液晶显示装置的制作方法

本发明涉及液晶显示装置，并且更具体地涉及有源矩阵型液晶显示装置，其中用实质上垂直于薄膜晶体管基板的电场驱动液晶分子。

背景技术：
广泛地使用的扭转向列(TN)型的液晶显示装置具有高对比度，但是另一方面存在高视角依赖性的问题，因为液晶的分子轴由于垂直电场而升高。因为近年来对大尺寸的TV监视器等的需求不断增加，所谓的横向电场型液晶面板(例如IPS(面内开关)型或FFS型)不断扩散，在这种面板中将与设置薄膜晶体管(下文中称为TFT)的基板实质上平行的电场施加至液晶分子以驱动该分子。例如，IPS型的横向电场型液晶显示器面板在基板上具有实质上平行于数据线或扫描线的多个像素电极，以及与所述像素电极成对的公共电极。通过在像素电极和公共电极之间形成与基板实质上平行的电场，液晶分子在平行于基板的平面内转动，由此控制显示。通过以此方式驱动液晶分子，消除了相对于分子轴的上升角度的视角依赖性。相比TN型，视角特性更加有利。在这种液晶显示装置中，优选在更大的范围内驱动液晶分子。例如，专利文献1公开一种在较宽区域内驱动液晶材料的技术，该液晶材料被设置成在设置TFT的基板和与该基板相对的相对基板之间的层并且具有滤色器。在专利文献1中，例如，公开一种将相邻像素电极的间隔缩短为小于由传统工艺余量(processmargin)确定的限制、并且防止相邻像素电极短路的技术。专利文献2公开一种横向电场型的液晶显示装置，其中通过设置像素电极和相对的电极实质上与扫描线平行、彼此邻近地形成数据线和源像素电极以及在扫描线上形成存储电容电极(图10)，具有改进的亮度。另一方面，专利文献3公开一种具有改进的孔径比的横向电场型的液晶显示装置，其中用公共电极经由夹层绝缘膜覆盖扫描线和数据线。专利文献1：日本未审专利申请出版物第2004-212436号专利文献2：日本未审专利申请出版物第2002-122876号专利文献3：日本未审专利申请出版物第2004-062145号

技术实现要素：
在专利文献1中，为了产生与基板实质上平行的电场，必须将像素电极和公共电极设置在基板上。例如，在数据线和像素电极之间，必须设置间隙以防止数据信号的传输延迟。为了所述间隙，电极必须设置为远离数据线，在子像素内不能拓宽驱动液晶分子的范围，这引起不能增加孔径比的问题。在专利文献2中，在横向电场型的液晶显示装置中，在数据线和像素电极之间，必须设置间隙以防止数据信号的传输延迟。例如，在液晶显示装置中，数据线和像素电极位于相同的层中，使得像素电极的连接部分必须设置为远离数据线，并且存在问题使得在子像素内不能拓宽驱动液晶分子的范围。另一方面，在专利文献3中，在液晶显示装置中的像素电极和公共电极之间以及在像素电极和公共电极线之间产生存储电容。因为在结构中的像素的短的一侧上产生存储电容，不能确保较大的面积，并且存在不能确保足够存储电容的问题。考虑上面的情况实现了本发明，并且本发明的目的在于在扩大子像素中的驱动液晶分子的面积的同时充分地确保存储电容。为了解决问题，本发明提供一种横向电场型的液晶显示装置，其通过横向电场旋转水平排列的液晶执行显示，在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行，所述液晶显示装置包括：基板，具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线，并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管，所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵中并且设置为围绕数据线和扫描线之间的交叉点；电位供应线，在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极；以及存储电容电极，接续至电位供应线，经由绝缘层设置在扫描线之上，并在扫描线和存储电容电极自身之间产生电容。像素电极具有像素电极第一部分和像素电极第二部分，像素电极第一部分设置在子像素区域中电位供应线之上的层中并且以线性地形成为与扫描线实质上平行，像素电极第二部分接续至像素电极第一部分，与数据线平行地形成，并且连接至电位供应线，公共电极具有公共电极第一部分和公共电极第二部分，公共电极第一部分与像素电极第一部分相对地排列，与像素电极第一部分间隔开相同的距离，并且产生与基板实质上平行的电场，并且公共电极第二部分接续至公共电极第一部分并经由绝缘膜设置在存储电容电极之上。本发明还提供一种横向电场型液晶显示装置，通过横向电场旋转水平排列的液晶来执行显示，在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行，所述液晶显示装置包括：基板，具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线，并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管，所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并且设置为围绕数据线和扫描线之间的交叉点；电位供应线，在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极；以及存储电容电极，接续至电位供应线，经由绝缘层设置在扫描线之上，并在扫描线和存储电容电极自身之间产生电容。像素电极在子像素区域内的电位供应线之上以平面形状扩展并连接至电位供应线，公共电极具有公共电极第一部分和公共电极第二部分，公共电极第一部分排列为经由绝缘层在像素电极之上面对像素电极，并在像素电极和公共电极自身之间产生与基板实质上平行的电场，并且公共电极第二部分接续至公共电极第一部分并经由绝缘膜设置在存储电容电极之上。此外，本发明提供一种横向电场型液晶显示装置，其通过横向电场旋转水平排列的液晶执行显示，在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行，所述液晶显示装置包括：基板，具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线，并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管，所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并且设置在数据线和扫描线之间的交叉点周围；电位供应线，在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极；以及存储电容电极，接续至电位供应线，经由绝缘层设置在扫描线之上，并在扫描线和存储电容电极自身之间产生电容。公共电极在子像素区域内的电位供应线之上以平面形状扩展并连接至电位供应线，像素电极具有像素电极第一部分和像素电极第二部分，像素电极第一部分排列为经由绝缘层在公共电极之上面对公共电极，并在公共电极和像素电极自身之间产生与基板实质上平行的电场，并且像素电极第二部分接续至像素电极第一部分并经由绝缘膜设置在电位供应线之上。根据本发明，当从垂直于基板的方向看时，像素电极或公共电极可以设置在更靠近数据线一侧，并且在产生用于在子像素内更充分地驱动液晶分子的电场的同时，可以充分确保存储电容。附图说明图1是示出作为本发明第一实施例的液晶显示装置中的一个子像素的配置的平面视图。图2是沿图1中的线A-A’的剖视图，示出作为本发明第一实施例的液晶显示装置。图3是沿与作为本发明第一实施例的液晶显示装置中的数据线的延伸方向实质上垂直的平面获得的基板的剖视图。图4是示出在作为本发明第一实施例的液晶显示装置中排列三个图1的子像素的模式的说明图。图5是示出在作为本发明第二实施例的液晶显示装置中一个子像素的配置的平面视图。图6是沿作为本发明第二实施例的液晶显示装置的图5中的线A-A’获得的剖视图。图7是示出在作为本发明第三实施例的液晶显示装置中一个子像素的配置的平面视图。图8是沿作为本发明第三实施例的液晶显示装置的图7中的线A-A’获得的剖视图。图9是基板沿与作为本发明第三实施例的液晶显示装置中的数据线的延伸方向垂直的平面的剖视图。图10是传统液晶显示装置的平面视图。具体实施方式将描述本发明的实施例。第一实施例如图1所示，在液晶显示装置中，多个数据线1彼此平行地设置在透明基板(第一基板)上。多个扫描线2与数据线1实质上垂直地设置。通过多个数据线1和扫描线2，限定了以矩阵布置的多个子像素区域。在扫描线2上靠近与数据线1交叉的部分设置栅电极，并且从与扫描线2交叉的数据线1连接漏电极。使用这种结构，薄膜晶体管可以形成在数据线1与扫描线2的交叉部分附近。在数据线1的一侧上，沿数据线1设置源像素电极(连接至源电极的电位供应线)，并且TFT的源电极连接至源像素电极。像素电极设置在源像素电极9的上面的层内，并且形成为梳齿形状。例如，通过多个与扫描线实质上平行的第一部分3(像素电极的第一部分)和接续至第一部分3的第二部分4(像素电极的第二部分)构造像素电极。与像素电极对应，公共电极也具有多个与扫描线实质上平行的第一部分5(公共电极的第一部分)和接续至第一部分5的第三部分7和第二部分6(公共电极的第三和第二部分)。公共电极的第一部分5和像素电极的第一部分3以预定间隔设置并可以产生与基板实质上平行的电场。下面将以制造顺序详细地描述在图1和2中示出的第一实施例的像素。首先，在作为第一绝缘基板12的玻璃基板上，通过由2500A(埃)的铬(Cr)形成的第一金属层形成扫描线2。作为栅绝缘膜13，形成由2000A(埃)的a-Si和500A(埃)的n型a-Si形成的薄膜半导体层和5000A的SiNx。薄膜半导体层10被图案化，同时仅留下设置作为像素的开关元件的TFT部分。通过2500A的铬形成的第二金属层，形成数据线1、TFT的源/漏电极、连接至TFT的源电极的源像素电极9以及存储电容电极8。使用TFT的源/漏电极作为掩模，去除TFT沟道部分中的n型a-Si。形成6000A的SiNx作为保护绝缘膜14，并且形成用于连接像素电极的通孔25。在保护绝缘膜14上，通过由800A的ITO形成的透明电极形成图案，所述图案由像素电极的第一部分3、连接像素电极的第一部分的第二部分4、公共电极的第一部分5、对数据线加以屏蔽的公共电极的第二部分6以及对数据线加以屏蔽的公共电极的第三部分7形成。由ITO形成的像素电极经由第二部分4中的通孔25连接至由第二金属层形成的源像素电极9。根据上述的方法形成TFT阵列。随后，将描述制造滤色器基板的方法。在第二透明绝缘基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底(blackmatrix)34，并且随后按照绿色(G)层19、红色(R)层20以及蓝色(B)层21的次序形成图案。另外，形成保护层18，并在保护层18上形成柱形物间隔体35。排列膜15和16形成在阵列基板的表面上和如上述制造的滤色器基板的表面上，并且沿32的方向实施摩擦处理。将基板彼此粘附，将液晶材料注入到基板之间的空间中，并密封最终的结构。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。另外，在玻璃基板两个侧面中的外侧面上，粘附起偏器11和24，使得它们的偏振轴彼此正交。在TFT阵列基板一侧上的入射侧起偏器的吸收轴方向与液晶的初始排列方向匹配。通过为如上述制造的液晶显示器面板设置背光和驱动电路，完成第一实施例的横向电场型的有源矩阵液晶显示装置。构成梳齿状电极的像素电极的第一部分3和公共电极的第一部分5以及对扫描线加以屏蔽的公共电极的第二部分6彼此实质上平行地形成，并在像素的中心部分弯曲。像素电极的第一部分3的右半部分沿顺时针方向从液晶排列方向仅倾斜θ，并且左半部分的下部仅倾斜-θ。因为扫描线2和构成沿扫描线2延伸方向延伸的梳齿状电极的像素电极3和公共电极5相对于液晶排列方向对称地弯曲，将从垂直方向(数据线的延伸方向)沿顺时针方向旋转仅θ的方向上的电场施加至像素的图右半部分，将从垂直方向沿逆时针方向旋转仅θ的方向上的电场施加至像素的图左半部分。通过所述电场，在像素的右侧和左侧上的液晶分子沿相反方向转动。液晶分子彼此光学补偿，使得可以获得没有色调反转(toneinversion)和变色的宽视角特性。在该实施例中，θ被设置为15°。由与数据线1相同的第二金属层形成的源像素电极9沿数据线1延伸并连接至存储电容电极8，存储电容电极8由形成在扫描线2上的第二金属层形成，它们彼此相邻并用作子像素的两边。由形成在扫描线2上的第二金属层形成的存储电容电极8在扫描线2和存储电容电极本身之间产生电容，并用作存储电容器。存储电容电极8也被公共电极的第二部分6覆盖，使得在存储电容电极8和公共电极的第二部分6之间也形成存储电容。使用这种结构，可以在较小的面积内形成较大的存储电容。优选地，由第二金属层形成的存储电容电极8比扫描线2宽并覆盖扫描线2。按照这种方式，由第二金属层形成的存储电容电极8具有与像素电极3相同的电位以及将电场与扫描线2屏蔽分开的功能。因此，对扫描线2加以屏蔽的公共电极的第二部分6不必太宽。在不存在由第二金属层形成的存储电容电极8的情况下，用于对扫描线2的电场加以屏蔽的公共电极6必须从扫描线2的边缘突出7μm。通过用第二金属层形成的存储电容电极8覆盖扫描线2，可以将突出部的宽度减小至6μm。根据以上描述可以理解的是：通过应用本申请的第一发明，可以在子像素中获得高的孔径比，所述子像素沿扫描线方向较长。通过如图3所示在源像素电极9上方设置像素电极，可以将像素电极设置为更靠近数据线1一侧，并且可以在更宽的区域内产生用于驱动液晶的电场。通过使得将连接至薄膜晶体管的源电极的源像素电极9沿数据线1延伸，源像素电极9形成在子像素的短侧边，并且可以将长度最小化，使得该部分的面积也被最小化。结果，可以改进孔径比。通过沿实质上L形的形状形成源像素电极9和存储电容电极8，可以增加孔径比。在像素结构中，通过最上层中的ITO膜产生整个公共电极电位。通过在矩阵中的最上层中形成ITO，将像素连接至外围的公共电极电位。在子像素中，在其他层中没有连接至公共电极电位的电极。因为不必形成干扰孔径比改进的电极，可以改进孔径比。使用这种结构，不用形成干扰孔径比改进的额外的电极，可以在小区域中形成足够大的存储电容，并且可以将电场与扫描线2和数据线1充分地屏蔽开。因此，可以获得具有高孔径比和高透射率的良好的液晶显示器。图4示出通过沿数据线的延伸方向布置三个如图1所示的子像素形成一个像素的示例。这三个子像素与R颜色层20、G颜色层19以及B颜色层21相对应。与设置R、G以及B的子像素使得它们连接至相同的数据线的情形类似，具有水平地伸长的子像素的像素结构具有高的孔径比。通过将R、G以及B的子像素连接至相同的数据线，可以减小用于驱动数据线的驱动器IC的数量，并且可以以较低成本制造液晶显示装置。通过沿数据线的延伸方向设置黑底34，对数据线1附近且与TFT相对的部分加以屏蔽。作为R、G以及B颜色层沿扫描线2的延伸方向延伸的图案，在颜色层的边界处设置颜色重叠遮蔽部分36，使得大约6μm的颜色层重叠。因为扫描线2上方的部分使用由第二金属层形成的存储电容电极8和ITO形成的公共电极的第三部分6屏蔽，因此液晶不回通过来自扫描线2的电场移动。因此，不需要太多地增加光遮蔽性能。通过将颜色重叠遮蔽部分36的宽度设置为6μm，可以防止颜色层之间的颜色混合并且光遮蔽部分不会延伸至开口部分。因此，可以保持高的透射率。第二实施例参照图5和6描述本发明的第二实施例。图5是示出在作为本发明第二实施例的液晶显示装置中的一个子像素的配置的平面图。图6是沿图5的线A-A’的剖视图。下面将以制造次序详细描述图5和6中示出的第二实施例的像素。首先，在作为第一绝缘基板12的玻璃基板上，通过由2500A(埃)的铬形成的第一金属层形成扫描线2。形成5000A的SiNx和由2000A的a-Si和500A的n型a-Si形成的薄膜半导体层作为栅极绝缘膜13。图案化薄膜半导体层10，同时仅留下TFT部分，其设置作为像素的开关元件。通过由2500A的铬形成的第二金属层，形成数据线1、TFT的源/漏电极、连接至TFT的源电极的源像素电极9以及存储电容电极8。使用TFT的源/漏电极作为掩模，去除TFT沟道部分中的n型a-Si。随后，通过由800A的ITO形成的透明电极形成具有平面形状的像素电极41。形成6000A的SiNx作为保护绝缘膜14。形成连接像素电极的通孔25。在保护绝缘膜14上，通过由800A的ITO形成的透明电极形成图案，所述透明电极由公共电极的第一部分5、对扫描线加以屏蔽的公共电极的第二部分6以及对数据线加以屏蔽的公共电极的第三部分7形成。根据上述的方法形成TFT阵列。随后，将描述制造滤色器基板的方法。在第二透明绝缘基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底34，随后以绿色(G)层19、红色(R)层20以及蓝色(B)层21的次序形成图案。另外，形成保护层18，并在保护层18上形成柱形物间隔体35。排列膜15和16形成在阵列基板的表面上和如上述制造的滤色器基板的表面上，并且沿32的方向实施摩擦处理。彼此粘附基板，将液晶材料注入到基板之间的空间中，并密封最终的结构。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。随后，在玻璃基板两个侧面中的外侧面上，粘附起偏器11和24。在TFT阵列基板侧面上的入射侧起偏器的吸收轴方向与液晶的初始排列方向32匹配。通过为如上述制造的液晶显示器面板设置背光和驱动电路，完成了第二实施例的横向电场型的有源矩阵液晶显示装置。对扫描线加以屏蔽的公共电极的第二部分6和公共电极的第一部分5彼此实质上平行地形成并在像素的中心部分弯曲。因为扫描线2和构成沿扫描线的延伸方向延伸的梳齿状电极的公共电极5相对于液晶排列方向对称地弯曲，在像素电极41和公共电极5上，将在从垂直方向(数据线的延伸方向)沿顺时针方向旋转仅θ的方向上的边缘电场施加至像素的图右半部分，将在从垂直方向沿逆时针方向旋转仅θ的方向上的电场施加至像素的图左半部分。通过电场，在像素的右侧和左侧上的液晶分子沿相反方向转动。液晶分子彼此光学补偿，使得可以在没有色调倒置和变色的情况下获得宽的视角特性。在该实施例中，θ被设置为8°。由与数据线1相同的第二金属层形成的源像素电极9沿数据线1延伸并连接至存储电容电极8，存储电容电极8由形成在扫描线2上的第二金属层形成，它们彼此相邻并用作子像素的两侧边。通过将连接至薄膜晶体管的源电极的源像素电极9形成为沿数据线1延伸，源像素电极9被形成在子像素的短侧边，并且可以最大程度地减小长度，使得该部分的面积被最小化。结果，可以改进孔径比。由形成在扫描线2上的第二金属层形成的存储电容电极8在扫描线2和存储电容电极本身之间产生电容，并用作存储电容器。存储电容电极8也被公共电极的第二部分6覆盖，使得存储电容也形成在存储电容电极8和公共电极第三部分6之间。使用这种结构，可以在小区域内形成较大的存储电容。优选地，由第二金属层形成的存储电容电极8比扫描线2宽并覆盖扫描线2。按照这种方式，由第二金属层形成的存储电容电极8具有与像素电极41相同的电位，和将电场与扫描线2屏蔽开的功能。因此，对扫描线2加以屏蔽的公共电极的第二部分6不必太宽。在不存在由第二金属层形成的存储电容电极的情况下，用于对扫描线2的电场加以屏蔽的公共电极6必须从扫描线2的边缘突出7μm。通过用第二金属层形成的存储电容电极8覆盖扫描线2，可以将突出部的宽度减小至6μm。公共电极的对数据线1加以屏蔽的第三部分7形成为对数据线1和由第二金属层形成的源像素电极9之间的区域加以屏蔽。因此，通过在数据线1和像素电极41上施加的电场使液晶变形，并且可以通过变形部分的光泄漏抑制串扰。柱形物间隔体35设置在位于子像素B的黑底上并与阵列基板上的源像素电极9附近的部分接触的位置。按照这种方式，在不对开口产生影响的情况下保持高的孔径比。如上所述，通过应用本申请的第二发明，可以在沿扫描线方向是长的子像素中获得高的孔径比。在像素结构中，通过最上层中的ITO膜产生整个公共电极电位。通过在矩阵中的最上层中形成ITO，将ITO连接至外围的公共电极。在子像素中，在其他层中不存在连接至公共电极电位的电极。因为不必形成干扰孔径比改进的电极，可以改进孔径比。使用这种结构，无需形成干扰提高孔径比改进的额外电极，可以在小区域中形成足够大的存储电容，并且可以将电场与扫描线2和数据线1充分地屏蔽开。因此，可以获得具有高孔径比和高透射率的良好的液晶显示器。第三实施例参照图7、8和9描述本发明的第三实施例。图7是示出本发明第三实施例的液晶显示装置中一个子像素的配置的平面图。图8是TFT基板的沿图7中的线A-A’的剖视图。下面将以制造次序详细描述图7至9中示出的第二实施例的像素。首先，在作为第一绝缘基板12的玻璃基板上，通过由2500A(埃)的铬形成的第一金属层形成扫描线2。形成5000A的SiNx和由2000A的a-Si和500A的n型a-Si形成的薄膜半导体层作为栅极绝缘膜13。图案化薄膜半导体层10，同时仅留下TFT部分，其设置作为像素的开关元件。通过由2500A的铬形成的第二金属层，形成数据线1、TFT的源/漏电极、连接至TFT的源电极的源像素电极9以及存储电容电极8。使用TFT的源/漏电极作为掩模，去除TFT沟道部分中的n型a-Si。形成6000A的SiNx作为保护绝缘膜14。在保护绝缘膜14上，通过由800A的ITO形成的透明电极形成平面形状的公共电极43。在平面形状的公共电极43中，形成用于连接像素电极的通孔44。形成3000A的SiNx的作为第二保护绝缘膜45。在栅极绝缘膜13、保护绝缘膜14以及第二保护绝缘膜45中形成通孔25。另外，结果，由800A的ITO形成的透明电极形成由多个带形像素电极42和像素电极42的耦接像素电极的第二部分46构成的图案。该图案经由像素电极的第二部分46中的通孔25和44连接源像素电极9。根据上述的方法形成TFT阵列。描述制造滤色器基板的方法(参照图4)。在第二透明绝缘基板22的背面上，形成200A的ITO膜23。在表面上形成黑底34，随后，以绿色(G)层19、红色(R)层20以及蓝色(B)层21的次序形成图案。另外，形成保护层18，并在保护层18上形成柱形物间隔体35。排列膜15和16形成在阵列基板的表面上和如上述制造的滤色器基板的表面上，并且沿32的方向实施摩擦处理。彼此粘附基板，将液晶材料注入到基板之间的空间中，并密封最终的结构。沿液晶的初始排列32方向排列液晶17。另外，在玻璃基板的外侧面上粘附起偏器11和24，使得偏振轴彼此正交。在TFT阵列基板侧面上的入射侧起偏器的吸收轴方向与液晶的初始排列方向32匹配。通过为如上述制造的液晶显示器面板设置背光和驱动电路，完成第三实施例的横向电场型的有源矩阵液晶显示装置。因为扫描线2和沿扫描线2的延伸方向延伸的带形像素电极42相对于液晶排列方向对称地弯曲，在带形像素电极42和平面形公共电极43上，将在从垂直方向(数据线的延伸方向)沿顺时针方向旋转仅θ的方向上的边缘电场施加至像素的图右半部分，将在从垂直方向沿逆时针方向旋转仅θ的方向上的电场施加至像素的图左半部分。通过电场，在像素的右侧和左侧上的液晶分子沿相反方向转动。液晶分子彼此光学补偿，使得可以在没有色调倒置和变色的情况下获得宽的视角特性。在该实施例中，θ被设置为8°。由与数据线1相同的第二金属层形成的源像素电极9沿数据线1延伸并连接至存储电容电极8，存储电容电极8由形成在扫描线2上的第二金属层形成，它们彼此相邻并用作子像素的两侧边。通过将连接至薄膜晶体管的源电极的源像素电极9形成为沿数据线1延伸，源像素电极9被形成在子像素的短侧边，并且最大程度地减小长度，使得该部分的面积被最小化。结果，可以改进孔径比。由形成在扫描线2上的第二金属层形成的存储电容电极8在扫描线2和存储电容电极本身之间产生电容，并用作存储电容器。存储电容电极8也被公共电极43覆盖，使得存储电容也形成在存储电容电极8和公共电极43之间。使用这种结构，可以在小区域内形成较大的存储电容。优选地，由第二金属层形成的存储电容电极8比扫描线2宽并覆盖扫描线2。按照方式，由第二金属层形成的存储电容电极8具有与像素电极41相同的电位和将电场与扫描线2屏蔽开的功能。如上所述，通过应用本申请的第三发明，可以在子像素中获得高的孔径比，所述子像素沿扫描线方向是长的。在像素结构中，通过作为平面形状公共电极43的部件的ITO层产生公共电极电位。通过在矩阵中形成公共电极，其连接至外围的公共电极。在子像素中，在其他层中不存在连接至公共电极电位的电极。因为不必形成干扰孔径比改进的电极，可以改进孔径比。使用这种结构，无需形成干扰孔径比改进的额外电极，可以在小区域中形成足够大的存储电容。本发明可以用于横向电场型的有源矩阵液晶显示装置和使用液晶显示装置作为显示装置的任意设备。