一种阵列基板及其维修方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种阵列基板及其维修方法、显示装置，涉及显示【技术领域】，能够通过简单有效的方法维修断线并且可以确保维修成功率，从而降低了生产周期并且提升了产品良率。该阵列基板包括：在阵列基板上形成的第一信号线和第二信号线，第一信号线和第二信号线交叉定义像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，还包括：与第一信号线并排设置的连接结构，其中，连接结构包括与第二信号线同层设置的第一部分和与像素电极同层设置的第二部分，第一信号线、第二信号线与像素电极分别不同层，第一部分与第一信号线部分交叠，第二部分与第一部分部分交叠，第一部分与第二部分间隔设置。
【专利说明】一种阵列基板及其维修方法、显示装置【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其维修方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等特点而备受关注，在平板显示领域中占据了主导地位，被广泛的应用到各行各业中。在TFT-LCD的实际制造过程中，不可避免的会出现栅线断线不良或数据线断线不良，一般常用的维修方法是在断线处沉积金属进行维修，但是采用这种方法需要额外的沉积工艺，会造成生产周期的延长，甚至有可能影响显示装置的开口率，降低用户的观赏效果。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其维修方法、显示装置，能够通过简单有效的方法维修断线并且可以确保维修成功率，从而降低了生产周期并且提升了广品良率。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0005]本发明第一方面提供了一种阵列基板，包括:在所述阵列基板上形成的第一信号线和第二信号线，所述第 一信号线和所述第二信号线交叉定义多个像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，还包括:与所述第一信号线并排设置的连接结构，其中，
[0006]所述连接结构包括与所述第二信号线同层设置的第一部分和与所述像素电极同层设置的第二部分，所述第一信号线、第二信号线与所述像素电极分别不同层，所述第一部分与所述第一信号线部分交叠，所述第二部分与所述第一部分部分交叠。
[0007]所述第二部分横跨于所述第二信号线之上，所述第二部分与所述第二信号线之间设置有绝缘层。
[0008]两条相邻的第一信号线设置于相邻的两排或两列像素单元之间，所述连接结构与所述两条相邻的第一信号线并排设置，且所述连接结构的第一部分与所述两条相邻的第一信号线均部分交叠。
[0009]所述第一部分与所述第二信号线在同一次构图工艺中形成，所述第二部分与所述像素电极在同一次构图工艺中形成。
[0010]所述第一信号线为栅线，所述第二信号线为数据线。
[0011]所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线。
[0012]本发明第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0013]本发明第三方面提供了一种阵列基板的维修方法，包括:
[0014]若第一信号线断开，连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。[0015]所述连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处包括:
[0016]通过熔接的方法连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时通过熔接的方法连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。
[0017]所述第一信号线为栅线。
[0018]所述第一信号线为数据线。
[0019]在本发明实施例的技术方案中，由于连接结构与第一信号线并排设置，并且，所述连接结构包括与所述第二信号线同层设置的第一部分和与所述像素电极同层设置的第二部分，所述第一部分与所述第一信号线部分交叠，所述第二部分与所述第一部分部分交叠。因此，当第一信号线断开时，仅需要熔接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时熔接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处，即可将断开的第一信号线的两端连接，操作方法简单便捷，从而降低了生产周期并且可以确保维修成功率。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本发明实施例中的基板的结构示意图一；
[0022]图2为本发明实施例中的基板的结构示意图二 ；
[0023]图3为本发明实施例中的图2的A-A截面示意图；
[0024]图4为本发明实施例中的基板的结构不意图二 ；
[0025]图5为本发明实施例中的图3的B-B截面示意图。
[0026]附图标记说明:
[0027]I—第一信号线； 2一第二信号线；3一薄膜晶体管；
[0028]4 一像素电极； 5—连接结构； 51—第一部分；
[0029]52—第二部分； 6—熔接点；7—栅线；
[0030]8一数据线；9一衬底基板； 10—第一绝缘层；
[0031]11一第二绝缘层。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]实施例一
[0034]本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括:
[0035]在所述阵列基板上形成的第一信号线I和第二信号线2，所述第一信号线I和所述第二信号线2交叉定义多个像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管3和像素电极4，还包括:
[0036]与所述第一信号线I并排设置的连接结构5，其中，所述连接结构5包括与所述第二信号线2同层设置的第一部分51和与所述像素电极4同层设置的第二部分52，所述第一信号线1、第二信号线2与所述像素电极4分别不同层，所述第一部分51与所述第一信号线I部分交叠，所述第二部分52与所述第一部分51部分交叠，所述第一部分51与所述第二部分52间隔设置。
[0037]在本实施例的技术方案中，由于连接结构与第一信号线并排设置，并且，所述连接结构包括与所述第二信号线同层设置的第一部分和与所述像素电极同层设置的第二部分，所述第一部分与所述第一信号线部分交叠，所述第二部分与所述第一部分部分交叠。因此，当第一信号线断开时，仅需要熔接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时熔接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处，即可将断开的第一信号线的两端连接，操作方法简单便捷，从而降低了生产周期并且可以确保维修成功率。
[0038]其中，对连接结构5的第一部分51与所述第一信号线I的交叠处熔接后，以及对第一部分51和第二部分52熔接后，会形成如图1中所示的熔接点6，从而第一部分51与所述第一信号线I连接，所述第一部分51与所述第二部分52连接。
[0039]进一步的，由于所述第一部分51与所述第二部分52间隔设置，同时一般来说，第一信号线I和第二信号线2等信号线在阵列基板中位于较底层，像素电极4位于其上，因此，与像素电极4同层设置的所述第二部分52横跨于所述第二信号线2之上，且所述第二部分52与所述第二信号线2之间设置有绝缘层，实现该第二部分52与第二信号线2之间的绝缘。
[0040]为了提高阵列基板的开口率，两条相邻的第一信号线I设置于相邻的两排或两列像素单元之间；所述连接结构5与所述两条相邻的第一信号线I并排设置，且所述连接结构5的第一部分51与所述两条相邻的第一信号线I均部分交叠。
[0041]由于将两条相邻的第一信号线I设置于相邻的两排或两列像素单元之间，而相邻的第一信号线I之间必须绝缘，因此，相邻的第一信号线I之间具有一定的空隙，由于连接结构5的第一部分51或第二部分52均与第一信号线I错层设置，同时由于相邻的两条第一信号线I同时断线的可能性较小，因此，可以考虑将连接结构5设置于两条相邻的第一信号线I之间，保证了阵列基板的开口率。
[0042]由于第一部分51与所述第二信号线2同层设置，为了节省制作工艺，优选的，所述第一部分51与所述第二信号线2在同一次构图工艺中形成；类似的，由于第二部分52与像素电极4同层设置，优选的所述第二部分52与所述像素电极4在同一次构图工艺中形成。
[0043]其中，在本发明实施例中，如图2所示，所述第一信号线I可为栅线7，此时所述第二信号线2为数据线8，或如图3所示，所述第一信号线I为数据线8，所述第二信号线2为栅线7。
[0044]在本发明实施例的一个具体实施场景中，以所述第一信号线I为栅线7，所述第二信号线2为数据线8为例进行具体说明:
[0045]其中，如图3所示，两条相邻的栅线7设置于相邻的两排像素单元之间，连接结构5设置在两条相邻的栅线7之间，则，若是栅线7断线，可将断线的栅线7周围的连接结构5的第一部分51和第二部分52熔接，以修复断线的栅线7。[0046]具体的，如图3所示，为图2中的A-A截面图，从图3中可以看到，栅线7位于整个结构的最底层，即栅线7直接设置在衬底基板9之上，在栅线7之上形成有第一绝缘层10，由于栅线7与栅极通常同层设置并且在同一次构图工艺中形成，因此该第一绝缘层10又称为栅极绝缘层，通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料，将栅极、栅线与其他结构绝缘并且保护栅极、栅线7在后续的各层形成工艺中不被破坏。
[0047]在第一绝缘层10之上依次形成像素单元的薄膜晶体管3的有源层、数据线8、与数据线8同层的像素单元的薄膜晶体管3的源极和漏极以及连接结构5的第一部分51，其中，如前文所述，数据线8、源极、漏极以及第一部分51均在同一次构图工艺中形成。
[0048]之后，在同层的数据线8、源极、漏极以及第一部分51之上形成第二绝缘层11。其中，该第二绝缘层3通常又称为钝化层，通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料，采用钝化层工艺不仅提高了显示装置的耐严酷环境的能力，而且有助于改善薄膜晶体管单元3的光电参数性能。
[0049]最后，在第二绝缘层11之上形成像素电极4以及与像素电极4同层的连接结构5的第二部分52，类似的，第二部分52和像素电极4在同一次构图工艺中形成，其中，优选氧化铟锡或氧化铟锌等常见的透明导电材料形成第二部分52和像素电极4。
[0050]结合图2和图3所示，当阵列基板上的栅线7断线时，可通过多次熔接第一部分51和栅线7、第一部分51和第二部分52的交叠处，形成导电的熔接点6来修复栅线7的断线，同时该修复方法简便易行，不会对阵列基板的开口率造成影响。
[0051]类似的，在本发明实施例的另一个具体实施场景中，以所述第一信号线I为数据线8，所述第二信号线2为栅线7为例进行具体说明:
[0052]其中，与图2类似的，如图4所示，两条相邻的数据线8设置于相邻的两列像素单元之间，连接结构5设置在两条相邻的数据线8之间，则，结合图4和图5可知，其中，图5为图4中的B-B截面图，若是数据线8断线，可通过多次熔接第一部分51和栅线7、第一部分51和第二部分52的交叠处，形成导电的熔接点6修复数据线8的断线，在此不再赘述。
[0053]需要说明的是，本发明实施例前文中提及的薄膜晶体管3的结构为底栅型薄膜晶体管，也可采用顶栅型薄膜晶体管，此时，数据线8位于栅线7下层。
[0054]本发明实施例进一步还提供了一种显示装置，包括上述任意一种阵列基板。具体的，该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
[0055]实施例二
[0056]本发明实施例提供一种实施例一所记载的阵列基板的维修方法，包括:
[0057]若第一信号线断开，连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。
[0058]具体的，可通过熔接的方法连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时通过熔接的方法连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。
[0059]其中，熔接时，激光不仅可在第一部分和第一信号线的交叠处形成连通第一部分和第一信号线的过孔，而且还可利用瞬间高温将第一部分熔化，使其填充进过孔中，实现第一部分和第一信号的电连接。
[0060]类似的，激光也可使得第一部分和第二部分的交叠处熔接，从而实现第一部分和第二部分的电连接。
[0061]需要说明的是，在实际生产操作中，可能需要通过数次熔接，直至将第一信号线的断线修复为止。例如，如图1所示的结构中，需要经过四次熔接，即将距离断线处最近的第二部分52的两端分别熔接至对应的第一部分51上，并且将于第二部分52熔接的第一部分51分别熔接至对应的与第一信号线I的交叠处，方可实现断线修复。
[0062]具体的，第一信号线I可以是栅线7或是数据线8，因此，若栅线7断开，熔接连接结构5的第一部分51与所述栅线7的交叠处，同时熔接所述第一部分51与所述连接结构5的第二部分52的交叠处；或若数据线8断开，熔接连接结构5的第一部分51与所述数据线8的交叠处，同时熔接所述第一部分51与所述连接结构5的第二部分52的交叠处。
[0063]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:在所述阵列基板上形成的第一信号线和第二信号线，所述第一信号线和所述第二信号线交叉定义多个像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，还包括:与所述第一信号线并排设置的连接结构，其中， 所述连接结构包括与所述第二信号线同层设置的第一部分和与所述像素电极同层设置的第二部分，所述第一信号线、第二信号线与所述像素电极分别不同层，所述第一部分与所述第一信号线部分交叠，所述第二部分与所述第一部分部分交叠，所述第一部分与所述第二部分间隔设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二部分横跨于所述第二信号线之上，所述第二部分与所述第二信号线之间设置有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 两条相邻的第一信号线设置于相邻的两排或两列像素单元之间，所述连接结构与所述两条相邻的第一信号线并排设置，且所述连接结构的第一部分与所述两条相邻的第一信号线均部分交叠。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一部分与所述第二信号线在同一次构图工艺中形成，所述第二部分与所述像素电极在同一次构图工艺中形成。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一信号线为栅线，所述第二信号线为数据线。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线。
7.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.—种阵列基板的维修方法，其特征在于，包括: 若第一信号线断开，连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。
9.根据权利要求8所述的维修方法，其特征在于，所述连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处包括: 通过熔接的方法连接连接结构的第一部分与所述第一信号线的交叠处，同时通过熔接的方法连接所述第一部分与所述连接结构的第二部分的交叠处。
10.根据权利要求9所述的维修方法，其特征在于， 所述第一信号线为栅线。
11.根据权利要求9所述的维修方法，其特征在于， 所述第一信号线为数据线。
【文档编号】G02F1/1362GK103955097SQ201410122924
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年3月28日 优先权日:2014年3月28日
【发明者】陈曦, 毛国琪, 李梁梁, 刘耀 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司