专利名称：光刻设备以及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备以及一种用于制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。 然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现将要制造的微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示
权利要求
1.一种光刻设备，布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上并且具有照射系统，所述照射系统配置成调节辐射束并将辐射束引导到图案形成装置上，其中照射系统包括第一反射部件和第二反射部件，所述第一反射部件布置成将辐射束的辐射引导到第二反射部件上并且包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件能够至少在第一位置和第二位置之间移动以便改变照射模式，第二反射部件与照射系统的光瞳平面相关联；和控制系统，布置成将多个可移动反射元件设置到各自的期望位置以便实现期望的照射模式，并且进一步布置成在可移动反射元件中的第一个可移动反射元件有缺陷和不能被设置到相应的期望位置的情况下将可移动反射元件中的第二个可移动反射元件设置到与其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地缓解可移动反射元件中的第一个可移动反射元件的有害影响。
2.如权利要求I所述的光刻设备，其中控制系统布置成使得可移动反射元件中的第二个可移动反射元件，是在其期望位置上将辐射引导至光瞳平面中的第二点的可移动反射元件，所述第二点与光瞳平面中已经通过可移动反射元件中的第一个可移动反射元件将辐射所引导至的第一点相对置。
3.如权利要求I或2所述的光刻设备，其中控制系统布置成使得在可移动反射元件中的第一个可移动反射元件将辐射引导至光瞳平面中的第一点的情况下，可移动反射元件中的第二个可移动反射元件被设置到校正位置以使得其将辐射引导至光瞳平面中与第一点相对置的第二点。
4.如权利要求2或3所述的光刻设备，其中第二点相对于照射系统的光轴与第一点相对置。
5.如权利要求2或3所述的光刻设备，其中第二点相对于位于光瞳平面中且通过照射系统的光轴的虚拟线与第一点相对置。
6.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中控制系统布置成在可移动反射元件中的第一个可移动反射元件引导辐射以便引起第一焦阑误差的情况下，将可移动反射元件中的第二个可移动反射元件设置到校正位置以引导辐射而引起与第一焦阑误差相反的第二焦阑误差。
7.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中控制系统布置成在可移动反射元件中的第一个可移动反射元件沿使辐射不到达衬底的方向引导辐射的情况下将可移动反射元件中的第二个可移动反射元件设置到校正位置以使得其引导辐射而使得辐射不到达衬。
8.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中控制系统还包括存储器，配置成存储用于识别有缺陷的可移动反射元件和所述有缺陷的可移动反射元件的缺陷位置的信息；和比较器，配置成将有缺陷的可移动反射元件的缺陷位置与有缺陷的反射元件的期望位置对比；和其中控制系统布置成仅在缺陷位置不等同于有缺陷的可移动反射元件的期望位置的情况下将可移动反射元件中的第二个可移动反射元件设置到校正位置。
9.一种用于制造器件的光刻方法，所述方法包括步骤将辐射束引导到第一反射部件使得其被第一反射部件反射并入射到第二反射部件，辐射束随后入射到图案形成装置上，并且第一反射部件包括多个可移动反射元件，每个可移动反射元件至少能够在第一位置和第二位置之间移动以便改变图案形成装置的照射模式，在可移动反射元件中的第一个可移动反射元件有缺陷和不能被设置到期望位置以限定期望的照射模式的情况下，将可移动反射元件中的第二个可移动反射元件设置到与用于限定期望的照射模式的其期望位置不同的校正位置，以至少部分地缓解可移动反射元件中的有缺陷的可移动反射元件的有害影响；使用图案形成装置对辐射束进行图案化；和将图案化的辐射束投影到衬底上。
10.如权利要求9所述的光刻方法，其中位于其期望位置的第二可移动反射元件将辐射引导至位于第二反射部件上的第二点，所述第二点与第二反射部件上已经通过第一可移动反射元件将辐射所引导至的第一点相对置。
11.如权利要求9或10所述的光刻方法，其中第一可移动反射元件将辐射引导至第二反射部件上的第一点，并且第二可移动反射元件被设置至校正位置使得其将辐射引导至第二反射部件上与第一点相对置的第二点。
12.如权利要求10或11所述的光刻方法，其中第二点相对于照射系统的光轴与第一点相对置，第一反射部件和第二反射部件形成所述照射系统的一部分。
13.如权利要求10或11所述的光刻方法，其中第二点相对于位于第二反射部件上且通过第二反射部件中心的虚拟线与第一点相对置。
14.如权利要求9-13中任一项所述的光刻方法，其中第一可移动反射元件引导辐射以便引起第一焦阑误差，并且第二可移动反射元件设置到校正位置以引导辐射以引起与第一焦阑误差相反的第二焦阑误差。
15.如权利要求9-14中任一项所述的光刻方法，其中第一可移动反射元件沿使辐射不到达衬底的方向引导辐射，并且第二可移动反射元件设置到校正位置使得其引导辐射而使得辐射不到达衬底。
16.如权利要求9-15中任一项所述的光刻方法，还包括步骤存储用于识别有缺陷的可移动反射元件和所述有缺陷的可移动反射元件的缺陷位置的信息；将有缺陷的可移动反射元件的缺陷位置与有缺陷的反射元件的期望位置对比；和仅在缺陷位置不等同于有缺陷的可移动反射元件的期望位置时将第二可移动反射元件设置到校正位置。
全文摘要
在光刻设备中，使用场反射镜设置照射模式，场反射镜包括多个可移动琢面以引导辐射至光瞳琢面反射镜上的可选定位置。在一场琢面反射镜有缺陷且不能被设置到期望位置的情形中，可移动琢面反射镜中的另一个被设置到与其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地缓解有缺陷的琢面反射镜的有害影响。
文档编号G03F7/20GK102612667SQ201080051846
公开日2012年7月25日 申请日期2010年9月8日 优先权日2009年11月18日
发明者G·德维里斯, J·范斯库特, 克恩·万英根谢诺 申请人:Asml荷兰有限公司