金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中，金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括：在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构；在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜；将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。本发明的技术方案能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
【专利说明】金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管制造工艺领域，特别是指一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]氮氧化锌(ZnON)是一种高迁移率的半导体材料，采用氮氧化锌来制作薄膜晶体管(TFT)的有源层有利于改善TFT器件的性能。
[0003]现有形成氮氧化锌图形的工艺包括:“沉积氮氧化锌光刻胶曝光显影——刻蚀------剥离光刻胶”四步骤，在刻蚀形成氮氧化锌的图形时，由于氮氧化锌的干刻速率很慢，因此不适合采用干法刻蚀来形成氮氧化锌的图形。而在采用湿法刻蚀来形成氮氧化锌的图形时，刻蚀液的选择非常关键，由于氮氧化锌既溶于酸性溶液也溶于碱性溶液，当其作为TFT的有源层时，氮氧化锌的刻蚀比较难以控制:当采用碱性刻蚀液对氮氧化锌进行刻蚀时，如果刻蚀时间过长，氮氧化锌表面保留的光刻胶会受到影响，进而影响受光刻胶保护的氮氧化锌有源层；当采用酸性刻蚀液对氮氧化锌进行刻蚀时，如果刻蚀液浓度比较大，能够使得氮氧化锌刻蚀无残留，但钻刻严重；如果刻蚀液浓度比较低，将会出现氮氧化锌未刻蚀完全时已经出现钻刻的情况。因此，采用湿法刻蚀来形成氮氧化锌的图形比较难以控制，严重影响了氮氧化锌作为有源层的应用。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0006]一方面，提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:
[0007]在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构；
[0008]在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜；
[0009]将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。
[0010]进一步地，所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括:
[0011 ] 在基板上形成感光材料层；
[0012]以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光；
[0013]对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光，显影形成感光材料层的图形，所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。
[0014]进一步地，所述在基板上形成感光材料层包括:
[0015]在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料，形成所述感光材料层。
[0016]进一步地，所述以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括:
[0017]在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干，烘干温度为92_100°C，烘干时间为10-12min。
[0018]进一步地，所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括:
[0019]在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干，反转烘干温度为85_90°C,时间为10_12min,之后对所述感光材料层进行泛曝光,泛曝光光强为90mW/cm2,曝光时间为5_6s。
[0020]进一步地，所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括:
[0021]在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。
[0022]进一步地,所述氧化物有源层的材料包括In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
[0023]进一步地，所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。
[0024]进一步地,所述制作方法具体包括:
[0025]提供一衬底基板；
[0026]通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；
[0027]在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；
[0028]在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形；
[0029]通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形；
[0030]通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。
[0031]本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在以上述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后，通过一次构图工艺在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
[0032]本发明实施例还提供了一种上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。
[0033]本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括上述的金属氧化物薄膜晶体管，还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层；位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
[0034]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0035]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0036]上述方案中，形成氧化物有源层的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌光刻胶曝光显影——刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“感光材料构图沉积氧化物有源层——剥离感光材料”三个步骤完成，不但节省了制作时间，降低了制作成本，而且能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]图1为现有技术制作氮氧化锌的图形的流程示意图；
[0038]图2为本发明实施例制作氮氧化锌的图形的流程示意图。
[0039]附图标记
[0040]I氮氧化锌层2光刻胶
【具体实施方式】
[0041]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0042]本发明的实施例针对现有技术中采用湿法刻蚀形成氮氧化锌的图形难以控制的问题，提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
[0043]本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:
[0044]在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构；
[0045]在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜；
[0046]将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。
[0047]本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中，形成氧化物有源层的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌光刻胶曝光显影——刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“感光材料构图沉积氧化物有源层——剥离感光材料”三个步骤完成，不但节省了制作时间，降低了制作成本，而且能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
[0048]进一步地，所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括:
[0049]在基板上形成感光材料层；
[0050]以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光；
[0051]对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光，显影形成感光材料层的图形，所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。
[0052]进一步地,所述在基板上形成感光材料层包括:
[0053]在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料，形成所述感光材料层。
[0054]进一步地，所述以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括:
[0055]在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干，烘干温度为92-100摄氏度，烘干时间为10-12分钟。
[0056]进一步地，所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括:
[0057]在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干，反转烘干温度为85-90摄氏度，时间为10-12分钟，之后对所述感光材料层进行泛曝光，泛曝光光强为90mW/cm2，曝光时间为5_6s。
[0058]进一步地，所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括:
[0059]在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。
[0060]进一步地,所述氧化物有源层的材料包括In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
[0061 ] 具体地，所述有机溶剂可以包括丙酮和氯苯。
[0062]进一步地,所述制作方法具体包括:
[0063]提供一衬底基板；
[0064]通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；
[0065]在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；
[0066]在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形；
[0067]通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形；
[0068]通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。
[0069]本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括上述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，还包括:通过一次构图工艺在形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
[0070]本发明实施例还提供了一种以上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。其中，所述氧化物有源层的材料包括In，Ga，Zn，Hf ,Sn，Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
[0071]本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括上述的金属氧化物薄膜晶体管，还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层；位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
[0072]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。其中，金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。该显示装置可以为:显示面板、电子纸、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
[0073]下面结合附图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步地介绍:
[0074]如图1所示，现有金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中，形成氮氧化锌图形的工艺包括以下步骤:
[0075](I)如图1A所示，在基板上沉积氮氧化锌层I ;
[0076](2)如图1B所示，在氮氧化锌层I上涂覆光刻胶2，并对光刻胶2进行曝光显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，其中光刻胶保留区域对应氮氧化锌的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；
[0077](3)如图1C所示，采用湿法刻蚀对氮氧化锌层I进行刻蚀，光刻胶未保留区域区域的氮氧化锌层I被去除，光刻胶保留区域的氮氧化锌层I保留下来；
[0078](4)如图1D所示，剥离光刻胶，形成氮氧化锌的图形。
[0079]在现有制作氮氧化锌图形的工艺中，光刻的显影液会对氮氧化锌进行腐蚀，另外氮氧化锌极易溶解，刻蚀工艺难以控制，现有技术通常采浓度为0.4%稀盐酸来对氮氧化锌进行刻蚀，但是刻蚀的过程难以控制，并且稀盐酸的浓度也不好控制。
[0080]为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，该金属氧化物薄膜晶体管采用氮氧化锌来制作有源层，该制作方法包括形成氮氧化锌的图形的步骤，如图2所示，该形成氮氧化锌的图形的方法具体包括以下步骤:
[0081]步骤A:如图2A所示，在基板上形成由光刻胶2组成的多个倒台面结构；
[0082]本实施例是采用剥离方式来形成氮氧化锌的图形，即首先在基板表面上涂覆一层或多层光刻胶，通过对其进行不同形式的曝光、烘烤、显影、后烘烤等工艺处理后，在基板上会得到光刻胶几何图形，然后通过蒸发或溅射等方法，在基板表面形成不连续的氮氧化锌层，最后剥离掉光刻胶及其上的氮氧化锌层，而与基板紧密接触的氮氧化锌层就会保留下来，形成氮氧化锌层的图形。剥离方式的关键是通过蒸发或溅射氮氧化锌层后使光刻胶上的氮氧化锌层与基板上的氮氧化锌层断开，这样易于剥离液渗透进去溶解光刻胶。要达到这一点，通常要求光刻胶层经过曝光和显影后制备成的图形剖面呈倒梯形或倒“凸”字形，即光刻胶横截面为上宽下窄的倒台面结构，这样可以使淀积的氮氧化锌层在光刻胶掩膜区域断开。
[0083]首先在基板上涂覆一层光刻胶2，在金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中，该基板上已经形成有栅极和栅绝缘层，具体地，在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料，即光刻胶2。以待形成的氮氧化锌的图形为掩膜，对光刻胶2进行掩膜曝光，优选地，在对光刻胶2进行掩膜曝光之前，可以在真空中对形成有光刻胶2的基板进行烘干，烘干温度优选为92-100摄氏度，烘干时间优选为10-12分钟。光刻胶主要由三部分组成:光敏成分、树脂、溶剂。当经过掩膜曝光后，掩膜曝光区域的光敏成分转变成羧酸，亲水，可溶于碱性显影液中，此时光刻胶可视为正性光刻胶。
[0084]对掩膜曝光后的光刻胶2进行反转烘干，优选地，在真空中对掩膜曝光后的光刻胶2进行反转烘干，反转烘干的温度优选为85-90摄氏度，反转烘干的时间优选为10-12分钟，反转烘干导致树脂部分在相对较高的温度下发生交联反应，而掩膜曝光后产生的羧酸对交联反应有促进作用，在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区域中多得多。
[0085]之后对光刻胶2进行泛曝光，泛曝光的光强优选为90mW/cm2,曝光时间优选为5-6s。在泛曝光后显影，第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶在第二次泛曝光后溶于显影液，而第一次掩膜曝光部分的光刻胶由于发生了交联反应在第二次泛曝光后反而不溶于显影液，由此在经过两次曝光后，形成的光刻胶2的图形的横截面如图2A所示，为倒台面。
[0086]光刻胶的倒台面结构可以使得沉积的氮氧化锌层在光刻胶的上下两端无法连续，同时倒台面结构的存在使得有机溶剂可以渗透进倒台面侧部的缝隙进而溶解氮氧化锌层底部的光刻胶，使得上部的氮氧化锌层崩塌而实现氮氧化锌层的剥离，在基板上形成氮氧化锌层的图形。
[0087]步骤B:如图2B所示，在形成有倒台面结构的基板上形成氮氧化锌层I ;
[0088]具体地，可以在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氮氧化锌薄膜。
[0089]步骤C:如图2C所示，将形成有氮氧化锌层I的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的光刻胶2，形成氮氧化锌层I的图形。
[0090]其中，有机溶剂可以为丙酮和氯苯，将沉积有氮氧化锌层I的基板沉浸在氯苯/丙酮等强有机溶剂中，溶解光刻胶，随着光刻胶的溶解，光刻胶上的氮氧化锌层也随之脱落，最终形成了需要的氮氧化锌层I的图形。
[0091]本实施例形成氮氧化锌的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌——光刻胶曝光显影——刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“光刻胶曝光显影沉积氮氧化锌——剥离光刻胶”三个步骤完成，不但节省了制作时间，降低了制作成本，而且能够解决采用湿法刻蚀形成氮氧化锌图形难以控制的问题。还解决了光刻胶曝光显影过程中，碱性显影液会对氮氧化锌造成腐蚀的问题。
[0092]本实施例以氧化物有源层采用氮氧化锌为例进行说明，进一步地，氧化物有源层的材料包括In，Ga，Zn，Hf，Sn，Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，如ZnO，InZnO(IZO)，ZnSnO (ZTO), InSnZnO(ITZO), GaZnO (GZO), InGaZnO(IGZO), HfInZnO (HIZO),SnInO(ITO),AlInZnO(AIZO)等，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体，如 ZnO:Ga, ZnO:Li, IGZO:Li, IGZO:N, ZnO:N 等。
[0093]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括: 在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构； 在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜； 将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括: 在基板上形成感光材料层； 以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光； 对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光，显影形成感光材料层的图形，所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成感光材料层包括: 在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料，形成所述感光材料层。
4.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括: 在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干，烘干温度为92-1001，烘干时间为 10-121111110
5.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括: 在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干，反转烘干温度为85-901，时间为10-12111111，之后对所述感光材料层进行泛曝光，泛曝光光强为901111/01112，曝光时间为5-68。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括: 在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物有源层的材料包括811,^1中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。
9.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括: 提供一衬底基板； 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线； 在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形； 通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形； 通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。
10.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在以权利要求1-9中任一项所述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后，通过一次构图工艺在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
11.一种以权利要求1-9中任一项所述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。
12.—种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求11所述的金属氧化物薄膜晶体管，还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层；位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
13.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1368GK104319293SQ201410643441
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年11月10日 优先权日:2014年11月10日
【发明者】刘英伟, 王美丽 申请人:京东方科技集团股份有限公司