技术总结
本申请提出了一种触摸阵列基板。第一种结构：在位于感测线路下方的氧化铟锡层上沿感测线路走线方向开有槽，槽宽可以大于感测线路走线宽度，槽底为还可以为镂空结构。第二种结构：在与感测线路相邻的氧化铟锡层上沿感测线路走线方向开有缝隙，缝隙两侧通过氧化铟锡连接部进行连接，槽宽可以大于感测线路走线宽度，感测线路走线可以位于缝隙内部，多个氧化铟锡连接部均位于缝隙顶部，也可以一部分氧化铟锡连接部位于缝隙顶部，另一部分氧化铟锡连接部位于缝隙底部。采用本发明的方案可明显减小寄生电容，降低电路的RC延时，提高充电率，提高TP工作的精度，改善画质。
技术研发人员：张启沛
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201611036216
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.02.15