一种阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法

文档序号:8866186阅读:147来源:国知局
一种阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及平板显示技术,特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002] 在液晶显示领域中,相较于TN(Twisted Nematic,扭转向列)型显示面板中液晶 分子的垂直排列,平面转换式显示面板通过同一平面内像素的电极间产生平面电场,使电 极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平行于基板的平面方向发生旋转转换,从而提 高液晶层的透光效率,同时,当遇到外界压力时,分子结构向下稍微下陷,但是整体分子还 是呈水平状,所以不会产生画面失真和影响画面色彩,可以最大程度的保护画面效果不被 损害。由于平面转换式显示面板具有响应速度快、可视角度大、触摸无水纹、色彩真实等优 点,被广泛应用于各种领域。
[0003] 如图1所示,现有平面转换式显示面板的像素单元中包括依次层叠设置的公共电 极101和像素电极102,以及设置在公共电极101与像素电极102之间的绝缘层(图中未示 出),公共电极101具有多个条状的支电极103和设置在支电极一端的端电极104,在公共 电极101和像素电极102施加电压后,会在两者之间产生平面电场以控制液晶分子旋转。
[0004] 图2为图1实施例中像素单元的液晶分子排布在位置a的局部放大图,结合图2 所示,在公共电极的支电极103与像素电极102之间形成X方向的第一电场E1,液晶分子 IOOa在第一电场El的作用下从初始取向方向(虚线液晶分子长轴方向)旋转至于第一电 场El平行的方向,但是在公共电极的端电极102附近的液晶分子IOOb会受到第二电场E2 的控制,而在端电极104附近的第二电场E2存在多个电场方向,液晶分子IOOb在不同方向 第二电场E2作用下从初始取向方向旋转至平行于第二电场E2时,会出现液晶分子旋转方 向不同,例如图2中,液晶分子IOObl向右旋转,液晶分子100b-2向左旋转。另外,在公共电 极端电极104的位置,液晶分子除了受到第二电场E2的影响,还受到第一电场El的影响, 进一步造成该位置液晶分子的乱排现象,进而在像素单元的边缘位置形成黑色畴线。当在 显示面板表面施加外力且滑动时,液晶分子排列更加紊乱,导致像素单元边缘位置的黑色 畴错区域增加,像素单元的透过率降低,亮度下降,表现为显示面板的滑动拖尾显示不均。

【发明内容】

[0005] 有鉴于此,本实用新型实施例提供一种阵列基板,包括多个像素单元,覆盖所述像 素单元的取向层,所述取向层具有具有平行于所述阵列基板平面的取向方向,设置于所述 像素单元内的第一电极和第二电极,所述第一电极具有至少一个支电极,所述支电极包括 中部电极以及设置在所述中部电极至少一端的端部电极,所述端部电极与取向方向之间形 成的夹角和所述中部电极与取向方向之间形成的夹角不同,其中,所述端部电极与取向方 向之间形成的夹角大于等于30°且小于40°。
[0006] 本实用新型实施例还提供一种显示面板,包括上述阵列基板,与所述阵列基板相 对设置的对向基板,设置在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层。
[0007] 本实用新型实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
[0008] 通过将像素单元内的端部电极与取向方向之间夹角设置为大于等于30°且小于 40°,降低像素单元边缘区域的畴错暗区面积,提高了透过率,同时,降低了像素单元边缘 区域不期望电场强度,有效解决了显示画面的滑动拖尾显示不均问题。
【附图说明】
[0009] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需 要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实 施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图 获得其他的附图。
[0010] 图1是现有技术提供的平面转换式显示面板的像素单元结构示意图;
[0011] 图2是图1实施例中像素单元的液晶分子排布在位置a的局部放大图;
[0012] 图3是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的像素单元结构示意图;
[0013] 图4是图3实施例中的阵列基板沿A-A'截面的剖视图;
[0014] 图5是本实用新型实施例提供的像素电极的电场方向示意图;
[0015] 图6是本实用新型实施例提供的显示面板滑动拖尾回复时间及穿透率随端部电 极角度的变化曲线图;
[0016] 图7是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的像素单元结构示意图;
[0017] 图8是图7实施例中的阵列基板沿B-B'截面的剖视图;
[0018] 图9是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的像素单元结构示意图;
[0019] 图10是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的像素单元结构示意图;
[0020] 图11是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的像素单元结构示意图;
[0021] 图12是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板像素单元结构示意图;
[0022] 图13是本实用新型实施例提供的一种显示面板结构的剖视图;
[0023] 图14是本实用新型实施例提供的一种显示装置结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0024] 下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的 实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0025] 本实用新型实施例提供一种阵列基板,包括多条栅极线和数据线,栅极线与数据 线之间绝缘交叉限定出多个像素单元,薄膜晶体管设置在栅极线与数据线的交叉位置,并 与栅极线和数据线电连接。像素单元可以呈阵列排布或者交错式排布。取向层覆盖在像素 单元上,该取向层具有平行于阵列基板平面的取向方向。设置于像素单元内的第一电极和 第二电极,第一电极与第二电极可以形成平面电场控制液晶分子的扭转,第一电极具有至 少一个支电极,支电极包括中部电极以及设置在中部电极至少一端的端部电极,端部电极 与取向方向之间形成的夹角和中部电极与取向方向之间形成的夹角不同,其中,端部电极 与取向方向之间形成的夹角大于等于30°且小于40°。端部电极与取向方向之间形成的 夹角具体是指,端部电极在平行于阵列基板上的延伸方向与取向层上平行于阵列基板的取 向方向之间的夹角。第一电极可以为像素电极,所述第二电极为公共电极,或者所述第一电 极为公共电极,第二电极为像素电极。
[0026] 在FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关)显示模式下,第一电极与第二电极 可以位于不同层,即第一电极与第二电极依次绝缘层叠设置,通过同一平面内第一电极与 第二电极产生边缘电场,使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在(平行于阵列基 板)平面方向发生旋转转换,从而提高液晶层的透光效率。在IPS (In Plane Switch,平面 转换)显示模式下,第一电极与第二电极可以位于不同层或者第一电极与第二电极位于同 层,第一电极和第二电极分别包括多条支电极,第一电极的支电极与第二电极的支电极交 替间隔排布,通过第一电极与第二电极之间产生平行于阵列基板的电场,控制液晶分子偏 转以显示视角良好的显示画面。
[0027] 为了使本实用新型实施例提供的技术方案更加清楚,下面以FFS显示模式下,第 一电极为像
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