1.一种抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液，其中Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn的金属元素浓度均为3ppm以下。
2.一种有机系处理液的制造方法，其是制造根据权利要求1所述的有机系处理液的方法，并且所述制造方法包括蒸馏步骤。
3.根据权利要求2所述的有机系处理液的制造方法，其中在蒸馏步骤中，冷凝器的内部经内衬。
4.根据权利要求2或3所述的有机系处理液的制造方法，其中在蒸馏步骤中，蒸馏装置的内部经内衬。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的有机系处理液的制造方法，其包括通过内壁经内衬的流路输送蒸馏步骤中所获得的馏出液的步骤。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的有机系处理液的制造方法，其包括通过内壁由含氟树脂形成的流路输送蒸馏步骤中所获得的馏出液的步骤。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的有机系处理液的制造方法，其中所述内衬中的内衬物质为含氟树脂。
8.根据权利要求1所述的有机系处理液，其中所述有机系处理液为有机系显影液或有机系淋洗液。
9.根据权利要求8所述的有机系处理液，其中所述有机系显影液为乙酸丁酯。
10.根据权利要求8所述的有机系处理液，其中所述有机系淋洗液为4-甲基-2-戊醇、或乙酸丁酯。
11.一种有机系处理液的收容容器，其是通过根据权利要求2至7中任一项所述的制造方法所制造的有机系处理液的收容容器，且接触所述有机系处理液的内壁由与选自由聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、及聚乙烯-聚丙烯树脂所组成的群组中的一种以上的树脂不同的树脂形成。
12.一种图案形成方法，其包括：(i)利用抗蚀剂组合物来形成膜的步骤；(ii)对所述膜进行曝光的步骤；以及(iii)使用有机系显影液对经曝光的膜进行显影的步骤；且
所述有机系显影液为通过根据权利要求2至7中任一项所述的方法所制造的有机系处理液。
13.根据权利要求12所述的图案形成方法，其在所述使用有机系显影液进行显影的步骤后，还包括使用有机系淋洗液进行的步骤，且
所述有机系淋洗液为通过根据权利要求2至7中任一项所述的方法所制造的有机系处理液。
14.根据权利要求12或13所述的图案形成方法，其中在所述图案形成方法的显影步骤及淋洗步骤中，使用搭载有含氟树脂制的处理液用过滤器的显影装置。
15.一种电子元件的制造方法，其包括根据权利要求12至14中任一项所述的图案形成方法。