显示装置与其制造方法与流程

本发明涉及一种显示装置，且特别是涉及一种将驱动电路设置于下基板上的显示装置与其制造方法。

背景技术：

一般显示装置主要包含上下基板、背光模块、光学膜片，以及驱动像素电路的栅极驱动电路与数据驱动电路。随着技术进步，显示装置的栅极驱动电路可直接形成于基板上，以提高生产效率，并符合窄边框的产品需求。然而，由于形成于基板上的栅极驱动电路与上下基板间的密封剂的位置有重叠，因而在密封剂照光固化的过程中，栅极驱动电路势必阻挡光线进入密封剂，造成密封剂固化不完全。如此一来，存在于上下基板间的密封剂便会产生湿气，进而使栅极驱动电路内部电路腐蚀，以及栅极驱动电路的机能失常等情形产生，而导致显示装置的可靠性问题及减短显示装置的使用寿命。因此，现有的显示装置的结构仍有待改进。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种显示装置与其制造方法，从而克服现有技术的上述缺陷。

本发明的实施例提出一种显示装置，包括第一基板、第二基板与光固型密封胶。第一基板具有显示区域与非显示区域，其中显示区域包括像素阵列，非显示区域包括驱动电路。驱动电路包括由透明导电材料所构成的电容。第二基板具有不透光区域。光固型密封胶位于第一基板与第二基板之间。从第一基板或第二基板的法向量上看，光固型密封胶、电容与不透光区域至少部 分地重叠。

在一个实施例中，透明材料包括氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟(indium oxide)或氧化锡(zinc oxide)。

在一个实施例中，上述的驱动电路为栅极驱动路，此栅极驱动电路包括晶体管。电容具有第一端耦接至晶体管的栅极，及第二端耦接晶体管的源极或漏极。

在一个实施例中，栅极驱动电路包括晶体管，电容具有第一端耦接至晶体管的源极或漏极，电容具有第二端接收讯号。

在一个实施例中，上述的像素阵列包括像素结构，此像素结构包括像素电极与共同电极。像素电极与电容的第一端具有相同的材料，并且共同电极与电容的第二端具有相同的材料。

本发明的实施例提出一种显示装置的制造方法，包括：提供第一基板，具有显示区域及非显示区域；在第一基板的显示区域形成像素阵列；在第一基板的非显示区域上形成驱动电路，其中驱动电路包括电容，此电容由透明导电材料所构成；在第一基板上的非显示区域内设置光固型密封胶；在第一基板上覆盖第二基板，其中第二基板具有不透光区域，并且从第一基板或第二基板的法向量上看，光固型密封胶、电容与不透光区域至少部分地重叠；以及从第一基板的侧发出光线，穿透第一基板与电容，固化光固型密封胶。

在一个实施例中，上述形成像素阵列与形成驱动电路的程序包括以下步骤。在第一基板上形成图案化第一金属层，此图案化第一金属层包括位于显示区域的栅极。形成绝缘层覆盖栅极。在绝缘层上形成图案化第一透明导电层，其中图案化第一透明导电层包括位于显示区域的像素电极与电容的第一端。在绝缘层上形成图案化半导体层。在绝缘层之上形成图案化第二金属层，延伸至像素电极。形成图案化保护层，覆盖图案化半导体层、图案化第二金属层，且延伸至非显示区域覆盖图案化第一透明导电层。在图案化保护层上形成图案化第二透明导电层，其中图案化第二透明导电层包括位于显示区域 的共同电极与电容的第二端。

综上所述，在本发明实施例所提出的显示装置与其制造方法中，驱动电路中具有由透明导电材料所构成的电容，如此一来光线可穿透电容，固化光固型密封胶，避免外部湿气侵蚀了显示装置的驱动电路。借此，可以增加显示装置的可靠性，及延长使用寿命。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的显示装置的剖面图。

图2是根据本发明一个实施例的电容201与像素结构202的剖面图。

图3是根据本发明一个实施例的栅极驱动电路中的部分电路图。

图4是根据本发明一个实施例的栅极驱动电路中的部分电路图。

具体实施方式

在本文中，术语“第一＂、“第二＂等是用于区别两个不同的元件或部位，并不是用于限定特定的位置或相对关系。换句话说，在一些实施例中，术语“第一＂、“第二＂等也可以彼此互换。同时，在本文中的附图仅是示意，层与层之间可根据需要在其中形成另一沉积层。

图1是根据本发明一个实施例的显示装置的剖面图。请参照图1，显示装置100包括第一基板110(也可称为下基板)、驱动电路132、像素阵列131、光固型密封胶141、液晶142、黑色矩阵151与第二基板150(也可称为上基板)。为了简化起见，图1并未绘示显示装置100中的所有元件。例如，显示装置100还可包括背光模块、色彩滤波器、偏光板等。另外，图1中的元件并没有按真实比例绘示。显示装置100可以为非晶硅(amorphous silicon，a-Si)显示面 板、低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)、氧化铟镓锌(IGZO)等类型的面板，本发明并不限制显示面板100的类型。

第一基板110具有显示区域122与非显示区域121。像素阵列131设置在显示区域122中，而驱动电路132设置在非显示区域121中。在此实施例中，驱动电路132中至少有一个电容(未绘示)是由透明导电材料所构成。此透明导电材料例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟、氧化锡或其他适合的材料。第二基板150具有不透光区域，例如为黑色矩阵151。光固型密封胶141会被设置在第一基板110与第二基板150之间的非显示区域121内，并且光固型密封胶141会围绕液晶142。特别的是，从第一基板110或第二基板150的法向量(例如法向量152)上看，光固型密封胶141、驱动电路132中的电容与黑色矩阵151是至少部分地重叠。一般来说，黑色矩阵151并不透光，因此必须从下方照射光线来固化光固型密封胶141。在此实施例中，由于驱动电路132中的电容是由透明导电材料所制成，因此从下方照射光线时光线可以穿透电容，使得有足够的光线来固化光固型密封胶141，避免因密封胶无法完全固定，而导致外部湿气侵蚀驱动电路132，造成驱动电路132的机能失常。

在一些实施例中，制造显示装置100的步骤如下。首先，提供第一基板110，在第一基板110的显示区域122形成像素阵列131，并且在第一基板110的非显示区域121上形成驱动电路132。接下来，在显示区域122中注入液晶142并且在非显示区域121设置光固型密封胶141。接着，在第一基板110上覆盖第二基板150，并从第一基板110的下侧发出光线160，其中光线160会穿透第一基板110与驱动电路132中的电容，借此，固化光固型密封胶141。在此实施例中，光固型密封胶可以是UV胶，而第一基板110及/或第二基板150可以是玻璃或其它的硬质基材或具有可挠曲的软质基板。

像素阵列131中具有多个像素结构。在一些实施例中，像素结构的像素电极与电容的第一端具有相同的材料，而像素结构的共同电极与电容的第二端具有相同的材料。如此一来，在制造显示面板100时便可以用同一道工艺来形成像素电极(共同电极)与电容的第一端(第二端)，可以节省工艺。

举例来说，请参照图2，图2是根据本发明一个实施例的电容201与像素结构202的剖面图。电容201与像素结构202的形成步骤如下。首先，在第一基板110上形成图案化第一金属层210，此图案化第一金属层210包括位于显示区域122的栅极212(即薄膜晶体管的栅极)。接下来，形成绝缘层220同时覆盖基板110及栅极212。然后，在绝缘层220上形成图案化第一透明导电层240，其中图案化第一透明导电层240包括位于显示区域122的像素电极242与位于非显示区域121的第一端244。接下来，在绝缘层220上形成图案化半导体层250，此图案化半导体层250可以做为薄膜晶体管的通道。然后，在绝缘层220上形成图案化第二金属层260，延伸至像素电极242。此图案化第二金属层260可以做为薄膜晶体管的源极与漏极。接下来，形成图案化保护层270，覆盖图案化半导体层250、图案化第二金属层260，且延伸至非显示区域121覆盖图案化第一透明导电层240(即第一端244)。然后，在图案化保护层270上形成图案化第二透明导电层280，其中图案化第二透明导电层280包括位于显示区域122的共同电极282与位于非显示区域121的第二端284。

在此，图案化第一透明导电层240与图案化第二透明导电层280的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟、氧化锡或其他适合的材料。换句话说，第一端244与第二端284便是电容201的两端。在一些实施例中，图案化第一金属层210及/或图案化第二金属层260的材料可包括铜、铝、钨、金属合金或金属硅化物等。绝缘层220可以是氧化材料，例如氧化硅或氧化氮(SiNx)等透明绝缘层。而，图案化半导体层250可以是非晶硅、多晶硅(poly-silicon)或氧化铟镓锌(IGZO)等材质所制成。图案化保护层270的材料可包括氮化硅等介电材料。值得一提的是，在本实施例中，电容201的第一端244可以是与像素电极242相同的材料，可同时制作，因此也具有工艺上的优势。

在一些实施例中，驱动电路132为栅极驱动路。由于在栅极驱动电路中有许多寄生电容的问题，因此必须额外设置电容来补偿这些寄生电容。或者， 栅极驱动电路中的电容也可以有放电或其他的功能。在一些实施例中，若栅极驱动电路中具有需要大电容值的电容，则此电容便可以用透明导电材料来构成，但本发明并不在此限。

举例来说，在一些实施例中，电容201的第一端是耦接至某一晶体管的栅极，而电容201的第二端是耦接至此晶体管的源极或漏极。请参照图3，图3是根据本发明一个实施例的栅极驱动电路中的部分电路图。在图3的实施例中绘示了移位寄存器(shift register)的部分电路图，具有第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3与电容Cx。晶体管M2的栅极接收输入信号IN1，漏极接收来自前一级移位寄存器的前向电压FW。晶体管M3的源极耦接至晶体管M2的源极，栅极接收输入信号IN2，漏极接收来自后一级移位寄存器的后向电压BW。电容Cx的第一端耦接至晶体管M1的栅极，而电容Cx的第二端耦接至晶体管M1的源极。晶体管M1的漏极则耦接至时脉讯号CN。在此实施例中，电容Cx便是由透明导电材料所构成。

在一些实施例中，上述由透明导电材料所构成的电容的第一端是耦接至晶体管的源极或漏极，而第二端是用于接收讯号。举例来说，请参照图4，图4是根据本发明一个实施例的栅极驱动电路中的部分电路图。不同于图3的实施例，在图4中移位寄存器还包括了晶体管M3～M6。电容Cc的第一端是耦接至晶体管的M7的源极，而电容Cc的第二端是耦接至时钟信号C3，晶体管M5的栅极是耦接至时脉讯号C1，但在此不详述图4中的各个耦接关系。在图4的实施例中，电容Cx与Cc都是由透明导电材料所构成。值得注意的是，图3与图4仅是范例实施例，本发明并不限制栅极驱动电路中哪些电容是由透明导电材料所构成。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用于限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种不同的选择和修改，所以本发明的保护范围由权利要求书及其等同形式所限定。