1.一种掩模板，所述掩模板上具有测试图形，用于在晶圆上形成测试结构，以测试晶圆的散焦量，其特征在于，所述测试图形包括：
基准光栅图形组，包括多个平行排布的第一条状图形；
测试光栅图形组，包括多个平行排布的第二条状图形，所述第二条状图形和第一条状图形沿同一方向延伸，每一所述第二条状图形包括一条基准条形和若干测试条形，所述基准条形和所述若干测试条形平行排布，所述基准条形的宽度大于所述测试条形的宽度。
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述基准光栅图形组与测试光栅图形组相邻排布，并且基准光栅图形组的第一条状图形和测试光栅图形组的第二条状图形一一对应地沿同一直线排布。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形和第二条状图形的宽度相同。
4.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的宽度和相邻第一条状图形之间的间距相同。
5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的宽度在12到20微米的范围内，相邻第一条状图形之间的间距在12到20微米的范围内。
6.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述测试条形的宽度和相邻测试条形之间的间距相同。
7.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述基准条形的宽度在4到12微米的范围内，所述测试条形的宽度在4纳米到12纳米的范围内，相邻测试条形之间的间距在600纳米到800纳米的范围内。
8.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述测试图形包括四个基准光栅图形组：第一基准光栅图形组、第二基准光栅图形组、第三基准光栅图形组和第四基准光栅图形组；
所述测试图形还包括四个测试光栅图形组：第一测试光栅图形组、第二测试光栅图形组、第三测试光栅图形组和第四测试光栅图形组；
其中，第一基准光栅图形组和第一测试光栅图形组相邻排布并组成矩形的第 一测试图形，第二基准光栅图形组和第二测试光栅图形组相邻排布并组成矩形的第二测试图形，第三基准光栅图形组和第三测试光栅图形组相邻排布并组成矩形的第三测试图形，第四基准光栅图形组和第四测试光栅图形组相邻排布并组成矩形的第四测试图形；
第一、第二、第三、第四测试图形呈2行2列的矩阵排布，在第一和第三测试图形中，第一条状图形和第二条状图形沿第一方向延伸；在第二和第四测试图形中，第一条状图形和第二条状图形沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向正交。
9.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板上包括多个曝光区域，所述曝光区域用于在晶圆上形成曝光单元，所述测试图形设置于所述曝光区域边缘的掩模板上。
10.一种散焦量的测试方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至9中任意一项权利要求所述的掩模板；
提供晶圆，所述晶圆上形成有光阻层；
以所述掩模板对晶圆进行曝光以图形化所述光阻层，在光阻层上形成对应测试图形的测试结构，所述测试结构包括：
对应基准光栅图形组的基准标记，所述基准标记包括多个对应第一条状图形的第一条形结构；
对应测试光栅图形组的测试标记，所述测试标记包括多个对应第二条状图形的第二条形结构，每个所述第二条形结构包括一个基准条形结构和多个测试条形结构，所述基准条形结构和所述多个测试条形结构平行排布，所述基准条形结构的宽度大于所述测试条形结构的宽度；
测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量；
根据所述位置偏移量，获得晶圆在曝光时的散焦量。
11.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述掩模板上设有多个测试图形，在形成测试结构的步骤中，在光阻层上形成对应多个测试图形的多个测试结构；
在对基准标记与测试标记之间的位置偏移量进行测量的步骤中，对多个所述测试结构进行测试，得到多个位置偏移量测量值；
获得散焦量的步骤中，根据多个位置偏移量测量值得到多个散焦量测量值，取所述多个散焦量测量值的平均值作为晶圆在曝光时的散焦量。
12.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述掩模板上包括多个曝光区域，每个所述曝光区域用于在所述晶圆上形成一个对应的曝光单元；
所述测试图形位于每个所述曝光区域边缘，在以所述掩模板图形化所述光阻层的步骤中，在每个曝光单元边缘的所述光阻层上对应形成所述测试结构；
在测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量的步骤中，对每个曝光单元上的所述测试结构进行测量，获得每个曝光单元上测试结构的位置偏移量测量值，从而得到每个曝光单元在晶圆曝光时的散焦量。
13.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，在测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量的步骤中，采用套刻精度测量设备，测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量。
14.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，以所述掩模板对晶圆进行曝光之前，还包括：通过实验获得所述位置偏移量与散焦量之间的函数关系；
在根据所述位置偏移量，获得晶圆在曝光时的散焦量的步骤中，
将所述位置偏移量代入所述函数关系，得到散焦量。
15.一种散焦量的测试系统，其特征在于，包括：
晶圆，所述晶圆上形成有光阻层；
光刻设备，以及如权利要求1至9提供的掩模板，所述掩模板置于光刻设备中，用于在对晶圆进行曝光的过程中，图形化所述光阻层，在光阻层上形成对应测试图形的测试结构，所述测试结构包括：
对应基准光栅图形组的基准标记，所述基准标记包括多个对应第一条状图形的第一条形结构；
对应测试光栅图形组的测试标记，所述测试标记包括多个对应第二条状图形的第二条形结构，每个所述第二条形结构包括的一个基准条形结构和多个测试条形结构，所述基准条形结构和所述多个测试条形结构平行排布，所述基准条形结构的宽度大于所述测试条形结构的宽度；
测量单元，用于测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量；
计算单元，用于根据基准标记与测试标记之间的位置偏移量，计算得到晶圆在光刻设备中的散焦量。
16.如权利要求15所述的测试系统，其特征在于，所述掩模板上包括多个曝光区域，每个所述曝光区域用于在所述晶圆上形成一个对应的曝光单元；
所述测试图形位于每个所述曝光区域边缘，用于在以所述掩模板图形化所述光阻层的步骤中，在每个曝光单元边缘的所述光阻层上对应形成所述测试结构；
在测量基准标记与测试标记之间的位置偏移量的步骤中，所述测量单元用于对每个曝光单元上的所述测试结构进行测量，获得每个曝光单元上测试结构的位置偏移量测量值，从而得到每个曝光单元在晶圆曝光时的散焦量。
17.如权利要求15所述的测试系统，其特征在于，还包括：存储单元，用于存储通过实验获得的位置偏移量与散焦量之间的函数关系。
18.如权利要求15所述的测试系统，其特征在于，所述测量单元为套刻精度测量设备。