显示器以及显示器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种显示器以及显示器的制造方法，该显示器包括第一基板、第二基板、多个像素以及光触媒层。多个像素设置于第一基板与第二基板之间，光触媒层设置在第二基板面向第一基板的表面上或者第一基板面向该第二基板的表面上。
【专利说明】
显示器以及显示器的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种显示器，特别是涉及一种具有光触媒层的显示器。
【背景技术】
[0002]显示器的应用日渐广泛，举例言，显示器当前整合了相机、通讯、或者是显示的功能。但是随着环保意识的日渐抬头，显示器整合环保概念或者功能的发明却屈指可数。
【发明内容】
[0003]本发明实施例提供一种显示器，包括第一基板、第二基板、多个像素以及光触媒层。多个像素设置于第一基板与第二基板之间，光触媒层设置在第二基板面向第一基板的表面上或者第一基板面向第二基板的表面上。
[0004]—种选择的实施例中，每一该些像素还包括一晶体管，每一该些晶体管包括栅极电极、源极电极及主动层，光触媒层与栅极电极或源极电极属于同一膜层。
[0005]—种选择的实施例中，其中光触媒层包括一氧化金属层，栅极电极包括第一栅极金属层，氧化金属层与第一栅极金属层属于同一膜层。
[0006]—种选择的实施例中，其中光触媒层还包括第一金属层，氧化物金属层堆迭于第一金属层之上，氧化物金属层为第一金属层的氧化物，氧化物金属层的厚度加上第一金属层的厚度小于第一栅极金属层的厚度。
[0007]—种选择的实施例中，氧化金属层的厚度加上第一金属层的厚度大于O纳米且小于100纳米。
[0008]—种选择的实施例中，栅极电极包括依序堆迭的第一栅极金属层、第二栅极金属层及第三栅极金属层;光触媒层包括依序堆迭的氧化金属层、第一金属层、第二金属层及第三金属层;第一栅极金属层与第一金属层属于同一膜层，第二栅极金属层与第二金属层属于同一膜层，第三栅极金属层与第一金属层属于同三膜层。
[0009]—种选择的实施方式中，显示器还包括光源，光源设置于第二基板的一侧，光源用以发出紫外光至光触媒层。
[0010]本发明另提供一种实施例，提供一种显示器的制造方法，包括提供一第一基板，在第一基板上形成栅极电极，并且同时在第一基板上形成外部金属层，在栅极电极上形成绝缘层以覆盖栅极电极，对外部金属层加热，使其形成氧化物金属层。
[0011 ]本发明实施例透过在显示器的内部的基板上形成光触媒层，成功整合功能于显示器中，并且其制造方式简单无须使用者额外的贴附。
[0012]本发明另提供一种实施例，提供另一种显示器的制造方法，包括提供第一基板;在第一基板上形成栅极电极;在栅极电极上形成绝缘层以覆盖栅极电极;在绝缘层上形成源极电极以及漏极电极，并且在形成源极电极及/或漏极电极的同时，形成外部金属层;在源极电极以及漏极电极之上形成保护层；以及对外部金属层加热，使其形成一氧化物金属层。
[0013]对应于上述两种方法，一种可选择的实施方式中，还包括在栅极电极相对于第一基板的一侧形成像素电极，其中，对外部金属层加热的步骤于对像素电极退火的过程中同步进行。
[0014]本发明实施例公开整合有光触媒层的显示器以及其制造方法，提供一种具有光触媒层及其功效的便捷显示器。
[0015]以上的关于本
【发明内容】
的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的权利要求保护范围更进一步的解释。
【附图说明】
[0016]图1为本发明实施例显示器剖视图；
[0017]图2为本发明实施例显示器正视示意图；
[0018]图3为本发明另一实施例显示器正视示意图；
[0019]图4A为本发明实施例像素结构与光触媒层的剖面示意图；
[0020]图4B为本发明实施例栅极电极以及光触媒层详细结构示意图；
[0021]图5A至图5C为本发明实施例显示器制造方式的流程示意图；
[0022]图6A至图6C各别对应图5A至图5C中的栅极电极以及光触媒层详细结构示意图；
[0023]图7A与图7B为本发明实施例另一制造方法示意图；
[0024]图8A与图8B各别对应图7A至图7B中的栅极电极以及光触媒层详细结构示意图；
[0025]图9为本发明实施例第一种显示器制造方式的流程图；
[0026]图10为本发明实施例第二种显示器制造方式的流程图；以及
[0027]图11为本发明实施例第三种显示器制造方式流程图。
[0028]图12为液晶像素电路不意图。
[0029]其中，附图标记:
[0030]100显示器
[0031]HO第一基板
[0032]111 光源
[0033]112显示材料
[0034]120 第二基板
[0035]130 像素
[0036]140 框胶
[0037]150光触媒层
[0038]151金属层
[0039]152金属层
[0040]153金属层[0041 ]154氧化金属层
[0042]155外部金属层
[0043]160晶体管
[0044]161栅极电极
[0045]162绝缘层
[0046]164主动层
[0047]165漏极电极
[0048]166源极电极
[0049]168保护层
[0050]169像素电极
[0051]171栅极金属层
[0052]172栅极金属层
[0053]173栅极金属层
[0054]S11?S14 步骤
[0055]S21 ?S25 步骤
[0056]S31 ?S36 步骤
[0057]Clc液晶电容
[0058]LI紫外光
[0059]L2 光线
[0060]SL扫描线
[0061]DL数据线
【具体实施方式】
[0062]本发明中所的用语一般具有其在本发明背景领域中的通常意思，以及其在特定背景中使用时的意义。某些特定用以描述本发明的用语将于后定义及讨论，或是在说明书中的其他地方讨论，以供做为本领域技术人员了解本发明说明。除此之外，同一事物可能会以超过一种方式来说明，其意义应了解为可选择是多种说明方式的其中之一或整体意思。因此，在本文中会使用可替换性的语言以及同义词来表现任何一个或多个的用语，不论此用语是否有在本文中进行精辟的阐述或是讨论，使用可替换性的语言以及同义词均不具特定意义。本发明提供某些用语的同义词。一或多个常用的同义词并不排除其他同义词的使用。本说明书中任何部分所提到的例子，包含所讨论的任何用语的例子，均仅用来说明，并无限制本发明的范围及意义或是任何当作例子来说明的用语。同样地，本发明也不受限于本说明书所提供的各种实施例。
[0063]可被理解的是，当称一元件(电性)耦接于另一元件时，其可为直接(电性)耦接其他元件、或介于其中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接(电性)耦接于另一元件时，并无介于中间的元件出现。如于本文所使用，用语“和/或”包含一个或多个相关的列出项目的任一与所有组合。
[0064]另一可被理解的是，本文对于信号传递或提供的描述，经传输的信号可能会产生衰减或失真，但仍与传输之前的信号具有对应的关系，通常不因传输过程中产生的衰减或失真情形而排除信号发射端与信号接收端两信号的对应关系。
[0065]另一可被理解的是，当称一元件位于另一元件上时，其可为直接位于其他元件上、或介于其中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接位于另一元件上时，并无介于中间的元件出现。如于本文所使用，用语“和/或”包含一个或多个相关的列出项目的任一与所有组合。
[0066]另一可被理解的是，虽然在本发明使用“第一”、“第二”和“第三”等用语来描述各种元件、零件、区域、层和/或部分，但此些用语不应限制此些元件、零件、区域、层和/或部分。此些用语仅用以区别一元件、零件、区域、层和/或部分与另一元件、零件、区域、层和/或部分。因此，可在不偏离本发明所教示的情况下，将以下讨论的第一元件、零件、区域、层和/或部分称为第二元件、零件、区域、层和/或部分。
[0067]于本文所使用的用语仅用于描述特定实施例的目的，并非用以限制本发明。如于本文所使用，除非内容清楚指定，单数形式“一”与“该”亦欲包含复数形式。将进一步了解的是，用语“包含”或“具有”应用在说明书中时，明确说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元素、及/或构件的存在，但并未排除一或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。
[0068]此外，相对用语例如“下”或“底部”、“上”或“顶部”、和“左”或“右”，于本文中可用以描述如图中所绘示的一元件与另一元件的关系。可被理解的是，除了图中所描绘的方位夕卜，相对用语意欲包含元件的不同方位。例如:若图中的元件翻转，被描述为在此另一元件的“下”侧的元件接下来将位于此另一元件的“上”侧的方位。因此，例示性用语“下”根据图的特定方位可包含“下”和“上”的两方位。相同地，若图中的元件翻转，被描述为在另一元件“之下”或“下方”的元件接下来将位于此另一元件“上方”的方位。因此，例示性用语“之下”或“下方”可包含上方和下方的两方位。
[0069]除非另有定义，否则在本文中所使用的所有用语(包含科技与科学用语)具有相同于本发明所属技术领域的技术人员所广为了解的意义。可进一步被理解的是，例如由常用辞典所定义等用语，应解释成具有与他们在相关领域和本发明上下文中一致的意义，且将不会被以理想化或过度正式的意义来加以解读，除非在本文中被特别定义。
[0070]如在本文中所使用的用语“大约”、“约”或“近乎”应大体上意指在给定值或范围的百分之二十以内，较佳为在百分之十以内，更佳为在百分之五以内。在此所提供的数量为近似，意指若无特别陈述，可以用语“大约”、“约”或“近乎”加以表示。
[0071]请参考图1，图1为本发明实施例显示器剖视图。显示器100包括第一基板110、第二基板120、多个像素130及光触媒层150。除此之外，显示器100还可以更包括显示材料112、光源111以及框胶140。像素130设置于第一基板110与第二基板120之间，框胶140通常环绕多个像素130，进而与第一基板110及第二基板120封装于第一基板110及第二基板120之间。光触媒层150可以形成于第一基板110面向第二基板120的表面上，或者也可以形成于第二基板120面向第一基板110的表面上。而通常而言，光触媒层150与像素130分别位于框胶140的相对两侧。举例而言，本实施例中，多个像素130设置于第一基板110面向第二基板120的表面上，相应的光触媒层150设置于第一基板110面向第二基板120的表面上。反之亦然，多个像素130亦可设置于第二基板120面向第一基板110的表面上，相应的光触媒层150可设置于第二基板120面向该第一基板110的表面上。显示材料112用以受像素130的控制，进而改变其光学特性，而产生灰阶上的变化，举例而言，显示材料112可以例如为被封装于框胶140之内的液晶材料，液晶材料受像素130的电场的控制，进而产生不同的偏振特性。又例如显示材料112可以是有机发光二极管的发光材料，其可以接受像素130提供的电流，而产生不同颜色或不同强度的光线。光源111可以用以作为背光源，换言之，在非自发光显示器中，例如上述液晶显示器，光源111可以作为显示器100的背光源，发出光线L2，并提供光线L2以受像素130以及显示材料112的控制，进而产生不同的影像。除此之外，光源111还可以发出紫外光LI(通常而言，指波长约为10纳米(nm)至400纳米的光线)，进而，紫外光LI可以刺激光触媒层150，进而光触媒层150可以产生杀菌、除臭及/或防霉的功能。
[0072]图2为本发明实施例显示器正视示意图。如前述请参考图2并一并参考图1，显示器100包括第一基板110、第二基板120、多个像素130、框胶140及光触媒层150。像素130为矩阵方式排列，且显示器100还可以更包括多条扫描线SL以及多条数据线DL，扫描线SL电性耦接对应的像素130，用以提供像素130扫描信号，进而致能接收扫描信号的像素130的更新动作。而数据线DL电性耦接对应的像素130，用以提供像素130所需要的数据信号，进而使得接收数据信号的像素130能够根据数据信号来控制像素的灰阶。举例而言，请参考图12，图12为液晶像素电路示意图。扫描线SL能够开启像素中的晶体管160，进而使得像素130能够将数据信号提供给液晶电容Cm，进而控制液晶电容ac所对应的液晶。
[0073]请再参考图2。图2中框胶140实质上能够环绕像素130排列的区域，而光触媒层150则位于框胶140相对于像素130排列的区域的另一侧，且光触媒层150可以实质上环绕框胶140。相对的，请参考图3，图3为本发明另一实施例显示器正视示意图，图3中，与图2的差异主要在于光触媒层150可以是多个独立的区块，依序环绕框胶140而排列。
[0074]在上述的实施例中，光触媒层150可以形成于第一基板110面向该第二基板120的表面上，或者也可以形成于第二基板120面向第一基板110的表面上，换言之，可将光触媒层150直接整合于显示器100的显示结构的制程之中，并且妥善利用基板的周边区域，而达到便捷的光触媒自净、杀菌、除臭及/或防霉的功能。
[0075]请参考图4A，图4A为本发明实施例像素结构与光触媒层的剖面示意图。并请一并参考图4B，图4B为本发明实施例栅极电极以及光触媒层详细结构示意图。本实施例以光触媒层150以及像素130形成于第一基板110面向第二基板120的表面为例，光触媒层150以及像素130也可以形成于第二基板120面向第一基板110的表面上，而其结构与制造方式，亦与以下所述的技术方案类似。像素130包括晶体管160，晶体管160具有栅极电极161、主动层164、漏极电极165以及源极电极166。源极电极166以及漏极电极165分别电性耦接主动层164的两端而堆迭于主动层164之上，栅极电极161用以控制主动层164，以使源极电极166以及漏极电极165实质上电性导通或者电性截止。栅极电极161上堆迭有绝缘层162，绝缘层162用以隔离主动层164以及栅极电极161。在主动层164、源极电极166以及漏极电极165之上具有保护层168，保护层168具有一贯孔(via)，像素电极169设置于保护层168之上，用以透过贯孔由漏极电极165接收电压，进而用以控制设置于其上的液晶分子或其他显示材料(图未示)。光触媒层150设置于像素130的一侧，且在本实施例中，光触媒层150与栅极电极161可以属于同一膜层，换言之，光触媒层150与栅极电极161可以透过同一道光罩来定义，或者说光触媒层150与栅极电极161各层结构透过相对应的光罩来定义。
[0076]其中光触媒层150与栅极电极161可以分别是多层金属及/或者金属氧化物的堆迭。请参考图4B。举例而言，栅极电极161由靠近第一基板110的一侧往远离第一基板110的一侧依序为堆迭的钛(Ti)、铝(Al)及钛(Ti)金属;而光触媒层150由靠近第一基板110的一侧往远离第一基板110的一侧依序为堆迭钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)及二氧化钛(Ti02)。其中栅极电极161及光触媒层150由靠近第一基板110的一侧往远离第一基板110的三层堆迭结构依序为对应的相同膜层，换言之，其可以透过同一道光罩来定义，而且光触媒层150最为远离第一基板110的钛金属层与二氧化钛属于同一个膜层，实际上，所述的二氧化钛层由其下的钛金属层氧化而成。除此之外，光触媒层150的厚度可以小于栅极电极161以利二氧化钛的形成。较佳的，最远离第一基板110的钛金属以及二氧化钛的厚度相加后(即金属层153加上氧化金属层154)，其厚度小于栅极电极最远离第一基板110的钛金属层的厚度。举例而言，最远离第一基板的钛金属以及二氧化钛的厚度相加后(即金属层153加上氧化金属层154)，其厚度小于100纳米(nm)，以使得钛金属层的材料可以被有效的利用。通常而言，因为光触媒层150形成于基板的周边区域，其制程上产生的厚度可以较容易产生较薄的效果，除此之外，也可以透过光罩的设计或者制程上针对区域而有不同的调整来实现。对于钛金属层进行氧化的过程中，可以使得钛金属层表面上形成一厚度约为3纳米到50纳米的二氧化钛。因此，较薄的钛金属层，即可以有效的形成所需求的二氧化钛层。更具体的，如图所示，金属层151、金属层152、金属层153分别为钛(Ti)、铝(Al)及钛(Ti)金属，而栅极金属层171、栅极金属层172、栅极金属层173分别为钛(Ti)、铝(Al)及钛(Ti)金属。而氧化金属层154为二氧化钛(Ti02)。
[0077]具体而言，主动层164的材质例如是或者例如包含金属氧化物半导体、非晶硅、多晶硅、低温多晶硅、磊晶硅、有机半导体、其他合适的半导体材料或者是上述至少二者的堆迭层等。金属氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锗锌氧化物(IGZO)或其他合适的金属氧化物。源极电极166与漏极电极165的材质例如是或者例如包含金属材料、其他导电材料或是金属材料与其他导电材料的堆迭层。金属材料可为铝、铜、钼、钛等，其他导电材料可为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料等。栅极电极161的材质例如是或者例如包含金属材料、其他导电材料或是金属材料与其他导电材料的堆迭层。金属材料可为铝、铜、钼、钛等，其他导电材料可为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料等。保护层168的材质例如为或者例如包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他介电材料。像素电极169的材质例如为或者例如包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide，ΙΖ0)。
[0078]请参考图5A至图5C。图5A至图5C为本发明实施例显示器制造方式的流程示意图。并请一并参照图6A至图6C，图6A至图6C各别对应图5A至图5C中的栅极电极以及光触媒层详细结构示意图。请参考图9，图9为本发明实施例第一种显示器制造方式的流程图。图9公开以下流程:
[0079]SI 1:提供第一基板110;
[0080]S12:在第一基板110上形成栅极电极161，并且同时在第一基板110上形成外部金属层155;
[0081]S13:在栅极电极161上形成绝缘层162以覆盖该栅极电极161;
[0082]S14:对外部金属层155加热，使其形成氧化物金属层154。
[0083]请参考图5A，在第一基板110上形成栅极电极161，并且同时在第一基板110上形成外部金属层155，在此步骤同时形成指以同一光罩定义栅极电极161以及外部金属层155，而非指时间上必须完全的重迭，当然上述的步骤也可以在同一时间完成，例如同时以沉积、溅镀或涂布方式完成。此外，如前所述以及如图6A所示，栅极电极161以及外部金属层155可以具有多层的金属迭合结构，栅极电极161可以透过依序形成钛、铝及钛金属层(栅极金属层171?栅极金属层173)完成，而外部金属层155也可以透过依序形成钛、招及钛金属层(金属层151?金属层153)来形成。
[0084]请参考图5B，图5B对应步骤S13及步骤S14，在第一基板110上形成绝缘层162并且绝缘层162覆盖栅极电极161，进而可以避免在对外部金属层155加热(例如退火，Annealing)时同时对于栅极电极161产生氧化，进而导致栅极电极161电性上产生变异。在形成覆盖于栅极电极161之上的绝缘层162之后，可以接着对于外部金属层155加热，加热的过程可以是对于显示面板整体的加热动作，或者仅仅是局部的加热，加热的温度大致上可以为摄氏20度至摄氏300度，例如摄氏20度、100度、200度及300度。进而，能够使得外部金属层的表面产生一定厚度的氧化物，此氧化物通常是由外部金属层155最为远离第一基板110的金属层153氧化而成的氧化金属层154，例如由钛金属氧化成为二氧化钛。当然外部金属层155最为远离第一基板110的金属层也可以选用其他氧化后具有光触媒特性的材料，例如锌(Zn)或镍(Ni)，而对应的氧化形成氧化锌(ZnO)及镍(MO)。在所述的外部金属层155产生氧化后其形成光触媒层150，此时其结构大致上为相互堆迭的三层金属151、152、153以及氧化物金属层154，例如相互堆迭的钛、铝、钛及二氧化钛。透过上述的光触媒层的形成方式，我们可以无须额外的形成步骤来形成光触媒层，或者可以降低额外形成光触媒层所需的步骤数。
[0085]接着，请参考图5C，图5C中所绘示的步骤，为在绝缘层162之上依序形成主动层164、源极电极166及漏极电极165、保护层168以及像素电极169。在此步骤中，如图6C所示光触媒层150以及栅极电极161本身在此步骤并无实质变化。
[0086]请参考图10，图10为本发明实施例第二种显示器制造方式的流程图。图10公开以下流程:
[0087]S21:提供第一基板110;
[0088]S22:在栅极电极161上形成栅极电极161，并且同时在第一基板110上形成外部金属层155;
[0089]S23:在第一基板110上形成绝缘层162以覆盖该栅极电极161;
[0090]S24:在对外部金属层155加热之前，形成像素电极169;
[0091]S25:对外部金属层155加热，使其形成氧化物金属层154，且同时对于像素电极169进行加热。
[0092]与第一种显示器的制造方法不同的是，本制造方法先形成像素电极169，并且利用对于像素电极169进行退火/加热的制程，一并的对于外部金属层155进行加热。据此，本显示器的制造方式更可以节省额外的加热/退火步骤。
[0093]请参考图7A与图7B，图7A与图7B为本发明实施例另一制造方法示意图。其中如图7A所示，在形成完成像素电极169之后，外部金属层155仍然处于尚未被加热而氧化的状态。而如图7B所示，经过与像素电极169同时进行的退火/加热制程后，如第一种制造方法所述，外部金属层155的表面氧化形成氧化金属层154，进而形成了光触媒层150。图7A与图7B中的栅极电极161以及光触媒层150的详细结构分别被绘示于图8A以及图SB中。图8A至图SB各别对应图7A至图7B中的栅极电极以及光触媒层详细结构示意图。
[0094]请参考图11，图11为本发明实施例第三种显示器制造方式流程图。图11公开以下的步骤:
[0095]S31:提供第一基板110;
[0096]S32:在第一基板110上形成栅极电极161;
[0097]S33:在栅极电极161上形成绝缘层162以覆盖该栅极电极161;
[0098]S34:在绝缘层162上形成源极电极166以及漏极电极165，并且在形成源极电极166及/或漏极电极165的同时，形成外部金属层155;
[0099]S35:在源极电极166以及漏极电极165之上形成保护层168;
[0100]S36:对外部金属层加热155，使其形成光触媒层150。
[0101]图11所公开的步骤中，外部金属层155(亦即氧化物金属层150的前身)可以与源极电极166及/或漏极电极165同属于一膜层，进而也可以节省一到额外的工序，并且对外部金属层加热155，使其形成氧化物金属层150的步骤S25也可以系先行成像素电极169，并且利用对于像素电极169进行退火/加热的制程，一并的对于外部金属层155进行加热。
[0102]本发明实施例公开整合有光触媒层的显示器以及其制造方法，提供一种具有光触媒层及其功效的便捷显示器。
[0103]虽然本发明以前述的实施例公开如上，但其并非用以限定本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，所为的更动与修改，均属本发明的专利保护范围。关于本发明所界定的保护范围请参考所附的权利要求书。
【主权项】
1.一种显示器，其特征在于，包括: 一第一基板； 一第二基板； 多个像素，设置于该第一基板与该第二基板之间；以及 一光触媒层，设置在该第二基板面向该第一基板的表面上或者该第一基板面向该第二基板的表面上。2.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，每一该些像素还包括一晶体管，每一该些晶体管包括一栅极电极、一源极电极及一主动层，该光触媒层与该栅极电极或该源极电极属于同一膜层。3.如权利要求2所述的显示器，其特征在于，光触媒层包括一氧化金属层，该栅极电极包括一第一栅极金属层，该氧化金属层与该第一栅极金属层属于同一膜层。4.如权利要求3所述的显示器，其特征在于，该光触媒层还包括一第一金属层，该氧化物金属层堆迭于该第一金属层之上，该氧化物金属层为该第一金属层的氧化物，该氧化物金属层的厚度加上该第一金属层的厚度小于该第一栅极金属层的厚度。5.如权利要求4所述的显示器，其特征在于，该氧化金属层的厚度加上该第一金属层的厚度大于O纳米且小于100纳米。6.如权利要求4所述的显示器，其特征在于，该栅极电极包括依序堆迭的该第一栅极金属层、一第二栅极金属层及一第三栅极金属层； 该光触媒层包括依序堆迭的该氧化金属层、该第一金属层、一第二金属层及一第三金属层； 其中该第一栅极金属层与该第一金属层属于同一膜层，该第二栅极金属层与该第二金属层属于同一膜层，该第三栅极金属层与该第一金属层属于同一膜层。7.如权利要求1至6任一所述的显示器，其特征在于，该显示器还包括一光源，该光源设置于该第二基板的一侧，该光源用以发出紫外光至该光触媒层。8.一种显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一基板； 在该第一基板上形成一栅极电极，并且同时在该第一基板上形成一外部金属层； 在该栅极电极上形成一绝缘层以覆盖该栅极电极；以及 对该外部金属层加热，使其形成一氧化物金属层。9.一种显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一基板； 在该第一基板上形成一栅极电极； 在该栅极电极上形成一绝缘层以覆盖该栅极电极； 在该绝缘层上形成一源极电极以及一漏极电极，并且在形成该源极电极及/或该漏极电极的同时，形成一外部金属层； 在该源极电极以及该漏极电极之上形成一保护层；以及 对该外部金属层加热，使其形成一氧化物金属层。10.如权利要求8或9所述的显示器的制造方法，其特征在于，还包括在该栅极电极相对于该第一基板的一侧形成一像素电极，其中，对该外部金属层加热的步骤系于对该像素电极退火的过程中同步进行。
【文档编号】G02F1/1362GK105954948SQ201610311484
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月12日
【发明人】洪仕馨
【申请人】友达光电股份有限公司