光刻对准标记的放置方法
【专利摘要】本发明公开了一种光刻对准标记的放置方法，步骤包括：1）将所有光刻对准标记集成在掩膜上的图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版；2）算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标；3）根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形；4）用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域；5）后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域，利用shot的平移实现光刻对准，该方法不受切割线大小的限制，因此解决了切割线尺寸变小后的对准标记放置问题。
【专利说明】光刻对准标记的放置方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种针对50微米以下切割线放置光刻对准标记的方法。
【背景技术】
[0002]对于小晶格(die)的产品，切割线(scribe line)变小可以极大地提高娃片的利用率。例如，8寸的硅片，对于1.5mmX 1.5mm的晶格，当切割线宽80 μ m时，芯片占硅片面积为89.3% ;当切割线宽20 μ m时，芯片占硅片面积为97.3%。切割线越小，硅片的利用率越高。
[0003]但是，目前使用切割线标记进行对准的光刻曝光机台，例如Nikon光刻曝光机，在切割线的尺寸逐步变小时，⑶(Critical Dimension,关键尺寸)和OVL (Overlay,套准精度)量测标记虽然可以等比例变小，但是Nikon系统库的对准标记很难等比例变小，这样对准标记在切割线中的放置就变得越来越困难，如图1所示，这限制了切割线尺寸的变小。
[0004]目前的解决方法有:方法1，使用更小的对准标记，但这受到光刻机台本身的限制；方法2，将对准标记放置在Cell area (单元面积)里面，但是这会影响芯片的设计，并且还会影响硅片的利用率。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种光刻对准标记的放置方法，它可以解决切割线尺寸小于50微米时的光刻对准标记放置问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的光刻对准标记的放置方法，步骤包括:
[0007]I)在掩膜上设计一个专门放置光刻对准标记的图形区域，将光刻所需的所有对准标记集成在一起，做成集成图形，放置在该图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版；
[0008]2)算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标；
[0009]3)根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形；
[0010]4)用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域；
[0011]5 )后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。
[0012]本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域，利用shot的平移实现光刻对准的目的，由于特别区域的大小不受到切割线大小的限制，因此能够很好地实现放置对准标记的功能，从而解决 了切割线尺寸变小后，光刻对准标记的放置问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是晶圆上的切割线、晶格和对准标记不意图。切割线的尺寸越小，对准标记在切割线中的放置越困难。
[0014]图2是掩膜上的光刻对准标记集成图形。
[0015]图3是集成图形在晶圆上的位置示意图。【具体实施方式】
[0016]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下:
[0017]本实施例放置光刻对准标记的具体方法如下:
[0018]步骤I,首先,将光刻所需的search mark(寻找标记)和EGA mark(精对准标记)集成在掩膜上一个0.5mmX 0.5mm大小的空间内，做成集成图形，再加上0.3mm铬保护区，和当层的主图形一起制成光刻版，如图2所示。算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标。例如，search mark相对集成图形中心的坐标为(Xs, Ys)。
[0019]步骤2，根据晶格的大小，在晶圆上选择5个长度为shot (曝光块)的长度、宽度为nXD的特别区域，用来放置集成图形。其中，D为晶格的尺寸，η为使nXD>0.5mm的最小整数。
[0020]步骤3，用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的5个特别区域，如图3所示。算出集成图形中心相对shot的坐标为(Xi，Yi)。
[0021]步骤4，后层光刻时，就利用上层放进特别区域的对准标记进行对准。由于上层所做的对准标记不在主shot当中，需要算好坐标做平移,例如，search mark坐标的平行坐标为(Xi+Xs，Yi+Ys-0.5XnXD-0.5X Ystot)，其中，Y.为曝光 shot 在 Y 方向的宽度。
[0022]该方法将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域，利用shot的平移，进行光刻对准。由于特别区域的大小不会受到切割线大小的限制，因此能够很好地实现放置对准标记的功能。虽然特别区域会浪费一定的硅片利用率，例如，8寸的硅片，晶格尺寸
1.5mmX 1.5mm ,使用上述方法会损失0.53%的硅片面积利用率，但却能增加7.5%的良率。
【权利要求】
1.光刻对准标记的放置方法，其特征在于，步骤包括: 1)在掩膜上设计一个专门放置光刻对准标记的图形区域，将光刻所需的所有对准标记集成在一起，做成集成图形，放置在该图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版； 2)算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标； 3) 根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形； 4)用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域； 5)后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特别区域的长度为曝光块的长度，宽度为nXD，其中，D为晶格的尺寸，n为使nXD大于所述图形区域尺寸的最小整数。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述特别区域有5个。
【文档编号】G03F9/00GK103901740SQ201210567698
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月24日 优先权日:2012年12月24日
【发明者】丁刘胜 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司