202—彩色树脂； 300—液晶层；
具体实施例方式
图1为本发明TFT-LCD阵列基板的结构示意图。如图1所示，TFT-LCD 阵列基板包括玻璃基板1和依次形成在玻璃基板1上的发光层2、栅电极3、 栅绝缘层4、非晶硅层5、 n+非晶硅层6、源漏电极层7、钝化层8和像素电 极9，具体地，发光层2形成在玻璃基板1上，栅电极3形成在发光层2上， 栅绝缘层4形成在栅电极2上，并覆盖整个玻璃基板l，作为有源层的非晶 硅层5和n+非晶硅层6依次形成在栅绝缘层4上，并位于栅电极3之上，包 括源电极和漏电极并形成导电沟道的源漏电极层7形成在有源层上，钝化层
9
2—发光层；
5 —非晶硅层；
8—钝化层；
12—栅金属薄膜；
15 —紫外线；
IIO—阵列偏光片；
200—彩膜基板；
203—黑矩阵;
310—阵列取向膜;
3—栅电极；
6—n+非晶硅层；
9一像素电极；
13—光刻胶；
81—钝化层过孔；
120—反光膜；
201—彩膜玻璃基板;
210—彩膜偏光片；
320—彩膜取向膜。8形成在源漏电极层7上，并覆盖整个玻璃基板1，钝化层8上位于漏电极的 上方开设有钝化层过孔81,形成在钝化层8上的像素电极9通过钝化层过孔 81与漏电极连接。其中，栅电极3作为有源元器件的开关，当信号电压加到 栅电极3时激发其下层的发光层2，使发光层2发光，发光层2发出的光线 通过液晶和彩膜基板后形成图像，最终实现液晶显示。
本发明TFT-LCD阵列基板通过在栅电极下方设置发光层的结构，将背光 源功能集成到阵列基板上，利用栅电极信号电压控制发光层为液晶显示提供 光源，因此最大限度地减小了液晶显示面板的厚度和重量。同时，本发明上 述技术方案改变了现有技术背光源整体同时发光的控制方式，光源的开启/ 关闭为栅电极的逐行扫描方式，避免了光线透过黑色像素区，具有较高的对 比度和亮度均匀性。与现有技术相比，采用本发明TFT-LCD阵列基板的液晶 显示面板的厚度只是同类型液晶显示面板的五分之一，简化了制备工艺，节 约了设备和资材成本。
上述技术方案中，发光层2由金属电致发光材料制成，在施加电流时产 生亮光，金属电致发光材料可以是鴒、鵠合金或本领域技术人员惯常采用的 金属发光材料。金属电致发光材料电致发光的原理为当电流通过金属电致 发光材料(如鴒丝)时产生热量，排列紧密的金属电致发光材料不断将热量 聚集，其温度可达2000。C以上，使金属电致发光材料处于白炽状态，因此产 生光亮。
下面通过TFT-LCD阵列基板的制备过程说明本发明的技术方案。 图2为本发明形成发光层和栅电极的示意图。如图2所示，使用磁控'减 射方法，在玻璃基板1上依次沉积一层厚度为0. 25 y m~ 3. 4 jum的金属电致 发光薄膜和厚度为IOOOA至7000A的栅金属薄膜。金属电致发光薄膜的厚度 优选为1.0jum~3. Opm,金属电致发光薄膜的材料可以是鴒薄膜或鴒合金薄 膜，与其上的栅金属薄膜具有相似的性质，能够被刻蚀剂刻蚀；栅金属薄膜 通常使用钼、钼合金、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合，优选为钼或钼合金，不透光，能够阻止金属
电致发光材料发出的光线通过，且熔点大于2500'C。用栅线和栅电极掩^^版 通过曝光工艺和蚀刻工艺，在玻璃基板1的一定区域上形成栅线和栅电极3 图案，发光层2位于栅线和栅电极3的下方。
图3为本发明形成栅绝缘层和有源层的示意图。如图3所示，利用化学 气相沉积的方法在完成栅线和栅电极图案的玻璃基板1上连续沉积厚度为 1000A 6000A的栅绝缘层4 (栅电极绝缘层薄膜)、厚度为1000A 6000A 的非晶硅薄膜和厚度为100OA ~ 6 00OA的n+非晶硅薄膜(搀杂的非晶硅薄膜)。 栅绝缘层4材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源层 掩模版进行曝光后对非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜进行刻蚀，形成非晶硅层5 和n+非晶硅层6， n+非晶硅层6的主要作用是为了减少非晶硅层5与金属的 源漏电极层7之间的接触电阻。
图4为本发明形成源漏电极层的示意图。如图4所示，采用栅电极类似 的制备方法，在玻璃基板1上沉积一层厚度为1000A 7000A金属薄膜，通 常使用钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几 种材料薄膜的组合。通过源电极、漏电极和数据线掩模版在一定区域上形成 数据线、源漏电极层7,源漏电极层7中的源电极与数据线连接，采用刻蚀 工艺去掉暴露的n+非晶硅层6,露出非晶硅层5，形成导电沟道区域。
图5为本发明形成钝化层的示意图。如图5所示，用制备有源层类似的 方法，在整个玻璃基板1上沉积一层厚度为1000A~ 6000A的钝化层8,其材 料通常是氮化硅。通过钝化层掩^^莫版，利用曝光和刻蚀工艺在源漏电极层7 的漏电极位置形成钝化层过孔81。
最后，在玻璃基板1上沉积一层像素电极薄膜，使用像素电极掩模版通 过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极9 (如图1所示)，常用的像素电极为 ITO电极，厚度为100A~ IOOOA之间，使像素电极9通过钝化层过孔81与源 漏电极层7的漏电极连接。图6~图11为本发明形成发光层和栅电极的具体过程。
图6为本发明沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜的示意图。如图6所 示，使用-兹控'賊射方法，在玻璃基板l上依次沉积一层金属电致发光薄膜ll 和栅金属薄膜12，金属电致发光薄膜ll的厚度为0. 25|am~3. 4|im,金属电 致发光薄膜的材料优选为金属鴒或鴒合金，栅金属薄膜12的厚度为IOOOA 至7000A,优选为金属钼或铜钼合金。
图7为本发明涂覆光刻胶的示意图。如图7所示，在沉积了金属电致发 光薄膜11和栅金属薄膜12的玻璃基板1上均匀涂覆一层光刻胶13。
图8为本发明光刻胶曝光的示意图。如图8所示，经过掩膜板14对位和 紫外线15曝光，使光刻胶13曝光。
图9为本发明显影的示意图。如图9所示，经过显影，掩膜板上的图案 就转移到光刻胶13上，形成图案。
图10为本发明刻蚀的示意图。如图IO所示，经过刻蚀，掩膜板上的图 案就通过光刻胶13转移到了金属电致发光薄膜11和栅金属薄膜12上。
图11为本发明剥离光刻胶的示意图。如图ll所示，经过剥离，除去光 刻胶，就形成了本发明发光层2和栅电极3。
图12为本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法流程图，具体为
步骤1、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和金属薄膜，通过光 刻工艺和蚀刻工艺形成形状相同的发光层和栅电极；
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和 n+非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成非晶硅层和 n+非晶硅层；
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀 刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n+非晶硅层，形成沟道区域； 步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积钝化层，并形成钝化层过孔； 步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极通过所述钝化层过孔与所述源漏电极 层中的漏电^l连接。
本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法通过在栅电极下方形成发光层，将 背光源功能集成到阵列基板上，利用栅电极信号电压控制发光层为液晶显示 提供光源，因此最大限度地液晶显示面板的厚度和重量。同时，本发明上述 技术方案改变了现有技术背光源整体同时发光的控制方式，光源的开启/关闭 为栅电极的逐行扫描方式，避免了光线透过黑色像素区，具有较高的对比度 和亮度均匀性。与现有技术相比，采用本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法 所生产的液晶显示面板的厚度只是同类型液晶显示面板的五分之一，同时本 发明TFT-LCD阵列基板的制造方法仍釆用目前主流的5次掩模(5 mask)或 4次掩模(4 mask)工艺，在现有的工艺条件下即可实施。
步骤l中，使用磁控溅射方法，在玻璃基板上依次沉积一层厚度为0.25 |am~ 3. 4 jum的金属电致发光薄膜和厚度为IOOOA至7000A的栅金属薄膜。 金属电致发光薄膜可以是鴒薄膜或鴒合金薄膜，与其上的栅金属薄膜具有相 似的性质，能够被刻蚀剂刻蚀；栅金属薄膜通常使用钼、钼合金、铝、铝镍 合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合， 优选为钼或钼合金，不透光，能够阻止金属电致发光材料发出的光线通过， 且熔点大于2500'C。用栅线和栅电极掩模版通过曝光工艺和蚀刻工艺，在玻 璃基板的一定区域上形成栅线和栅电极图案，发光层位于栅线和栅电极的下 方。
步骤2中，利用化学气相沉积的方法在完成栅线和栅电极图案的玻璃基 板上连续沉积厚度为1000A~ 6000A的栅绝缘层(栅电极绝缘层薄膜)、厚 度为1000A 6000A的非晶硅薄膜和厚度为1000A- 6000A的n+非晶硅薄膜
(搀杂的非晶硅薄膜)。栅绝缘层材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和
氮氧化硅等。用有源层掩模版进行曝光后对非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜进行 刻蚀，形成非晶硅层和n+非晶硅层，n+非晶硅层的主要作用是为了减少非晶
13硅层与金属的源漏电极层之间的接触电阻。
步骤3中，采用栅电极类似的制备方法，在玻璃基板上沉积一层厚度为
1000A 700oA金属薄膜，通常使用钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜 等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合。通过源电极、漏电极和数据 线掩模版在一定区域上形成数据线、源漏电极层，源漏电极层中的源电极与
数据线连接，采用刻蚀工艺去掉暴露的n+非晶硅层，露出非晶硅层，形成导 电沟道区i或。
步骤4中，用制备有源层类似的方法，在整个玻璃基板上沉积一层厚度
为ioooA~60ooA的钝化层，其材料通常是氮化硅。通过钝化层掩模版，利 用曝光和刻蚀工艺在源漏电极层的漏电极位置形成钝化层过孔。
步骤5中，在玻璃基板上沉积一层像素电极薄膜，使用像素电极掩模版 通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，常用的像素电极为ITO电极，厚度
为10oA ioooA之间，使像素电极通过钝化层过孔与源漏电极层的漏电极连接。
图13为本发明形成发光层和栅电极的流程图，在上述技术方案中，所述 步骤l具体为
步骤11、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜； 步骤12、在完成步骤11的玻璃基板1上均匀涂覆光刻胶； 步骤13、通过掩膜板对位和紫外线曝光，使所述光刻胶曝光； 步骤14、经过显影、刻蚀和剥离光刻胶，形成形状相同的发光层和栅电极。
具体地，首先使用磁控溅射方法，在玻璃基板上依次沉积一层金属电致 发光薄膜和栅金属薄膜，金属电致发光薄膜的厚度为0.25)im 3.4nm,优 选厚度为1. 0 jum 3. 0 nm，金属电致发光薄膜的材料优选为金属钨或钨合金， 栅金属薄膜的厚度为IOOOA至7000A，优选为金属钼或铜钼合金；随后，在 沉积了金属电致发光薄膜和栅金属薄膜的玻璃基板上均勻涂覆一层光刻胶；经过掩膜板对位和紫外线曝光，使光刻胶曝光；经过显影，掩膜板上的图案 就转移到光刻胶上，形成图案；再经过刻蚀，掩膜板上的图案就通过光刻胶 转移到了金属电致发光薄膜和栅金属薄膜上；最后经过剥离，除去光刻胶， 就形成了本发明发光层和栅电极。
图14为本发明液晶显示面板的结构示意图。如图14所示，液晶显示面 板的主体结构包括对盒的阵列基板100和彩膜基板200，以及设置在阵列基 板100和彩膜基板200之间的液晶层300，在朝向液晶层300的一侧，阵列 基板100的内侧设置有阵列取向膜310，彩膜基板200的内侧设置有彩膜取 向膜320，在背向液晶层300的一侧，阵列基板100的外侧依次设置有阵列 偏光片110和反光膜120，彩膜基板200的外侧设置有彩膜偏光片210。其中， 彩膜基板20G包括彩膜玻璃基板201和设置在彩膜玻璃基板201上的彩色树 脂202和黑矩阵203，其上形成有公共电极。阵列基板100包括阵列玻璃基 板和依次形成在阵列玻璃基板上的发光层、栅电极、栅绝缘层、非晶硅层、 n+非晶硅层、源漏电极层、钝化层和像素电极，阵列基板100的具体结构已 经在图1所示本发明TFT-LCD阵列基板技术方案中介绍，不再赘述。
具体地，阵列取向膜310与彩膜取向膜320 二者的摩擦取向方向相互垂 直，阵列偏光片110与彩膜偏光片210二者的偏振方向相同，且阵列取向膜 310的摩擦:取向方向与阵列偏光片110的偏振方向相同，即彩膜取向膜320 的摩擦取向方向与阵列偏光片110和彩膜偏光片210的偏振方向垂直。反光 膜120设置在阵列偏光片110的外侧，用于将阵列基板100内发光层产生的 光向液晶层方向反射，反光膜120的反射率一般需要大于95 % 。
本发明液晶显示面板的工作原理为当给栅电极施加电流大于5mA的高 电平信号时，高电平信号一方面向阵列基板100提供使液晶层300中液晶分 子偏转的控制信号，液晶层300中液晶分子的长轴方向垂直于阵列基板和彩 膜基板，对阵列偏光片110—侧发出的偏振光没有导向作用，使阵列偏光片 110 —侧发出的偏振光仍然按照原来的偏振方向传播；高电平信号另一方面激发栅电极下面的发光层发光，发光层发出的光线经过阵列玻璃基板后到达
阵列偏光片110,经过阵列偏光片110起偏后到达反光膜120，由反光膜120 反射后再次穿过阵列偏光片110，之后依次穿过阵列基板100的栅绝缘层、 钝化层和像素电极层、阵列取向膜310、液晶层300中的液晶分子、彩膜取 向膜320、公共电极、彩色树脂202、彩膜玻璃基板和偏振方向与阵列偏光片 IIO偏振方向平行的彩膜偏光片210，成为人眼能看到的像素点。此时，由于 其他像素区没有能使该像素区内发光层发光的高电平信号，所以没有图像显 示；同时，由于其他像素区也没有能使该像素区内液晶分子偏转的高电平信 号，彩膜玻璃基板一侧液晶分子的偏转方向与阵列偏光片110的偏振方向垂 直，所以不会透过光线。这样通过驱动电路控制的栅电极反复扫描，使本发 明超薄型液晶显示面板正常工作。
由本发明液晶显示面板上述技术方案可以看出，本发明通过设置可以发 光的阵列基板以及相应的偏光片、反光膜结构，将背光源功能集成在液晶显 示面板内，利用栅电极信号电压控制阵列基板内的发光层发光，通过反射的 方式形成偏振光，为液晶显示面板提供光源，因此最大限度地减小了液晶显 示面板的厚度和重量。同时，本发明上述技术方案改变了现有技术背光源整 体同时发光的控制方式，光源的开启/关闭为栅电极的逐行扫描方式，避免了 光线透过黑色像素区，具有较高的对比度和亮度均勾性。与现有技术相比， 本发明液晶显示面板的厚度只是同类型液晶显示面板的五分之一，简化了制 备工艺，节约了设备和资材成本。
进一步地，反光膜120的外侧还设置有散热组件130。由于阵列基板的 发光层发光时，局部会产生高温，因此本发明在阵列基板的外侧设置散热组 件130。散热组件130可以是金属散热板或散热片等，使发光层产生的热量 能够及时导走，不影响液晶分子的特性。实际使用时，该散热组件可以是紧 贴液晶显示面板的金属外壳。
图15为本发明液晶显示面板的制造方法的实施流程图，具体为分别制备阵列基板和彩膜基板；
在所述阵列基板的内侧形成具有设定摩擦取向方向的阵列取向膜，在所
述彩膜基板的内侧形成具有设定摩擦取向方向的彩膜取向膜； 将所述阵列基板和彩膜基板对盒封装；
在所述阵列基板的外侧依次设置阵列偏光片和反光膜，在所述彩膜基板 的外侧设置彩膜偏光片。
在本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法制备阵列基板的基础上，发明液 晶显示面板的制造方法通过制备彩膜基板、对盒以及设置偏光片和反光膜的 技术方案，最后在液晶显示面板周边组装驱动电路芯片，即可完成超薄型液 晶显示面板的制备。其中，所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相 互垂直，阵列偏光片与彩膜偏光片的偏振方向相同；所述阵列取向膜的摩擦 取向方向与阵列偏光片的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩擦取向方向与 彩膜偏光片的偏振方向相互垂直。
进一步地，为了保证本发明液晶显示面板的正常工作，在所述阵列基板 外侧的反光膜上设置散热组件，通过散热组件使发光层产生的热量能够及时 导走，不影响液晶分子的特性。
应该说明的是，图15所示只是本发明液晶显示面板的制造方法的一个具 体实施例，实际生产中可根据工艺条件适当调整制备次序。例如，也可以先 在阵列基板的外侧依次设置阵列偏光片和反光膜，在彩膜基板的外侧设置彩 膜偏光片，然后将阵列基板和彩膜基板对盒封装。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制， 尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当 理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技 术方案的精神和范围。
权利要求
1. 一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设置有以逐行扫描方式提供光源的发光层，所述发光层上设置有阵列结构。
2. 根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述发光层 为形成在所述玻璃基板上并与所述阵列结构的栅电极形状相同的金属电致发 光材料层。
3. 根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述金属电 致发光材料层为鴒层或鴒合金层。
4. 根据权利要求1 ~ 3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征 在于，所述发光层的厚度为0.25 |um~ 3.4 nm。
5. 根据权利要求1 ~ 3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征 在于，所述阵列结构包括栅电极，形成在所述发光层上；栅绝缘层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个玻璃基板； 非晶硅层，形成在所述栅电极上； n+非晶硅层，形成在所述非晶硅层上； 源漏电极层，形成在所述n+非晶硅层上，并形成沟道区域； 钝化层，形成在所述源漏电极层上，并覆盖整个玻璃基板，其上形成钝 化层过孔；像素电极，形成在所述钝化层上，并通过所述钝化层过孔与所述源漏电 极层中的漏电极连接。
6. —种包含权利要求1 ~ 5中任一权利要求所述TFT-LCD阵列基板的液 晶显示面板，其特征在于，包括与所述阵列基板对盒的彩膜基板，所述阵列 基板的内侧设置有阵列取向膜，外侧依次设置有阵列偏光片和反光膜，所述 彩膜基板的内侧设置有彩膜取向膜，外侧设置有彩膜偏光片。
7. 根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与彩膜偏光片的偏振方 向相同。
8. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列取向膜 的摩擦取向方向与阵列偏光片的偏振方向相同，所述彩膜取向膜的摩擦取向 方向与彩膜偏光片的偏振方向相互垂直。
9. 根据权利要求6、 7或8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列 基板的外侧还设置有散热组件，所述散热组件形成在所述反光膜上。
10. —种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤1、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和金属薄膜，通过光 刻工艺和蚀刻工艺形成形状相同的发光层和栅电极；步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和 n+非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成非晶硅层和 n+非晶硅层；步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀 刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n+非晶硅层，形成沟道区域； 步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积钝化层，并形成钝化层过孔； 步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺 和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极通过所述钝化层过孔与所述源漏电极 层中的漏电极连接。
11. 根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在 于，所述步骤l具体为步骤11、在玻璃基板上依次沉积金属电致发光薄膜和栅金属薄膜； 步骤12、在完成步骤11的玻璃基板1上均匀涂覆光刻胶； 步骤13、通过掩膜板对位和紫外线曝光，使所述光刻胶曝光； 步骤14、经过显影、刻蚀和剥离光刻胶，形成形状相同的发光层和栅电极。
12. 根据权利要求10或11所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特 征在于，所述金属电致发光薄膜为金属鴒薄膜或金属鴒合金薄膜。
13. 根据权利要求10或11所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特 征在于，所述发光层的厚度为0. 25|Lim~3. 4jam。
14. 一种包含权利要求10 ~ 13中任一权利要求所述TFT-LCD阵列基板 的制造方法的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括分别制备阵列 基板和彩膜基板；在所述阵列基板的内侧形成具有设定摩擦取向方向的阵列 取向膜，在所述彩膜基板的内侧形成具有设定摩擦取向方向的彩膜取向膜； 在所述阵列基板的外侧依次形成阵列偏光片和反光膜，在所述彩膜基板的外 侧形成彩膜偏光片。
15. 根据权利要求14所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于， 所述阵列取向膜与彩膜取向膜的摩擦取向方向相互垂直，阵列偏光片与彩膜 偏光片的偏4^方向相同。
16. 根据权利要求14所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于， 所述阵列取向膜的摩擦取向方向与阵列偏光片的偏振方向相同，所述彩膜取 向膜的摩擦取向方向与彩膜偏光片的偏振方向相互垂直。
17. 根据权利要求14、 15或16所述的液晶显示面板的制造方法，其特 征在于，还包括步骤在所述阵列基板外侧的反光膜上设置散热组件。
全文摘要
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板、液晶显示面板及其制造方法，TFT-LCD阵列基板包括玻璃基板，所述玻璃基板上设置有以逐行扫描方式提供光源的发光层，所述发光层上设置有阵列结构。液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板的内侧设置有阵列取向膜，外侧依次设置有阵列偏光片和反光膜，所述彩膜基板的内侧设置有彩膜取向膜，外侧设置有彩膜偏光片。本发明通过在阵列基板上形成发光层结构，将背光源功能集成到阵列基板上，利用栅电极信号控制发光层为液晶显示提供光源，因此最大限度地减小了液晶显示面板的厚度和重量，本发明液晶显示面板的厚度只是同类型液晶显示面板的五分之一，具有较高的对比度和亮度均匀性。
文档编号G03F7/00GK101424846SQ20071017646
公开日2009年5月6日 申请日期2007年10月29日 优先权日2007年10月29日
发明者周伟峰, 星 明, 建 郭, 金基用 申请人:北京京东方光电科技有限公司