薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置制造方法
【专利摘要】一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括扫描线、第一数据线以及第二数据线。所述第一数据线与第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体管基板的方向上，所述第一数据线与所述第二数据线的位置至少部分重叠。任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交错界定出一像素单元。位于同一竖列的一部分像素单元包括与所述第一数据线电性连接的第一薄膜晶体管，位于该竖列的另一部分像素单元包括与所述第二数据线电性连接的第二薄膜晶体管。本发明能够在一个时序内驱动两行扫描线所对应的两行薄膜晶体管，扫描速度快，尤其应用于高解析度的显示装置时，相较于传统的薄膜晶体管基板在扫描速度方面具有明显的优势。
【专利说明】薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种薄膜晶体管基板、一种驱动该薄膜晶体管基板的驱动方法以及一 种显示装置。
【背景技术】
[0002] 传统的薄膜晶体管基板上通常设置有相互交错排列的扫描线与数据线，并在所述 扫描线与数据线相交处设置有薄膜晶体管作为传输显示信号的开关元件。当应用于高解析 度的显示面板时，每一个薄膜晶体管的充电时间会被压缩，充电时间不够会影响显示效果， 可能导致显示效果不佳。
【发明内容】
[0003] 鉴于此，有必要提供一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括扫描线、第一数 据线以及第二数据线。所述第一数据线与第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体 管基板的方向上，所述第一数据线与所述第二数据线的位置至少部分重叠。任意两条相邻 的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交错界定出一像素单元。位于同一坚列的一部分像 素单元包括与所述第一数据线电性连接的第一薄膜晶体管，位于该坚列的另一部分像素单 元包括与所述第二数据线电性连接的第二薄膜晶体管。
[0004] 还有必要提供一种显示装置。该显示装置包括上述薄膜晶体管基板。
[0005] 还有必要提供一种驱动上述薄膜晶体管的驱动方法。该方法包括：在一个时序中， 同时向所述第一数据线与第二数据线传输数据，并同时开启一条与所述第一薄膜晶体管对 应的扫描线与一条与所述第二薄膜晶体管对应的扫描线。
[0006] 相较于现有技术，本发明能够将薄膜晶体管充电的时间增加一倍，充电时间更长， 尤其在应用于高解析度的显示装置时，相较于传统的薄膜晶体管基板，显示效果更稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1是本发明【具体实施方式】所提供的显示装置的示意图。
[0008] 图2是图1中的薄膜晶体管基板之电路结构示意图。
[0009] 图3是图2中A区域的放大图。
[0010] 图4是图2中B区域的放大图。
[0011] 图5是图3中A区域的剖面示意图。
[0012] 图6是图4中B区域的剖面示意图。
[0013] 图7是该薄膜晶体管基板工作时扫描方式的示意图。
[0014] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种薄膜晶体管基板，包括扫描线、第一数据线w及第二数据线，所述第一数据线与 第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体管基板的方向上，所述第一数据线与所述 第二数据线的位置至少部分重叠，任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交 错界定出一像素单元，位于同一竖列的一部分像素单元包括与所述第一数据线电性连接的 第一薄膜晶体管，位于该竖列的另一部分像素单元包括与所述第二数据线电性连接的第二 薄膜晶体管。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在每一像素单元中，所述第一薄 膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的数量之和为一。
3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，位于同一竖列的全部像素单元 的集合中，所述第一薄膜晶体管的数量总和与所述第二薄膜晶体管的数量总和相等。
4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在沿所述第一数据线的方向上， 所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管交替设置在各像素单元中。
5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一 栅极、第一源极、第一汲极W及第一通道，所述第一栅极与所述扫描线电连接，所述第一源 极与所述第一数据线电连接，所述第一通道的两端分别与所述第一源极和第一汲极电连 接，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二汲极W及第二通道，所述第二栅极 与所述扫描线电连接，所述第二源极与所述第二数据线电连接，所述第二通道的两端分别 与所述第二源极和第二汲极电连接。
6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与第二薄 膜晶体管对应的像素单元均为完整且独立的像素单元，所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶 体管对应的像素单元能够被所述第一数据线与第二数据线分别控制。
7. 如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二源极与所述第一数据 线相互绝缘，所述第一源极与所述第二数据线相互绝缘。
8. 如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括透 明基板、第一绝缘层W及第二绝缘层，所述扫描线、第一栅极W及第二栅极形成在所述透明 基板上，所述第一绝缘层覆盖所述透明基板、扫描线、第一栅极W及第二栅极，所述第一通 道、第二通道W及第二数据线形成在所述第一绝缘层上，且所述第一通道正对所述第一栅 极，所述第二通道正对所述第二栅极，所述第一源极与第一汲极形成在所述绝缘层与所述 第一通道上，且彼此间隔W暴露出所述第一通道，所述第二源极与第二汲极形成在所述绝 缘层与所述第二通道上，且彼此间隔W暴露出所述第二通道，所述第二源极向远离所述第 二通道的一侧延伸至与所述第二数据线电性连接，所述第一源极与所述第二数据线相互间 隔W绝缘，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述第二数据线、第一源极、第 二源极、第一通道、第二通道、第一汲极W及第二汲极。
9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括与 所述第一薄膜晶体管对应并覆盖对应的像素单元的第一像素电极W及与所述第二薄膜晶 体管对应并覆盖对应的像素单元的第二像素电极，所述第二绝缘层上正对所述第一汲极的 位置开设有贯穿所述第二绝缘层直至所述第一汲极的第一通孔，所述第二绝缘层上正对所 述第二汲极的位置开设有贯穿所属第二绝缘层直至所述第二汲极的第二通孔，所述第一像 素电极形成在所述第二绝缘层上并通过所述第一通孔与所述第一汲极电连接，所述第二像 素电极形成在所述第二绝缘层上并通过所述第二通孔与所述第二汲极电连接。
10. 如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二绝缘层上正对所述 第一源极的位置开设有正对所述第一源极且贯穿所述第二绝缘层直至所述第一源极的第 H通孔，所述薄膜晶体管基板还包括连接部，所述第一数据线与所述连接部共同形成在所 述第二绝缘层上且相互电性连接，所述第一数据线对应所述第二数据线设置，所述连接部 对应所述第H通孔与第一源极设置，所述连接部通过所述第H通孔与所述第一源极电性连 接，所述第一数据线通过所述连接部与所述第一源极电性连接。
11. 如权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一数据线与所述连接 部是通过同一道黄光蚀刻工艺形成的。
12. -种显示装置，该显示装置包括如权利要求1至11项中任意一项所述的薄膜晶体 管基板。
13. -种驱动所述权利要求1至11项中任意一项所述的薄膜晶体管基板的驱动方法， 包括： 在一个时序中，同时向所述第一数据线与第二数据线传输数据，并同时开启一条与所 述第一薄膜晶体管对应的扫描线与一条与所述第二薄膜晶体管对应的扫描线。
【文档编号】G02F1/133GK104460144SQ201310436044
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】刘凤翔 申请人:业鑫科技顾问股份有限公司, 新光电科技有限公司