专利名称：一种tn型的液晶显示面板及液晶显示装置的制作方法
技术领域：
一种TN型的液晶显示面板及液晶显示装置技术领域[0001]本实用新型涉及液晶显不面板制备技术领域，特别涉及一种TN型的液晶显不面 板及液晶显示装置。
背景技术：
[0002]在液晶显示技术领域，小尺寸的便携终端中多采用TN型液晶显示面板，且随着小 尺寸便携终端产品设计的普遍开展，液晶显示面板中像素之间的间距越来越小，像素密度 越来越大。[0003]像素密度越大，液晶显示面板的产品性能越好，但是，像素密度越大，液晶显示面 板的耗能越闻。[0004]因此，如何在保证液晶显示面板产品特性的同时降低液晶显示面板的功耗成为本 领域技术人员需要解决的一个主要问题。实用新型内容[0005]本实用新型实施例提供了一种TN型的液晶显示面板，该液晶显示面板能够降低 液晶便携终端的耗能。[0006]为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案[0007]—种TN型的液晶显示面板，包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基 板，所述TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线；所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的 一面具有公共电极层，所述彩膜基板的公共电极层具有与所述TFT阵列基板的栅线以及数 据线相对的镂空结构。[0008]优选地，所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域，每一个所述跳线区域中不同金 属膜层之间通过过孔连接，所述公共电极层与所述跳线区域相对的位置具有镂空结构。[0009]优选地，所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域，每一个所述跳线区域中不同金 属膜层之间通过过孔连接，所述公共电极层与所述跳线区域之间具有绝缘层。[0010]优选地，所述绝缘层位于所述彩膜基板。[0011]优选地，所述绝缘层位于所述TFT阵列基板。[0012]优选地,所述绝缘层由Si02或SiNx制备而成。[0013]本实用新型还提供了一种液晶显示装置，包括上述技术方案中提到的任一种TN 型液晶显示面板。[0014]本实用新型提供的TN型的液晶显示面板，包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基 板和彩膜基板，所述TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线；所述彩膜基板朝向所述TFT 阵列基板的一面具有公共电极层，所述彩膜基板的公共电极层具有与所述TFT阵列基板的 栅线以及数据线相对的镂空结构。[0015]本实用新型提供的TN型液晶显示面板中，彩膜基板中的公共电极层与数据线以 及栅线正对交叠的地方具有镂空结构，可以减小彩膜基板中公共电极层与数据线线和栅线的正对面积，减小公共电极层与数据线和栅线之间的正对电容，从而减小栅线和数据线的 总电容，对于小尺寸的便携终端来说，电容的减小可以有效的降低产品的负载，从而达到降 低功耗的效果。[0016]因此，本实用新型提供的TN型液晶显示面板能够降低小尺寸液晶便携终端的耗 倉泛。
[0017]图1为本实用新型提供的TN型液晶显示面板的彩膜基板中公共电极层与像素单 元内的数据线以及栅线相对的位置的镂空结构示意图；[0018]图2为现有技术中TN型液晶显示面板中阵列基板的跳线区域受到挤压时跳线导 电电极与彩膜基板中公共电极层短路时的结构示意图；[0019]图3为本实用新型提供的TN型液晶显示面板彩膜基板的公共电极层与阵列基板 的跳线区域相对位置的结构示意图；[0020]图4为图3所示区域受挤压时公共电极层与阵列基板跳线区域的导电电极之间的 状态不意图；[0021]图5为本实用新型提供的TN型液晶显示面板彩膜基板的公共电极层设置的与阵 列基板跳线区域相对的镂空结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。[0023]如图1和图3所示，本实用新型提供的TN型的液晶显示面板，包括相对设置的薄 膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板，TFT阵列基板具有多条数据线01和多条栅线02 ;彩膜 基板朝向TFT阵列基板的一面具有公共电极层03，如图2和图3所示，彩膜基板的公共电极 层03具有与TFT阵列基板的栅线02以及数据线01相对的镂空结构，如图1中所示，公共 电极层03中与数据线01对应的第一镂空槽031和与栅线02对应的第二镂空槽032。[0024]本实用新型提供的TN型液晶显示面板中，彩膜基板中的公共电极层03与数据线 01正对交叠的位置设有第一镂空槽031，第一镂空槽031可以减少公共电极层03与数据线 01之间的正对面积，从而可以减小公共电极层03与数据线01之间的正对电容；同时，公共 电极层03中与栅线02正对交叠的位置具有第二镂空槽032，第二镂空槽032可以减少公 共电极层03与栅线02之间的正对面积，从而减小了公共电极层03与栅线02之间的正对 电容；进而，第一镂空槽031和第二镂空槽032的设置减小了公共电极层03与栅线02和数 据线01之间的总电容，对于小尺寸的便携终端来说，电容的减小可以有效的降低产品的负 载，从而达到降低功耗的效果。[0025]因此，本实用新型提供的TN型液晶显示面板能够降低小尺寸液晶便携终端的耗 倉泛。[0026]在TN型液晶显示面板的生产工艺过程中，制备阵列基板时，根据走线布线的需求，往往需要在TFT阵列基板上制备多个跳线区域，如图3中虚线框D区域所示，跳线区域 D内，需要通过过孔来导通位于不同层级之间的金属层，且将下层中的金属层通过导电电极 层04引导至TFT阵列基板的顶层膜层表面。但是，TFT阵列基板的跳线区域D与彩膜基板 之间的没有隔垫物以及封框胶，因此，在受到挤压时会变形，从而导致TFT阵列基板中跳线 区域D设置的导电电极层04与彩膜基板中的公共电极层03接触而形成短路，如图2所示， 从而降低便携终端产品的良率。因此，为减少上述短路状况的产生[0027]优选地，如图3和图5所示，可以在彩膜基板的公共电极层03与TFT阵列基板的 跳线区域D相对的位置设置有镂空结构，该镂空结构如图5中所示点镂空槽033。[0028]在彩膜基板的公共电极层03与TFT阵列基板中的跳线区域D相对的位置设置第 三镂空槽033，当TFT阵列基板和彩膜基板受到挤压时，即使TFT阵列基板的跳线区域D与 彩膜基板接触，因为已经通过第三镂空槽033将公共电极层03中与跳线区域D正对位置的 部分去除，不会发生跳线区域D的导电电极04与公共电极层03之间的短路现象，如图4所/Jn ο[0029]另外，还可以在彩膜基板的公共电极层03与TFT阵列基板的跳线区域D之间设置 绝缘层，以降低跳线区域D的导电电极04与公共电极层03之间的短路现象。[0030]优选实施方式中，上述绝缘层可以位于彩膜基板上，绝缘层设置于彩膜基板的公 共电极层03中与跳线区域D相对的位置上。[0031]当然，上述绝缘层还可以位于TFT阵列基板上。[0032]具体地，上述绝缘层的制备材料可以由Si02或SiNx制备而成。[0033]另外，本实用新型还提供了一种液晶显示装置，包括上述具体实施方式
中提供的 任一种TN型液晶显不面板。[0034]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离 本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利 要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种TN型液晶显示面板，包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板，所述TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线；所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的一面具有公共电极层，其特征在于，所述彩膜基板的公共电极层具有与所述TFT阵列基板的栅线以及数据线相对的镂空结构。
2.根据权利要求1所述的TN型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域，每一个所述跳线区域中不同金属膜层之间通过过孔连接，所述公共电极层与所述跳线区域相对的位置具有镂空结构。
3.根据权利要求1所述的TN型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域，每一个所述跳线区域中不同金属膜层之间通过过孔连接，所述公共电极层与所述跳线区域之间具有绝缘层。
4.根据权利要求3所述的TN型液晶显示面板，其特征在于，所述绝缘层位于所述彩膜基板。
5.根据权利要求3所述的TN型液晶显示面板，其特征在于，所述绝缘层位于所述TFT阵列基板。
6.根据权利要求3飞任一项所述的TN型液晶显示面板，其特征在于，所述绝缘层由Si02或SiNx制备而成。
7.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1飞任一项所述的TN型液晶显示面板。
专利摘要本实用新型公开了一种TN型的液晶显示面板，包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板，TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线；彩膜基板朝向TFT阵列基板的一面具有公共电极层，彩膜基板的公共电极层具有与TFT阵列基板的栅线以及数据线相对的镂空结构。彩膜基板中的公共电极层与数据线以及栅线正对交叠的地方具有镂空结构，可以减小彩膜基板中公共电极层与数据线线和栅线的正对面积，减小公共电极层与数据线和栅线之间的正对电容，从而减小栅线和数据线的总电容，对于小尺寸的便携终端来说，电容的减小可以有效的降低产品的负载，从而达到降低功耗的效果。本实用新型还提供了一种包括上述TN型液晶显示面板的液晶显示装置。
文档编号G02F1/1362GK202837757SQ20122051267
公开日2013年3月27日 申请日期2012年10月8日 优先权日2012年10月8日
发明者王世君 申请人:北京京东方光电科技有限公司