具有护膜的装置、从光掩模移除护膜及使用护膜的方法与流程

本揭露的实施例是有关于一种从光掩模移除护膜的方法、使用护膜的方法及具有护膜的装置。

背景技术：

护膜(pellicle)用于覆盖光掩模的一部分，所述光掩模用于使用光刻工艺将图案转印到晶片。护膜包括附着到光掩模的框架及跨越所述框架的顶部延伸的膜片。护膜有助于防止微粒接触光掩模并对待转印到晶片的图案引入失真。

在一些情况中，从光掩模移除护膜。举例来说，在一些情况中，如果膜片变雾浊或被损坏，则移除护膜。用于将护膜与光掩模分离的移除工艺会增加使膜片破裂的风险。

技术实现要素：

本发明的一实施例揭露一种从光掩模移除护膜的方法。所述方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。

本发明的一实施例揭露一种使用护膜的方法。所述方法包括将所述护膜附着到光掩模。所述光掩模包括经图案化表面。所述护膜包括护膜框架及膜片，所述膜片跨越所述护膜框架延伸并覆盖所述经图案化表面。所述方法进一步包括从所述护膜框架移除所述膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。

本发明的一实施例揭露一种具有护膜的装置。所述装置包括具有经图案化表面的光掩模。所述装置进一步包括附着到所述光掩模的护膜。所述护膜包括附着到所述光掩模的框架，其中所述框架包括至少一个通气孔。所述护膜进一步包括过滤器，所述过滤器覆盖所述至少一个通气孔的至少一个侧。所述护膜进一步包括在所述经图案化表面之上延伸的膜片。所述护膜进一步包括位于所述框架与所述膜片之间的底座，其中所述底座通过粘合剂附着到所述框架。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例从光掩模移除护膜的方法的流程图。

图2a是根据一些实施例连接到光掩模的护膜的剖视图。

图2b是根据一些实施例连接到光掩模的护膜的剖视图。

图3是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。

图4是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。

图5是根据一些实施例用于从护膜框架移除膜片的系统的剖视图。

图6a、图6b及图6c是根据一些实施例在各种处理阶段期间从光掩模移除护膜框架的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件、值、操作、材料、构造等的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。能设想出其他组件、值、操作、材料、构造等。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...下方(beneath)”、“在...下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性用语可同样相应地进行解释。

护膜用于通过在光掩模的经图案化表面(patternedsurface)与周围环境之间提供实体障壁(physicalbarrier)来保护光掩模上的图案。光掩模的经图案化表面对应于将要通过光刻工艺转印到晶片上或晶片上其中一层的图案。在一些情况中，在光刻工艺期间来自周围环境且存在于光掩模的经图案化表面上的微粒会在被转印到晶片的图案中引起误差或失真。护膜有助于通过防止微粒接触光掩模的经图案化表面来避免这些误差及失真。

在一些实施例中，在使护膜位于光掩模的经图案化表面与光刻工具的光源之间的情况下执行光刻工艺。光刻工具的光源是高能量光源。举例来说，在一些实施例中，所述光源是真空紫外(vacuumultraviolet，vuv)光源；极紫外(extremeultraviolet，euv)光源；电子束(electronbeam，e-beam)源；或另一适合的光源。在一些情况中，反复暴露于高能量光源会使护膜的膜片的材料特性变化导致变雾浊，这会使光掩模的经图案化表面模糊不清。为恢复光掩模的可用性，移除并以新的护膜来更换所述护膜。

在一些情况中，护膜会因除暴露于光刻工具的光源之外的事件而被损坏。举例来说，在一些情况中，护膜在装运、制造过程期间的搬运、或其他类似事件期间被损坏。被损坏的护膜也被移除并更换，以恢复光掩模的可用性。

在移除工艺期间(removalprocess)，护膜的膜片破裂的风险相当高。在一些实施例中，膜片包含硅系材料。来自破裂的膜片的硅碎屑污染光掩模图形表面，不易利用清洗方式移除，导致光掩模无法再使用的风险。另外，硅碎屑当被散布在空气中时会成为眼睛刺激物，且在被吸入时会对肺造成刺激。为降低在半导体制造过程期间对光掩模造成损坏以及对操作者造成刺激的风险，本公开提供用于从护膜框架移除膜片的方法及系统。如下所述，与用于移除护膜的其他方法相比，能够在使来自被移除膜片的碎屑量降低的情况下从护膜框架移除膜片。

图1是根据一些实施例从光掩模移除护膜的方法100的流程图。在操作102中，将护膜附着到光掩模。所述护膜包括膜片及框架，所述框架具有至少一个通气孔及过滤器。安装框架在膜片与框架之间附着到膜片的底表面。护膜在环绕光掩模的经图案化表面的区域中附着到光掩模。护膜的膜片在光掩模的经图案化表面之上延伸，以允许辐射(例如：光源)穿过膜片而接触经图案化表面。在一些实施例中，使用粘合剂将护膜附着到光掩模。在一些实施例中，使用至少一个吸盘、真空压力、静电贴或其他适合的附着装置将护膜附着到光掩模。在一些实施例中，将护膜附着到光掩模包的过程括对光掩模进行加热。在一些实施例中，在将膜片附着到护膜的框架之前先将框架附着到光掩模。在一些实施例中，在将护膜附着到光掩模之前先将膜片附着到框架。

在操作104中，在护膜附着到光掩模的情况下使用光掩模来执行光刻工艺。在一些实施例中，所述光刻工艺是真空紫外光刻工艺、极紫外光刻工艺、电子束光刻工艺、或另一适合的光刻工艺。护膜框架从光掩模的经图案化表面起的高度被选择成使膜片定位在使穿过膜片而接触经图案化表面的辐射失焦的位置。

操作104是可选择性的操作。在一些实施例中，方法100不包括操作104。在一些实施例中，当护膜在光掩模的装运或搬运期间被损坏时，省略操作104。在一些实施例中，当光刻工艺是在光刻工具的光源与经图案化表面之间未有护膜的情况下执行时，省略操作104。

在操作106中，从护膜框架移除膜片。将从护膜框架移除护膜的操作与从光掩模移除护膜框架的操作分开进行有助于降低直接从光掩模移除护膜框架的过程中使膜片破裂的风险。在一些实施例中，使用真空工具从护膜框架移除膜片。在一些实施例中，使用位于膜片上的粘合剂以及用于将粘合剂及膜片拉离护膜框架的机械工具来从护膜框架移除膜片。在一些实施例中，通过将护膜放置在溶液中并从溶液快速地移除护膜以将膜片拉离护膜框架而从护膜框架移除膜片。在一些实施例中，所述溶液是纯水、水系溶液或另一适合的溶液。在一些实施例中，所述溶液使膜片弱化或溶解。在一些实施例中，所述溶液使将膜片附着到护膜框架的粘合剂弱化或溶解。

在操作108中，从光掩模移除护膜框架。用于从光掩模移除护膜框架的工艺取决于在操作102中用于将护膜附着到光掩模的工艺。在其中护膜是通过粘合剂附着到光掩模的一些实施例中，用于移除护膜框架的工艺包括对光掩模进行加热。在其中护膜是通过至少一个吸盘附着到光掩模的一些实施例中，用于移除护膜框架的工艺包括对护膜框架的边缘施加机械力。在其中护膜是通过真空附着到光掩模的一些实施例中，膜片与护膜框架是同时被移除的，因为膜片的移除会释放护膜与光掩模之间的真空。在其中护膜是通过静电贴附着到光掩模的一些实施例中，用于移除护膜框架的工艺包括对护膜框架施加机械力。在一些实施例中，使用多种工艺组合来从光掩模移除护膜框架。举例来说，在一些实施例中，使用加热与机械力的组合来从光掩模移除护膜框架。

在操作110中，对光掩模进行清洁，以从光掩模移除残余粘合剂。在一些实施例中，清洁工艺包括使用清洁溶液来使存留在光掩模上的粘合剂溶解。在一些实施例中，清洁工艺包括进行研磨工艺或平面化工艺，以移除残余粘合剂。在一些实施例中，清洁工艺包括进行选择性蚀刻工艺，以选择性地移除残余粘合剂。在一些实施例中，清洁工艺包括多种工艺。举例来说，在一些实施例中，清洁工艺包括平面化工艺与对光掩模供应清洁溶液的组合。

操作110是可选择性的操作。当操作108在移除护膜框架之后并未使得残余粘合剂存留在光掩模上时，省略操作110。举例来说，当护膜是通过至少一个吸盘附着到光掩模时，用于移除护膜框架的工艺不会使得残余粘合剂存留在光掩模上。因此，在此种情形中，省略操作110。

在一些实施例中，在操作110之后，将新的护膜附着到同一光掩模，且将光掩模用于另一光刻工艺。在一些实施例中，在方法100中包括额外操作。在一些实施例中，至少一个操作是与另一操作同时执行。

图2a是根据一些实施例附着到光掩模210的护膜的剖视图200。在一些实施例中，图2a是在方法100(图1)的操作102之后的结构。光掩模210包括经图案化表面215，经图案化表面215含有与待转印到晶片的图案对应的特征。所述护膜包括跨越护膜框架230延伸的膜片220。膜片220在整个经图案化表面215之上延伸，以保护经图案化表面215免受碎屑影响。底座225位于膜片220与护膜框架230之间。护膜框架230包括支撑结构232、通气孔234及过滤器236。通气孔234在周围环境与经图案化表面215之上由膜片220及护膜框架230包封的区域之间提供流体连通(fluidcommunication)。粘合剂240将护膜框架230固定到光掩模210。粘合剂242通过底座225将膜片220固定到护膜框架230。

光掩模210包括光刻工艺时将图像图案化到晶片上的经图案化表面215。在一些实施例中，光掩模210包括具有背侧涂布层(backsidecoatinglayer)、反射式的多层式结构(multi-layerstructure)、顶盖层(cappinglayer)、一个或多个吸收体(absorber)、一个或多个抗反射涂布(anti-reflectivecoating，arc)层或其他适合元件的衬底。在一些实施例中，所述衬底包含低热膨胀材料(lowthermalexpansionmaterial，ltem)衬底(例如，掺杂有tio2的sio2)。在一些实施例中，所述衬底具有介于从约6.3毫米(millimeter，mm)至约6.5mm范围内的厚度。所述衬底的厚度有助于为光掩模210提供机械强度。在一些情况中，如果所述厚度太小，则发生破裂或翘曲的风险会增加。在一些情况中，如果所述厚度太大，则光掩模210的重量会不必要地增加。在一些实施例中，背侧涂布层包括氮化铬(chromiumnitride，crxny或tab或其他适合让静电吸盘装置吸附)层。在一些实施例中，背侧涂布层具有介于从约70nm至约100nm范围内的厚度。背侧涂布层的厚度有助于确保入射辐射的反射及防止背侧涂布层受静电吸盘装置吸附后而受伤。在一些情况中，如果所述厚度太小，则辐射穿过背侧涂布层的风险会增加。在一些情况中，如果所述厚度太大，则会浪费材料，且生产成本会增加，而性能并无显著提高。在一些实施例中，多层式结构包括位于衬底的顶部上的钼-硅(molybdenum-silicon，mo-si)多层体。在一些实施例中，mo-si多层体是使用离子沉积技术而沉积。在一些实施例中，多层式结构具有介于从约250nm至约350nm范围内的厚度。在一些实施例中，每一mo层具有介于从约3nm至约4nm范围内的厚度。在一些实施例中，每一si层具有介于从约4nm至约5nm范围内的厚度。多层式结构的厚度及个别层中每一者的厚度有助于将入射辐射的相长性干涉最大化。在一些情况中，如果所述厚度太大或太小，则对于入射辐射的波长来说，相长性干涉会降低。在一些实施例中，多层式结构包括钼/铍层对。在一些实施例中，顶盖层包括钌(ru)顶盖层。在一些实施例中，ru顶盖层具有介于约2.5nm至约4nm范围内的厚度。在一些实施例中，顶盖层包括si顶盖层。在一些实施例中，si顶盖层具有介于从约4nm至约4.5nm范围内的厚度。顶盖层的厚度有助于延长多层式结构的使用寿命。在一些情况中，如果所述厚度太小，则光掩模210的使用寿命会缩短。在一些情况中，如果所述厚度太大，则会浪费材料，而性能并无显著提高。在一些实施例中，所述吸收体包括taxny层或taxbyoznu层。在一些实施例中，视入射辐射的波长而定，所述吸收体中的每一者具有介于从约50nm至约75nm范围内的厚度。在一些实施例中，对吸收体使用其他材料，例如ni、al、cr、ta及w等。吸收体的厚度有助于防止入射辐射发生不利反射。在一些情况中，如果所述厚度太小，则发生不利反射的风险会增加。在一些情况中，如果所述厚度太大，则会浪费材料，而性能并无显著提高。在一些实例中，抗反射涂布层包括以下中的至少一者：taxbyoznu层、hfxoy层、sixoynz层、或对于入射辐射的波长来说适合的其他抗反射材料。

在一些实施例中，光掩模210是二元强度掩模(binaryintensitymask，bim)或相移掩模(phase-shiftingmask，psm)。二元强度掩模在经图案化表面215中包括不透明吸收区及反射区。如上所述，所述不透明吸收区包括被配置成吸收入射辐射的吸收体。在反射区中，吸收体已被移除，且入射光由多层式结构反射。相移掩模利用由从中穿过的光的相位差产生的干涉。相移掩模的实例包括交替式相移掩模(alternatingpsm，altpsm)、衰减式相移掩模(attenuatedpsm，attpsm)及无铬式相移掩模(chromelesspsm，cpsm)。举例来说，交替式相移掩模可在每一经图案化掩模特征的两侧上包括(相位相反的)移相器。在一些实施例中，衰减式相移掩模包括透射率大于0的吸收体层。在一些实施例中，由于无铬式相移掩模不包括移相器材料或铬，因而无铬式相移掩模被阐述为100％透射交替式相移掩模。

如上所述，光掩模210包括光刻时将图案转印到晶片上的经图案化表面215。为实现从经图案化表面215到晶片的高保真度图案转印，光刻工艺应为无缺陷的。无意沉积在经图案化表面215上的微粒会使得被转印图案降级。例如在化学机械抛光(chemicalmechanicalpolish，cmp)、清洁工艺期间及/或在搬运光掩模210期间，微粒可通过多种方法引入到经图案化表面215上。

护膜是用来防止微粒到达光掩模210导致影响图案转印。护膜框架230的高度被选择成使膜片220定位在使穿过膜片220到达经图案化表面215的辐射失焦的位置。膜片220所包含的材料具有在附着到护膜框架230时足以避免负面地影响光刻工艺的程度上发生翘曲的机械强度。在一些实施例中，膜片220包含一种或多种材料，其中包括硅、聚合物、氮化硅(siliconnitride，sin)、多晶硅(polycrystallinesilicon，poly-si)、碳化硅(siliconcarbide，sic)、钌(ru)、sin/多晶si/sin夹层式膜堆叠、si系化合物、其他适合的材料、及/或其它可以降低极紫外光的吸收和低热效应的材料组合。

膜片220的性质的选择是基于将经图案化表面215的图案转印到晶片所使用的光刻工艺。在一些实施例中，膜片220具有小于约100nm的厚度。在一些实施例中，膜片220具有小于约50nm的厚度。在一些实施例中，如果膜片的厚度太大，则在光刻工艺期间吸收入射辐射的风险会增加。在一些实施例中，膜片220包括多个层。举例来说，在一些实施例中，膜片220包括：由sin形成的第一子层，具有小于约10nm的厚度；由多晶si形成的第二子层，具有小于约100nm的厚度；以及由sin形成的第三子层，具有小于约10nm的厚度。

在一些实施例中，膜片220具有小于约10nm的总厚度变动(totalthicknessvariation，ttv)。总厚度变动是膜片220的均匀性的度量。在一些情况中，随着总厚度变动增加，一部分经图案化表面215到晶片的转印品质与另一部分经图案化表面215到晶片的转印品质之间的差异也会增加。在一些实施例中，膜片220的表面具有小于约10nm的均方根(rootmeansquared，rms)粗糙度。均方根粗糙度影响穿过膜片220的辐射的漫射。在一些情况中，随着均方根粗糙度增加，穿过膜片220的辐射的漫射会增加，从而使得图案转印的品质降低。

底座225被附着到膜片220的与护膜框架230对应的表面。底座225提供用于将膜片220固定到护膜框架230的位置。底座225是通过粘合剂、结合工艺或另一适合的附着工艺而附着到膜片220。底座225是在将膜片220附着到护膜框架230之前被附着到膜片220。在一些实施例中，底座225被省略，且膜片220直接接触用于将膜片220固定到护膜框架230的粘合剂242。在一些实施例中，底座225的材料包括铝、钛、钨、硅、或另一适合的材料。在一些实施例中，底座225具有与支撑结构232相同的材料。在一些实施例中，底座225具有与支撑结构232不同的材料。

护膜框架230用于将膜片220定位成位于在光刻工艺期间使入射在经图案化表面215上的辐射失焦的位置。护膜框架230在经图案化表面215周围的位置中通过粘合剂240固定到光掩模210。护膜框架230的形状是基于经图案化表面215的形状来加以确定。护膜框架230包括支撑结构232，支撑结构232被配置成为维持膜片220相对于光掩模210的位置而提供机械强度。护膜框架230还包括通气孔234，以在周围环境与由护膜及光掩模210包封的空间之间提供流体连通。过滤器236被配置成有助于防止微粒经由通气孔234进入由护膜及光掩模210包封的空间。

在一些实施例中，支撑结构232包含铝(al)、氧化铝、al合金、钛(ti)、镍(ni)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钼(mo)、铂(pt)、铬(cr)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、钯(pd)、钽(ta)、钨(w)、硅、聚合物、其他适合的材料、及/或其组合。在一些实施例中，支撑结构232具有与光掩模210相似的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion，cte)，以降低因温度变化引起的对光掩模210施加的应力。

通气孔234延伸穿过支撑结构232。通气孔234是一个拥有侧壁与光掩模210的顶表面平行且实质上笔直的开口。在一些实施例中，通气孔234包括至少一次方向变化。在一些实施例中，通气孔234具有锥形轮廓。在一些实施例中，通气孔234的至少一个侧壁相对于光掩模210的顶表面倾斜。在一些实施例中，护膜框架230包括多个通气孔234，且所述多个通气孔234围绕护膜框架的圆周排列。在一些实施例中，第一通气孔在大小、形状、转弯次数、或其他特征中不同于第二通气孔。护膜框架230中通气孔的数目及大小足以使得周围环境中与由光掩模210及护膜包封的空间中维持相似的压力。维持相似的压力有助于避免使膜片220发生翘曲。然而，护膜框架230中通气孔的数目及大小不会多到使支撑结构232的机械强度弱化的程度。

过滤器236有助于防止微粒从周围环境经由通气孔234进入由护膜及光掩模210包封的空间。过滤器236位于护膜框架230的距周围环境最近的外表面处。在一些实施例中，过滤器236位于护膜框架230的距周围环境最远的内表面处。过滤器236具有被设计成阻止目标大小以上的微粒进入通气孔234的孔隙。过滤器236中孔隙的大小大至足以允许在周围环境中与由光掩模210及护膜包封的空间中维持相似的压力。然而，过滤器236中孔隙的大小小至足以阻止微粒穿过通气孔234。

粘合剂240被配置成将护膜框架230固定到光掩模210。在一些实施例中，粘合剂240包含热固性粘合剂材料且具经紫外光或极紫外光照射而释放气体低的材料，例如，环氧树脂、苯环丁烷(benzocyclobutene，bcb)、甲基倍半硅氧烷(methylsilsesqu1xane，msq)、聚酰亚胺(polyimide)、其他热固性材料、及/或其组合。在一些实施例中，粘合剂240包含胶或其他可将护膜框架230固定到光掩模210的材料。

如上所述，在一些实施例中，护膜框架230以除粘合剂240之外的方式(例如，至少一个吸盘、真空或静电贴)固定到光掩模210。在此类实施例中，粘合剂240被省略。

粘合剂242被配置成将膜片220固定到护膜框架230。在一些实施例中，粘合剂242直接接触底座225。在一些实施例中，粘合剂242直接接触膜片220。在一些实施例中，粘合剂242包含热固性粘合剂材料且具经紫外光或极紫外光照射而释放气体低的材料，例如，环氧树脂、苯环丁烷(bcb)、甲基倍半硅氧烷(msq)、聚酰亚胺、其他热固性材料、及/或其组合。在一些实施例中，粘合剂242包含胶或其他可将膜片220固定到护膜框架230的材料。在一些实施例中，粘合剂242具有与粘合剂240相同的材料。在一些实施例中，粘合剂242具有与粘合剂240不同的材料。

图2b是根据一些实施例附着到光掩模210的护膜的剖视图200’。在一些实施例中，图2b是在方法100(图1)的操作102之后的结构。与护膜框架230(图2a)相比，护膜框架230’与光掩模210的接触面积减小。与通气孔234相比，通气孔234’包括改变方向的开口。与过滤器236相比，过滤器236’位于护膜框架230’的距周围环境最远的内表面上。

与护膜框架230相比，护膜框架230’与光掩模210之间的接触面积的减小有助于减小从光掩模210移除护膜框架230’所使用的机械力的量。移除工艺所使用的机械力的减小降低在移除工艺期间对光掩模210造成损坏的风险。然而，接触面积的减小也会因搬运、装运、温度变动、移除或其他外力使护膜框架230对光掩模210施加的应力集中。应力的集中会增加对光掩模210造成损坏的风险。

与通气孔234相比，包括方向变化的通气孔234’有助于降低微粒穿过通气孔234’的可能性。然而，与通气孔234相比，方向变化也会抑制流体穿过通气孔234’。因此，与包括通气孔234的护膜框架230相比，由护膜及光掩模210包封的空间与周围环境之间的压力差会增加。

与过滤器236相比，位于护膜框架230’的内表面处的过滤器236’减小与过滤器236’所接触微粒的量且延长过滤器236’的使用寿命。然而，在清洁或更换过滤器236’时需要从光掩模210拆下护膜框架230’。护膜框架230’的拆下会增加对光掩模210造成损坏的风险。

图3是根据一些实施例用于从护膜框架230移除膜片220的系统300的剖视图。在一些实施例中，系统300是用于执行方法100(图1)的操作106的系统的视图。系统300包括图2a所示的光掩模210、膜片220及护膜框架230。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于包括图2b所示护膜框架230’以及其他护膜框架结构的系统。系统300进一步包括腔室310，腔室310被配置成在界面320处接触膜片220。

腔室310被配置成在与护膜框架230对应的位置处接触膜片220。通过在与护膜框架230对应的位置处进行接触，在移除之前使膜片220破裂的风险得以降低。腔室310包括轮廓为锥形的侧壁。系统300被配置成在开口325处产生由箭头表示的真空。所述真空用以从护膜抽取膜片220的中心部分(即，膜片的在护膜框架230之间延伸的一部分)。膜片220的被抽取部分通过所述真空经由开口325被拉出。在一些实施例中，系统300包括陷获系统(trappingsystem)或处置系统(disposalsystem)(图中未示出)，以在膜片220退出开口325之后收集所有膜片破碎片。

界面320被配置于腔室310与膜片220之间形成密封，以有助于产生真空。在一些实施例中，在界面320处对腔室310施加油，以有助于形成密封。在一些实施例中，通过使用静电贴、至少一个吸盘、弱粘合剂、或另一适合的材料在所述界面处形成密封。弱粘合剂是一种与膜片220的粘合的粘合剂，其强度低至足以避免在从膜片220移除腔室310期间因对护膜框架230施加力而使光掩模210损坏。

通过使用系统300，在从光掩模210移除护膜框架230之前先移除膜片220的一部分。因此，与试图在连续的过程中移除膜片及护膜框架的方法或会导致无意中移除膜片的其他方法相比，可降低来自破裂的膜片220的微粒接触光掩模210或散布到周围环境中的风险。

图4是根据一些实施例用于从护膜框架230移除膜片220的系统400的剖视图。在一些实施例中，系统400是用于执行方法100(图1)的操作106的系统的视图。系统400包括图2a所示的光掩模210、膜片220及护膜框架230。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于包括图2b所示护膜框架230’以及其他护膜框架结构的系统。系统400进一步包括位于膜片220上的粘合剂410。机械工具(图中未示出)接触粘合剂410的一侧，与膜片220相对，以从护膜框架230拉出膜片220的中心部分。

粘合剂410被配置成将机械工具固定到膜片220。在一些实施例中，粘合剂410包含热固性粘合剂材料，例如，环氧树脂、苯环丁烷(bcb)、甲基倍半硅氧烷(msq)、聚酰亚胺、其他热固性材料、及/或其组合。在一些实施例中，粘合剂410包含胶或另一适合的材料。在一些实施例中，粘合剂410是与粘合剂240及粘合剂242两者相同的材料。在一些实施例中，粘合剂410具有与粘合剂240或粘合剂242中的至少一者不同的材料。

在一些实施例中，机械工具直接接触粘合剂410。在一些实施例中，机械工具使用载体衬底来接触粘合剂410。随后，机械工具经由粘合剂410对膜片220施加力，如箭头所示，以将膜片220的中心部分拉离护膜框架230。在一些实施例中，系统400包括收集膜片220的被抽取部分的系统(图中未示出)，其用于在从护膜框架230移除膜片220的中心部分之后。

通过使用系统400，在从光掩模210移除护膜框架230之前先移除膜片220的一部分。粘合剂410维持与膜片220的所述部分接触。系统400与试图在连续的过程中移除膜片及护膜框架或会导致无意中移除膜片的其他方法相比，有助于降低来自破裂的膜片220的微粒接触光掩模210或散布到周围环境中的风险。

图5是根据一些实施例用于从护膜框架230移除膜片220的系统500的剖视图。在一些实施例中，系统500是用于执行方法100(图1)的操作106的系统的视图。系统500包括图2a所示的光掩模210、膜片220及护膜框架230。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于包括图2b所示护膜框架230’以及其他护膜框架结构的系统。系统500进一步包括容纳溶液520的容器510。

容器510的大小被设定成允许护膜框架230被放入到容器510中，但有助于防止光掩模210被放入到容器510中。所容纳的溶液520的体积足以在护膜被放入到容器510中之后至少覆盖膜片220。溶液520的体积小至足以避免在护膜被放入到容器510中之后与光掩模210接触。在一些实施例中，溶液520的体积小至足以避免使溶液520进入通气孔234(图2a)。

在将护膜插入到容器510中且溶液520覆盖膜片220之后，使用机械工具将光掩模210及护膜框架230拉离容器510。溶液520和由护膜及光掩模210包封的空间之间的压力差结合溶液520的表面张力作用于膜片220上，以从护膜框架230移除膜片220的中心部分。在一些实施例中，使用控制器来控制机械工具，以调节光掩模210及护膜框架230从容器510移除的移除速度。在一些情况中，如果移除速度太高，则因护膜框架230对光掩模210施加的应力，提高对光掩模210造成损坏的风险。在一些情况中，如果移除速度太低，则膜片220的中心部分不会被移除。在一些实施例中，所述控制器至少包括处理器及连接到所述处理器的非暂时性计算机可读媒体。所述处理器被配置成执行存储在所述非暂时性计算机可读媒体上的指令，以产生用于控制机械工具从容器510移除光掩模210的指令。

在一些实施例中，机械工具直接接触光掩模210。在一些实施例中，机械工具使用载体衬底来接触光掩模210。在一些实施例中，在移除之后，膜片220的被移除部分存留在溶液520中。在一些实施例中，系统500包括用于在从护膜框架230移除膜片220的中心部分之后处置膜片220的所述部分的系统(图中未示出)。在一些实施例中，处置膜片220的被移除部分是在进行数次移除过程之后进行，即，在单次处置过程中从溶液520移除多个膜片。

在一些实施例中，溶液520包含纯水。在一些实施例中，溶液520包含乙醇或另一适合的溶剂。在一些实施例中，溶液520被配置成使将膜片220固持到护膜框架230的粘合剂242(图2a)弱化或降解。

通过使用系统500，在从光掩模210移除护膜框架230之前先移除膜片220的一部分。膜片220的被移除部分存留在溶液520中，与试图在连续的过程中移除膜片及护膜框架或其他会导致无意中移除膜片的方法相比，有助于降低来自破裂的膜片220的微粒接触光掩模210或散布到周围环境中的风险。

图6a是根据一些实施例在移除膜片的一部分之后附着到光掩模210的护膜框架230的剖视图600。在一些实施例中，其是在方法100(图1)的操作106之后，光掩模210及护膜框架230的视图600。视图600包括图2a所示的光掩模210及护膜框架230。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于包括图2b所示护膜框架230’以及其他护膜框架结构的构造。在视图600中，膜片220的一部分220*保持附着到护膜框架230。

部分220*是使用系统(例如系统300(图3)；系统400(图4)；系统500(图5)；或另一适合的系统)在方法100的操作106中移除膜片220的中心部分所得的结果。在一些实施例中，部分220*的尺寸(例如，长度、宽度、直径等)等于或小于护膜框架230的顶表面的对应尺寸。在一些实施例中，部分220*突出至护膜框架230与光掩模210的顶表面垂直的边缘之外。

图6b是根据一些实施例在从光掩模210移除护膜框架230期间附着到光掩模210的护膜框架230的剖视图600’。在一些实施例中，其是在方法100(图1)的操作108期间，光掩模210及护膜框架230的视图600’。视图600’包括图2a所示的光掩模210及护膜框架230。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于包括图2b所示护膜框架230’以及其他护膜框架结构的构造。在视图600’中，加热器610被配置成可提高光掩模210的温度。

加热器610被配置成对光掩模210进行加热，以有助于使粘合剂240(图2a)分解。在一些实施例中，结合加热器610使用机械工具来从光掩模210移除护膜框架230。在一些实施例中，加热器610将光掩模210加热到约90摄氏度至约150摄氏度的温度。在一些情况中，如果温度太低，则粘合剂240的降解不足以允许在不对光掩模210造成损坏的情况下移除护膜框架230。在一些情况中，如果温度太高，则对光掩模210造成损坏的风险会增加。在一些实施例中，加热器610将光掩模210加热约1分钟至约5分钟的持续时间。在一些情况中，如果持续时间太短，则粘合剂240的降解不足以允许在不对光掩模210造成损坏的情况下移除护膜框架230。在一些情况中，如果持续时间太长，则对光掩模210造成损坏的风险会增加。在一些实施例中，机械工具用以将护膜框架230撬离或拉离光掩模210。在一些实施例中，在加热器610的加热过程期间，机械工具作用于护膜框架230上，以从光掩模210移除护膜框架230。在一些实施例中，在加热器610的加热过程完成之后，机械工具作用于护膜框架230上，以从光掩模210移除护膜框架230。

图6c是根据一些实施例在从光掩模210移除护膜框架230之后附着到光掩模210的残余粘合剂240*的剖视图600”。在一些实施例中，其是在方法100(图1)的操作108之后，光掩模210及残余粘合剂240*的视图600”。视图600”包括光掩模210、以及由图2a所示粘合剂240产生的残余粘合剂240*。所属领域中的普通技术人员将认识到，以下说明适用于图2b以及其他护膜框架结构的构造。在视图600”中，残余粘合剂240*存留在光掩模210上。

在移除护膜框架230期间，粘合剂240的一部分随护膜框架230一起被移除；然而，在光掩模210上存留粘合剂240的残余粘合剂240*。使用清洁工艺来从光掩模210移除残余粘合剂240*。在一些实施例中，清洁工艺包括使用例如o3、标准清洁液1(standardclean1，sc1)、去离子氢(deionizedhydrogen，dih2)、去离子水(deionizedwater，diw)及/或其组合等的物质。在其他实施例中，清洁工艺包括其他物质或工艺。

本说明的一个方面涉及一种从光掩模移除护膜的方法。所述方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括移除所述膜片的超过所述护膜框架的边缘而延伸的所述部分，其中所述护膜框架的所述边缘垂直于所述光掩模的顶表面而延伸。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括使所述膜片的第二部分维持在所述护膜框架上。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括使用真空来移除所述膜片的所述部分。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括：在所述膜片的与所述光掩模相对的表面上形成粘合剂层；以及使用所述粘合剂层将所述膜片的所述部分拉离所述护膜框架。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括：将所述膜片插入到溶液中，其中所述护膜框架的区段处于所述溶液中；以及从所述溶液抽回所述护膜框架。在一些实施例中，所述将所述膜片插入到所述溶液中包括将所述膜片插入到纯水中。在一些实施例中，所述从所述光掩模移除所述护膜框架包括对所述光掩模进行加热。

本说明的另一方面涉及一种使用护膜的方法。所述方法包括将所述护膜附着到光掩模。所述光掩模包括经图案化表面。所述护膜包括护膜框架及膜片，所述膜片跨越所述护膜框架延伸并覆盖所述经图案化表面。所述方法进一步包括从所述护膜框架移除所述膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。在一些实施例中，所述将所述护膜附着到所述光掩模包括：在将所述膜片附着到所述护膜框架之后，将所述护膜框架附着到所述光掩模。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括：将腔室密封到所述膜片的区，其中所述腔室包括开口；以及在所述腔室中产生真空，以经由所述开口抽取所述膜片的所述部分。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括：在所述膜片的与所述光掩模相对的表面上形成粘合剂层；以及使用附着到所述粘合剂层的机械工具将所述膜片的所述部分拉离所述护膜框架。在一些实施例中，所述移除所述膜片的所述部分包括：将所述膜片插入到溶液中，其中所述护膜框架的区段处于所述溶液中，且所述光掩模保持在所述溶液外；以及从所述溶液抽回所述护膜框架。在一些实施例中，所述从所述溶液抽回所述护膜框架包括控制所述从所述溶液抽回所述护膜框架的速度。在一些实施例中，所述方法进一步包括：在所述移除所述膜片的所述部分之前，使用所述光掩模来执行光刻工艺。在一些实施例中，所述执行所述光刻工艺包括执行极紫外(euv)光刻工艺。在一些实施例中，所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。在一些实施例中，所述从所述光掩模移除所述护膜框架包括在所述光掩模上留下残余粘合剂，且所述对所述光掩模进行清洁会从所述光掩模移除所述残余粘合剂。

本说明的又一方面涉及一种具有护膜的装置。所述装置包括具有经图案化表面的光掩模。所述装置进一步包括附着到所述光掩模的护膜。所述护膜包括附着到所述光掩模的框架，其中所述框架包括至少一个通气孔。所述护膜进一步包括过滤器，所述过滤器覆盖所述至少一个通气孔的至少一个侧。所述护膜进一步包括在所述经图案化表面之上延伸的膜片。所述护膜进一步包括位于所述框架与所述膜片之间的底座，其中所述底座通过粘合剂附着到所述框架。在一些实施例中，所述框架包含与所述底座不同的材料。

以上内容概述了若干实施例的特征以使所属领域中的技术人员可更好地理解本发明的各方面。所属领域中的技术人员应理解，他们可易于使用本发明作为基础来设计或修改其他工艺及结构以施行本文所介绍实施例的相同目的及/或实现本文所介绍实施例的相同优点。所属领域中的技术人员还应认识到，此种等效构造并不背离本发明的精神及范围，且在不背离本发明的精神及范围的条件下，他们可对本文作出各种改变、替代、及变更。

[符号的说明]

100：方法

102、104、106、108、110：操作

200、200’：剖视图

210：光掩模

215：经图案化表面

220：膜片

220*：膜片220的一部分

225：底座

230、230’：护膜框架

232：支撑结构

234、234’：通气孔

236、236’：过滤器

240、242、410：粘合剂

240*：残余粘合剂

300、400、500：系统

310：腔室

320：界面

325：开口

510：容器

520：溶液

600、600’、600”：剖视图/视图

610：加热器