专利名称：Pva像素电极及相应的液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示领域，特别是涉及ー种可提高像素的穿透率和显示质量的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。
背景技术：
PVA(Patterned Vertical Alignment,图像垂直调整技术)作为液晶 VA(VerticalAlignment,垂直调整技术)显示中的ー种模式,其利用TFT (Thin film transistor,薄膜场效应管)和CF(彩色滤光片，color filter))侧的图案形成的电场来控制液晶的指向，可以省去PI (polyimide)层的摩擦取向エ艺。传统上采用的PVA像素结构，如图IA和图IB所示，图IA为现有技术的PVA像素电极的位于TF T侧的第一电极10的结构示意图，图IB为现有技术的PVA像素电极的位于CF侧的第二电极20的反向结构示意图。由于这种形状的PVA像素电极的边缘与内部结构的差异，导致PVA像素边缘电场分布异于内部，在液晶上产生边缘场效应，使得在TF T和CF侧电极的边缘交接处产生旋转位移(disclination)，影响像素的显示质量和降低像素的开ロ率，如图5A所示，图中做了标记的地方由于边缘场效应，液晶产生了旋转位移，使得像素出现暗纹，穿透率降低，影响像素的显示质量。故，有必要提供ー种PVA像素电极及相应的液晶显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
实用新型内容本实用新型针对现有技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置的PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开ロ率的缺陷，提供一种通过修改TF T侧和/或CF侧的边缘交界处的ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。本实用新型的主要目的在于提供ー种PVA像素电极，包括位于TFT侧的第一电扱；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第ニ电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。本实用新型的主要目的还在于提供ー种PVA像素电极，包括位于TFT侧的第一电扱；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第ニ电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。[0008]本实用新型的主要目的还在于提供ー种PVA像素电极，包括位于TFT侧的第一电扱；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第ニ电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。本实用新型的主要目的还在于提供ー种液晶显示装置，包括液晶；用于控制所述液晶转向的TFT ;用于在显示器上显示不同顔色的CF ;以及PVA像素电极；所述PVA像素电极包括位于TFT侧的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电
极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和/或所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。在本实用新型的一实施例中，设所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，所述Λ S在像素内到像素外的方向上先增后減。在本实用新型的一实施例中，所述第一电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至 10um。在本实用新型的一实施例中，所述第二电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至 10um。相较于现有的PVA像素电极及相应的液晶显示装置具有PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开ロ率的问题，本实用新型的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧和/或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下
图IA为现有技术的PVA像素电极的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图IB为现有技术的PVA像素电极的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图2A为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图；图2B为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构不意图；图2C为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图2D为图2A的Al部分的放大图；图3A为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图；[0022]图3B为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构不意图；图3C为本实用新型 的PVA像素电极的第二优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图3D为图3A的A2部分的放大图；图4A为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图；图4B为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构不意图；图4C为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图4D为图4A的A3部分的放大图；图5A为现有技术的PVA像素电极的输出模拟仿真图；图5B为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的输出模拟仿真图；图5C为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的输出模拟仿真图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是參考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是參考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。作为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例，如图2A、图2B、图2C以及图2D所示，其中图2A为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图，图2B为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图2C为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图2D为图2A的Al部分的放大图。所述PVA像素电极包括第一电极10和第二电极20,第一电极10位于TFT侧,第二电极20位于CF侧,通过施加在第ー电极10和第二电极上20的电场控制设置在第一电极10和第二电极20之间的液晶的指向，第一电极10和第二电极20分别与像素边缘呈一定倾角，图2A中的第一电极10和相应的第二电极20将整个电极分为八块可产生八个畴的液晶排列，从而可通过ー个连续畴的结构改善液晶显示器的视角特性。其中本实用新型的PVA像素电极通过在第一电极10和第二电极20的边缘交界处对第一电极10设置不等长的ITO间隙30使得第一电极10和相应的第二电极20之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。由于本实施例只对第一电极10做了改进，因而图2C所示的位于CF侧的第二电极20的结构示意图与图IB所示的CF侧的第二电极20的结构示意图相同，而图2B所示的位于TFT侧的第一电极10的结构做出了相应的改进，从图中可以看出图5A所示的做了标记的12个点的相应位置的第一电极10的结构都进行了改进，主要是在第一电极10和第二电极20的边缘交界处设置不等长的ITO间隙30，设置ITO间隙30后，第一电极10和相应的第二电极20之间的间距在像素内到像素外的方向上递减，其中第一电极10设置的相邻ITO间隙30的长度差为Ium至10um。这里设第一电极10和相应第二电极20的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，AS在像素内到像素外的方向上可不变，也可变化，这里AS优选采用先增后减，如图2D所示，第一电极10和第二电极20之间的距离S在像素内到像素外的方向上依次为20-18-14-8-5-2-1-0 (部分ITO间隙30在图2D中未示出)，这样Λ S在像素内到像素外的方向上依次为2-4-6-3-1-1。作为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例，如图3Α、图3Β、图3C以及图3D所示，其中图3Α为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图，图3Β为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的位于TFT侧的第一 电极的结构示意图；图3C为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图30为图3Α的Α2部分的放大图。本实施例与第一优选实施例的区别在于通过在第一电极10和第二电极20的边缘交界处对第二电极20设置不等长的ITO间隙30使得第一电极10和相应的第二电极20之间的间隙在像素内到像素外的方向上递减。由于本实施例只对第二电极20做了改进，因而图3Β所示的位于TFT侧的第一电极10的结构示意图与图IA所示的TFT侧的第一电极10的结构示意图相同，而图3C所示的位于CF侧的第二电极20的结构做出了相应的改进，从图中可以看出图5Α所示的做了标记的12个点的相应位置的第二电极20的结构都进行了改进，主要是在第一电极10和第二电极20的边缘交界处设置不等长的ITO间隙30，设置ITO间隙30后，第一电极10和相应的第二电极20之间的间距在像素内到像素外的方向上递减，其中第二电极20设置的相邻ITO间隙30的长度差为Ium至10um。这里设第一电极10和相应第二电极20的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，AS在像素内到像素外的方向上可不变，也可变化，这里AS优选采用先增后减，如图3D所示，第一电极10和第二电极20之间的距离S在像素内到像素外的方向上依次为20-18-14-8-5-2-1-0 (部分ITO间隙30在图3D中未示出)，这样Λ S在像素内到像素外的方向上依次为2-4-6-3-1-1。作为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例，如图4Α、图4Β、图4C以及图4D所示，其中图4Α为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的第一电极和第二电极的结构示意图，图4Β为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图4C为本实用新型的PVA像素电极的第三优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图40为图4Α的A3部分的放大图。本实施例与第一优选实施例的区别在于通过在第一电极10和第二电极20的边缘交界处对第一电极10和第二电极20设置不等长的ITO间隙30使得第一电极10和相应的第二电极20之间的间隙在像素内到像素外的方向上递减。本实施例对第一电极10和第二电极20同时进行了改进，图4Β所示的位于TFT侧的第一电极10的结构做出的相应改进，图4C所示的位于CF侧的第二电极20的结构也做出的相应改进，从图中可以看出图5Α所示的做了标记的12个点的相应位置的第一电极10和/或第二电极20的结构都进行了改进，特别是图4Α的A3部分，此处同时对第一电极10和第二电极20的结构均进行了改进，在第一电极10和第二电极20的边缘交界处设置不等长的ITO间隙30，设置ITO间隙30后，第一电极10和相应的第二电极20之间的间距在像素内到像素外的方向上递减，其中第一电极10和第二电极20设置的相邻ITO间隙30的长度差为Ium至10um。这里设第一电极10和相应第二电极20的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，AS在像素内到像素外的方向上可不变，也可变化，这里AS优选采用先增后减，如图4D所示，第一电极10和第二电极20之间的距离S在像素内到像素外的方向上依次为20-18-14-8-5-2-1-0 (部分ITO间隙30在图4D中未示出)，这样Λ S在像素内到像素外的方向上依次为2-4-6-3-1-1。在第一电极10和第二电极20的边缘交界处的第一电极10和/或第二电极20上设置ITO间隙30减小了像素边缘的第一电极10和第二电极20之间的间距S，从而可以削弱边缘场效应，而对边缘交界处的ITO间隙30做不等长的延伸，改变了边缘场的分布，使得边缘交界处的液晶与内部的液晶取向一致，消除了旋转位移的不利效果。第一电极10和/或第二电极20设置的相邻ITO间隙30的长度差不宣过大，且第一电极10和相应的第二电极20之间的间距S从内到外递减，特别是相邻间距S之间的差值为△ S先增后減，使得在削弱边缘场效应的同时，第一电极10和第二电极20之间的电场也进行了平滑的过渡，不会由于设置的ITO间隙30导致部分电极之间的电场突变，从而影响显示效果。ITO间隙30可以设置在第一电极10上，可以设置在第二电极20上，也可以同时设置在第一电极10和第ニ电极20上，所以只要采用第一电极10和相应的第二电极20之间的间距从内到外递减的方式设置ITO间隙30都在本实用新型的保护范围内，ITO间隙30设置的位置并不限制本实用新型的保护范围。此外由于位于TFT侧的第一电极10的电位是变动的，而位于CF侧的第二电极20的电位是固定的，因此将ITO间隙30设置在第二电极20要优于设置在第一电极10上。图5Α所示为现有技术的PVA像素电极的输出模拟仿真图；图5Β为本实用新型的PVA像素电极的第一优选实施例的输出模拟仿真图；图5(为本实用新型的PVA像素电极的第二优选实施例的输出模拟仿真图。本实用新型的第一优选实施例消除旋转位移的效果如图5Β所示,第二优选实施例消除旋转位移的效果如图5C所示，图5Β所做标记之处与图5Α所做标记之处对比，暗纹减轻，穿透率提高了 8. 07%，图5C所做标记之处与图5Α所做标记之处对比，暗纹减轻，穿透率提高了 9. 89%，本实用新型的第三优选实施例也可以达到相似的效果。本实用新型还涉及ー种液晶显示装置，包括液晶；用于控制所述液晶转向的TFT ；用于在显示器上显示不同顔色的CF ;以及PVA像素电极；所述PVA像素电极包括位于TFT侧的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极,通过施加在所述第ー电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其中通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和/或所述第二电极设置不等长的ITO间隙使得所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。如设定第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，AS在像素内到像素外的方向上先增后減。所述第一电极和所述第二电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至10um。本实用新型的液晶显示装置的有益效果和具体实施方式
与上述的PVA像素电极的具体实施例相同或相似，具体请參见上述的PVA像素电极的具体实施例。综上所述，虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本实用新型，本领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本实用新型的保护范围以权利要求界定的范围为准。
权利要求1.ー种PVA像素电极，包括 位于TFT侧的第一电极；以及 位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其特征在于，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第ニ电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
2.根据权利要求I所述的PVA像素电极，其特征在于，设定所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，所述AS在像素内到像素外的方向上先增后减。
3.根据权利要求I所述的PVA像素电极，其特征在于，所述第一电极设置的相邻ITO间隙v的长度差为Ium至10um。
4.ー种PVA像素电极，包括 位于TFT侧的第一电极；以及 位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其特征在于，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第ニ电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
5.根据权利要求4所述的PVA像素电极，其特征在干，设所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，所述AS在像素内到像素外的方向上先增后减。
6.根据权利要求4所述的PVA像素电极，其特征在于，所述第二电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至10um。
7.—种PVA像素电极，包括 位于TFT侧的第一电极；以及 位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其特征在于，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
8.根据权利要求7所述的PVA像素电极，其特征在干，设所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，所述AS在像素内到像素外的方向上先增后减。
9.根据权利要求8所述的PVA像素电极，其特征在于，所述第一电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至10um，所述第二电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至10um。
10.ー种液晶显示装置，其特征在于，包括 液晶； 用于控制所述液晶转向的TFT ；用于在显示器上显示不同顔色的CF ;以及 PVA像素电极； 所述PVA像素电极包括 位于TFT侧的第一电极；以及 位于CF侧的与所述第一电极相应的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，所述第一电极和所述第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，其特征在于，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和/或所述第二电极设置不等长的ITO间隙，所述第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。
11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，设定所述第一电极和相应的第二电极之间的间距为S，相邻间距S之间的差值为AS，所述AS在像素内到像素外的方向上先增后减。
12.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极设置的相邻ITO间隙的长度差为Ium至10um，所述第二电极设置的相邻HO间隙的长度差为Ium至10um。
专利摘要本实用新型提供一种PVA像素电极及相应的液晶显示装置，包括位于TFT侧的第一电极；以及位于CF侧的与第一电极相应的第二电极，通过施加在第一电极和第二电极上的电场控制设置在第一电极和第二电极之间的液晶的指向，第一电极和第二电极分别与像素的边缘呈一定倾角，通过在第一电极和第二电极的边缘交界处对第一电极和/或第二电极设置不等长的ITO间隙，第一电极和相应的第二电极之间的间距在像素内到像素外的方向上递减。本实用新型的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧和/或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。
文档编号G02F1/1343GK202486474SQ20122008692
公开日2012年10月10日 申请日期2012年3月9日 优先权日2012年3月9日
发明者姚晓慧, 董成才, 薛景峰, 许哲豪 申请人:深圳市华星光电技术有限公司