中，栅极信号 的低电平为-45V，高电平为+10V。此外，第一TFT17A为导通状态时供给的第一源极信号在 第一帖为0V，在第二帖为-35V。与此不同，第二TFT17B为导通状态时供给的第二源极信号 在第一帖中为-35V，在第二帖中为0V。此外，共用电压在第一帖中为-35V，在第二帖中为 0V。另外，通过使第一源极信号和第二源极信号在-35V~OV的范围内（除去-35V和OV) 变化，能够进行中间色调显示。
[020引另外，显示装置310具有记忆性，因此在规定期间进行图32和图33所示的驱动 后，可W停止电压的供给。
[0209] 在第S例中，从源极配线81和82供给到TFT17A和17B的电压（源极信号）的极 性按规定的周期被反转，并且供给第=电极13的电压（共用电压）的极性也按该规定的周 期被反转。由此，能够保持源极信号的振幅较低地抑制作为介质31P的液晶材料的劣化。因 此，能够实现进一步的低电力消耗化。
[0210] 另外，本申请说明书中，"电压的极性反转"包括电压从零变化为正值（或负值）的 情况，或从正值（或负值）变化为零的情况。
[0211] (实施方式4)
[0212] 参照图34~图37说明本实施方式的显示装置410。图34是示意性表示显示装置 410的与1个像素对应的区域的平面图。图35是仅表示图34所示的构成要素中的第一电 极11和第二电极12的平面图。图36是仅表示图34所示的构成要素中的遮光层61的平 面图。图37是表示图34所示的构成要素中的第一电极11、第二电极12和遮光层61W外 的部分的平面图。
[0213] 显示装置410如图34和图37所示，对各像素行仅设置有一个栅极配线71，运一 点与实施方式3的显示装置310不同。栅极配线71W横穿像素的中央的方式配置。随着 栅极配线71的配置不同，显示装置410中，根据图37可知，第一TFT17A和第二TFT17B的 配置也与实施方式3的显示装置310不同。进而，在显示装置410中，根据图35和图36可 知，第一电极11和第二电极12的形状和遮光层61的配置也与实施方式3的显示装置310 不同。
[0214] 运样，栅极配线71可W对各像素行仅设置有1个。此时，与对各像素行设置2根 栅极配线71、72的结构相比，能够使像素内配线所占的比例变小，因此能够确保辅助电容 Cs的面积较大。此外，在对各像素行设置2个栅极配线71、72的结构中，由于2个栅极配 线71、72间的线幅的偏差等，在栅极配线71、72间可能在信号的迟延程度上产生差异。与 此不同，对各像素行仅设置一个栅极配线71的结构中，不会产生运样的问题。
[0215] 此外，在对各像素行设置有2个栅极配线71、72的结构中，对于各像素行来说栅极 配线71、72的端面（在长度方向延伸的端面）有4个（2边X2)，因此通过图案化而形成栅 极配线71、72时的蚀刻量的偏差较大。与此不同，对各像素行仅设置有一个栅极配线71的 结构中，各像素行中栅极配线71的端面有2个，因此上述蚀刻量的偏差较小。
[0216] 此外，本实施方式的第一电极11和第二电极12如图35所示，在也包含相邻像素 的第一电极11和第二电极12进行考虑时，第一电极11彼此相对的区域或第二电极12彼 此相对的区域是仅存在于与像素的四角对应的位置的形状，因此与使用图20所示的满旋 状电极时同样，能够进行更明亮的显示。例如，在所有像素进行白显示时，能够使位于像素 间的多个形状各向异性颗粒32水平取向，能够防止暗线的产生。
[0217](实施方式W
[021引参照图38~图43,说明本实施方式的显示装置510。图38是示意性表示显示装 置510的与1个像素对应的区域的平面图。图39是图38的B-B'截面图。图40是仅表示 图38所示的构成要素中的第一电极11的平面图。图41是仅表示图38所示的构成要素中 的第二电极12和连接电极12'的平面图。图42是仅表示图38所示的构成要素中的遮光 层61的平面图。图43是表示图38所示的构成要素中的第一电极11、第二电极12、连接电 极12'和遮光层61W外的部分的平面图。
[0219] 实施方式1~4的显示装置110~410的显示面板中，第一电极11和第二电极12 同等级设置。目P，第一电极11和第二电极12使用相同的材料W相同的工序形成。
[0220] 与此相对，本实施方式的显示装置510的显示面板500中，如图39所示，第一电极 11和第二电极12不同等级地设置。目P，第一电极11和第二电极12W不同的工序形成。具 体地说，W覆盖第二电极12的方式设置电介质层（透明绝缘层）66,第一电极11隔着电介 质层66设置在第二电极12上。电介质层66例如是厚度为200nm的Si化膜。
[0221] 第一电极（上层电极）11如图40所示具有多个分支部11曰。与此相对，第二电极 (下层电极）12是图41所示的所谓整体电极。
[022引第一电极11经由连接电极12'与辅助电容电极74和第一TFT17A的漏电极17d电 连接。连接电极12'由与第二电极12相同的导电膜（即W与第二电极12相同的工序）形 成，在形成于透明绝缘层63和有机绝缘层64的接触孔CH中与辅助电容电极74连接。第 一电极11在形成于电介质层66的接触孔CH'与连接电极12'连接。
[0223] 如实施方式1~4的显示装置110~410那样第一电极11和第二电极12同等级 设置的结构中，从基板面的法线方向看时，在像素内，第一电极11和第二电极12均不存在 的区域比较多，在运样的区域中，在第一基板10与光学层30的边界付近难W施加纵电场。
[0224] 与此相对，像本实施方式的显示装置510运样第一电极11作为上层电极设置，第 二电极12作为下层电极设置的结构中，从基板面的法线方向看时，能够使像素内第一电极 11和第二电极12均不存在的区域较少（第二电极12能够为整体电极），因此能够在与基 板面平行的面内均匀地施加纵电场，具有容易使形状各向异性颗粒32垂直取向的优点。
[0225] 工业上的可利用性
[0226] 根据本发明的实施方式，能够提供能进行有源矩阵驱动、低电力消耗性优异、能够 实现高的光利用率和高的对比度比的光学装置。本发明的实施方式的光学装置优选用于显 示装置用的显示面板。此外，本发明的实施方式的光学装置也能够用作显示面板W外的各 种光学装置（光开关等）。
[0227] 附图标记的说明
[022引 10第一基板
[0229] IOa基板
[0230] 11第一电极
[0231] Ila第一电极的分支部
[0232] Ilb第一电极的干部
[0233] 12第二电极
[0234] 12a第二电极的分支部
[0235] 12b第二电极的干部
[0236]12，连接电极
[0237] 14光吸收层
[023引 15、25垂直取向膜
[0239]I7AJ7B薄膜晶体管灯FT)
[0240]17a半导体层
[0241]17d漏电极
[0242]17g栅极电极
[0243]17s源极电极
[0244]20第二基板
[0245] 20a基板
[0246]21第S电极
[0247] 30光学层（显示介质层）
[0248] 31P、31N介质（液晶材料）
[0249] 31a、3化液晶分子
[0巧0] 32形状各向异性颗粒
[0巧"40电源[0巧2] 51第一开关
[0巧3] 52第二开关
[0巧4] 53第S开关
[0255] 54第四开关
[0256] 60密封部
[0巧7] 63、65透明绝缘层
[0巧引 64有机绝缘层
[0巧9] 66电介质层
[0260] 71、72栅极配线
[0261] 73辅助电容相对电极
[0262] 74辅助电容电极
[0263] 75、76辅助电容配线
[0264] 78、88端子部
[0265] 81、82源极配线
[026引 91栅极驱动器
[0267] 92源极驱动器
[026引 100、200、300、500显示面板（光学装置）
[0269] 110、210、210A、310、410、510显示装置。
【主权项】
1. 一种光学装置，其包括：相互相对地设置的第一基板和第二基板；和设置在所述第 一基板与所述第二基板之间的光学层，该光学装置的特征在于： 所述第一基板具有能够被提供相互不同的电位的第一电极和第二电极， 所述光学层包括：介质；和分散在所述介质中的具有形状各向异性的形状各向异性颗 粒， 所述形状各向异性颗粒的取向方向根据施加于所述光学层的电场的方向而变化， 所述介质是液晶材料， 在不对所述光学层施加电场时，所述形状各向异性颗粒与基板面大致垂直地取向。2. 如权利要求1所述的光学装置，其特征在于： 所述第一基板和所述第二基板的至少一方具有设置于所述光学层侧的垂直取向膜。3. 如权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于： 由所述第一电极与所述第二电极在所述光学层产生横电场时，所述形状各向异性颗粒 与基板面大致平行地取向。4. 如权利要求1~3中任一项所述的光学装置，其特征在于： 所述液晶材料具有正的介电各向异性。5. 如权利要求1~3中任一项所述的光学装置，其特征在于： 所述液晶材料具有负的介电各向异性。6. 如权利要求1~5中任一项所述的光学装置，其特征在于： 所述第二基板具有与所述第一电极和所述第二电极相对的第三电极。7. 如权利要求6所述的光学装置，其特征在于： 由所述第三电极与所述第一电极和所述第二电极在所述光学层产生纵电场时，所述形 状各向异性颗粒与基板面大致垂直地取向。8. 如权利要求5所述的光学装置，其特征在于： 所述第二基板不具有与所述第一电极和所述第二电极相对的电极。9. 如权利要求1~8中任一项所述的光学装置，其特征在于： 所述第一基板是具有薄膜晶体管的有源矩阵基板。10. 如权利要求9所述的光学装置，其特征在于： 所述第一基板还具有与所述薄膜晶体管电连接的栅极配线和源极配线， 从所述源极配线供给到所述薄膜晶体管的电压的极性按规定的周期被反转。11. 如权利要求6或7所述的光学装置，其特征在于： 所述第一基板是具有薄膜晶体管的有源矩阵基板，还具有与所述薄膜晶体管电连接的 栅极配线和源极配线， 从所述源极配线供给到所述薄膜晶体管的电压的极性按规定的周期被反转， 供给到所述第三电极的电压的极性按所述规定的周期被反转。12. 如权利要求9~11中任一项所述的光学装置，其特征在于： 所述薄膜晶体管包含氧化物半导体层。13. 如权利要求12所述的光学装置，其特征在于： 所述氧化物半导体层由In-Ga-Zn-O类半导体形成。14. 一种显示装置，其特征在于： 具有权利要求1~13中任一项所述的光学装置。15. 如权利要求14所述的显示装置，其特征在于： 能够使用从外部入射的光以反射模式进行显示。16. 如权利要求15所述的显示装置，其特征在于： 所述形状各向异性颗粒具有光反射性， 所述第一基板和所述第二基板中的位于背面侧的基板具有吸收光的光吸收层。
【专利摘要】光学装置(100)具有第一基板(10)和第二基板(20)以及设置在它们之间的光学层(30)。第一基板具有能够被提供相互不同的电位的第一电极(11)和第二电极(12)。光学层(30)包括：介质(31P)；和取向方向根据施加于光学层的电场的方向而变化的形状各向异性颗粒(32)。介质是液晶材料，在不对光学层施加电场时，形状各向异性颗粒与基板面大致垂直地取向。
【IPC分类】G02F1/137, G02F1/19
【公开号】CN105143971
【申请号】CN201480023263
【发明人】森胁弘幸, 花冈一孝
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年2月27日
【公告号】WO2014174896A1