平板显示装置及其制造方法
【专利摘要】公开了一种平板显示器及其制造方法，以将有缺陷的子像素与相邻于所述有缺陷的子像素的正常子像素连接，使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素，从而修复有缺陷的子像素。所述平板显示器包括：显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
【专利说明】平板显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2012年10月23日提交的韩国专利申请N0.10_2012_0117987的权益，通过援引的方式将该专利申请并入本文，如同在这里完全阐述一样。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种平板显示器。更具体地，本发明涉及一种使用正常的子像素简单地修复有缺陷的子像素的平板显示器及其制造方法。
【背景技术】
[0004]随着信息依赖型社会的发展，对各种形式的显示装置的需求也在增长。为了满足这种需求，近来致力于对诸如液晶显示器(IXD)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)以及真空荧光显示器(VFD)这样的各种平板显示器展开研究，并且其中的一些被用作各种设备的显示装置。
[0005]这种平板显示器包括用以显示图像的显示面板，并且为了检测缺陷，平板显示器执行检验工序以检查显示面板的工作是否符合预期。通常，通过将预定的测试信号施加至显示面板并且针对缺陷的出现进行检查来执行检验工序。
[0006]例如，当平板显示器为液晶显示装置时，将测试信号施加至液晶显示装置的栅极线和数据线，检查形成在各个子像素中的薄膜晶体管的开/关状态，并且当薄膜晶体管处于开状态时，检查子像素的发光状态。子像素的缺陷可由信号线的短路和/或开路、薄膜晶体管的缺陷、电极图案的缺陷等引起。
[0007]此外，当液晶显示装置被驱动时，有缺陷的子像素会显示暗点或亮点。由于此原因，液晶显示器的显示特性退化。特别地，人的裸眼最容易识别的波长范围为大约555纳米，与绿光的峰值波长相当。因此，与呈现红光的红色(R)子像素和呈现蓝光的蓝色(B)子像素相比，呈现绿光的绿色(G)子像素表现出更好的可视性，并且当G子像素有缺陷时，液晶显示装置的显示质量大大退化。
【发明内容】
[0008]因此，本发明旨在提供一种基板上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的平板显示器及其制造方法。
[0009]本发明的一个目的是提供一种平板显示器及其制造方法，以将有缺陷的子像素与相邻于有缺陷的子像素的正常子像素连接，使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素，从而修复有缺陷的子像素。
[0010]在下面的描述中将列出本发明的附加优点、目的和特点，这些优点、目的和特点的一部分从下面的描述对于所属领域普通技术人员来说是将显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过书面说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其它优点。[0011]为实现这些目的和其它优点，根据本发明的目的，如在此具体化和概括地描述的，提供一种平板显示器，包括:显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
[0012]在本发明的另一方面，提供一种平板显示器的制造方法，包括:形成显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线限定的多个子像素，其中每个子像素包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极以及通过绝缘膜与所述像素电极交叠以形成边缘场切换的公共电极；在所述多个子像素中识别有缺陷的子像素；以及通过连接图案将所述有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
[0013]在本发明的又一方面，提供一种操作平板显示器的方法，所述平板显示器包括:由多条栅极线和多条数据线的交叉限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极，所述方法包括:通过与所述有缺陷的子像素相邻的子像素将数据电压传输至所述有缺陷的子像素；以及响应于所述数据电压，驱动所述相邻的子像素以及所述有缺陷的子像素。
[0014]应当理解，本发明前面的大体描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]被包括在内以给本发明提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中:
[0016]图1是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图；
[0017]图2A是图1的A区域的放大图；
[0018]图2B是沿图2A的线H，和11-11，所取的剖面图；
[0019]图3是示出根据第二实施方式的平板显示器的平面图；
[0020]图4A是图3的B区域的放大图；
[0021]图4B是沿图4A的线II1- HF和IV -1V’所取的剖面图；以及
[0022]图5A至图51是示出与制造根据第二实施方式的平板显示器的方法相关联的工艺的剖面图。
【具体实施方式】
[0023]现在将对本发明的实施方式进行详细描述，附图中示出了这些实施方式的一些实例。尽可能地在整个附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
[0024]在下文中，将参照附图描述本发明的平板显示器。
[0025]第一实施方式
[0026]图1是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图。图2A是图1的A区域的放大图。图2B是沿图2A的线1-1’和11-11’所取的剖面图。[0027]如图1中所示，根据本发明第一实施方式的平板显示器包括以矩阵形式排列的多个子像素。平板显示器包括薄膜晶体管基板、滤色器基板以及设置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间的液晶层。每个子像素形成在由多条栅极线110与多条数据线140之间的每个交叉所限定的像素区域中。
[0028]本发明用于修复任何有缺陷的子像素。在子像素中，有缺陷的子像素IA通过连接图案200与相邻于子像素IA的正常(即没有缺陷的)子像素IB连接。优选地，连接图案200与位于有缺陷的子像素与相邻的正常子像素之间的栅极线交叠，并与其绝缘。如果有缺陷的子像素未通过连接图案200与正常子像素IB连接，则当有缺陷的子像素被驱动时可呈现出暗点或亮点。有缺陷的子像素可由信号线的短路和/或开路、薄膜晶体管的缺陷、电极图案的缺陷等引起。相比之下，正常子像素是通过发射与子像素相关联的预期颜色的光而正确工作(即，不会产生缺陷)的子像素。当正常子像素IB被驱动时，有缺陷的子像素IA由于通过连接图案200与正常子像素IB连接所以也被驱动，进而可操作有缺陷的子像素1A。因此，优选地，有缺陷的子像素IA和正常子像素IB发出相同颜色的光。
[0029]如图2A和图2B中所示，薄膜晶体管基板包括下基板100、形成在下基板100上的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极170以及通过绝缘膜150c与像素电极170交叠以形成边缘场切换(FFS)的公共电极160。
[0030]特别地，栅极线110和数据线140在下基板100上彼此交叉以限定多个像素区域。每个像素区域包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极110a、包括有源层(未示出)和欧姆接触层(未示出)的半导体层130、从数据线140延伸的源极140a以及与源极140a隔开的漏极140b。在图2A中，“开口”是指有缺陷的子像素的漏极中的断开(S卩，切口)。断开产生于有缺陷的子像素中，以防止通过连接图案200与有缺陷的子像素连接的正常子像素尽管正确操作，但在面板的自动探测期间出现缺陷。优选地，去除有缺陷的子像素的漏极的一部分，以将有缺陷的子像素的像素电极与有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。
[0031]第一保护膜150a和第二保护膜150b依次形成在栅极绝缘膜120上，以便第一保护膜150a和第二保护膜150b覆盖薄膜晶体管，并且公共电极160形成在第二保护膜150b上。公共电极160由诸如氧化锡(T0)、氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)这样的透明导电材料制成。仅如图2B中所示，公共电极160以单电极形状形成在除薄膜晶体管之外的区域中的第二保护膜150b的整个表面上。
[0032]形成绝缘膜150c并使其覆盖公共电极160，并且通过选择性地去除位于漏极140b的一部分上的部分第一保护膜150a、位于漏极140b的所述部分上的部分第二保护膜150b、以及部分绝缘膜150c以暴露漏极140b的所述部分，形成漏极接触孔150H。狭缝形像素电极170形成在绝缘膜150c上，并且像素电极170通过接触孔150H与漏极140b连接。公共电极160通过绝缘膜150c与像素电极170交叠以形成边缘场切换(FFS)。
[0033]尽管未示出，滤色器基板与薄膜晶体管基板接合。滤色器基板包括多个滤色器、多个黑矩阵以及涂覆层，其中，滤色器形成在上基板的各个像素区域中，黑矩阵形成在各个子像素之间的区域中以及与薄膜晶体管相对应的区域中以防止漏光，涂覆层覆盖包括滤色器和黑矩阵的上基板的整个表面。
[0034]此外，液晶层设置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间。液晶层的液晶分子通过边缘场切换而旋转。根据液晶分子的旋转程度，穿过像素区域的光的透射率改变并且因此形成图像。
[0035]在本发明的平板显示器中，有缺陷的子像素IA的像素电极170使用连接图案200与正常子像素IB的像素电极170连接。正常子像素IB设置在有缺陷的子像素IA的上游或下游，并且连接图案200与栅极线110上方的区域交叠以将有缺陷的子像素IA的像素电极170与正常子像素IB的像素电极170连接。在这种情形中，连接图案200由钨(W)制成。
[0036]也就是说，上述本发明的平板显示器使用正常子像素IB的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素1A，由此正常地驱动有缺陷的子像素1A。在一个实施方式中，驱动电压(或数据电压)被施加至正常子像素1B，从而驱动正常子像素1B。由于有缺陷的子像素IA通过连接图案200与正常子像素IB连接，所以当驱动电压被施加至正常子像素IB时，有缺陷的子像素IA也被驱动，由此会导致有缺陷的子像素IA发光。因此，在有缺陷的子像素IA的薄膜晶体管中，漏极140b的一部分被去除以便阻挡数据信号(未示出)。在一个实施方式中，通过切割漏极140b而去除漏极140b的所述部分。通过切割漏极140b，与有缺陷的子像素IA连接的正常子像素IB在面板的自动探测期间不会出现缺陷。如果漏极140b并未被去除，正常子像素IB将在面板的自动探测期间出现缺陷。
[0037]特别地，由于当有缺陷的子像素IA被修复时，两个子像素由一个薄膜晶体管驱动，所以优选地以Z反转模式驱动根据本发明第一实施方式的平板显示器，以便确保薄膜晶体管的充足的充电时间。
[0038]在Z反转模式中，在多个子像素中的多个薄膜晶体管以Z字形排列。如图1中所示，与奇数栅极线110 (即，第一侧栅极线)连接的薄膜晶体管分别与左侧数据线140 (BP,第一侧数据线)连接，而与偶数栅极线110 (即，第二侧栅极线)连接的薄膜晶体管分别与右侧数据线140 (即，第二侧数据线)连接。
[0039]与帧反转模式和行反转模式相比，Z反转模式具有薄膜晶体管的充足的充电时间裕度。因此，尽管使用一个薄膜晶体管驱动两个子像素，仍能够防止子像素的显示质量的退化。
[0040]而且，本发明的平板显示器的子像素以边缘场切换模式驱动。与在扭曲向列(TN)模式或面内切换模式中驱动的平板显示器相比，边缘场切换模式的平板显示器具有小的子像素尺寸以及由此产生的高分辨率。因此，当正常子像素IB被驱动时，尽管通过连接图案200与正常子像素连接的有缺陷的子像素IA与正常子像素IB—起被驱动，然而有缺陷的子像素IA并不会出现缺陷(即，有缺陷的子像素IA发出预期颜色的光)。
[0041]第二实施方式
[0042]根据本发明第二实施方式的平板显示器具有这样的构造，即两个正常子像素与一个有缺陷的子像素连接并且使用一个薄膜晶体管驱动1.5个子像素。由于与有缺陷的子像素IA连接的每个正常子像素驱动其自身并且驱动半个有缺陷的子像素1A，所以1.5个子像素被驱动。
[0043]与第一实施方式相比，通过使用两个正常子像素驱动有缺陷的子像素，减少了驱动有缺陷的子像素所需要的时间长度。在一个实施方式中，驱动电压被施加至与有缺陷的子像素连接的两个正常子像素IC和1D，从而驱动两个正常子像素IC和1D。当将驱动电压施加至两个正常子像素IC和ID时，由于有缺陷的子像素IA通过连接图案200a和200b与两个正常子像素IC和ID连接，所以有缺陷的子像素IA也被驱动，由此会导致有缺陷的子像素IA发光。
[0044]图3是示出根据第二实施方式的平板显示器的平面图。图4A是图3的B区域的放大图。图4B是沿图4A的线II1- HF和IV -1V’所取的剖面图。
[0045]如图3中所示，根据本发明第二实施方式的平板显示器包括以矩阵形式排列的多个子像素，并且每个子像素形成在由彼此交叉的栅极线110与数据线140限定的像素区域中。在子像素中，有缺陷的子像素IA通过第一连接图案200a和第二连接图案200b与相邻于有缺陷的子像素IA的第一正常子像素IC和第二正常子像素ID连接。在这种情形中，有缺陷的子像素IA和正常子像素IC和ID发出相同颜色的光。
[0046]如图4A和图4B中所示，薄膜晶体管基板包括:下基板100 ;形成在下基板100上的薄膜晶体管；与薄膜晶体管连接的像素电极170、170a或170b ;以及通过绝缘膜150c与像素电极170交叠以形成边缘场切换(FFS)的公共电极160。薄膜晶体管包括栅极110a、包括有源层(未示出)和欧姆接触层(未示出)的半导体层130、从数据线140延伸的源极140a以及与源极140a隔开的漏极140b。
[0047]第一保护膜150a和第二保护膜150b依次形成在栅极绝缘膜120上，以便第一保护膜150a和第二保护膜150b覆盖薄膜晶体管，并且公共电极160形成在第二保护膜150b上。在这种情形中，公共电极160以单电极形状形成在除薄膜晶体管之外的区域中的第二保护膜150b的整个表面上。
[0048]形成绝缘膜150c，并使其覆盖公共电极160，并且通过选择性地去除位于漏极140b的一部分上的部分第一保护膜150a、位于漏极140b的所述部分上的部分第二保护膜150b、以及位于漏极140b的所述部分上的部分绝缘膜150c以暴露漏极140b的所述部分，形成漏极接触孔150H。狭缝形像素电极170形成在绝缘膜150c上。像素电极170通过漏极接触孔150H与漏极140b连接。公共电极160通过绝缘膜150c与像素电极170交叠以形成边缘场切换(FFS)。
[0049]尽管未示出，滤色器基板包括多个滤色器、多个黑矩阵以及涂覆层，其中，滤色器形成在上基板的各个像素区域中，黑矩阵形成在各个子像素之间的区域中以及与薄膜晶体管相对应的区域中，涂覆层覆盖包括滤色器和黑矩阵的上基板的整个表面。此外，液晶层设置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间。液晶层的液晶分子通过边缘场切换而旋转。根据液晶分子的旋转程度，穿过像素区域的光的透射率改变并且因此形成图像。
[0050]在根据第二实施方式的平板显示器中，有缺陷的子像素IA的像素电极被分成第一像素电极图案170a和第二像素电极图案170b，并且第一像素电极图案170a和第二像素电极图案170b分别通过第一连接图案200a和第二连接图案200b与不同正常子像素的像素电极170连接。
[0051]特别地，第一像素电极图案170a通过第一连接图案200a与设置在有缺陷的子像素IA的上游的正常子像素IC的像素电极170连接，并且第二像素电极图案170b通过第二连接图案200b与设置在有缺陷的子像素IA的下游的正常子像素ID的像素电极170连接。此外，在有缺陷的子像素IA的薄膜晶体管中，漏极140b的一部分被去除(未示出)以便阻挡数据信号。在图4B中，“开口”是指如上所述的有缺陷的子像素的漏极中的断开(S卩，切口)。
[0052]也就是说，根据本发明第二实施方式的平板显示器使用一个薄膜晶体管驱动1.5个子像素。特别地，尽管电荷通过一个薄膜晶体管分布在正常子像素IC以及包括第一像素电极图案170a的有缺陷的子像素中，然而与帧反转模式和行反转模式相比，Z反转模式具有薄膜晶体管的充足的充电时间裕度。因此，尽管使用一个薄膜晶体管驱动1.5个子像素，但是仍能够防止子像素的显示质量的退化。
[0053]并且，与根据第一实施方式的其中由一个薄膜晶体管驱动两个子像素的平板显示器相比，根据本发明第二实施方式的平板显示器表现出进一步改善的子像素的显示质量。
[0054]在下文中，将参照附图描述本发明的平板显示器的制造方法。
[0055]图5A至图51是示出根据本发明第二实施方式的平板显示器的制造工艺的剖面图。
[0056]如图5A中所示，在下基板100上形成多条栅极线110和栅极110a。在包括栅极线110和栅极IlOa的下基板100的整个表面上形成栅极绝缘膜120。
[0057]如图5B中所示，在栅极绝缘膜120上形成包括有源层和欧姆接触层的半导体层130，以便半导体层130与栅极IlOa交叠。在半导体层130上形成通过栅极绝缘膜120与栅极线110交叉以限定像素区域的数据线140、从数据线140伸出的源极140a以及与源极140a隔开的漏极140b。此外，选择性地去除在源极140a与漏极140b之间的欧姆接触层以形成沟道。
[0058]结果，形成了包括栅极110a、栅极绝缘膜120、半导体层130、源极140a以及漏极140b的薄膜晶体管TFT。同时，尽管在附图中示出了使用不同的掩模形成数据线140、源极140a、漏极140b以及半导体层130，但是可同时形成这些组件以便减少掩模的数量。此外，在栅极绝缘膜120上形成第一保护膜150a，以覆盖包括薄膜晶体管和数据线140的下基板100的整个表面。
[0059]如图5C中所示，在第一保护膜150a上形成第二保护膜150b。如图中所示，在第二保护膜150b上形成具有单电极形状的公共电极160。公共电极160由诸如氧化锡(T0)、氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)这样的透明导电材料形成。公共电极160形成在下基板100的长度方向上，并且仅在与薄膜晶体管相对应的区域，例如在薄膜晶体管上方的区域处具有开口。
[0060]如图5E中所示,形成绝缘膜150c以便绝缘膜150c覆盖公共电极160的整个表面。通过选择性地去除位于漏极140b的一部分的上方的部分第一保护膜150a、部分第二保护膜150b以及部分绝缘膜150c而在第一保护膜150a、第二保护膜150b以及绝缘膜150c中形成漏极接触孔150H，以暴露漏极140b的所述部分。如图5F中所示，在绝缘膜150c上的每个像素区域中形成多个狭缝形像素电极170。多个狭缝形像素电极170由透明导电材料形成。每个像素电极170通过漏极接触孔150H与漏极140b连接。
[0061]为了检查子像素是否被正常地驱动(S卩，正确地工作)，将测试信号施加至子像素，从而检查子像素以确定子像素是否正确地工作。
[0062]在检查子像素之后，如果识别出有缺陷的子像素，则如图5G中所示，产生具有预定成分的气体气氛。在一个实施方式中，具有预定成分的气体是六羰基钨(W(CO)6X
[0063]如图M中所不，在六羰基鹤(W(CO)6)气氛下在第一位置201处用激光照射有缺陷的子像素的像素电极170。此外，当将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的正常子像素的像素电极170所对应的第二位置203处时，W(CO)6与激光反应以分解W(CO)6并且从W(CO)6中分离出钨(W)。此外，分离出的钨(W)沿激光照射区域沉积从而形成将有缺陷的子像素的像素电极170与正常子像素的像素电极170连接的连接图案200a。与此相似地，将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的另一正常子像素的像素电极以形成连接图案200b。
[0064]特别地，根据本发明第二实施方式的平板显示器包括第一连接图案200a和第二连接图案200b，以将有缺陷的子像素的像素电极与设置在有缺陷的子像素的像素电极的上游和下游的正常子像素的像素电极连接。优选地，可以按照如下方式形成第一连接图案200a和第二连接图案200b:在一气氛下将激光照射在有缺陷的子像素的像素电极的第一端；将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的正常子像素的像素电极以形成第一连接图案200a ;在所述气氛下将激光照射在有缺陷的子像素的像素电极的第二端；以及将激光移位至与有缺陷的子像素相邻的另一正常子像素的像素电极以形成第二连接图案200b。
[0065]如图51中所示，将在有缺陷的子像素的薄膜晶体管中的漏极140b的一部分去除(未示出)，以便阻挡数据信号。此时，还将与漏极140b被去除的区域相对应的栅极绝缘膜120去除，以暴露下基板100的上表面。在图51中，“开口”是指如上所述的有缺陷的子像素的漏极中的断开(即，切口)
[0066]如上所述，将有缺陷的子像素的像素电极与设置在有缺陷的子像素的上游和下游的正常子像素的两个像素电极连接。此外，将有缺陷的子像素的像素电极170分成第一像素电极图案170a和第二像素电极图案170b。此时，通过第一连接图案200a将第一像素电极图案170a与设置在有缺陷的子像素的上游的正常子像素的像素电极170连接，并且通过第二连接图案200b将第二像素电极图案170b与设置在有缺陷的子像素的下游的正常子像素的像素电极170连接。
[0067]在附图中示出了在第一连接图案200a和第二连接图案200b形成之后，有缺陷的子像素的漏极的开口以及将像素电极分成第一像素电极图案170a和第二像素电极图案170b。也可以在形成有缺陷的子像素的漏极140b的开口以及将像素电极分成第一像素电极图案170a和第二像素电极图案170b之后，形成第一连接图案200a和第二连接图案200b。
[0068]如上所述，本发明的平板显示器能够通过将有缺陷的子像素与相邻于有缺陷的子像素的正常子像素连接并且使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素，修复有缺陷的子像素。在这种情形中，平板显示器以Z反转模式驱动，并且因此，与有缺陷的子像素连接的正常子像素的薄膜晶体管能够确保充足的充电时间。因此，平板显示器能够防止已修复的有缺陷的子像素以及与有缺陷的子像素连接的子像素的显示质量的退化。
[0069]并且，本发明的平板显示器具有高分辨率，其中，尽管正常子像素和有缺陷的子像素彼此连接并且被同时驱动，但每个子像素以边缘场切换模式驱动，从而防止有缺陷的子像素容易被看见。
[0070]本发明的平板显示器及其制造方法具有如下优点。
[0071]第一，通过将有缺陷的子像素的像素电极与相邻于有缺陷的子像素的正常子像素的像素电极连接，能够使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素。
[0072]第二，通过以Z反转模式驱动平板显示器，能够确保与有缺陷的子像素连接的正常子像素的薄膜晶体管具有充足的充电时间。因此，能够防止已修复的有缺陷的子像素以及与有缺陷的子像素连接的正常子像素的显示质量的退化。
[0073]第三，子像素以边缘场切换(FFS)模式驱动。因此，与以扭曲向列(TN)模式或面内切换(IPS)模式驱动的平板显示器相比，以FFS模式驱动的平板显示器具有小的子像素尺寸以及由此产生的高分辨率。结果，尽管正常子像素和有缺陷的子像素彼此连接并且被同时驱动，但他们并不容易被看见。
[0074]在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可对本发明进行各种修改和变化，这对于所属领域普通技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书的范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。
【权利要求】
1.一种平板显示器，包括: 显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及 连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述栅极线包括彼此交替的第一侧栅极线与第二侧栅极线，并且与所述第一侧栅极线中的一条栅极线连接的第一薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管左侧的数据线连接，以及其中与所述第二侧栅极线中的一条栅极线连接的第二薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管右侧的数据线连接。
3.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述连接图案与位于所述有缺陷的子像素与所述相邻的子像素之间的栅极线交叠，所述连接图案与所述栅极线绝缘。
4.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述有缺陷的子像素的像素电极包括第一像素电极图案和第二像素电极图案，并且所述第一像素电极图案和所述第二像素电极图案中的每个像素电极图案与没有缺陷的相邻子像素的相应像素电极连接。
5.根据权利要求4所述的平板显示器，其中所述连接图案将所述第一像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极，并且 其中另一连接图案将所述第二像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的另一子像素的像素电极。
6.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述有缺陷的子像素和没有缺陷的子像素发出相同颜色的光。
7.根据权利要求1所述的`平板显示器，其中所述显示面板包括: 下基板； 所述多条栅极线和所述多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线通过栅极绝缘膜彼此交叉以在所述下基板上限定所述子像素； 第一保护膜，所述第一保护膜覆盖每个子像素的薄膜晶体管； 第二保护膜，所述第二保护膜覆盖每个子像素的薄膜晶体管； 公共电极，所述公共电极形成在所述第二保护膜上； 绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述公共电极上； 漏极接触孔，所述漏极接触孔通过选择性地去除所述第一保护膜的一部分、所述第二保护膜的一部分以及所述绝缘膜的一部分而暴露所述薄膜晶体管的漏极；以及 像素电极，所述像素电极通过所述漏极接触孔与所述薄膜晶体管连接，所述像素电极通过所述绝缘膜与所述公共电极交叠，以与所述公共电极形成边缘场切换。
8.根据权利要求7所述的平板显示器，其中所述有缺陷的子像素的漏极的一部分被去除，以将所述有缺陷的子像素的像素电极与所述有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。
9.一种平板显示器的制造方法，包括: 形成显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线限定的多个子像素，其中每个子像素包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极以及通过绝缘膜与所述像素电极交叠以形成边缘场切换的公共电极； 在所述多个子像素中识别有缺陷的子像素；以及通过连接图案将所述有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述栅极线包括彼此交替的第一侧栅极线与第二侧栅极线，并且与所述第一侧栅极线中的一条栅极线相连的第一薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管左侧的数据线连接，以及其中与所述第二侧栅极线中的一条栅极线连接的第二薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管右侧的数据线连接，以在Z反转模式中驱动所述显示面板。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述连接图案与位于所述有缺陷的子像素与所述相邻的子像素之间的栅极线交叠，所述连接图案与所述栅极线绝缘。
12.根据权利要求9所述的制造方法，其中连接所述像素电极包括: 在气体气氛下将激光照射至所述有缺陷的子像素的像素电极；以及 将激光移位至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中所述气体气氛是六羰基钨(W(CO)6)气体气氛。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其中沿激光照射区域沉积从所述气体气氛中分离出的材料以形成所述连接图案。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其中沿所述激光照射区域沉积的材料是钨(W)。
16.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述有缺陷的子像素的像素电极包括第一像素电极图案和第二像素电极图案，所述方法还包括: 通过所述连接图案将所述第一像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的第一子像素的像素电极，并且 通过另一连接图案将所述第二像素电极图案连接至与所述有缺陷的子像素相邻的第二子像素的像素电极。
17.根据权利要求16所述的制造方法，还包括: 在一气氛下将激光照射在所述有缺陷的子像素的像素电极的第一端； 将激光移位至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极以形成所述连接图案； 在所述气氛下将激光照射在所述有缺陷的子像素的像素电极的第二端；以及将激光移位至与所述有缺陷的子像素相邻的另一子像素的像素电极以形成所述另一连接图案。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中所述气氛是六羰基钨W(CO)6气氛，并且所述方法还包括: 沿激光照射区域将沉积从所述六羰基钨W(CO)6气氛中分离出的钨(W)。
19.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述有缺陷的子像素和所述相邻的子像素发出相同颜色的光。
20.一种操作平板显示器的方法，所述平板显示器包括:由多条栅极线和多条数据线的交叉限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极，所述方法包括:通过与所述有缺陷的子像素相邻的子像素将数据电压传输至所述有缺陷的子像素；以及 响应于所述数据电压，驱动所述相邻的子像素以及所述有缺陷的子像素。
【文档编号】G02F1/1362GK103777413SQ201310165862
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年5月8日 优先权日:2012年10月23日
【发明者】李相浃, 蒋政勋 申请人:乐金显示有限公司