薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置的制作方法

专利名称：薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置，尤其是一种 能够防止显示偏差的薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置。
背景技术：
液晶显示装置是一种利用液晶的光学各向异性和可极化性质来显示图 象的平板显示装置。即，液晶显示装置通过控制液晶分子的取向来控制光的 透射。液晶显示装置在显示动态画面的时候往往会产生重影。已经提出增加驱动液晶装置的帧频率到高于60Hz的频率。为了以高于 60Hz的帧频率驱动液晶显示装置，就需要改变液晶显示装置的内部像素结 构。即，在现有技术中，通过一栅极线和一数据线来控制像素的操作。然而， 如上所述，为了以高于60Hz的频率驱动液晶显示装置，在像素区中提供多 个子像素，并且通过多条栅极线和数据线来控制这些子像素。然而，由于这 样会有降低每个像素的充电速率的作用，可能会产生垂直线瑕疵，或者发生由静电引起的故障。 发明内容根据本发明的一方面，通过交替驱动获得点反转，该交替驱动中具有不 同极性的像素电压施加到相邻像素区域中的子像素电极。通过增加漏电极的 像素接触区域，防止由于静电引起的元件故障，所述漏电极连接到形成在一 像素区域内的多个子像素电极。本发明的一个示例性的实施例包括一种薄膜晶体管基板，该基板包括 多条栅极线；多条第一和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一和第二 薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个单元像素区由栅极线、第一数据线 和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一和第二漏电极；多个第一 和第二像素电极，在单元像素区中形成；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极 中的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像 素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另 一个。在该薄膜晶体管基板内，在每个单元像素区中，所述第一和第二漏电极板在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间形成。每个所述单元像素区中连接所述第 一和第二漏电极板中心的中心线同 所述栅极线交叉。该薄膜晶体管基板还可以包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都 与每个所述单元像素区中的所述第 一和第二电极板部分地重叠。在每个单元 像素区中，所述存储电极板形成在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间。在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述第二 漏电极连接到所述第二漏电极板。在与所述一个单元像素区相邻的另 一个单 元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连 接到所述第一漏电极板。所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一 数据线，所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。本发明的一个示例性的实施例包括一显示装置，该显示装置包括多个 单元像素，每个所述单元像素都包括第一像素电容器和第二像素电容器，所 述第 一像素电容器具有第 一像素电极和公共电极，所述第二像素电容器具有 第二像素电极和所述公共电极；多个第一和第二薄膜晶体管，在所述单元像 素中形成，所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极，所述第二薄膜晶体管具有 第二漏电极；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素 电极以及所述单元像素中的一个所述漏电极；以及多个第二漏电极板，每个 所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的另 一个所述 漏电极。在每个所述单元像素中，所述第一和第二漏电极板形成在所述第一 漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。在每个所述单元像素中的所述第一和第二薄膜晶体管分别连接到所述 栅极线中的一个，所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据线，所述第二薄 膜晶体管连接到所述第二数据线。另外，在每个所述单元像素中，连接所述 第一和第二漏电极的中心的中心线与栅极线交叉。多个存储电极板中的每个都与对应的单元像素中的所述第一和第二漏 电极部分地重叠以形成第一和第二存储电容器。在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述第二 漏电极连接到所述第二漏电极板。在一个相邻的像素区中，所述第一漏电极 连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连接到所述第 一漏电极板。一示例性的显示装置包括多条栅极线；多条第一和第二数据线；以及 多个单元像素，每个所述单元像素在一所述栅极线、 一所述第一数据线以及 一所述第二数据线之间形成，并包括第一像素电容器、第二像素电容器、第 一存储电容器、以及第二存储电容器，所述第一像素电容器具有第一像素电 极和公共电极、所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极、所 述第一存储电容器具有第一像素电极和存储电极板，所述第二存储电容器具 有第二像素电极和所述存储电极板。在该显示装置中，所述存储电极板沿长 轴方向的延伸线与所述栅极线相交叉。所述第一存储电容器形成在所述第一像素电极和所述存储电极板之间， 并进一步包括连接到所述第一像素电极的第 一漏电极板，以及所述第二存储 电容器形成在所述第二像素电极和所述存储电极板之间，并进一步包括连接 到所述第二像素电极的第二漏电极板。该显示装置还可以包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管，每 个所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极，每个所述第二薄膜晶体管具有第二 漏电极。在每个所述单元像素中，所述第一漏电极的一部分延伸连接到所述 第一和第二漏电极板中的一个，所述第二漏电极的一部分延伸连接到所述第 一和第二漏电极板中的另外一个，且所述第一和第二漏电极形成在所述第一 和第二漏电极的延伸部分之间。在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述 第二漏电极连接到所述第二漏电极板。在一个相邻的像素区中，所述第一漏 电极连接到所述第二漏电极板，所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。一示例性的制造显示装置的方法包括在透明基板上形成多条栅极线、 多个第一和第二栅电极以及多个存储电极板，所述存储电极板沿长轴方向的 延伸线与所述栅极线交叉；在整个结构上形成栅电极绝缘膜；在第一和第二 栅电极上形成有源层；形成与所述栅极线交叉的多条第一和第二数据线，在 所述第一栅电极上形成多个第一源电极和多个第一漏电极，在所述第二栅电 极上形成多个第二源电极和多个第二漏电极，并在所述存储电极板上形成多 个第 一和第二漏电极板，使得所述第一漏电极板连接到所述第一和第二漏电极中的一个，所述第二漏电极板连接到所述第一和第二漏电极中的另一个，并且连接所述第一和第二漏电极板的中心的中心线与栅极线交叉；在整个结 构上形成保护膜，该保护膜包括多个第一像素接触孔和多个第二像素接触 孔，所述第一像素接触孔使所述第一漏电极板的部分露出，所述第二像素接 触孔使所述第二漏电极板的部分露出；以及在保护膜上形成多个第一像素电 极和多个第二像素电极，所述第一像素电极通过所述第一像素接触孔连接到 所述第一漏电极板，所述第二像素电极通过所述第二像素接触孔连接到所述 第二漏电极才反。一示例性的薄膜晶体管基板包括多条栅极线；多条第一和第二数据线， 与所述栅极线交叉；多个第一和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，并 分别具有第一和第二漏电极，所述单元像素区由一栅极线、 一第一数据线和 一第二数据线确定；多个第一和第二像素电极，形成在所述单元像素区内； 多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到所述第一像素电极以及所 述单元像素区中所述第一和第二漏电极中的一个；以及多个第二漏电极板， 每个所述第二漏电极板连接到所述第二像素电极以及所述单元像素区中所 述第一和第二漏电极中的另一个。在每个所述单元像素区中，所述第一和第 二漏电极板形成在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间，并且连接所述第 一和第二漏电极中心的中心线与所述栅极线交叉。在每个所述单元像素区中，所述第一和第二漏电极板沿垂直方向设置。在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，所述 第二漏电极连接到第二漏电极板。在一个相邻的像素区中，所述第一漏电极 连接到第二漏电极板，所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。该薄膜晶体管基板还包括多个存储电极板，每个所述存储电极板沿垂 直方向延伸以与每个所述单元像素区中的所述第一和第二漏电极板部分地 重叠。


图1是根据本发明一示例性实施例的显示装置的平面示意图；图2和3是沿图1中的A-A线获取的横截面示意图；图4和5是沿图1中的B-B线获取的横截面示意图；图6是根据本发明一示例性实施例，用于交替驱动的薄膜晶体管基板的平面示意图；图7是说明根据该示例性实施例的显示装置的交替驱动的示意图； 图8和9是根据本发明的修改的薄膜晶体管基板的平面示意图； 图10至13是说明根据本发明的一示例性实施例，薄膜晶体管基板的制 造过程的示意图。
具体实施方式
在附图中，对层、薄膜、面板、区域等的厚度都进行放大以使它们看起 来更清楚，并且相同的附图标记表示相同的部件。同样，当描述诸如层、薄 膜、区域或基板等的部件被称为在另一部件的"上"时，它可以直接在该另 一元件上，或者在其间也可以存在中间元件。图1是根据本发明的一示例性实施例的显示装置的平面示意图，图2和 图3是沿图1中的A-A线获取的横截面示意图，图4和5是沿图1中的B-B 线获取的横截面示意图。图6是根据本发明一示例性实施例，用于交替驱动 的薄膜晶体管基板的平面示意图，图7是说明根据本发明的一示例性实施例， 显示装置的交替驱动的示意图。图8和9是根据本发明的修改的薄膜晶体管 基板的平面示意图。参考图1至图9，根据本发明的一示例性实施例的显示装置包括薄膜 晶体管基板1000，其是下基板；公共电极基板2000,其是设置为面对基板 IOOO的上基板；以及设置在两个基板之间的液晶层(未示出)，该液晶层的 液晶分子取向为相对于两个基板的期望的方向。在上基板和下基板中每一个 的表面上，提供取向膜(未示出)对液晶层的液晶分子进行取向。优选的是， 液晶层的液晶分子相对于基板垂直地取向。然而，本发明不限制于此。该薄膜晶体管基板1000包括一透射绝缘基板100，以及设置在透射绝缘 层100的上的多条栅极线110、多条第一和第二数据线130a和130b、多个 第一和第二像素电极170a和170b、多个第一薄膜晶体管120a、多个第二薄 膜晶体管120b以及多条存储线140。栅极线110传送栅电极信号，并布置在 沿第二方向的预定间隔上以第一方向延伸。第一和第二数据线130a和130b 与^f册极线110交叉地形成。第一和第二像素电极170a和170b形成在像素区中，该像素区由栅极线 110以及第一数据线130a和第二数据线130b确定。第一薄膜晶体管120a连接到第一数据线130a和栅极线110，第二薄膜晶体管120b连接到第二数据 线130b和栅极线110。存储线140以平行于栅极线110的方向延伸，穿过第 一和第二像素电极170a和170b。在每个像素区中，第一薄膜晶体管120a和第二薄膜晶体管120b中的每 个都连接到第一像素电极170a或者第二像素电极170b。更特别地，在每个 像素区中，当第一薄膜晶体管120a连接到第一像素电极170a时，第二薄膜 晶体管120b连接到第二像素电极170b，当第一薄膜晶体管120a连接到第二 像素电极170b时，第二薄膜晶体管120b连接到第一像素电极170a。每条栅极线IIO都基本上沿水平方向延伸，并且每条栅极线110的一些 部分向上和/或向下突出以形成上述第一和第二晶体管120a和120b的栅电极 121a和121b。在每条栅极线110的末端，形成用于连接到外部电路的栅电 极接触垫(未示出)。栅极线110可以以单层结构或二层或多层的多层结构 形成。当栅极线110以包括二层或多层的多层结构形成时，优选的其中一层 可以采用低电阻材料形成而其他层可以采用具有与其他材料的良好接触性 质的材料形成。上述多层结构举例来说包括由Cr层和Al (或Al合金)层形 成的二层结构，以及由Al (或Al合金)层和Mo层形成的二层结构。另外， 栅极线110可以采用任意的各种金属或导电材料来形成。第一和第二数据线130a和130b基本上沿垂直方向延伸并形成对。在一 对第一和第二数据线130a和130b之间，设置有多个第一和第二像素电极 170a和170b的一部分。每条数据线130a的一些部分突出，使得每一个突出 部形成第一薄膜晶体管120a的源电极125a。每条数据线130b的一些部分突 出，使得每一个突出部形成第二薄膜晶体管120b的源电极125b。在每条第 一和第二数据线130a和130b的末端都形成数据接触垫(未示出)。第一和 第二数据线130a和130b可以以单层结构或者具有不同物理特性的二层或多 层的多层结构形成。当第一和第二数据线130a和130b以二层或多层的多层结构形成时，优 选的是其中一层以低电阻层材料形成以减小数据信号的延迟或电压的衰减，和第二数据线130a和130b在附图中示出的都是直线形，第一和第二数据线 130a和130b可以具有一些弯曲部分。当第一和第二lt据线130a和130b具 有一些弯曲部分时，第一和第二像素电极170a和170b可以沿第一和第二数据线130a和130b的弯曲部分形成。每条存储线140包括多个存储电极板141以及存储电极线142,该存储 电极板141与第一和第二像素电极170a和170b部分重叠，该存储电极线142 连接到存储电极板141并沿与棚-极线110的延伸方向相同的方向延伸。该存 储线140由与槺极线IIO相同的材料制成，并与数据线IIO—起同时构图。 优选地，每条存储线140的一个末端都连接至公共电压源Vcom。在一个像素区中，从两个4册电极121a和121b中每一个的内表面开始， 延伸线沿对应的栅电极突出的方向延伸。该存储电极板141优选地形成在两 条延伸线之间，具有基本上矩形的形状。该存储电极板141以基本上矩形的110延伸的方向)相交叉的方向延伸。在这种情况下，优选地，该存储电极 板141的长边的延伸方向垂直于存储电极线142的延伸方向。更进一步地， 优选该存储电极板141设置在像素区的中央部分上。但该示例性实施例并不 限于此。还有可能该存储电极板141沿存储电极板141长边的延伸方向的延伸线 与存储电极线142的延伸方向以预定的角度相交叉，如图8所示。优选地， 该预定角度在0。和90°的范围内。还有，该存储电极板141可以设置在与 栅极线110相邻的区域中，如图8所示。更进一步地，该存储电极板141可 以形成为圓形，如图9所示。举例来说，除了可以形成为圓形外，该存储电 极板141也可以形成为多边形、半圆形、椭圓形或者半椭圓形。如图1所示，存储电极板141的上部与第二像素电极170b部分重叠以 构成第二存储电容器。在第二像素电极170b和存储电极板141之间提供有 第二漏电极板150b,该第二漏电极板150b通过第二像素接触孔162连接至 第二像素电极170b。可以通过第二漏电极板150b提高第二存储电容器的静 电电容。同时，该存储电极板141的下部可以与第一像素电极170a部分重 叠以形成第一存储电容器。在第一像素电极170a和存储电极板141之间提供第一漏电极板150a， 该第一漏电极板150a通过第一像素接触孔161连接至第一像素电极170a。 可以通过第一漏电极板150a提高第一存储电容器的静电电容。第一存储电 容器的静电电容和第二存储电容器的静电电容可以通过调整第一漏电极板 15 0a与存储电极板141的重叠区域以及第二漏电极板15 0b与存储电极板141的重叠区域来控制。如图1所示，第一漏电极板150a的一部分可以延伸到从第一像素电极 170a分出的区域(一狭缝图案区域)以与存储电极板141重叠，第二漏电极 板15Ob的 一部分可以延伸到从第二像素电极170b分出的空间以与存储电极 板141重叠。但本发明并不限于此。如图6所示，存储电极板141的上部可 以与第一像素电极I70a重叠，而存储电极板141的下部可以与第二像素电 极170b重叠。该第一薄膜晶体管120a包括第一栅电极121a、第一源电极125a以及第 一漏电极126a，第二薄膜晶体管120b包括第二^^电极121b、第二源电极125b 以及第二漏电极126b。第一漏电极126a的一部分延伸连接至第一漏电极 150a,第二漏电极126b的一部分延伸连接至第二漏电极150b。第一和第二 源电极125a和125b、第一和第二漏电极126a和126b，以及第一和第二漏 电极板150a和150b都采用与第一和第二数据线130a和130b相同的材料形 成，并且与第一和第二数据线130a和130b—起同时构图。通过使数据线130a的一部分突出，以使突出部的末端定位在第一栅电 极121a上来形成该第一源电极125a。通过使数据线130a的一部分突出，以 使突出部的末端定位在第二栅电极121b上来形成该第二源电极125b。该第一漏电极126a从第一栅电极121a的上侧延伸连接至第一漏电极板 150a。如图1所示，第一漏电极126a包括第一延伸部126a-l和第二延伸部 126a-2,该第一延伸部126a-l与第一数据线130a相邻并且延伸方向与第一 数据线130a的延伸方向相同，该第二延伸部126a-2乂人第一延伸部126a-1向 第一漏电极板150a延伸。第二漏电极126b从第二4册电极121b的上侧延伸 连接至第二漏电极板150b。如图1所示，第二漏电极126b包括第一延伸部 126b-l和第二延伸部126b-2，该第一延伸部126b-l与第二数据线130b相邻 并且延伸方向与第二数据线130b的延伸方向相同，该第二延伸部126b-2从 第一延伸部126b-l向第二漏电极板150b延伸。该第一漏电极板150a在第一像素电极170a下以^反状形成，该第二漏电 极板150b在第二像素电极170b下以板状形成。优选地，该第一和第二漏电极板150a和150b在第一漏电极126a的第 一延伸部126a-l及其虛拟延伸线和第二漏电极126b的第二延伸部126b-l及 其虛拟延伸线之间形成。这时，优选地，第二漏电极板150b定位于第一漏电极板150a的上侧，如图1所示。即，优选连接第一和第二漏电极板150a 和150b的中心的中心线与栅极线110交叉。进一步优选地，如图1和图6 所示，中心线和栅极线110相互垂直。如图8和图9所示，中心线可以以预 定角度与栅极线110交叉。该示例性实施例并不限于此。如图6和图8所示，第一漏电极板150a可以位于第二漏电极板150b的 上侧。同时，如图6、 8、 9所示，在像素区中，第一漏电极126a可连接至 第二漏电极板150b,第二漏电极126b可连接至第一漏电极板150a。在相邻 的像素区中，第一漏电极126a可连接至第一漏电极板150a，第二漏电极126b 可连接至第二漏电极板150b。优选地，第一和第二漏电极板150a和150b 以基本矩形的形状制造。但该实施例不限于此。如图9所示，该第一和第二 漏电极板150a和150b可以形成为圆形。另外，除了形成为圓形，该第一和 第二漏电极板150a和150b也可以形成为多边形、半圓形、椭圓形或者半椭 圆形。根据该示例性实施例，可以防止由于静电导致的器件的损坏，并且可以 进行能够对像素区中相邻的第 一和第二像素电极170a和170b施加不同电压 的交替驱动。如上所述，由于第一和第二漏电极126a和126b分别连接至第一和第二 漏电极板150a和150b,可以防止由于静电导致薄膜晶体管120a和120b的 损坏。在该显示装置的生产过程中，该薄膜晶体管120a和120b的漏电极126a 和126b处于未固定金属接线的形式，该未固定金属接线不与外部导线相连 接。因此，当漏电极连接至外部导线时或者在执行生产过程(例如等离子体 处理过程)中，电荷就会存储在未固定金属里。当所存储的电荷量超过未固 定金属所能存储的电荷量(即，阈值)时，就会发生静电放电，导致未固定 金属和与它相邻的金属之间的绝缘体被击穿。这种绝缘体的击穿损坏器件。当未固定金属的尺寸小时，该未固定金属所能存储的电荷量也小并容易 发生静电放电。然而当未固定金属的尺寸大时，该未固定金属所能存储的电 荷量也较大从而有可能防止静电放电。因此，在该示例性实施例中，通过增 加薄膜晶体管120a和120b的漏电极126a和126b与漏电极板150a和150b 之间的接触面积，就有可能防止由于漏电极126a和126b引起的静电放电。在该示例性实施例中，在一个像素区中，提供有两个像素电极170a和 170b并利用不同的像素信号进行充电。第一和第二薄膜晶体管120a和120b响应于提供给栅极线110的信号，将提供给第一和第二数据线130a和130b 的第一和第二像素信号(灰度电压)分别提供给第一和第二像素电极170a 和170b。即，如上所述，在一个像素区中，第一像素电极170a通过第一薄 膜晶体管120a以第一数据线130a的第一像素信号进行充电，第二像素电极 170b通过第二薄膜晶体管120b以第二数据线130b的第二像素信号进行充 电。在与该一个像素区相邻的另一个像素区中，第一像素电极170a通过第 二薄膜晶体管120b以第二数据线130b的第二像素信号进行充电，第二像素 电极170b通过第一薄膜晶体管120a以第一数据线130a的第一像素信号进 行充电。采用这种方式，可以交替驱动显示装置。在第一和第二薄膜晶体管120a和120b以及第一和第二数据线130a和 130b上形成绝缘保护薄膜160。该保护膜160可以采用无机材料形成，比如 氮化硅或氧化硅，或者采用具有低介电常数的有机材料形成。在绝缘保护膜 160中形成第一和第二接触孔161和162以使第一和第二漏电极板150a和 150b的部分露出。该第一和第二像素电极170a和170b形成在保护膜160上。该第一像素电极170a为弯曲带状，并大致具有相对于将该像素区平分 为上下两个相等部分的线的镜像对称性。如图1所示，该第一像素电极170a 包括从像素区的左上部延伸到像素区的中心右侧区域的第一带、从像素区的 左下部延伸到像素区的中心右侧区域的第二带，以及在像素区的中心右侧区 域连接第一带和第二带的第三带。第一像素电极170a以大致V型构造。优 选地，第一和第二带中的每一个相对于栅极线110的倾斜角度是大约45。。 然而，倾斜的角度并不限制于此，而是可以变化。该第二像素电极170b以围绕在第一像素电极170a周围的大致V型形 成，并具有镜像对称性。该第二像素电极170b包括在第一像素电极170a的 第 一带和第二带之间的第一板、在第 一带的上部区域中的连接到第 一板的第 二板、以及在第二带的下部区域中的连接到第一和第二板的第三板。如图1和图9所示，在第一像素电极170a的第二带区域中提供有第一 漏电极板150a,在第二像素电极170b的第一板区域中提供有第二漏电极板 150b。但本发明不限于此。如图6所示，可以在第一像素电极170a的第一 带区域中提供第一漏电极板150a。如图8所示，也可以在第二像素电极170b 的第三板区域中提供第二漏电极板150b。该第一和第二像素电极170a和170b相互分开，并且优选地具有多个狭 缝图案171作为控制液晶取向的范围限制单元(domain restricting unit)。但 本发明不限于此。第一和第二像素电极170a和170b可以具有各种范围限制 单元。公共电极基板2000包括利用透明绝缘材料比如玻璃制成的绝缘基板 200;多个红、绿、蓝滤色器220以及形成在绝缘基板200的下表面上以防 止相邻的像素区之间的光泄漏和光干扰的黑矩阵210;以及滤色器220上利 用有机材料制成的覆盖膜230。在覆盖膜230上，形成有利用透明导电材料 比如ITO或IZO制成的公共电极240。该公共电极240具有如图2和4所示 的多个突出图案241,或者如图3和5所示的多个的狭缝图案242。在该示 例性夷施例中，如图l所示，多个突出图案241或狭缝图案242在平分第一 和第二像素电极170a和170b的位置处形成。第一和第二像素电极170a和170b的狭缝图案171以及公共电极240的 突出图案241或者狭缝图案242作为对液晶进行划分和取向的范围限制单 元。这些范围限制单元可以提供在第一和第二像素电极170a和170b和/或公 共电极240内。在第一和第二像素电极170a和170b与公共电极240之间提 供有第一和第二子像素电容器。这样，就可以在一个像素区中形成具有两个 子像素电容器的单元像素。其间夹有液晶层的薄膜晶体管基板1000和公共电极基板2000相互结 合，形成根据本发明示例性实施例的显示装置的基本面板，其中在一个单元 像素中提供有第一和第二子像素。优选地，该显示装置在上下基板之间具有 的液晶具有负型介电常数各向异性(negative type dielectric constant anisotropy)，并且该显示装置使液晶垂直取向。但本发明不限于此。比如偏 振板、背光以及补偿板的部件可以设置在显示装置的基本面板的两面上。将在下面描述具有多个单元像素的显示器的操作，如上所述每个单元像 素在对应的像素区中具有第一和第二子像素电容器。当第一和第二灰度电压施加到单元像素中的第一和第二像素电极170a 和170b时，施加有公共电压Vcom的公共电极240与第一和第二像素电极 170a和170b之间产生电势差。该电势差使在薄膜晶体管基板1000和公共电 极基板2000之间的液晶由于介电常数各向异性而被转动，这样就可以控制 从光源(未示出)入射穿过像素电极170a和170b的光量，并且光朝向公共上提供的滤色器220,从而显示所期望的色彩。下面集中于将灰度信号施加到薄膜晶体管基板1000的第一和第二像素 电极170a和170b的方面来描述显示装置的交替驱动(点反转驱动)。从外部输入的栅电极开启电压顺序地提供至多条栅极线110，多个灰度电压提供至第一和第二数据线130a和130b。当将栅电极开启电压提供至栅 极线110时，连接到对应的栅极线110的多个第一和第二薄膜晶体管120a 和120b被打开。因此，连接到第一薄膜晶体管120a的第一数据线130a上 的第一灰度信号就施加到连接到第一薄膜晶体管120a的第一像素电极170a 或第二像素电极170b。同时，连接到第二薄膜晶体管120b的第二数据线130b 上的第二灰度信号也施加到连接到第二薄膜晶体管120b的第一像素电极 170a或第二像素电极170b。下面将更具体地进行描述。如图6所示为两个相邻的像素单元区图形。 将设置在图6左边的像素区图形称为第一像素区图形，将设置在图6右边的 另 一个像素区图形称为第二像素区图形。当将栅电极开启电压提供至栅极线110,第一和第二薄膜晶体管120a 和120b被打开。这样，第一像素区图形的第一和第二像素电极170a和170b 分别电连接到第一和第二数据线130a和130b。第二像素区图形的第一和第 二像素电极170a和170b分别电连接到第二和第一数据线130b和130a。即， 第一像素区图形的第一和第二像素电极170a和170b与第一和第二数据线 13 Oa和13 Ob之间的电连接关系相反于第二像素区图形的第 一和第二像素电 极170a和170b与第一和第二数据线130a和130b之间的电连接关系。显示装置进行线反转驱动，即，反转相邻数据线的信号的极性的驱动。 当显示装置的帧频高于60Hz(比如120Hz)时，数据线的负荷增加，因此 点反转驱动是不可行的。但在该示例性实施例中，如上所述，通过改变相邻 像素区中第一和第二数据线130a和130b与第一和第二像素电极170a和170b 之何的连接关系，就可以获得点反转的驱动效果。因此，就可以防止产生垂 直线瑕疯。如图7所示，当栅电极开启电压施加到第一栅极线Gl时，连接 到第一栅极线Gl的多个薄膜晶体管120a和120b被打开。因此，第一数据 线上的正极性的第一灰度信号第一 Dl-a施加到第一像素区中的第一像素电 极170a,第二数据线上的负极性的第二灰度信号第一Dl-b施加到第一像素区中的第二像素电极170b。第一数据线上的正极性的第一灰度信号第二 D2-a施加到第二像素区中 的第二像素电极170b，第二数据线上的负极性的第二灰度信号第二D2-b施 加到第二像素区中的第一像素电极170a。第一数据线上的正极性的第三灰度 信号D3-a施加到第三像素区中的第一像素电极170a，第二数据线上的负极 性的第二灰度信号第三D3-b施加到第三像素区中的第二像素电极170b。因此，第一像素区中的第一像素电极170a利用正极性电压充电，而与 第 一像素区相邻的第二像素区中的第 一像素电极170a利用负极性电压充电。 进一步地，第一像素区中的第二像素电极170b利用负极性电压充电，而与 第 一像素区相邻的第二像素区中的第二像素电极170b利用正极性电压充电。 如上所述，相邻像素区中的像素电极170a利用具有不同电压电平的灰度电 压进行充电，类似地，相邻像素区中的像素电极170b也利用具有不同电压 电平的灰度电压进行充电。这样就可以进行点反转驱动，从而可以防止产生 垂直线瑕疯。此外，在该示例性实施例中，由于第一和第二薄膜晶体管120a和120b 同时开启或关闭，这就可以在一个时间段1H内同时向第一和第二像素电极 170a和170b提供第一和第二灰度信号。这样，即使帧频提高了，还是可以 确保有足够的时间利用第一和第二灰度电压对第一和第二像素电极170a和 170b进行充电。下面将描述按照本发明的示例性实施例，形成具有上述结构和效果的显 示装置的薄膜晶体管基板的方法。图10至13是按照本发明示例性实施例的形成薄膜晶体管基板的过程的 示意图。参考图10,在透明绝缘基板IOO上形成一第一导电膜，并将其构图以形 成栅极线110、第一和第二栅电极121a和121b、以及包括存储电极板141 和存储电极线142的存储线140。优选地，该第一导电膜采用Cr、 MoW、 Cr/Al、 Cu、 Al(Nd)、 Mo/Al、 Mo/Al(Nd)、 Cr/Al(Nd)以及Mo/Al/Mo中的至少一种材料形成。但本发明不 限于此。如上所述，该第一导电膜可以采用Al、 Nd、 Ag、 Cr、 Ti、 Ta和 Mo中的至少一种金属材料或者由上述材料制成的合金来形成单层或多层结 构。即，该第一导电膜可以是双层或三层结构，举例来说，该双层或三层结构包括具有良好物理和化学特性的Cr、 Ta、 Ti和Mo形成的金属层以及具有 低电阻率的铝基金属层或银基金属层。在绝缘基板的整个表面上形成第一导 电膜之后，覆盖一层感光薄膜。接着，利用第一感光薄膜掩膜进行光刻方法 形成第 一感光薄膜掩膜图案。利用第 一感光薄膜掩膜图案作为蚀刻掩膜进行 蚀刻工艺以形成栅极线110、多个第一和第二栅电极电极121a和121b、以 及与栅极线110—致地水平延伸的存储线140，如图IO所示。然后，执行预 定的剥离工艺去除第一感光薄膜掩膜图案。每条栅极线110形成为穿过多个像素区。在每个像素区中形成第一和第 二栅电极121a和121b以及存储线140的存储电极板141。在单个的像素区 中提供的存储电极板141通过存储电极线142连接。栅极线110和存储电极 线142沿水平方向延伸。存储电极板141形成为板状，与存储电极线142的 延伸方向相交叉地延伸。参考图11，在其上形成有栅极线110的基板100上顺次形成栅极绝缘膜 122、用于有源层的薄膜、以及用于欧姆接触层的薄膜，对用于有源层的薄 膜层和用于欧姆接触层的薄膜层进行构图以形成第 一 和第二薄膜晶体管的 有源区，该有源区包括有源层123a和123b以及欧姆接触层124a和124b。 优选地，该栅极绝缘膜122采用无机绝缘材料形成，比如氧化硅或氮化硅。 采用非晶硅层作为用于有源层的薄膜，利用以硅化物或N型杂质重掺杂的非 晶硅层作为用于欧姆接触层的薄膜。即，在基板100上顺次形成栅极绝缘膜122、用于有源层的薄膜以及用 于欧姆接触层的薄膜之后，在用于欧姆接触层的薄膜上覆盖一层感光薄膜， 并利用第二掩膜进行光刻方法形成第二感光薄膜掩膜图案。利用第二感光薄 膜掩膜图案作为蚀刻掩膜并将栅极绝缘膜122设置为蚀刻停止层来进行蚀刻 工艺，在第一和第二电极121a和121b上形成包括欧姆4妄触层124a和124b 以及有源层123a和123b的有源区域。参考图12，在其上形成有第一和第二薄膜晶体管的有源区的整个结构上 形成第二导电薄膜之后，进行构图工艺以形成多个第 一和第二数据线13 0a 和130b、多个第一和第二源电极125a和125b、多个第一和第二漏电极126a 和126b、以及与存储电极板141重叠的多个第一和第二漏电极板150a和 150b。在每个单元像素区中，第一和第二漏电极126a和126b形成为使得第 一和第二漏电极126a和126b中的一个连接到第一和第二漏电极板150a和150b中的一个，另一个漏电极连接到第一和第二漏电极板150a和150b中的另一个。优选地，采用Mo、 Al、 Cr和Ti中的至少一种形成的单层或多层金属层 作为第二导电膜。该第二导电膜可以用与第一导电层相同的材料形成。然后， 在第二导电膜上覆盖感光薄膜，并利用掩膜进行光刻工艺形成第三感光薄膜 掩膜图案。接下来，利用第三感光薄膜掩膜图案作为蚀刻掩膜进行蚀刻工艺 对第二导电层进行蚀刻处理，使得第一和第二数据线130a和130b形成在每 个像素区的两边并且垂直于栅极线110，并且使得第一和第二源电极125a 和125b以及第一和第二漏电极126a和126b形成在第一和第二栅电极121a 和121b上。进行蚀刻处理将源电极125a和125b与漏电极126a和126b之间露出的 电阻接触层124a和124b去除，这样就在源电极125a和125b与漏电极126a 和126b之间形成了第一和第二薄膜晶体管120a和120b，该第一和第二薄膜 晶体管120a和120b具有由有源层123a和123b构成的沟道。第一和第二漏电极126a和126b从第一和第二栅电极121a和121b的上 边延伸连接到第一和第二漏电极板150a和150b。进行构图工艺，使得第一 和第二漏电极板150a和150b形成在从第一和第二栅电极121a和121b的内 表面延伸的虛拟延伸线之间。该第一和第二漏电极板150a和150b可以在沿 第 一和第二漏电极126a和126b的延伸方向延伸的虚拟延伸线之间形成，其 中第一和第二漏电极126a和126b从第一和第二4册电极121a和121b的上边 延伸。在这种情况下，优选地，第一和第二漏电极板150a和150b以垂直方 向设置。可选择地，可以将第一和第二漏电极板150a和150b构图为连接第 一和第二漏电极板150a和150b的中心的线与栅极线110交叉。而且，如上所述， 一个像素区中的第一漏电极板150a连接到第一漏电 极126a，而在该一个像素区中的第二漏电极板150b连接到第二漏电极126b。 进一步地，在与该一个像素区相邻的另一个像素区中的第一漏电极板150a 连接到第二漏电极I26b，在该另一个像素区中的第二漏电极板150b连接到 第一漏电极126a。在具有上述结构的显示装置中，在两个相邻的像素区中的 一个像素区中，第一漏电极板150a连接到第一漏电极126a,第二漏电极板 150b连接到第二漏电极126b,而在另一个像素区中，第一漏电极板150a连 接到第二漏电极126b，第二漏电极板150b连接到第一漏电极126a。因此，该显示装置可以执行点反转驱动。而且，漏电极126a和126b连接至大尺寸 板状的漏电极板150a和150b,从而防止由于静电引起的元件的损坏。而且， 通过使漏电极板150a和150b与存储电极板141相重叠，可以增加存储电容 器的静电电容。参考图13，在其上形成有第一和第二薄膜晶体管120a和120b、和与第 一和第二薄膜晶体管120a和120b相连接的第一和第二漏电极板150a和150b 的基板IOO上形成保护膜160。然后，利用第四感光薄膜掩膜图案进行蚀刻 处理将保护膜160的一部分去除，这样就形成了第一和第二像素接触孔161 和162，该第一和第二像素接触孔161和162使第一和第二漏电极板150a 和150b的部分露出。然后，在其中形成有第一和第二像素接触孔161和162的保护膜160上 形成第三导电膜，并利用第五感光薄膜掩膜图案(未示出)进行构图工艺以 形成具有预定狭缝图案171的第一和第二像素电极170a和170b。优选地，采用包括ITO (氧化铟锡)或IZO (氧化铟锌)的透明导电膜 作为第三导电膜。该第一像素电极170a通过第一像素接触孔161连接到第 一漏电极板150a，第二像素电极170b通过第二像素接触孔162连接到第二 漏电极板150b。通过上述工艺过程，在由栅极线110以及第一和第二数据线130a和130b 所确定的每个单元像素区内形成了包括相互电绝缘的第 一和第二像素电极 170a和170b的两个子像素。在如前所述形成第一和第二4象素电极140a和140b后，就在整个结构上 形成了第一取向膜(未示出)。这样，下基板，即薄膜晶体管基板就制作完 成了。通过在透明绝缘基板上顺次形成黑矩阵、滤色器、覆盖膜、突出图案、 透明公共电极、以及第二取向膜(未示出)来制作公共电极基板。然后，如 前所述所制造的该薄膜晶体管基板和该公共电极基板彼此粘合在一起，在它 们之间夹有间隔物(未示出)。接下来，利用真空注射方法将液晶物质注入 由上述间隔物形成的空间内，从而形成液晶层。这样，根据本发明示例性实 施例的液晶显示装置就制作完成了 。在上述示例性实施例中，该薄膜晶体管基板通过利用五块掩膜的工艺来 形成。然而，本发明不限于此。该薄膜晶体管基板可以通过利用六块或更多的掩膜、或四块或更少掩膜的工艺来形成。如前所述，根据本发明，在形成有第一和第二像素电极的单元像素区中， 形成第 一和第二漏电极板来连接到薄膜晶体管的第 一和第二漏电极。因此， 可以防止由于静电放电导致的元件损坏。而且，根据本发明，在两个相邻像素区中的一个像素区中，第一薄膜晶 体管连接到第一漏电极，第二薄膜晶体管连接到第二漏电极，而在另一个像 素区中，第一薄膜晶体管连接到第二漏电极，第二薄膜晶体管连接到第一漏 电极。因此，可以通过线反转驱动获得点反转驱动效果。进一步地，根据本发明，在每个像素区中，第一和第二漏电极板设置在 第一和第二薄膜晶体管沿垂直方向的延伸线之间。因此，就可以容易地将第 一和第二薄膜晶体管连接到第 一或第二漏电极板。已经通过上面示例性的实施例和相关附图对本发明进行了详细的说明。 然而，本发明不限于此而以权利要求为准。因此，本领域技术人员可以理解， 在不脱离本发明的精神和范围内，可以做出各种修改和改变。
权利要求
1.一种薄膜晶体管基板，包括多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个所述单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一漏电极和第二漏电极；多个第一像素电极和第二像素电极，在所述单元像素区中形成；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个，其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间形成。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中每个单元像素区中连接所述第一漏电极板和第二漏电极板中心的 中心线同所述栅极线交叉。
3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都与每个单元像素区中的所述第 一电极板和第二电极板部分地重叠。
4. 如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中在每个单元像素区中，所述存储电极板形成在所述第一漏电极和第 二漏电极的延伸部分之间。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板， 且所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，并且在与所述一个单元像素区相邻的另 一个单元像素区中，所述第 一漏电极 连接到所述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。
6. 如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一数据线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。
7. —种显示装置，包括多个单元像素，每个所述单元像素都包括第 一像素电容器和第二像素电 容器，所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共电极，所述第二像素电 容器具有第二像素电极和所述公共电极；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在所述单元像素中形成，所述 第一薄膜晶体管具有第一漏电极，且所述第二薄膜晶体管具有第二漏电极；多个第 一漏电极板，每个所述第 一漏电极板连接到各自的像素电极以及 所述单元像素中的所述漏电极的一个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的所述漏电极的另 一个，其中，在每个所述单元像素中，所述第一漏电极板和第二漏电极板形成 在所述第 一 漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。
8. 如权利要求7所述的显示装置，其中在每个所述单元像素中的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管 分别连接到所述栅极线中的一个，所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据 线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述第二数据线。
9. 如权利要求8所述的显示装置，其中，在每个所述单元像素中，连接所述第一漏电极和第二漏电极的中 心的中心线与所述栅极线交叉。
10. 如权利要求7所述的显示装置，还包括多个存储电极板，每个所述存储电极板都与对应的单元像素中的所述第 一漏电极和第二漏电极部分地重叠以形成第一存储电容器和第二存储电容 器。
11. 如权利要求7所述的显示装置，其中，在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且 所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，且在与所述一个像素区相邻的另 一个像素区中，所述第 一漏电极连接到所 述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。
12. —种显示装置，包括: 多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线；以及多个单元像素，每个所述单元像素在一栅极线、 一第一数据线以及一第 二数据线之间形成，并包括第一像素电容器、第二像素电容器、第一存储电 容器、以及第二存储电容器，所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共 电极，所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极，所述第一存 储电容器具有所述第一像素电极和存储电极板，且所述第二存储电容器具有 所述第二像素电极和所述存储电极板，
13. 如权利要求12所述的显示装置，其中所述第一存储电容器形成在所述第一像素电极和所述存储电极板 之间，并进一步包括连接到所述第一像素电极的第一漏电极板，以及所述第二存储电容器形成在所述第二像素电极和所述存储电极板之间，并进一步包括连接到所述第二像素电极的第二漏电极板。
14. 如权利要求13所述的显示装置，还包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管，每个所述第一薄膜晶体管 具有第一漏电极，每个所述第二薄膜晶体管具有第二漏电极，其中，在每个所述单元像素中，所述第一漏电极的一部分延伸连接到所 述第一漏电极板和第二漏电极板中的一个，所述第二漏电极的一部分延伸连 接到所述第 一漏电极板和第二漏电极板中的另夕|、一个，且所述第 一漏电极板 和第二漏电极板形成在所述第 一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间。
15. 如权利要求13所述的显示装置，其中，在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且 所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，以及在与所述一个像素区相邻的另 一个像素区中，所述第 一漏电极连接到所 述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。
16. —种制造显示装置的方法，包括在透明基板上形成多条栅极线、多个第 一栅电极和第二栅电极以及多个 存储电极板，所述存储电极板沿长轴方向的延伸线与所述栅极线交叉； 在整个结构上形成栅极绝缘膜； 在所述第 一栅电极和第二栅电极上形成有源层；形成与所述栅极线交叉的多条第一数据线和第二数据线，在所述第一栅电极上形成多个第一源电极和多个第一漏电极，在所述第二栅电极上形成多 个第二源电极和多个第二漏电极，并在所述存储电极板上形成多个第一漏电 极板和第二漏电极板，使得所述第 一漏电极板连接到所述第 一漏电极和第二 漏电极中的 一个，所述第二漏电极板连接到所述第 一漏电极和第二漏电极中 的另 一个，并且连接所述第 一漏电极板和第二漏电极板的中心的中心线与所述棚-一及线交叉；在整个结构上形成保护膜，该保护膜包括多个第一像素接触孔和多个第 二像素接触孔，所述第一像素接触孔使所述第一漏电极板的部分露出，所述 第二像素接触孔使所述第二漏电极板的部分露出；以及在所述保护膜上形成多个第 一像素电极和多个第二像素电极，所述第一 像素电极通过所述第一像素接触孔连接到所述第一漏电极板，所述第二像素 电极通过所述第二像素接触孔连接到所述第二漏电极板。
17. —种薄膜晶体管基板，包括 多条栅极线；多条第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉；多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，并分别 具有第一漏电极和第二漏电极，每个所述单元像素区由一栅极线、 一第一数 据线和一第二数据线定义；多个第一像素电极和第二像素电极，形成在所述单元像素区内；多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到所述第一像素电极以及所述单元像素区中所述第 一 漏电才及和第二漏电极中的 一 个；以及多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到所述第二像素电极以及所述单元像素区中包括的所述第一漏电极和第二漏电极中的另一个，其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板形 成在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间，并且连接所述第一漏电 极和第二漏电极的中心的中心线与所述栅极线交叉。
18. 如权利要求17所述的薄膜晶体管基板，其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板沿 垂直方向设置。
19. 如权利要求17所述的薄膜晶体管基板，其中，在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第二漏电极^1，以及在与所述一个单元像素区相邻的另 一个单元像素区中，所述第 一漏电极 连接到所述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第 一漏电极板。
20.如权利要求17所述的薄膜晶体管基板，还包括 多个存储电极板，每个所述存储电极板沿垂直方向延伸以与每个单元像 素区中的所述第 一 漏电极板和第二漏电极板部分地重叠。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置，通过在每个单元像素区中形成一对第一和第二像素电极、以及连接到第一和第二像素电极和薄膜晶体管漏电极端的一对第一和第二漏电极板，提供了一种可以防止由静电导致元件损坏的薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置，通过将一个像素区中的第一漏电极连接到第一漏电极板、将一个像素区中的第二漏电极连接到第二漏电极板、将与所述一个像素区相邻的另一个像素区中的第一漏电极连接到第二漏电极板、将该另一个像素区中的第二漏电极连接到第一漏电极板，可以通过线翻转驱动方式得到点反转的驱动效果。
文档编号G02F1/1362GK101236971SQ200710306290
公开日2008年8月6日 申请日期2007年11月30日 优先权日2006年11月30日
发明者宋荣九, 李在敬, 林孝泽, 田尚益, 禹慈姬 申请人:三星电子株式会社