技术总结
本发明提供一种抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液、抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的制造方法、及抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器、以及使用这些的图案形成方法、及电子元件的制造方法，所述抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn的金属元素浓度均为3ppm以下，根据抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液，尤其在使用有机系显影液形成微细化(例如，30nm节点以下)图案的负型图案形成方法中，可减少颗粒的产生。
技术研发人员：山中司
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
文档号码：201580052900
技术研发日：2015.09.28
技术公布日：2017.05.31