专利名称：有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管阵列及其制备方法以及显示装置。
背景技术：
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,以下简称0TFT)因适用于大面积的加工和柔性基板，并且具有工艺成本较低等优点，在平板显示领域拥有很好的发展前景。通常在OTFT阵列基板的制作中需要多次构图工艺，以形成图案化的层结构，在此过程中消耗大量栅极、栅绝缘层以及有机半导体材料，而且制作效率较低。ADSDS (高级超维场转换技术，ADvanced Super Dimension Switch,简称 ADS)型液晶显示器是现有的一种宽视角显示器，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正·上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。在ADS模式的液晶显示屏中，有机薄膜晶体管阵列基板的制备，即形成栅极、栅绝缘、有机半导体层源漏电极、信号线以及像素电极时，一般通过多次构图工艺完成，即多次进行沉积、曝光和刻蚀，从而导致有机薄膜晶体管阵列基板的制备的工艺繁琐，效率较低，材料浪费严重。
发明内容
本发明的实施例提供一种有OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种OTFT阵列基板，包括在透明基板上形成的像素结构；所述像素结构包括栅线、数据线、0TFT、像素电极、公共电极线和公共电极；所述OTFT包括栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极；所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层；其中，在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口 ；所述第一开口中形成所述栅线，所述第二开口中形成所述公共电极线；所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极，所述栅极连接所述栅线；所述有机半导体层连接所述源极和漏极。一种OTFT阵列基板的制备方法,包括SI:在基板上形成像素电极、数据线、源极和漏极；S2:在经过步骤SI的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形；
S3 :在经过步骤S2的基板上形成公共电极和公共电极的图形；。一种显示装置，包括上述有机薄膜晶体管阵列基板。本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置，通过光敏树脂所分别形成的第一堤绝缘层和第二堤绝缘层，并且在第一堤绝缘层和第二堤绝缘层上的通孔和开口中通过喷墨打印形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线，从而快速高效的形成OTFT阵列基板中的有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构，节省了形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的材料，并且更好的控制了有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的精确度。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些·实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构的俯视图；图2为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构沿A-A’的剖视图；图3为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构的俯视图；图4为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构沿C-C’的剖视图；图5为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法的流程图；图6为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中沉积透明导电薄膜和光刻I父后的结构不意图；图7为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中刻蚀透明导电薄膜后的俯视图；图8为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法形成第一堤绝缘层及其包裹的结构的剖视图；图9为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第一次构图工艺的具体流程图；图10为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中沉积透明导电薄膜和金属薄膜后的剖视图；图11为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法对光刻胶进行图像化后的剖视图；图12为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第一次刻蚀后的首丨J视图;图13为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第二次刻蚀后的剖视图。附图标记说明I一透明基板；2—透明导电薄膜； 2a—像素电极；2b一数据线； 2c—源极；2d—漏极；
3-金属薄膜； 4-第一堤绝缘层； 4a_第一通孔；4b—第一开口 ； 4c一第二开口 ；5—有机半导体层；6-栅绝缘层； 7a_栅极；7b_栅线；7c—公共电极线；8—第二堤绝缘层； 8a—第二开口 ；8b一第二通孔；9—公共电极；10—光刻月父；IOa—完全保留区域；IOb—部分保留区域；IOc—完全去除区域。
具体实施例方式下面结合附图对本发明实施例一种OTFT阵列基板及其制备方法进行详细描述。
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应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。一种OTFT阵列基板，如图I和图2所示(其中图2为图I沿A_A’的剖面图)，包括在透明基板I上形成的像素结构；所述像素结构包括栅线7b、数据线2b、0TFT、像素电极2a、公共电极9和公共电极线7c ；所述OTFT包括栅极7a、栅绝缘层6、有机半导体层5、源极2c和漏极2d ；所述数据线2b、所述源极2c、所述漏极2d和所述像素电极2a上自下而上依次设
置有第一堤绝缘层4和第二堤绝缘层8 ；其中，在所述第一堤绝缘层4上设置有第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c ；进一步的，在堤绝缘层上形成通孔和开口是指所谓通孔贯穿整个堤绝缘层，所谓开口则是在堤绝缘层上形成凹槽，凹槽的底部还存留有部分堤绝缘层。所述第一开口 4b中打印形成所述栅线7b，所述第二开口 4c中打印形成所述公共电极线7c ；所述第一通孔4a中自下而上依次打印形成所述有机半导体层5、所述栅绝缘层6和所述栅极7a，所述栅极7a连接所述栅线7b ;所述有机半导体层5连接所述源极2c和所述漏极2d。在所述第二堤绝缘层8上设置有相连通的第三开口 8a和第二通孔Sb，所述第三开口 8a板状覆盖或梳状覆盖所述像素电极2a上方；所述第二通孔8b与所述第二开口 4c连通；在所述第三开口 8a和所述第二通孔8b中打印形成公共电极9，其中所述公共电极9与所述公共电极线7c通过在所述第二通孔Sb连接中相接触。其中源极2c、漏极2d、像素电极2a和数据线2b，分别通过对透明导电薄膜2刻蚀后形成。栅极7a、栅线7b和公共电极线7c分别通过打印形成。所述透明基板I可为塑料基板或玻璃基板。可选的，在所述源极2c、所述漏极2d和所述数据线2b表面设置有金属薄膜3。可选的，所述源极2c和所述漏极2d延伸至所述第一通孔4a中，所述源极2c和所述漏极2d不连接，且所述源极2c和所述漏极2d之间的距离小于所述第一通孔4a两侧的所述金属薄膜3之间的距离。
可选的,所述有机半导体层5的厚度大于所述源极2c和所述漏极2d的厚度。可选的，所述有机半导体层5与所述第一通孔4a两侧的所述源极2c和所述漏极2d的侧壁连接。可选的，所述第一堤绝缘层4和所述第二堤绝缘层8为光敏树脂材料。可选的，所述数据线2b、所述源极2c、漏极2d像素电极2a和所述公共电极9的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。可选的，所述有机半导体层5的材料为噻吩化合物或酞菁化合物。可选的，所述栅绝缘层6的材料为聚乙烯醇。可选的，所述栅极7a为导电聚噻吩化合物、铜或银中一种。
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可选的，设置在所述第一开口 4b中的所述栅线7b、设置在所述第二开口 4c中的所述公共电极线7c和设置在所述第一通孔4a中的所述栅极7a的上表面与所述第一堤绝缘层4的上表面齐平。为增强上述的OTFT阵列基板的数据线2b、源极2c、漏极2d的导电性能，加快像素电极2a的充电速度，可选的，如图3和图4所示(其中图4为图3中沿C-C’的剖面图)，所述源极2c、所述漏极2d和所述数据线2b表面设置有金属薄膜3。所述金属薄膜3的材料为招、鹤、络、组、钥或铜中一种。因所述有机半导体层5在连接源极2c和漏极2d时，只连接了源极2c和漏极2d的侧壁，易出现虚接的情况。故为扩大有机半导体层5和源极2c和漏极2d的连接面积，避免虚接的情况，可选的，所述源极2c和所述漏极2d延伸至第一通孔4a中，所述源极2c和所述漏极2d不连接，且所述源极2c和所述漏极2d之间的距离小于所述第一通孔4a两侧的所述金属薄膜3之间的距离。与上述一种OTFT阵列基板相对应，本发明还提供了一种OTFT阵列基板的制备方法,如图4所示,包括SI:在基板上形成像素电极、数据线、源极和漏极。首先，如图6所示在基板上连续形成透明导电薄膜。在透明基板I上通过磁控溅射或热蒸发等方法形成透明导电薄膜2，该透明导电薄膜2为铟锡氧化物或铟锌氧化物，所述透明基板I可为玻璃基板或塑料基板。如图6所示，在透明导电薄膜2上旋涂光刻胶10，通过第一次构图工艺，并对透明导电薄膜2进行刻蚀后，如图7所示，形成像素电极2a、数据线2b、源极2c和漏极2d ;刻蚀完成后，通过剥离液将剩余的光刻胶10剥离。S2:在经过步骤SI的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形。具体的，在形成有像素电极2a、数据线2b、源极2c和漏极2d的基板上涂覆光敏树月旨，固化形成第一堤绝缘层4，在所述第一堤绝缘层4上通过双色调掩模板(半色调掩模板或灰色调掩模板)进行曝光显影，形成第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c，在所述第一通孔4a中打印形成有机半导体层5，在所述有机半导体层5上打印所述栅绝缘层6，并在所述栅绝缘层6上、所述第一开口 4b和所述第二开口 4c中打印形成所述栅极7a、所述栅线7a和所述公共电极线7c，其中，所述有机半导体层5连接所述源极2c和所述漏极2d。如图8所示，在所述基板I上涂覆光敏树脂的溶液，所述光敏树脂可为聚甲基丙烯酸酯的溶液；光敏树脂覆盖透明基板I表面后，在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的前烘，以使挥发光敏树脂中的溶剂；利用双色调掩模板进行曝光显影后，形成第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c,具体为将双色调掩模板覆盖于光敏树脂上方,其中该掩模板为半色调掩膜板或灰色调掩膜板，半色调或灰色调部分所对应的光敏树脂形成较浅的该掩膜版的部分透光区域对应第一开口 4b和第二开口 4c处；掩模板的完全不透光区域对应光敏树脂的完全保留区域；掩模板上完全透光区域对应光敏树脂的完全去除区域，形成第一通孔4a,在第一通孔4a中，源极2c和漏极2d的侧壁露出；曝光显影完成后,在约130摄氏度的条件下，进行1-30分钟的后烘，使包含第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c的光敏树脂固化，形成第一堤绝缘层4。形成第一堤绝缘层4后，通过控制打印机打印设备在第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c进行打印；首先在第一通孔4a中打印形成有机半导体层5的有机半导体溶液；蒸发有机半导体溶剂，形成有机半导体层5，其中在蒸发有机半导体溶剂的过程中，实现退火，以使有机半导体溶液中的成分均匀化；该有机半导体层5的厚度大于源极2c和漏极2d，以使有机半导体层5和两侧的源极2c和漏极2d的侧壁充分接触；在有机半导体层5的表面打印形成栅极绝缘层6的溶液，该栅绝缘层可为聚乙烯醇；蒸发溶液，形成栅极绝缘层6 ;形成栅极绝缘层6后，在栅极绝缘层6表面、第一开口 4b和第二开口 4c中分别打印栅极·材料，所述栅极材料溶液或液体可为导电聚噻吩溶液、铜浆或银浆，蒸发溶剂或凝固该液体后，分别形成栅极7a，栅线7b和公共电极线7c。在光敏树脂上通过曝光显影形成包含第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c的第一堤绝缘层4 ;在该第一通孔4a、第一开口 4b和第二开口 4c的第一堤绝缘层4进行打印，以限制打印的溶液或液体的范围，在堤绝缘层中设置开口和通孔，可以确保喷墨打印的精确度，以保证形成的有机半导体层5、栅绝缘层6、栅极7a、栅线7b和公共电极7c的精确度，确保有机半导体层5与源极2c和漏极2d的接触面积，从而保证了形成的OTFT的性能。S3 :在经过步骤S2的基板上形成公共电极和公共电极的图形。在经过步骤S2的基板上再次涂覆光敏树脂，固化形成第二堤绝缘层8，在所述第二堤绝缘层8上通过曝光显影形成相连通的第三开口 8a和第二通孔Sb，所述第三开口 8a梳状覆盖于所述像素电极2a上方，并在所述第二通孔Sb和所述第三开口 8a中打印形成公共电极9。如图2所示，在第一堤绝缘层4上再次涂覆光敏树脂，光敏树脂覆盖第一堤绝缘层4后，在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的前烘，以使挥发光敏树脂的溶剂；进行第曝光显影，形成相连通的第三开口 8a和第二通孔Sb和第三开口 8a ;其中所述第二通孔Sb与第二开口 4c相连通,所述第三开口 8a板状覆盖或梳状覆盖于所述像素电极2a上方；在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的后烘，固化形成第二堤绝缘层8 ;在所述第二通孔Sb和第三开口 8a中打印形成公共电极9的溶液，蒸发溶剂，形成公共电极9。因在第二堤绝缘层8的第二通孔Sb和第三开口 8a打印形成公共电极9的溶液，限制了形成公共电极9的溶液的扩散，确保了像素结构的精确度，从而保证了像素的显示性能。喷墨打印工艺是，将制作图案所用墨滴，即形成栅极7a、栅绝缘层6、有机半导体层5、栅线7b、公共电极线7c和公共电极9的材料，打印在需要制作图案的区域，以形成所需图案的工艺。由于这种工艺是一种直接形成图案化层结构的方法，因此采用打印的方式制备有机薄膜晶体管阵列基板，可简化工艺、节省材料、降低成本和提高生产效率，并且确保了有机半导体层5与源极2c和漏极2d的接触面积，及其图案精度有利于提高薄膜晶体管的性能，同时利用喷墨打印工艺制备公共电极线7c可以精确梳妆公共电极9的图案，从而确保该其显示质量。在OTFT阵列基板中，对于像素电极的充电速度影响了液晶显示屏的显示效果，为加快数据线2b对于公共电极2a的充电速度，可选的，在所述S I步骤在基板上形成像素电极、数据线、源极和、漏极，还包括200、在基板上依次形成透明导电层薄膜和金属层薄膜。在基板I上沉积透明导电薄膜2后，如图10所示，在透明导电薄膜2表面沉积金属模板3 ;沉积在溅射设备中进行，通过加速惰性气体的等离子撞击靶材；撞击出靶材的原子颗粒，在电场和磁场的作用下，均匀附着于透明导电薄膜2上，形成金属薄膜3;该金属薄月吴3的材料可为招、鹤、络、组、钥或铜中一种。
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201、在形成有所述透明导电层薄膜和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶，通过双色调掩模板进行曝光显影，在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域。如图9所示，在在形成有所述透明导电层模板和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶，通过掩模板进行构图工艺，在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域。在所述金属薄膜3上旋涂光刻胶，通过双色调掩模板进行构图工艺；曝光显影后，使光刻胶上形成如图11所示的结构，即在所述光刻胶上形成光刻胶完全保留区域10a、部分保留区域IOb和完全去除区域10c，其中完全保留区域IOa对应掩模板上的完全不透光遮蔽部分区域，部分保留区域IOb对应掩模板上的半色调或灰色调掩膜版的部分透光部分区域以及完全去除区域IOc对应掩模板上的完全透光区域。202、刻蚀形成数据线、源极、漏极和像素电极，保留所述数据线、源极、漏极和像素电极表面的所述金属薄膜。将所述透明基板I放置于刻蚀腔内进行刻蚀；首先将光刻胶10完全去除区域IOc下方的金属薄膜3和透明导电薄膜2刻蚀掉，如图12所示，形成由透明导电薄膜2形成的数据线2b、源极2c、漏极2d和像素电极2a，并保留在数据线2b、源极2c、漏极2d和像素电极2a上的金属薄膜3。203、对所述光刻胶进行灰化，去除所述部分保留区域的光刻胶，并通过刻蚀去除所述像素电极表面的金属薄膜。如图13所示，对光刻胶10进行灰化，以去除所述部分保留区域IOb的光刻胶，使部分保留区域IOb下方的金属薄膜3露出；进行刻蚀，去除对应像素电极2a表面的金属薄膜3，露出下层的像素电极2a。在刻蚀金属薄膜3的过程中，可选择只刻蚀金属的刻蚀液或刻蚀气体进行刻蚀，或通过控制刻蚀的时间，从而刻蚀掉部分保留区域IOb的金属薄膜3保留透明导电薄膜2。最后形成后的OTFT阵列如图3和图4所示，在数据线2b、源极2c和漏极2d表面附着有金属薄膜3，并通过金属薄膜3较好的导电性能增强透明导电薄膜2所形成的数据线2b、源极2c和漏极2d的导电性能，从而提高了数据线2b通过源极2c和漏极2d对像素电极2a的充电速度。与上述一种OTFT阵列基板的制备方法相对应，本发明还提供了一种显示装置，本发明施例提供的显示装置，包括如上所述的顶栅型TFT阵列基板。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置，通过光敏树脂所分别形成的第一堤绝缘层和第二堤绝缘层，并且在第一堤绝缘层和第二堤绝缘层上的通孔和开口中通过喷墨打印形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线，从而快速高效的形成OTFT阵列基板中的有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构，节省了形成有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的材料，并且更好的控制了有机半导体层，栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的精确度。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何·熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括在透明基板上形成的像素结构； 所述像素结构包括栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极； 所述有机薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极；其特征在于 所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层； 其中，在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口 ；所述源极和漏极位于所述第一通孔的两侧； 所述第一开口中形成所述栅线，所述第二开口中形成所述公共电极线； 所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极，所述栅极连接所述栅线；所述有机半导体层连接所述源极和漏极。
2.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 在所述第二堤绝缘层上设置有相连通的第三开口和第二通孔，所述第二通孔与所述第二开口连通； 在所述第三开口和所述第二通孔中打印形成公共电极，其中所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二通孔连接。
3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极、所述漏极和所述数据线表面设置有金属薄膜。
4.根据权利要求3所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极延伸至所述第一通孔中，所述源极和所述漏极不连接，且所述源极和所述漏极之间的距离小于所述第一通孔两侧的所述金属薄膜之间的距离。
5.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的厚度大于所述源极和所述漏极的厚度。
6.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层与所述第一通孔两侧的所述源极和所述漏极的侧壁连接。
7.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层为光敏树脂材料。
8.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线、所述源极、所述漏极、所述像素电极和所述公共电极的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
9.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为噻吩化合物或酞菁化合物。
10.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为聚乙烯醇。
11.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅极为导电聚噻吩化合物、铜或银中一种。
12.根据权利要求I所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，设置在所述第一开口中的所述栅线、设置在所述第二开口中的所述公共电极线和设置在所述第一通孔中的所述栅极的上表面与所述第一堤绝缘层的上表面齐平。
13.根据权利要求3或4所述的有机薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属薄膜的材料为招、鹤、络、组、钥或铜中一种。
14.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤 SI:在基板上形成像素电极、数据线、源极和、漏极； S2:在经过步骤SI的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形； S3 :在经过步骤S2的基板上形成公共电极的图形。
15.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括； 在经过步骤SI的基板上涂覆光敏树脂，固化形成第一堤绝缘层，在所述第一堤绝缘层上通过双色调掩模板进行曝光显影，形成第一通孔、第一开口和第二开口，在所述第一通孔中打印形成有机半导体层，在所述有机半导体层上打印栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上、所述第一开口和所述第二开口中打印形成栅极、栅线和公共电极线，其中，所述有机半导体层连接所述源极和所述漏极。
16.根据权利要求15所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括 在经过步骤S2的基板上涂覆光敏树酯树脂，固化形成第二堤绝缘层，在所述第二堤绝缘层上通过曝光显影形成相连通的第三开口和第二通孔，所述第三开口位于所述像素电极上方且呈梳状排布，并在所述第二通孔和所述第三开口中打印形成公共电极。
17.根据权利要求16所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤SI还包括 在基板依次形成透明导电层薄膜和金属层薄膜； 在形成有所述透明导电层模板和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶，通过双色调掩模板进行曝光显影，在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域； 刻蚀形成数据线、源极、漏极和像素电极，保留所述数据线、源极、漏极和像素电极表面的所述金属薄膜； 对所述光刻胶进行灰化，去除所述部分保留区域，并通过刻蚀去除所述像素电极表面的金属薄膜，并剥离剩余的所述光刻胶。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求f 13中任意一项有机薄膜晶体管阵列基板。
全文摘要
本发明提供了一种有机半导体阵列基板及其制备方法以及显示装置，属于液晶显示领域，为解决现有技术中制作有机半导体阵列基板时，制备过程繁琐，且消耗大量材料的问题而设计。一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括在透明基板上形成的像素结构；所述像素结构包括栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极；所述有机薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极；所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层；在所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层的开口和通孔处打印所述像素结构。
文档编号G02F1/1368GK102789106SQ201210269320
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月30日 优先权日2012年4月24日
发明者张学辉 申请人:京东方科技集团股份有限公司