液晶面板及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种液晶面板，包括多个液晶盒、测试薄膜晶体管(TFT)单元、栅极测试垫、源极测试垫、以及栅极测试垫，其中，所述测试TFT单元包括：设置有源极、漏极、栅极的TFT；围绕TFT的框胶；一端连接所述TFT的栅极、另一端穿过所述框胶连接所述栅极测试垫的栅极测试引线；一端连接所述TFT的源极、另一端穿过所述框胶连接所述源极测试垫的源极测试引线；一端连接所述TFT的漏极、另一端穿过所述框胶连接所述漏极测试垫的漏极测试引线。本发明还提供一种液晶面板的制备方法。本发明可以通过测试TFT单元的设计实现对液晶盒在成盒后的电性测量。
【专利说明】液晶面板及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶【技术领域】，尤其涉及一种液晶面板及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 位于显示面板上的薄膜晶体管（TFT)位于陈列基板上，在显示面板工作时起电路 开关作用，它们按照顺序把图像信号传输至对应的像素。因此，一般来说，液晶显示面板的 显示质量与寿命，很大部分可以通过对其TFT电性的测量来进行评估。
[0003] 然而，当前TFT的电性特征，只能在液晶显示面板的阵列基板完成制作后测量，而 TFT实际是阵列基板与彩膜基板对组形成的液晶盒内进行工作。仅在阵列基板测量的TFT 电性不能完全代表TFT在液晶盒内工作的电性。
[0004] 因此，如何设计一种易于测试其液晶盒内电性的液晶面板及其制备方法，成为液 晶显示设备的一大研发方向。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种液晶面板及其制备方法，旨在可以实现测量液晶盒内 测量TFT电性，更接近其真实的状况。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：
[0007] -种液晶面板，由阵列基板与彩膜基板进行成盒形成，所述阵列基板上包括多个 液晶盒、测试TFT单元、以及源极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫，其中，所述测试TFT单元 包括：
[0008] 设置有源极、漏极、栅极的TFT ;
[0009] 围绕TFT的框胶；
[0010] -端连接所述TFT的栅极、另一端穿过所述框胶连接所述栅极测试垫的栅极测试 引线；
[0011] -端连接所述TFT的源极、另一端穿过所述框胶连接所述源极测试垫的源极测试 引线；
[0012] 一端连接所述TFT的漏极、另一端穿过所述框胶连接所述漏极测试垫的漏极测试 引线。
[0013] 优选地，所述测试TFT单元设置于所述液晶面板的靠近所述源极测试垫、漏极测 试垫、栅极测试垫的一侧。
[0014] 优选地，所述测试TFT单元还包括设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间液晶 分子，用于模拟液晶盒内的环境。
[0015] 优选地，所述测试TFT单元与所述液晶盒一同生长形成。
[0016] 优选地，所述源极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫皆为金属薄片。
[0017] 为解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：
[0018] 一种液晶面板的制备方法，包括如下步骤：
[0019] 制备阵列基板，所述阵列基板上包括：设置有源极、漏极、栅极的TFT、以及至少一 组由源极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫构成的测试接口；其中，至少一个TFT用于形成 测试TFT单元，所述测试TFT单元包括：一端连接所述TFT的栅极、另一端连接所述栅极测 试垫的栅极测试引线；一端连接所述TFT的源极、另一端连接所述源极测试垫的源极测试 引线；一端连接所述TFT的漏极、另一端连接所述漏极测试垫的漏极测试引线；
[0020] 制备彩膜基板；
[0021] 将所述阵列基板与所述彩膜基板对位，并通过框胶进行贴合，以形成由所述阵列 基板、所述彩膜基板与所述框胶构成的容纳空间，所述容纳空间的所述胶框上设置有一液 晶注入孔；
[0022] 通过所述液晶注入孔向所述容纳空间内注入液晶，并将所述液晶注入孔密封，以 形成多个液晶盒及至少一个所述测试TFT单元；
[0023] 对所述测试TFT单元的外侧边缘的所述彩膜基板进行切割，以露出所述源极测试 垫、所述漏极测试垫、所述栅极测试垫；以及
[0024] 在所述阵列基板和所述彩膜基板的表面进行偏光片的贴附，以形成液晶面板。
[0025] 优选地，形成所述测试TFT单元的TFT，位于所述液晶面板的靠近所述测试接口的 一侧。
[0026] 优选地，所述源极测试垫、所述漏极测试垫、所述栅极测试垫皆为金属薄片。
[0027] 优选地，所述源极测试垫、所述漏极测试垫、所述栅极测试垫的制备步骤分别为： 将所述源极引线、所述漏极引线、以及所述栅极引线的一端各连接一金属薄片。
[0028] 优选地，将所述源极测试垫、所述漏极测试垫以及所述栅极测试垫连接于测试设 备，并根据测试结果对所述液晶面板的质量进行评估。
[0029] 相对于现有技术，本发明的液晶面板及其制备方法，通过对测试TFT单元的设计， 实现对TFT在液晶盒中的电性的测量。
【专利附图】
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需 要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取 其他的附图。
[0031] 图1是本发明中实施例一中液晶面板的阵列基板示意图。
[0032] 图2是本发明中实施例一中液晶面板的测试TFT单元的截面示意图。
[0033] 图3是本发明中实施例二中液晶面板的制备方法示意图。
【具体实施方式】
[0034] 请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于 所例示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
[0035] 实施例一
[0036] 请参阅图1，为本发明实施例提供的液晶面板的示意图。所述的液晶面板包括多个 液晶盒10、以及至少一个测试薄膜晶体管（TFT)单元20、以及至少一组由源极测试垫31、漏 极测试垫32、栅极测试垫33构成的测试接口。
[0037] 其中，所述源极测试垫31、漏极测试垫32、栅极测试垫33皆为金属薄片，所构成的 测试接口用于连接测试装置（未标示）。
[0038] 液晶盒10,由阵列基板、彩膜基板、及框胶将TFT密封并注入液晶而形成。
[0039] 请同时参阅图1与图2,测试TFT单元20,包括：设置源极26、漏极27、栅极25的 TFT ;围绕TFT的框胶24 ;-端连接所述TFT的栅极25、另一端穿过所述框胶24连接所述栅 极测试垫33的栅极测试引线23 ;-端连接所述TFT的源极26、另一端穿过所述框胶24连 接所述源极测试垫31的源极测试引线21 ;-端连接所述TFT的漏极27、另一端穿过所述框 胶24连接所述漏极测试垫32的漏极测试引线22。
[0040] 可以理解的是，上述测试TFT单元20,相当于在在形成阵列基板1时，将部分的 TFT的漏极、源极和栅极中分别引出三条测试引线（21、22、23)，分别连接于漏极32与漏极 测试垫27、源极31与源极测试垫26、栅极33与栅极测试垫25。
[0041] 所述选择部分的TFT，可以是在阵列基板的外侧选择一排或每隔预设阈值进行 TFT的选择。如在靠近上述测试垫（31、32、33)的一侧，每隔5个选择1个作为测试TFT单 元20的TFT。
[0042] 如图2所示的图1中A-A'向截面的示意图。其中，TFT生成于所述阵列基板1上。 其中栅极25的金属上依次覆盖有栅极绝缘层251 ( -般采用氮化硅层）、非晶硅半导体层 252 (a-Si : H)和掺杂型硅半导体253 (n+a-Si : H)，源极26金属和漏极27金属设置在掺杂型 非晶硅半导体253上。源极26与漏极27通常采用SD金属，且其上涂布绝缘保护层261与 271 (PV SiNx)〇
[0043] 将所述阵列基板1与所述彩膜基板2之间保留预设的间隙，并通过框胶24进行密 封固定并保留液晶流入口；通过所述液晶流入口注入液晶28,并通过所述框胶完成密封； 可以理解的是，框胶24围绕在TFT外围，而液晶分子28充溢在TFT的周围，用于模拟液晶 盒内的环境。
[0044] 所述测试TFT单元20中的TFT与所述液晶盒10中的TFT -同生长形成。因此， 对测试TFT单元20中进行电性测量，即可得到其他液晶盒10的电性测量值。
[0045] 可以理解的是：在进行本实施例中的液晶面板的设计时，通常将所述测试TFT单 元20设置于所述液晶面板靠近三极测试垫（31、32、33)的一侧便于测量。而且为了减小尺 寸，也可以在完成测量后，将上述测量TFT单元20切割掉。当然，保留亦可。
[0046] 实施例二
[0047] 如图3所示，为一种易测量的液晶面板的生成过程。用于生成实施例1中的液晶 面板。
[0048] 在步骤S301中，形成阵列基板。其中，阵列基板上包括：包括多个薄膜晶体管 (TFT)、以及源极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫。
[0049] 其中，至少一个TFT用于形成测试TFT单元，S卩，额外需要在TFT的栅极、漏极、及 源极上连出三根测试引线。分别是：一端连接所述TFT的栅极、另一端连接所述栅极测试垫 的栅极测试引线；一端连接所述TFT的源极、另一端连接所述源极测试垫的源极测试引线； 一端连接所述TFT的漏极、另一端连接所述漏极测试垫的漏极测试引线。
[0050] 在步骤302中，形成彩膜基板。由于此步骤与传统工艺相同，此处不再赘述。在步 骤303中，将所述阵列基板与所述彩膜基板对位，并通过框胶进行贴合，以形成由所述阵列 基板、所述彩膜基板与所述框胶构成的容纳空间。
[0051] 可以理解的是：在将所述阵列基板与所述彩膜基板进行对位时，应预留一定的空 隙以便形成容纳空间。此外，所述容纳空间的所述胶框上设置有一液晶注入孔。
[0052] 在步骤S304中，向所述容纳空间内注入液晶，以形成多个液晶盒及至少一个所述 测试TFT单元。
[0053] 可以理解的是：向容纳空间注入液晶的方式，既可以是通过密封时预留的液晶注 入口，也可以是将所述的容纳空间切断后再注入。此外，完成液晶的注入后，应将注入口进 行密封。
[0054] 在步骤S305中，对所述测试TFT单元的外侧边缘的所述彩膜基板进行切割，以露 出所述源极测试垫、所述漏极测试垫、所述栅极测试垫以便进行TFT测试。
[0055] 可以理解的是：测试时，将所述源极测试垫、所述漏极测试垫以及所述栅极测试垫 分别连接于测试设备，并根据所述测试设备所产生的测试结果对所述液晶面板的质量进行 评估。
[0056] 在步骤S306中，在所述阵列基板和所述彩膜基板的表面进行偏光片的贴附，以形 成液晶面板。
[0057] 传统的TFT电性测量，一般是在阵列基板形成之后（即实施例2中步骤S301中） 进行的，但实际上在完成液晶盒盒工艺后，其电性或称沟道性能会受到影响，因此在这一步 骤中进行测量不够准确。
[0058] 而本发明通过将部分的液晶盒在阵列基板制成时，增加了三极的测试引线，可以 在完成液晶盒时，完全模拟液晶盒内的场景进行测量，保证了数据的准确性。
[0059] 此外，液晶面板及其制备方法，还具有工艺简单、不会增加成本等优点。为了节约 面积，在完成测试后，还可以切除测试TFT单元。
[0060] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限 制本发明，本领域的普通测试人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润 饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【权利要求】
1. 一种液晶面板，其特征在于，包括多个液晶盒、至少一个测试TFT单元、源极测试垫、 漏极测试垫、以及栅极测试垫，其中，所述测试TFT单元包括： 设置源极、漏极、栅极的TFT ; 围绕TFT的框胶； 一端连接所述TFT的栅极、另一端穿过所述框胶连接所述栅极测试垫的栅极测试引 线. 一端连接所述TFT的源极、另一端穿过所述框胶连接所述源极测试垫的源极测试引 线；以及 一端连接所述TFT的漏极、另一端穿过所述框胶连接所述漏极测试垫的漏极测试引 线。
2. 根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述测试TFT单元设置于所述液晶面 板的靠近所述源极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫的一侧。
3. 根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述测试TFT单元还包括设置在所述 阵列基板与所述彩膜基板之间液晶分子，用于模拟液晶盒内的环境。
4. 根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，所述测试TFT单元与所述液晶盒一同 生长形成。
5. 根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述源极测试垫、所述漏极测试垫、 所述栅极测试垫皆为金属薄片。
6. -种液晶面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 制备阵列基板，所述阵列基板上包括：设置源极、漏极、栅极的TFT、以及至少一组由源 极测试垫、漏极测试垫、栅极测试垫构成的测试接口；其中，至少一个TFT用于形成测试TFT 单元，所述测试TFT单元包括：一端连接所述TFT的栅极、另一端连接所述栅极测试垫的栅 极测试引线；一端连接所述TFT的源极、另一端连接所述源极测试垫的源极测试引线；一端 连接所述TFT的漏极、另一端连接所述漏极测试垫的漏极测试引线； 制备彩膜基板； 将所述阵列基板与所述彩膜基板对位，并通过框胶进行贴合，以形成由所述阵列基板、 所述彩膜基板与所述框胶构成的容纳空间，所述容纳空间的所述胶框上设置有一液晶注入 孔； 通过所述液晶注入孔向所述容纳空间内注入液晶，并将所述液晶注入孔密封，以形成 多个液晶盒及至少一个所述测试TFT单元； 对所述测试TFT单元的外侧边缘的所述彩膜基板进行切割，以露出所述源极测试垫、 所述漏极测试垫、所述栅极测试垫；以及 在所述阵列基板和所述彩膜基板的表面进行偏光片的贴附，以形成液晶面板。
7. 根据权利要求6所述的液晶面板的制备方法，其特征在于，形成所述测试TFT单元的 TFT，位于所述液晶面板的靠近所述测试接口的一侧。
8. 根据权利要求6所述的液晶面板的制备方法，其特征在于，所述源极测试垫、所述漏 极测试垫、所述栅极测试垫皆为金属薄片。
9. 根据权利要求6所述液晶面板的制备方法，其特征在于，所述源极测试垫、所述漏极 测试垫、所述栅极测试垫的制备步骤分别为：将所述源极引线、所述漏极引线、以及所述栅 极引线的一端各连接一金属薄片。
10.根据权利要求6所述液晶面板的制备方法，其特征在于，将所述源极测试垫、所述 漏极测试垫以及所述栅极测试垫连接于测试设备，并根据所述测试设备所产生的测试结果 对所述液晶面板的质量进行评估。
【文档编号】G02F1/1333GK104111549SQ201410339205
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2014年7月16日
【发明者】付延峰 申请人:深圳市华星光电技术有限公司