一种液晶显示面板及液晶显示装置的制作方法

本发明涉及液晶显示技术领域，更为具体的说，涉及一种液晶显示面板及液晶显示装置。

背景技术：

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有驱动电压低、功耗小、可靠性高、显示信息量大、无闪烁、成本低廉等优点，是一种理想的显示器材，如今已经被广泛应用于人们日常生活和工作当中。其中，液晶显示装置包括有多个像素单元，通过每个像素单元对应区域的出光而使液晶显示装置进行画面的显示。但是，由于相邻像素单元之间经常出现混光的现象，使得现有液晶显示装置出现色偏，降低了液晶显示装置的显示效果。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种液晶显示面板及液晶显示装置，设置一辅助电极，且在每一像素单元对应区域，将像素电极和公共电极形成电场的区域与辅助电极相对应，进而通过辅助电极控制像素电极和公共电极形成的电场更加集中于像素单元对应区域，避免电场对相邻两像素单元之间对应的液晶分子造成影响而发生偏转且透光，进而改善相邻像素单元之间混光的现象，保证液晶显示装置的显示效果好；并且，由于电场更加集中，使得电场对像素单元对应区域的液晶分子的控制效果更高，进而提高了液晶显示装置的穿透率。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，且所述阵列基板包括多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定多个像素单元，所述阵列基板还包括：

绝缘隔离的像素电极和公共电极，且在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极和公共电极用于形成驱动所述液晶层的电场；

以及，所述液晶显示面板还包括：设置于所述液晶层背离所述阵列基板一侧、且接入参考电压的辅助电极，所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述像素电极和公共电极形成所述电场的区域；其中，所述液晶层的厚度不大于3.2μm。

可选的，所述像素电极与所述公共电极同层设置；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极和公共电极之间具有形成所述电场的间隙图案，且所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述间隙图案。

可选的，所述像素电极位于所述公共电极朝向所述液晶层一侧；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极形成驱动电极图案，所述公共电极在所述像素电极上的垂直投影覆盖所述驱动电极图案，且所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述驱动电极图案。

可选的，所述像素电极位于所述公共电极背离所述液晶层一侧；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述公共电极形成驱动镂空图案，所述像素电极在所述公共电极上的垂直投影覆盖所述驱动镂空图案，且所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述驱动镂空图案。

可选的，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极与所述驱动镂空图案的形状相同，或者，所述像素电极为块状电极。

可选的，所述参考电压为公共电极电压，其中，所述辅助电极与所述公共电极之间电连接。

可选的，所述辅助电极集成于所述彩膜基板中。

可选的，所述彩膜基板包括：

第一基板；

位于所述第一基板朝向所述液晶层一侧的黑矩阵层；

填充于所述黑矩阵层内的间隙、且延伸覆盖所述黑矩阵层的滤光层；

以及，设置于所述滤光层背离所述第一基板一侧的平坦化层；

其中，所述辅助电极设置于所述黑矩阵层与第一基板之间，或者，设置于所述滤光层与平坦化层之间，或者，设置于所述平坦化层背离所述第一基板一侧表面。

可选的，所述彩膜基板包括：

第一基板；

位于所述第一基板朝向所述液晶层一侧的黑矩阵层；

填充于所述黑矩阵层内的间隙、且延伸覆盖所述黑矩阵层的滤光层；

以及，设置于所述滤光层背离所述第一基板一侧的所述辅助电极，其中，所述辅助电极朝向所述液晶层一侧表面为平面。

可选的，所述黑矩阵层的线宽不大于5μm。

可选的，所述液晶层的厚度为2μm～2.5μm，包括端点值。

相应的，本发明还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括上述的液晶显示面板。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明提供了一种液晶显示面板及液晶显示装置，所述液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，且所述阵列基板包括多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定多个像素单元，所述阵列基板还包括：绝缘隔离的像素电极和公共电极，且在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极和公共电极用于形成驱动所述液晶层的电场；以及，所述液晶显示面板还包括：设置于所述液晶层背离所述阵列基板一侧、且接入参考电压的辅助电极，所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述像素电极和公共电极形成所述电场的区域；其中，所述液晶层的厚度不大于3.2μm。

由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过设置一辅助电极，且在每一像素单元对应区域，将像素电极和公共电极形成电场的区域与辅助电极相对应，进而通过辅助电极控制像素电极和公共电极形成的电场更加集中于像素单元对应区域，避免电场对相邻两像素单元之间对应的液晶分子造成影响而发生偏转且透光，进而改善相邻像素单元之间混光的现象，保证液晶显示装置的显示效果好；并且，由于电场更加集中，使得电场对像素单元对应区域的液晶分子的控制效果更高，进而提高了液晶显示装置的穿透率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1a为本申请实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；

图1b为本申请实施例提供的一种液晶显示面板效果对比示意图；

图1c为本申请实施例提供的另一种液晶显示面板效果对比图；

图2为本申请实施例提供的一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的又一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种液晶显示装置的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种彩膜基板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，液晶显示装置包括有多个像素单元，通过每个像素单元对应区域的出光而使液晶显示装置进行画面的显示。但是，由于相邻像素单元之间经常出现混光的现象，使得现有液晶显示装置出现色偏，降低了液晶显示装置的显示效果。其中，每一像素单元均包括有一像素电极和公共电极形成的驱动电极，该驱动电极用于形成驱动液晶层的液晶分子的电场；现有的液晶显示装置中，由于每一像素单元对应区域的电场较为发散，因而电场不仅对像素单元对应区域的液晶分子进行控制而偏转，且该电场还能够影响相邻像素单元之间对应区域的液晶分子，使得相邻像素单元之间透光，进而会使得相邻像素单元之间出现混光的现象，使得现有液晶显示装置出现色偏。

基于此，本申请实施例提供了一种液晶显示面板及液晶显示装置，设置一辅助电极，且在每一像素单元对应区域，将像素电极和公共电极形成电场的区域与辅助电极相对应，进而通过辅助电极控制像素电极和公共电极形成的电场更加集中于像素单元对应区域，避免电场对相邻两像素单元之间对应的液晶分子造成影响而发生偏转且透光，进而改善相邻像素单元之间混光的现象，保证液晶显示装置的显示效果好；并且，由于电场更加集中，使得电场对像素单元对应区域的液晶分子的控制效果更高，进而提高了液晶显示装置的穿透率。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1a至图8所示，对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。

参考图1a所示，为本申请实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图，其中，所述液晶显示面板包括：

相对设置的阵列基板100和彩膜基板200，以及设置在所述阵列基板100和彩膜基板200之间的液晶层300，且所述阵列基板100包括多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定多个像素单元，所述阵列基板100还包括：

绝缘隔离的像素电极101和公共电极102，且在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极101和公共电极102用于形成驱动所述液晶层300的电场；

以及，所述液晶显示面板还包括：

设置于所述液晶层300背离所述阵列基板100一侧、且接入参考电压的辅助电极400，所述辅助电极400位于所述阵列基板100上的垂直投影覆盖所述像素电极101和公共电极102形成所述电场的区域；其中，所述液晶层300的厚度不大于3.2μm。

本申请实施例提供的液晶显示面板，其包括有阵列基板100和彩膜基板200，其中，阵列基板100包括有一承载基板103，位于承载基板103一表面的晶体管阵列层104，位于晶体管阵列层104背离承载基板103一侧的平坦层105，以及，位于平坦层105背离承载基板103一侧、且相互绝缘隔离的像素电极101和公共电极102。其中，晶体管阵列层104包括有多条栅极线和多条数据线，多条栅极线和多条数据线交叉限定多个像素单元，对此与现有技术相同，故不做多余赘述。

其中，本申请实施例提供的液晶显面板中，设置一辅助电极400与阵列基板100相对，且在每一像素单元对应区域，像素电极101和公共电极102形成的电场的区域与辅助电极400相对应，进而，能够通过辅助电极400的作用，将该电场控制为更加集中；该更加集中的电场避免了对相邻像素单元之间对应的液晶分子造成影响，进而改善相邻像素单元之间透光的现象，以改善相邻像素单元之间混光的现象，保证液晶显示装置的显示效果好；并且，更加集中的电场能够有效提高液晶显示装置的穿透率。

具体的，参考图1b和1c所示，分别为本申请实施例提供的两种液晶显示面板的效果对比示意图。图1b为现有的液晶显示面板和本申请实施例提供的液晶显示面板斜视时的色偏效果示意图，显示面板1和显示面板2的液晶层厚度相同，其中，显示面板1为现有液晶显示面板斜视时的色偏效果示意图，其在斜视时出现明显色偏，而对于本申请实施例提供的液晶显示面板(即图示所示显示面板2)，在斜视时无明显色偏现象。以及，图1c为现有的液晶显示面板和本申请实施例提供的液晶显示面板对位出现偏差时的色偏效果图，显示面板1和显示面板2的液晶层厚度相同，其中，曲线1为本申请实施例提供的液晶显示面板在出现对位偏差时，不同斜视方向的色偏程度曲线，以及，曲线2为现有的液晶显示面板出现相同对位偏差时，不同斜视方向的色偏程度曲线，由曲线1色偏程度基本均低于曲线2在相同斜视角度时的色偏程度可见，本申请实施例提供的液晶显示面板有效改善了色偏现象。

需要说明的是，本申请实施例提供的辅助电极400，其可以为一整面块状电极，其还可以为具有图案的图案电极，或者根据实际应用设计成的其他形状电极，对此本申请不做具体限制，只需要其在阵列基板的垂直投影覆盖电场区域即可。

具体参考图2所示，为本申请实施例提供的一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图，其中，本申请实施例提供的像素电极101和公共电极102可以位于同一导电层，即，本申请实施例提供的所述像素电极101与所述公共电极102同层设置；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极101和公共电极102之间具有形成所述电场的间隙图案S，且所述辅助电极400位于所述阵列基板100上的垂直投影覆盖所述间隙图案S。

参考图2所示，像素电极101和公共电极102位于同一导电层，且为了能够形成驱动液晶层300的电场，需要将像素电极101和公共电极102之间形成间隙图案S，其中，本申请对于间隙图案S的具体形状不做限制，对此需要根据实际应用进行具体设计。其中，结合图2所示，由于辅助电极400的存在，保证了像素电极101和公共电极102之间形成的电场更加集中，如具有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的实线所示电场，以及对比没有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的虚线所示电场，可以明显看出具有辅助电极400时电场更加集中，进而有效改善液晶显示装置的色偏现象，以及有效提高液晶显示装置的穿透率。

另外，本申请实施例提供的像素电极101和公共电极102还可以位于不同导电层，具体像素电极101可以位于公共电极102朝向液晶层300一侧。参考图3所示，为本申请实施例提供的另一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述像素电极101位于所述公共电极102朝向所述液晶层300一侧；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极101形成驱动电极图案，所述公共电极102在所述像素电极101上的垂直投影覆盖所述驱动电极图案，且所述辅助电极400位于所述阵列基板100上的垂直投影覆盖所述驱动电极图案。

参考图3所示，像素电极101和公共电极102位于不同层，且像素电极101位于公共电极102靠近液晶层300一侧，其中，在每一像素单元对应区域，像素电极101上形成的驱动电极图案即为实体的电极形状，以通过该驱动电极图案和公共电极102之间形成的电场。其中，本申请实施例对于驱动电极图案的具体形状不做限制，需要根据实际应用进行具体设计。由于辅助电极400的存在，保证了像素电极101和公共电极102之间形成的电场更加集中，如具有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的实线所示电场，以及对比没有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的虚线所示电场，可以明显看出具有辅助电极400时电场更加集中，进而有效改善液晶显示装置的色偏现象，以及有效提高液晶显示装置的穿透率。

此外，在像素电极101和公共电极102不在同一导电层时，像素电极101还可以位于公共电极102背离液晶层300一侧。参考图4所示，为本申请实施例提供的又一种像素电极和公共电极形成电场的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述像素电极101位于所述公共电极102背离所述液晶层300一侧；

其中，在每一所述像素单元对应区域，所述公共电极102形成驱动镂空图案，所述像素电极101在所述公共电极102上的垂直投影覆盖所述驱动镂空图案，且所述辅助电极400位于所述阵列基板100上的垂直投影覆盖所述驱动镂空图案。

参考图4所示，像素电极101和公共电极102同样不在同一导电层，且像素电极101位于公共电极102背离液晶层300一侧，其中，在每一像素单元对应区域，公共电极102上形成有一镂空的驱动镂空图案，以通过该驱动镂空图案透过像素电极101和公共电极102之间形成的电场。其中，本申请实施例对于驱动镂空图案的形状不做具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。由于辅助电极400的存在，保证了像素电极101和公共电极102之间形成的电场更加集中，如具有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的实线所示电场，以及对比没有辅助电极400时像素电极101和公共电极102形成的虚线所示电场，可以明显看出具有辅助电极400时电场更加集中，进而有效改善液晶显示装置的色偏现象，以及有效提高液晶显示装置的穿透率。

其中，当像素电极101位于公共电极102背离液晶层300一侧时，由于需要像素电极101在公共电极102上的垂直投影覆盖驱动镂空图案，因而，像素电极101可以为与驱动镂空图案形状相同的实体电极，或者，像素电极101可以为一块状电极。即，在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极101与所述驱动镂空图案的形状相同，或者，所述像素电极101为块状电极。

在本申请一实施例中，本申请提供的所述参考电压可以为公共电极电压，其中，所述辅助电极400与所述公共电极102之间电连接。参考图5所示，为本申请实施例提供的另一种液晶显示装置的结构示意图，其中，本申请实施例提供的辅助电极400可以通过金球10与公共电极102之间实现电连接。或者，在本申请其他实施例中，辅助电极还可以通过其他方式与公共电极之间实现电连接，对此本申请不做具体限制。

本申请实施例提供的辅助电极400与阵列基板100相对应设置，其中，由于彩膜基板200同样与阵列基板100相对应设置，因而，在本申请一实施例中，本申请提供的所述辅助电极400可以集成于所述彩膜基板200中。且，本申请实施例提供的辅助电极400为透明电极，其可以为氧化铟锡材质。

参考图6所示，为本申请实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图，其中，所述彩膜基板包括：

第一基板201；

位于所述第一基板201朝向所述液晶层300一侧的黑矩阵层202；

填充于所述黑矩阵层202内的间隙、且延伸覆盖所述黑矩阵层202的滤光层203；

以及，设置于所述滤光层203背离所述第一基板201一侧的平坦化层204；

其中，所述辅助电极400可以设置于所述黑矩阵层202与第一基板201之间，或者，设置于所述滤光层203与平坦化层204之间，或者，设置于所述平坦化层204背离所述第一基板101一侧表面。

此外，本申请实施例提供的辅助电极400集成于彩膜基板200中时，辅助电极400还可以替代平坦化层，参考图7所示，为本申请实施例提供的另一种彩膜基板的结构示意图，其中，所述彩膜基板包括：

第一基板201；

位于所述第一基板201朝向所述液晶层300一侧的黑矩阵层202；

填充于所述黑矩阵层202内的间隙、且延伸覆盖所述黑矩阵层202的滤光层203；

以及，设置于所述滤光层203背离所述第一基板201一侧的所述辅助电极400，其中，所述辅助电极400朝向所述液晶层300一侧表面为平面。

在上述任意一实施例中，本申请提供的所述黑矩阵层的线宽不大于5μm，即，一般黑矩阵层呈网格状设置，且每个网格包括镂空区和实体遮敝区，其中，镂空区即为一开口区域，为而实体遮敝区的线宽即为本申请实施例提供的黑矩阵层的线宽。优选的，黑矩阵层的线宽为3μm～4μm，包括端点值。其中，黑矩阵层的线宽具体可以为2.5μm、3.5μm或4.5μm等。以及，本申请提供的所述液晶层的厚度不大于3.2μm。优选的，液晶层的厚度为2μm～2.5μm，包括端点值。其中，液晶层的厚度具体可以为3.1μm、2.3μm或1.9μm等。

此外，本申请实施例提供的液晶显示装置，其液晶层的液晶优选为负性液晶，且本申请实施例优选液晶显示面板为IPS(In-Plane Switching，横向电场效应显示技术)面板，对此本申请不做具体限制，在其他实施例中液晶显示面板还可以为其他类型液晶显示面板。

相应的，本申请实施例还提供了一种液晶显示装置，参考图8所示，为本申请实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图，其中，所述液晶显示装置包括上述任意一实施例提供的液晶显示面板20；

以及，液晶显示装置还包括为液晶显示面板20提供背光源的背光源(如箭头所示为背光源)模块30。

本申请实施例提供了一种液晶显示面板及液晶显示装置，所述液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，且所述阵列基板包括多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定多个像素单元，所述阵列基板还包括：绝缘隔离的像素电极和公共电极，且在每一所述像素单元对应区域，所述像素电极和公共电极用于形成驱动所述液晶层的电场；以及，所述液晶显示面板还包括：设置于所述液晶层背离所述阵列基板一侧、且接入参考电压的辅助电极，所述辅助电极位于所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述像素电极和公共电极形成所述电场的区域。

由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，通过设置一辅助电极，且在每一像素单元对应区域，将像素电极和公共电极形成电场的区域与辅助电极相对应，进而通过辅助电极控制像素电极和公共电极形成的电场更加集中于像素单元对应区域，避免电场对相邻两像素单元之间对应的液晶分子造成影响而发生偏转且透光，进而改善相邻像素单元之间混光的现象，保证液晶显示装置的显示效果好；并且，由于电场更加集中，使得电场对像素单元对应区域的液晶分子的控制效果更高，进而提高了液晶显示装置的穿透率。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。