制造和维护光掩摸的方法与流程

本公开总体涉及制造和维护光掩摸的方法。

背景技术：

随着半导体工业已经发展到纳米技术工艺节点以追求更高器件密度、更高性能和更低成本，来自制造和设计问题二者的挑战变得更大。ic材料和设计的技术进步已经产生了几代ic，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在ic演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻(euvl)。光掩模是光刻操作中的重要组成部分。制造和维护没有可分解缺陷的光掩模至关重要。然而，光掩模制造技术通常包括电子束光刻和蚀刻操作，这可能产生粒子和蚀刻残留物。此外，在光刻操作期间使用光掩模可能产生颗粒残留物。例如，euvl可能在光致抗蚀剂曝光操作期间产生污染，包括烃颗粒。在euv曝光期间产生的热量可导致光致抗蚀剂的部分分解和挥发。所分解和挥发的残留物会污染光掩模。此外，在长期掩模存储期间，掩模可能被颗粒和残留物污染。例如，由euv光掩模中的高浓度金属原子产生的范德瓦尔斯(vanderwaals)力吸引污染物颗粒。污染颗粒和残留物可能包括烃。烃污染物在掩摸清洁操作期间可能无法完全移除。烃污染物可能导致接近度和临界尺寸均匀性漂移和白斑缺陷。

技术实现要素：

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造和维护光掩模的方法，包括：将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的辐射，或者在光刻操作中在不使用所述反射光掩模的情况下将所述反射光掩模存储一段时间；其中，在所述曝光或所述存储期间，所述反射光掩模的表面上形成污染物；在使用所述反射光掩模来曝光所述涂覆光致抗蚀剂的衬底之后或者在所述一段时间之后，将其表面上具有污染物的所述反射光掩模放置在等离子体处理腔室中；以及在所述等离子体处理腔室中对具有所述污染物的所述反射光掩模进行等离子体处理以从所述表面移除所述污染物；其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造和维护光掩模的方法，包括：形成光掩模；在光刻工艺中使用所述光掩模以在衬底上形成光致抗蚀剂图案；以及在光刻工艺中使用所述光掩模之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物；其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造和维护光掩模的方法，包括：形成光掩模；将所述光掩模存储在光掩模盒中；以及在将所述光掩模存储在所述光掩模盒中之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物，其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的并且仅用于说明目的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1示出了根据本公开的实施例的极紫外光刻工具。

图2示出了根据本公开的实施例的极紫外光刻工具的细节的示意图。

图3是根据本公开的实施例的反射掩模的截面图。

图4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g和4h示意性地示出了根据本公开实施例的制造和清洁光掩模的方法。

图5是示出根据本公开的实施例的从光掩模移除污染物的方法的流程图。

图6a、6b、6c、6d、6e、6f、6g、6h和6i示意性地示出了根据本公开实施例的制造和清洁光掩模的方法。

图7是示出根据本公开的实施例的制造光掩模并从光掩模移除污染物的方法的流程图。

图8是示出根据本公开的实施例的制造和使用光掩模并从光掩模移除污染物的方法的流程图。

图9是示出根据本公开的实施例的使用光掩模并从光掩模移除污染物的方法的流程图。

图10是示出根据本公开的实施例的减少白斑缺陷和临界尺寸均匀性漂移的方法的流程图。

图11是示出根据本公开的实施例的从光掩模移除污染物的方法的流程图。

具体实施方式

将理解，下面的公开内容提供了用于实现本发明的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体实施例和示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而是可以取决于器件的工艺条件和/或期望属性。此外，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。为了简单性和清楚性，各种特征可以在不同尺度中任意绘制。

此外，本文中可能使用了空间相关术语(例如，“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。此外，术语“由...制成”可以表示“包括”或“由......组成”。

本公开总体涉及极紫外(euv)光刻掩模和方法。在euvl工具中，激光产生等离子体(lpp)产生极紫外辐射，其用于对涂有光致抗蚀剂的衬底进行成像。在euv工具中，激发激光加热lpp腔室中的金属(例如，锡、锂等)目标液滴以将液滴电离成等离子体，其发射euv辐射。为了可再现地产生euv辐射，到达焦点(本文也称为“激发区域”)的目标液滴必须具有基本相同的尺寸，并且在来自激发激光的激发脉冲到达的同时到达激发区域。因此，以均匀(或可预测)的速度稳定产生从目标液滴生成器行进到激发区域的目标液滴有助于lppeuv辐射源的效率和稳定性。

图1是根据本公开的一些实施例构造的具有基于激光产生等离子体(lpp)的euv辐射源的euv光刻工具的示意图。euv光刻系统包括用于产生euv辐射的euv辐射源100、曝光装置200(例如，扫描仪)、以及激发激光源300。如图1所述，在一些实施例中，euv辐射源100和曝光装置200被安装在清洁腔室的主层mf上，而激发激光源300被安装在位于主层下方的底层bf中。euv辐射源100和曝光装置200中的每一个分别经由阻尼器dp1和dp2放置在基座板pp1和pp2上。euv辐射源100和曝光装置200通过耦合机构彼此耦合，耦合机构可包括聚焦单元。

euv光刻工具被设计为通过euv光(在本文中也可互换地称为euv辐射)对抗蚀剂层进行曝光。抗蚀剂层是对euv光敏感的材料。euv光刻系统采用euv辐射源100来产生euv光，例如，波长范围在约1nm和约100nm之间的euv光。在一个具体示例中，euv辐射源100产生具有以约13.5nm为中心的波长的euv光。在本实施例中，euv辐射源100利用激光产生等离子体(lpp)的机制来产生euv辐射。

曝光装置200包括各种反射光学部件(例如，凸/凹/平面镜)、包括掩模台的掩模保持机构、以及晶圆保持机构。由euv辐射源100产生的euv辐射euv由反射光学部件引导到固定在掩模台上的光掩模上。在一些实施例中，掩模台包括静电卡盘(e-卡盘)以固定光掩模。

图2是根据本公开的实施例的极紫外光刻工具的细节的简化示意图，示出了用经图案化的euv光束来曝光涂覆光致抗蚀剂的衬底210。曝光装置200是集成电路光刻工具，例如，步进器、扫描器、步进和扫描系统、直接写入系统、使用接触和/或接近掩模的装置等，其设置有一个或多个光学器件205a、205b，例如，用于利用euv光束照射图案光学元件205c(例如，光掩模)以产生图案化光束，以及一个或多个缩小投影光学器件205d、205e，用于将图案化光束投射到衬底210上。可以提供机械组件(未示出)以用于在衬底210和图案化光学器件205c之间产生受控的相对运动。如图2中进一步所示，euvl工具包括euv光源100，该euv光源100包括在腔室105中发射euv光的euv光辐射器ze，该euv光由收集器110沿着进入曝光装置200的路径被反射以照射衬底210。

如本文所使用的，术语“光学器件”旨在广义地解释为包括但不必限于反射和/或透射和/或操作入射光的一个或多个部件，并且包括但不限于：一个或多个透镜、窗口、滤光片、楔形物、棱镜、棱栅、光栅、传输光纤、校准器、漫射器、均化器、探测器和其他仪器组件、孔径、轴和镜，包括多层镜、接近临界入射镜、临界入射镜、镜面反射镜、漫反射镜及其组合。此外，除非另有说明，否则本文所用的术语“光学器件”均不限于在一个或多个特定波长(例如，euv输出光波长、照射激光波长、适合于计量的波长、或任何其他特定波长)范围内单独地或有利地操作的部件。

由于气体分子吸收euv光，因此用于euv光刻图案化的光刻系统被保持在真空或低压环境中以避免euv强度损失。

在本公开中，术语掩模、光掩模和光罩可互换使用。在本实施例中，图3中所示的图案化光学器件205c是反射光掩模。在实施例中，反射光罩205c包括具有合适材料的衬底30，例如，低热膨胀材料或熔融石英，如图3所示。在各种示例中，材料包括tio2掺杂的sio2，或具有低热膨胀的其他合适材料。在一些实施例中，低热膨胀玻璃衬底透射可见光波长、可见光谱附近的一部分红外波长(近红外)、以及一部分紫外波长的光。在一些实施例中，低热膨胀玻璃衬底吸收极紫外波长以及极紫外线附近的深紫外波长。

反射光罩205c包括沉积在衬底上的多个反射层35。多个反射层35包括多个膜对，例如，钼-硅(mo/si)膜对(例如，在每个膜对中的硅层37上方或下方的钼层39)。替代地，多个反射层35可包括钼-铍(mo/be)膜对，或被配置为高度反射euv光的其他合适材料。在一些实施例中，mo/si多层叠堆35包括从约30个硅和钼的交替层到约60个硅和钼的交替层。在一些实施例中，形成约35至约50个硅和钼的交替层。在某些实施例中，存在约40个硅和钼的交替层。在一些实施例中，硅层和钼层通过化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)、物理气相沉积(pvd)(溅射)、或任何其他合适的成膜方法来形成。每层硅和钼的厚度为约2nm至约10nm。在一些实施例中，硅和钼的层的厚度大致相同。在其他实施例中，硅和钼的层的厚度不同。在一些实施例中，每层硅和钼的厚度为约3nm至约4nm。

掩模205c还可以包括帽盖层40，例如，由钌(ru)制成的层，用于保护多层35。帽盖层40设置在mo/si多层35上方。在一些实施例中，帽盖层40由厚度为约2nm至约10nm的钌制成。在某些实施例中，帽盖层40的厚度为约2nm至约4nm。在一些实施例中，帽盖层40通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、或任何其他合适的膜形成方法形成。

掩模还包括吸收(或吸收器)层45。在一些实施例中，吸收层45设置在帽盖层40上方。图案化吸收层45以限定集成电路(ic)的层。在一些实施例中，吸收层45是基于ta的材料。在一些实施例中，吸收层由tan、tao、tabn或tabo制成，厚度为约25nm至约100nm。在某些实施例中，吸收层25的厚度范围为约50nm至约75nm。在一些实施例中，吸收层25通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、或任何其他合适的膜形成方法形成。

在一些实施例中，在吸收层45上方可选地形成抗反射层(未示出)。在一些实施例中，抗反射层由氧化硅制成，并且具有约2nm至约10nm的厚度。在一些实施例中，抗反射层的厚度为约3nm至约6nm。在一些实施例中，抗反射层通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、或任何其他合适的成膜方法形成。

euv掩模需要非常低的表面粗糙度并且必须不具有可分解缺陷。

在一些实施例中，反射掩模205c包括背侧导电层60。在一些实施例中，导电层60被形成在衬底30的第二主表面上，该第二主表面与其上形成有mo/si多层35的衬底30的第一主表面相对。在一些实施例中，导电层60由厚度为约25nm至约150nm的铬、氮化铬、或tab制成。在一些实施例中，导电层60具有约70nm至约100nm的厚度。在一些实施例中，导电层60通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、或任何其他合适的成膜方法形成。

在一些实施例中，反射掩模205c包括被向下蚀刻到围绕图案55的衬底30的边界65，其还称为黑色边界65，以限定将被成像的电路区域和不被成像的外围区域。在一些实施例中，黑色边界减少了光泄漏。

在本公开的各种实施例中，涂覆光致抗蚀剂的衬底210是半导体晶圆，例如，硅晶圆或待图案化的其他类型的晶圆。

在一些实施例中，euvl工具还包括其他模块或与其他模块集成(或耦合)。

如图1所示，euv辐射源100包括由腔室105包围的目标液滴生成器115和lpp收集器110。在一些实施例中，目标液滴生成器115包括用于保持源材料的储存器，以及通过其将源材料的目标液滴dp供应到腔室105中的喷嘴120。

在一些实施例中，目标液滴dp是锡(sn)、锂(li)、或sn和li的合金的液滴。在一些实施例中，目标液滴dp各自具有约10微米(μm)至约100μm的直径。例如，在实施例中，目标液滴dp是具有约10μm至约100μm的直径的锡液滴。在其他实施例中，目标液滴dp是具有约25μm至约50μm的直径的锡液滴。在一些实施例中，目标液滴dp以每秒约50个液滴(即约50hz的喷射频率)至每秒约50000个液滴(即约50khz的喷射频率)的速率通过喷嘴120供应。在一些实施例中，目标液滴dp以约100hz至约25khz的喷射频率供应。在其他实施例中，目标液滴dp以约500hz至约10khz的喷射频率供应。在一些实施例中，目标液滴dp以约10米/秒(m/s)至约100m/s的范围内的速度通过喷嘴127喷射到激发区域ze中。在一些实施例中，目标液滴dp具有约10m/s至约75m/s的速度。在其他实施例中，目标液滴具有约25m/s至约50m/s的速度。

返回参考图1，由激发激光源300产生的激发激光lr2是脉冲激光。激光脉冲lr2由激发激光源300产生。激发激光源300可包括激光生成器310、激光引导光学器件320和聚焦装置330。在一些实施例中，激光源310包括二氧化碳(co2)或者掺杂钕的钇铝石榴石(nd：yag)激光源，其波长在电磁波谱的红外区域内。例如，在实施例中，激光源310具有9.4μm或10.6μm的波长。由激光生成器300产生的激光lr1由激光引导光学器件320引导并通过聚焦装置330聚焦到激发激光lr2中，并然后引入euv辐射源100。

在一些实施例中，激发激光lr2包括预热激光和主激光。在这样的实施例中，预热激光脉冲(在本文中可互换地称为“预脉冲”)被用于加热(或预热)给定目标液滴以产生具有多个较小液滴的低密度目标羽流，其随后通过来自主激光的脉冲来加热(或再加热)，从而产生增加的euv光发射。

在各种实施例中，预热激光脉冲具有约100μm或更小的光斑尺寸，并且主激光脉冲具有在约150μm至约300μm范围内的光斑尺寸。在一些实施例中，预热激光和主激光脉冲的脉冲持续时间在约10ns至约50ns的范围内，并且脉冲频率在约1khz至约100khz的范围内。在各种实施例中，预热激光和主激光的平均功率在约1千瓦(kw)至约50kw的范围内。在实施例中，激发激光lr2的脉冲频率与目标液滴dp的喷射频率匹配。

激光lr2通过窗口(或透镜)被引导至激发区域ze。窗口采用对激光束基本透明的合适材料。脉冲激光的产生与目标液滴dp通过喷嘴120的喷射同步。当目标液滴移动通过激发区域时，预脉冲加热目标液滴并将它们转换成低密度目标羽流。控制预脉冲和主脉冲之间的延迟以允许目标羽流形成并扩展到最佳尺寸和几何形状。在各种实施例中，预脉冲和主脉冲具有相同的脉冲持续时间和峰值功率。当主脉冲加热目标羽流时，产生高温等离子体。等离子体发射euv辐射euv，其由收集镜110收集。收集器110进一步反射和聚焦euv辐射，以用于通过曝光装置200执行的光刻曝光工艺。液滴捕捉器用于捕捉过量的目标液滴。例如，激光脉冲可以故意错过一些目标液滴。

返回参考图1，收集器110被设计有适当的涂层材料和形状以用作euv收集、反射和聚焦的镜。在一些实施例中，收集器110被设计为具有椭圆形几何形状。在一些实施例中，收集器100的涂层材料类似于euv掩模的反射多层。在一些示例中，收集器110的涂层材料包括第一和第二反射层的交替堆叠(例如，多个mo/si膜对)，并且还可以包括涂覆在ml上以基本上反射euv光的帽盖层(例如，ru)。在一些实施例中，收集器110可以进一步包括光栅结构，该光栅结构被设计为有效地散射被引导至收集器110上的激光束。例如，氮化硅层被涂覆在收集器110上并被图案化以具有光栅图案。

在这样的euv辐射源中，由激光应用引起的等离子体产生物理碎片，例如，液滴的离子、气体和原子，以及期望的euv辐射。有必要防止材料积聚在收集器110上，并且还防止物理碎片离开腔室105并进入曝光装置200。

如图1所示，在本实施例中，缓冲气体通过收集器110中的孔径从第一缓冲气体供应源130供应，脉冲激光通过该孔径被输送到锡液滴。在一些实施例中，缓冲气体是h2、he、ar、n2、或另一种惰性气体。在某些实施例中，用作通过缓冲气体的电离产生的h自由基的h2可用于清洁目的。缓冲气体也可以通过一个或多个第二缓冲气体供应源135朝向收集器110和/或围绕收集器110的边缘来提供。此外，腔室105包括一个或多个气体出口140，使得缓冲气体在腔室105外部耗尽。

氢气对euv辐射具有低吸收。到达收集器110的涂层表面的氢气与液滴的金属发生化学反应，形成氢化物，例如，金属氢化物。当使用锡(sn)作为液滴时，形成锡烷(snh4)，其是euv生成工艺的气态副产物。然后将气态snh4通过出口140泵出。

图4a-4h示意性地示出了制造和清洁用于极紫外光刻(euvl)的euv光掩模205c的方法。euvl采用使用极紫外(euv)区域中的光的扫描仪，其具有约1nm至约100nm的波长。掩模是euvl系统的关键组件。euv掩摸通常是反射掩摸。

光掩模205c由光掩模坯料20形成，包括：衬底30、多层35、帽盖层40、吸收层45和导电层60。参照图4a，在一些实施例中，在吸收层45上方形成硬掩模层50。在一些实施例中，在抗反射层上方形成硬掩模层50。在一些实施例中，硬掩模层50由厚度为约4nm至约20nm的硅、硅基化合物、铬、或铬基化合物制成。在一些实施例中，铬基化合物包括cron。在一些实施例中，硬掩模层50通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、或任何其他合适的膜形成方法来形成。

随后在硬掩模层50上方形成光致抗蚀剂层75，并且光致抗蚀剂层75被选择性地曝光于光化辐射。光致抗蚀剂层75是通过曝光于光化辐射而图案化的光敏层。通常，入射辐射所撞击的光致抗蚀剂区域的化学性质以取决于所用光致抗蚀剂类型的方式变化。光致抗蚀剂层75是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。正性抗蚀剂是指当曝光于辐射(通常为uv光)时变得可溶于显影剂，而未曝光(或较少曝光)的光致抗蚀剂的区域不溶于显影剂的光致抗蚀剂材料。另一方面，负性抗蚀剂通常是指当曝光于辐射时变得不溶于显影剂，而未曝光(或较少曝光)的光致抗蚀剂的区域可溶于显影剂的光致抗蚀剂材料。在曝光于辐射时变得不可溶的负性抗蚀剂的区域可能由于曝光于辐射所引起的交联反应而变得不可溶。

选择性曝光的光致抗蚀剂层75被显影以在光致抗蚀剂层75中形成图案55’。在一些实施例中，光化辐射是电子束或离子束。在一些实施例中，图案55对应于针对其光掩模205c将用于在后续操作中形成的半导体器件特征的图案。抗蚀剂是正性还是负性可取决于用于显影抗蚀剂的显影剂的类型。例如，当显影剂是水基显影剂(例如，氢氧化四甲基铵(tmah)溶液)时，一些正性光致抗蚀剂提供正图案(即曝光区域被显影剂移除)。另一方面，当显影剂是有机溶剂时，同一光致抗蚀剂提供负图案(即未曝光区域被显影剂移除)。此外，在用tmah溶液显影的一些负性光致抗蚀剂中，光致抗蚀剂的未曝光区域被tmah移除，并且在曝光于光化辐射时经受交联的光致抗蚀剂的曝光区域在显影后保留在衬底上。

接下来，光致抗蚀剂层75中的图案55’延伸到硬掩模层50中，在硬掩模层50中形成图案55”，暴露吸收层45的部分，如图4b所示。在一些实施例中，通过使用对硬掩模层50具有选择性的合适的湿法或干法蚀刻剂进行蚀刻来形成延伸到硬掩模层50中的图案55”。

然后，硬掩模层50中的图案55”延伸到吸收层45中，在吸收层45中形成图案55”’，暴露帽盖层40的部分，如图4c所示。在一些实施例中，通过使用对吸收层45具有选择性的合适的湿法或干法蚀刻剂进行蚀刻来形成延伸到吸收层45中的图案55”’。一些实施例中，帽盖层40用作蚀刻停止层。通过合适的光致抗蚀剂剥离剂或氧等离子体灰化操作移除光致抗蚀剂层75，以暴露硬掩模层50的上表面。

如图4d所示，在移除硬掩模层50之后，在吸收层45上方形成填充吸收层中的图案55的第二光致抗蚀剂层85。通过使用对硬掩模层有选择性的蚀刻剂进行蚀刻来移除硬掩模层。第二光致抗蚀剂层85选择性地曝光于光化辐射。选择性曝光的第二光致抗蚀剂层85被显影以在第二光致抗蚀剂层85中形成图案65’，如图4d所示。

接下来，第二光致抗蚀剂层85中的图案65’延伸到吸收层55、帽盖层40和mo/si多层35中，在吸收层45、帽盖层40和mo/si多层35中形成图案65”，暴露衬底30的部分，如图4e所示。在一些实施例中，通过使用对所蚀刻的每个层具有选择性的一种或多种合适的湿法或干法蚀刻剂进行蚀刻来形成图案65”。

在一些实施例中，通过合适的光致抗蚀剂剥离剂或氧等离子体灰化操作移除第二光致抗蚀剂层85，以暴露吸收层45的上表面。在本公开的一些实施例中，吸收层45、帽盖层40和mo/si多层35中的图案65限定光掩模205c的黑色边界，如图4f所示。在移除第二光致抗蚀剂层之后，光掩模205c经受清洁操作、检查，并且根据需要修复光掩模205c，以提供完成的光掩模205c。在一些实施例中，首先形成黑色边界65，并然后形成半导体器件图案55。

在使用完成的光掩模205c的光掩模制造或后续工艺期间(包括使用光掩模对涂覆光致抗蚀剂的衬底进行euv曝光)，在吸收层中的图案55上形成包括烃污染物95的碳基残余物。污染物可能通过euv曝光期间生成的热量而产生，该热量导致光致抗蚀剂的部分分解和挥发。所分解和挥发的残留物可能污染光掩模。此外，在长期掩模存储期间，掩模可能被通过范德瓦尔斯力附着到掩模上的颗粒和残留物污染。烃污染物95可能不利地影响光掩模205c的性能，包括导致接近度和临界尺寸均匀性漂移，以及白斑缺陷。掩模图案55上方的碳残留物的厚度增加掩模图案尺寸以改变，从而引起随后在光致抗蚀剂层中形成的图案的临界尺寸的变化。因此，在长时间使用或存储之后，光掩模205c的性能下降。

为了恢复光掩模205c的性能并保持由光掩模205c形成的图案的接近度和临界尺寸，在本公开的一些实施例中执行光掩模205c的定期维护。例如，如图4h所示，执行碳基残留物(即烃)移除操作。在一些实施例中，对光掩模执行干法蚀刻，包括等离子蚀刻(清洁闪光或“c闪光”操作)。在一些实施例中，将氧或氢等离子体施加到被碳残留物污染的光掩模以移除碳残留物污染物。在一些实施例中，将氧等离子体施加到被污染的光掩模，并根据以下反应移除烃：cmhn+o→h2o+co2(或如果不完全氧化，则co)。在其他实施例中，将氢等离子体施加到被污染的光掩模，并根据以下反应移除烃：cmhn+h→ch4+h2。在氧等离子体和氢等离子体实施例二者中，反应产物是从等离子体反应腔室中排出的气体。

图5是示出根据本公开的实施例的从光掩模移除污染物的方法400的流程图。在操作s410中，将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模205c反射的光化辐射。在操作s420中，反射光掩模205c被存储一段时间而不在光刻操作中使用反射光掩模。在曝光或存储期间，在反射光掩模的表面上形成污染物。在操作s410或操作s420之后，在操作s430，在其表面上具有污染物的反射光掩模被放置在等离子体处理腔室中。在操作s440中，被污染的反射光掩模在等离子体处理腔室中进行等离子体处理(c闪光)以从表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在一些实施例中，在操作s450中，在等离子体处理期间将氯供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s460中，在等离子体处理期间将氮供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s470中，在等离子体处理期间将氦或氩供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s480中检查反射光掩模205c以确定污染物是否被移除。

在一些实施例中，使用视觉技术检查光掩模205c。视觉技术可以包括使用透射电子显微镜(tem)来对掩模的表面进行成像。在一些实施例中，能量分散x射线光谱(eds)与tem一起用于映射碳残留污染物在光掩模上的分布。因为烃吸收红外辐射，因此在一些实施例中使用红外分析技术来检查掩模的表面。在一些实施例中，在涂覆光致抗蚀剂的衬底上形成的图案中监测临界尺寸均匀性漂移、接近度漂移、或白斑缺陷，并且当临界尺寸均匀性漂移、接近度漂移、或白斑缺陷的数量超过阈值值时，光掩模经受本文所述的等离子体污染物移除工艺(c闪光)。

在一些实施例中，使用根据本公开的等离子体处理(c闪光)从光掩模表面移除污染物是在涂覆光致抗蚀剂的衬底使用光掩模的约100到约2500或更多次曝光(或照射)于光化辐射之后执行的。在一些实施例中，使用根据本公开的等离子体工艺的污染物移除是在涂覆光致抗蚀剂的衬底使用光掩模的约2000或更多次曝光(照射)之后执行的。在一些实施例中，污染物移除是在涂覆光致抗蚀剂的衬底使用光掩模的约1000或更多次曝光(照射)之后执行的。

在一些实施例中，监测接近度偏置漂移或临界尺寸均匀性漂移、或白斑缺陷，并且当接近度偏置漂移、临界尺寸均匀性漂移、或白斑缺陷超过一定阈值值时，执行根据本公开的使用等离子体工艺的污染物移除。

图6a-6i示意性地示出了制造和清洁光掩模205c的方法。图6a-6f中的制造光掩模的操作与图4a-4f中的操作相同。在光掩模存储在光掩模盒(pod)90中期间，发生图案层55在吸收层中的污染。在长期掩模存储期间，掩模可能被通过范德瓦尔斯力附着到掩模上的颗粒和残留物污染。在该实施例中，在存储期间(图6g)附着到掩模的表面的污染物95(如图6h所示)也是碳基残留物(即烃)，如参考图4g所解释的。因此，以与参考图4h所讨论的相同的方式在图6i中移除污染。在一些实施例中，在本公开的等离子体污染物移除操作之前，光掩模205c在光掩模盒90中存储超过30天。在一些实施例中，在本公开的等离子体污染物移除操作之前，光掩模205c在光掩模盒90中存储约30天至约180天。

图7是示出方法500的流程图，包括形成光掩模205c的操作s510。在操作s520中，将光掩模205c存储在光掩模盒90中。在一些实施例中，光掩模在光掩模盒90中存储约30天或更长时间。在从光掩模盒90移除光掩模205c之后，在操作s530中，在等离子体处理腔室中对光掩模205c进行等离子体处理以从光掩模205c的表面移除污染物95。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在一些实施例中，在操作s540中，在等离子体处理期间将氯供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s550中，在等离子体处理期间将氮供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s560中，在等离子体处理期间将氦或氩供应到等离子体处理腔室。

在一些实施例中，在碳基残余物的等离子体移除期间，对于实施例1至7，等离子体源的源功率在约100w至约1000w的范围内。偏置功率为约0w。等离子体处理腔室中的压力的范围为约1毫托至约5毫托。等离子体处理腔室中的氧的流速的范围为约0sccm至约100sccm。等离子体处理腔室中的氢的流速的范围为约0sccm至约300sccm。氮的流速的范围为约0sccm至约50sccm。氯以约20sccm至约100sccm的流速被供应至等离子体处理腔室。he或ar以约0sccm至约300sccm的流速被供应至等离子体处理腔室。等离子体被施加到被污染的光掩模上约5秒至约100秒的持续时间。在一些实施例中，施加到腔室的功率是rf功率，例如，13.6khzrf功率。

在一些实施例中，施加到腔室的源功率的范围为约200w至约800w。在一些实施例中，施加到腔室的源功率的范围为约400w至约600w。在一些实施例中，氧以约10sccm至约100sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氧以约20sccm至约80sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氢以约20sccm至约100sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氢以约30sccm至约80sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氮以约10sccm至约50sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氮以约20sccm至约40sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氯以约20sccm至约100sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氯以约40sccm至约80sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氦或氩以约60sccm至约300sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，氦或氩以约100sccm至约250sccm的流速被施加到腔室。在一些实施例中，等离子体被施加到光掩模上约20秒至约80秒。在一些实施例中，等离子体被施加到光掩模上约30秒至约70秒。

在一些实施例中，氧和氯是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氧和氮是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氧和氦是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氧和氩是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氢是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氢和氦是供应到腔室的唯一气体。在一些实施例中，氢和氩是供应到腔室的唯一气体。

在一些实施例中，氧具有比氢更高的碳残留物移除速率，氢具有比氩和氦更高的碳残留物移除速率。然而，如果没有充分监测c闪光清洁处理时间，则气体的碳残留物移除速率较高也会导致ru帽盖层损坏。一旦移除了碳残留物，应关闭等离子体以避免损坏掩模。

图8是示出根据本公开的实施例的方法600的流程图。在操作s610中，形成光掩模205c。在一些实施例中，形成光掩模包括在衬底上方形成多层、帽盖层和吸收层，然后图案化吸收层以形成掩模图案。在操作s620中，光掩模205c被用于光刻工艺以在衬底上形成光致抗蚀剂图案。在一些实施例中，光掩模205c被用于1000次或更多次曝光(或照射)。在一些实施例中，光掩模205c被用于2000次或更多次曝光(照射)。在多次曝光(照射)之后，在操作s630中，在等离子体处理或清洁腔室中对光掩模205c进行等离子体处理，以从光掩模的表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在一些实施例中，在操作s640中，在等离子体处理期间将氯供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s650中，在等离子体处理期间将氮供应到等离子体处理腔室。在一些实施例中，在操作s660中，在等离子体处理期间将氦或氩供应到等离子体处理腔室。

图9是示出根据本公开的实施例的方法700的流程图。在操作s710中，将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模205c反射的光化辐射。在多次曝光(照射)之后，在操作s720中，将反射光掩模205c放置在腔室中，例如，清洁腔室。在操作s730中，反射光掩模205c暴露于腔室中的等离子体，以从光掩模的表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

图10是示出根据本公开的实施例的用于减少白斑缺陷和临界尺寸均匀性漂移的方法800的流程图。在操作s810中，将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模205c反射的光化辐射。在操作s820中，将反射光掩模205c存储一段时间，而不在光刻操作中使用反射光掩模。在操作s810或操作s820之后，在操作s830中，将反射光掩模205c放置在腔室中。在操作s840中，使用等离子体从反射光掩模205c的表面移除碳基残留物污染物。在一些实施例中，在操作s850中，检查反射光掩模205c以确定是否移除了碳基残留物污染物。

图11是示出根据本公开的实施例的方法900的流程图。在操作s910中，确定光掩模205c的表面是否被碳基残留物污染。当确定光掩模205c被碳基残留物污染时，在操作s920中，将光掩模205c放置在腔室中。在一些实施例中，当碳残留物污染物的量达到阈值量时，将光掩模205c放置在腔室中。在操作s930中，将光掩模暴露于等离子体以移除碳基残余物。在暴露于等离子体之后，在操作s940中，确定是否移除了碳基残留物污染物。当在操作s940中移除了碳残留物污染物时，在一些实施例中，在操作s950中，使用光掩模205c以将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于极紫外辐射。在一些实施例中，在操作s960中，在将光掩模暴露于等离子体期间，将氯、氮、氦、或氩供应到腔室。

在一些实施例中，通过检查光掩模的表面来确定光掩模的表面是否被碳基残余物污染并且确定是否移除了碳基残余物。在一些实施例中，使用视觉技术来执行检查。视觉技术可以包括使用透射电子显微镜(tem)来对掩模的表面进行成像。在一些实施例中，能量分散x射线光谱(eds)与tem一起用于映射碳残留污染物在光掩模上的分布。在一些实施例中，使用红外分析技术。在其他实施例中，在涂覆光致抗蚀剂的衬底上形成的图案中监测临界尺寸均匀性漂移、接近度漂移、或白斑缺陷，并且当临界尺寸均匀性漂移、接近度漂移、或白斑缺陷的数量超过阈值值时，光掩模经受本文所述的等离子体污染物移除工艺。

经受根据本公开的实施例的碳基残余物的等离子体移除(c闪光)的光掩模具有改善的接近度和临界尺寸均匀性。此外，根据本公开的方法减少了euv光掩模上的白斑缺陷。因此，与使用未经受本公开的等离子体移除操作的光掩模所形成的图案化特征相比，本公开的方法提供了更清晰、更高对比度的图案化特征。

在一些实施例中，执行根据本公开的烃污染物移除改善了临界尺寸均匀性。在一些实施例中，相对于使用未经受根据本公开的实施例的烃污染物移除的光掩模，实现了临界尺寸均匀性的标准差的约50％或更多的改进。在一些实施例中，在不执行本公开的烃移除操作(c闪光)的情况下，约2000次曝光之后由光掩模形成的图案的临界尺寸均匀性的标准偏差为约0.63，并且在执行本公开的烃移除操作情况下，约2000次曝光后由光掩模形成的图案的临界尺寸均匀性的标准偏差为约0.34。

在一些实施例中，在等离子体工艺之后，跨光掩模的接近度漂移的中心到边缘差异减小到约0.1nm或更小。在一些实施例中，在等离子体工艺之后，接近度漂移在使用光掩模来曝光光致抗蚀剂层之前恢复到光掩模的初始值的约0.1nm。

在一些实施例中，经受根据本公开的周期性烃污染物移除操作的光掩模具有比未经受根据本公开的烃污染物移除的光掩模高100倍以上的使用寿命。在一些实施例中，在未执行本公开的烃移除操作(c闪光)的情况下，在约800次曝光之后，接近度和临界尺寸均匀性漂移变得不可接受。在一些实施例中，使用本公开的烃移除操作将c闪光操作之间的曝光次数增加至约17000，直到接近度和临界尺寸均匀性漂移变得不可接受，曝光次数增加超过20倍。由于c闪光操作可以被执行多达五次，因此根据本公开的方法的光掩模的总寿命增加超过未经受本公开的烃移除操作的光掩模的寿命的100倍。因此，本公开的方法提高了半导体器件产量，并提供了更高效的半导体器件制造工艺。

在一些实施例中，根据本公开的烃污染物移除操作基本上减少或消除了临界尺寸均匀性漂移；基本上减少或消除了接近度偏移漂移，并且基本上减少或消除了光掩模上的白斑。

本公开的实施例是一种方法，包括将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的辐射，或者在光刻操作中在不使用反射光掩模的情况下将反射光掩模存储一段时间。在曝光或存储期间，反射光掩模的表面上形成污染物。在使用反射光掩模来曝光涂覆光致抗蚀剂的衬底之后或者在一段时间之后，将其表面上具有污染物的反射光掩模放置在等离子体处理腔室中。在等离子体处理腔室中对具有污染物的反射光掩模进行等离子体处理以从表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在实施例中，在等离子体处理期间，等离子体处理腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。在实施例中，污染物是碳基残留物。在实施例中，碳基残留物包括烃。在实施例中，污染物设置在光掩模的吸收层中的图案上。在实施例中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，氧以20sccm至50sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以20sccm至100sccm的流速向等离子体处理腔室供应氯。在实施例中，该方法包括以10sccm至50sccm的流速向等离子体处理腔室供应氮。在实施例中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以60sccm至300sccm的流速向等离子体处理腔室供应氦或氩。在实施例中，在等离子体处理期间等离子体处理腔室的源功率的范围为100w至1000w。在实施例中，等离子体处理的持续时间的范围为5s至100s。在实施例中，该方法包括检查反射光掩模以确定在将反射光掩模暴露于等离子体之后是否移除了污染物。

本公开的另一实施例是一种方法，包括形成光掩模，并在光刻工艺中使用光掩模以在衬底上形成光致抗蚀剂图案。在光刻工艺中使用光掩模之后，在等离子体处理腔室中对光掩模进行等离子体处理，以从光掩模的表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在实施例中，形成光掩模包括以下操作：在衬底上方形成mo/si多层、在mo/si多层上方形成帽盖层、在帽盖层上方形成吸收层、在吸收层上方形成硬掩模层、以及在硬掩模层上方形成第一光致抗蚀剂层。在实施例中，该方法包括图案化第一光致抗蚀剂层以暴露硬掩模层的一部分、蚀刻硬掩模层的经暴露的部分以暴露吸收层的一部分、蚀刻吸收层的经暴露的部分以暴露帽盖层的一部分、以及移除硬掩模层以暴露吸收层的上表面。在实施例中，在等离子体处理期间，等离子体处理腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。在实施例中，污染物是碳基残留物。在实施例中，碳基残留物包括烃。在实施例中，污染物设置在光掩模的吸收层中的图案上。在实施例中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，氧以20sccm至50sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以20sccm至100sccm的流速向等离子体处理腔室供应氯。在实施例中，该方法包括以10sccm至50sccm的流速向等离子体处理腔室供应氮。在实施例中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应至等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以60sccm至300sccm的流速向等离子体处理腔室供应氦或氩。在实施例中，在等离子体处理期间等离子体处理腔室的源功率的范围为从100w到1000w。在实施例中，等离子体处理的持续时间的范围为5s到100s。

本公开的另一实施例是一种方法，包括形成光掩模，以及将光掩模存储在光掩模盒中。在将光掩模存储在光掩模盒中之后，在等离子体处理腔室中对光掩模进行等离子体处理，以从光掩模的表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在实施例中，形成光掩模包括以下操作：在衬底上方形成mo/si多层、在mo/si多层上方形成帽盖层、在帽盖层上方形成吸收层、在吸收层上方形成硬掩模层、以及在硬掩模层上方形成第一光致抗蚀剂层。在实施例中，该方法包括图案化第一光致抗蚀剂层以暴露硬掩模层的一部分、蚀刻硬掩模层的经暴露的部分以暴露吸收层的一部分、蚀刻吸收层的经暴露的部分以暴露帽盖层的一部分、以及移除硬掩模层以暴露吸收层的上表面。在实施例中，在等离子体处理期间，等离子体处理室保持在1毫托至5毫托的压力下。在实施例中，污染物是碳基残留物。在实施例中，碳基残留物包括烃。在实施例中，污染物设置在光掩模的吸收层中的图案上。在实施例中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，氧以20sccm至50sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以20sccm至100sccm的流速向等离子体处理腔室供应氯。在实施例中，该方法包括以10sccm至50sccm的流速向等离子体处理腔室供应氮。在实施例中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应到等离子体处理腔室。在实施例中，该方法包括以60sccm至300sccm的流速向等离子体处理腔室供应氦或氩。在实施例中，在等离子体处理期间等离子体处理室的源功率的范围为从100w到1000w。在实施例中，等离子体处理的持续时间的范围为5s到100s。

本公开的另一实施例是一种方法，包括将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的光化辐射。在使用反射光掩模曝光涂覆光致抗蚀剂的衬底之后，将反射光掩模放置在腔室中。反射光掩模暴露于腔室中的等离子体以从反射光掩模的表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在实施例中，将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于光化辐射包括执行对光化辐射的多次光致抗蚀剂曝光。在实施例中，多个光致抗蚀剂曝光的范围为100至2500。在实施例中，光化辐射是极紫外辐射。在实施例中，等离子体还包括氯、氮、氦、氩、或其组合。

本公开的另一实施例是一种减少白斑缺陷和临界尺寸均匀性漂移的方法，包括将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的光化辐射，或者将反射光掩模存储一段时间而不在光刻操作中使用反射光掩模。在使用反射光掩模来曝光涂覆光致抗蚀剂的衬底之后或在一段时间之后，将反射光掩模放置在腔室中。在将反射光掩模放置在腔室中之后，使用等离子体从反射光掩模的表面移除碳基残留物污染物。在实施例中，等离子体包括氧、氢、氩、氦、氯、或氮。在实施例中，将涂覆光致抗蚀剂的衬底暴露于光化辐射包括执行对光化辐射的多个光致抗蚀剂曝光。在实施例中，多个光致抗蚀剂曝光的范围为100至2500。在实施例中，该时间段为至少30天。在实施例中，该时间段为30天至180天。在实施例中，光化辐射是极紫外辐射。在实施例中，该方法包括检查反射光掩模以确定是否移除了碳基残留物污染物。

本公开的另一实施例是一种方法，包括确定光掩模的表面是否被碳基残留物污染。当确定光掩模的表面被碳基残留物污染时，将光掩模放置在腔室中。将光掩模暴露于腔室中的等离子体以移除碳基残留物。检查光掩模以确定在将光掩模暴露于等离子体之后是否移除了碳基残留物。在实施例中，该方法包括在确定碳基残留物被移除之后，使用光掩模来将涂覆光致抗蚀剂的衬底暴露于极紫外辐射。在实施例中，等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。在实施例中，在将光掩模暴露于等离子体期间，腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。在实施例中，该方法包括在将光掩模暴露于等离子体期间向腔室供应氯、氮、氦、或氩。在实施例中，等离子体以100w至1000w的范围内的功率被施加到光掩模。在实施例中，等离子体被施加到光掩模的持续时间的范围为5s至100s。

以上概述了若干实施例或示例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本公开的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺和结构以实现本文介绍的实施例或示例的相同目的和/或实现本文介绍的实施例或示例的相同优点的基础。本领域技术人员还应该认识到，这样的等同构造不脱离本公开的精神和范围，并且他们可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替换和变更。

示例1是一种制造和维护光掩模的方法，包括：将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的辐射，或者在光刻操作中在不使用所述反射光掩模的情况下将所述反射光掩模存储一段时间；其中，在所述曝光或所述存储期间，所述反射光掩模的表面上形成污染物；在使用所述反射光掩模来曝光所述涂覆光致抗蚀剂的衬底之后或者在所述一段时间之后，将其表面上具有污染物的所述反射光掩模放置在等离子体处理腔室中；以及在所述等离子体处理腔室中对具有所述污染物的所述反射光掩模进行等离子体处理以从所述表面移除所述污染物；其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

示例2是示例1所述的方法，其中，在所述等离子体处理期间，所述等离子体处理腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。

示例3是示例1所述的方法，其中，所述污染物被设置在所述反射光掩模的吸收层中的图案上。

示例4是示例1所述的方法，其中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到所述等离子体处理腔室。

示例5是示例1所述的方法，还包括：以20sccm至100sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氯。

示例6是示例1所述的方法，还包括：以10sccm至50sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氮。

示例7是示例1所述的方法，其中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应到所述等离子体处理腔室。

示例8是示例1所述的方法，还包括：以60sccm至300sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氦或氩。

示例9是示例1所述的方法，其中，在所述等离子体处理期间，所述等离子体处理腔室的源功率的范围为100w至1000w。

示例10是示例1所述的方法，其中，所述等离子体处理的持续时间的范围为5s至100s。

示例11是一种制造和维护光掩模的方法，包括：形成光掩模；在光刻工艺中使用所述光掩模以在衬底上形成光致抗蚀剂图案；以及在光刻工艺中使用所述光掩模之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物；其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。

示例12是示例11所述的方法，其中，形成所述光掩模包括以下操作：在衬底上方形成mo/si多层；在所述mo/si多层上方形成帽盖层；在所述帽盖层上方形成吸收层；在所述吸收层上方形成硬掩模层；以及在所述硬掩模层上方形成第一光致抗蚀剂层。

示例13是示例12所述的方法，还包括：图案化所述第一光致抗蚀剂层以暴露所述硬掩模层的一部分；蚀刻所述硬掩模层的经暴露的部分以暴露所述吸收层的一部分；蚀刻所述吸收层的经暴露的部分以暴露所述帽盖层的一部分；以及移除所述硬掩模层以暴露所述吸收层的上表面。

示例14是示例11所述的方法，其中，在所述等离子体处理期间，所述等离子体处理腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。

示例15是示例11所述的方法，其中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到所述等离子体处理腔室。

示例16是示例11所述的方法，还包括：以20sccm至100sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氯，或者以10sccm至50sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氮。

示例17是示例11所述的方法，其中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应至所述等离子体处理腔室。

示例18是示例11所述的方法，还包括：以60sccm至300sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氦或氩。

示例19是示例11所述的方法，其中，在所述等离子体处理期间，所述等离子体处理腔室的源功率的范围为从100w到1000w。

示例20是一种制造和维护光掩模的方法，包括：形成光掩模；将所述光掩模存储在光掩模盒中；以及在将所述光掩模存储在所述光掩模盒中之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物，其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。