溅射蚀刻工具及衬层的制作方法

溅射蚀刻工具及衬层的制作方法
【专利摘要】本发明提供用于制造等离子蚀刻反应室内的机电系统装置的系统、方法及设备。在一方面中，等离子蚀刻系统包含等离子蚀刻反应室；入口，其与所述反应室流体连通；阴极，其定位于所述反应室内；及非中空阳极，其定位于所述入口与所述阴极之间的反应室内。所述入口经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得所述处理气体的至少一部分撞击所述阳极的上表面且允许其跨所述上表面且在所述阳极的边缘周围流动。所述阳极可为代替喷洒头的衬层板。
【专利说明】溅射蚀刻工具及衬层【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于蚀刻的设备，且更特定来说涉及一种等离子蚀刻反应室。
【背景技术】
[0002]机电系统包含具有电元件及机械元件、激活器、变换器、传感器、光学组件(例如，反射镜)及电子器件的装置。机电系统可以多种尺度制造，包含(但不限于)微尺度及纳米尺度。例如，微机电系统(MEMS)装置可包含具有在约I微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(包含例如小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀除衬底及/或经沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺产生机电元件。
[0003]一种类型的机电系统装置称为干涉式调制器(IMOD)。如本文使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指代使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明及/或具反射性且能够在施加适当电信号之后相对运动。在一实施方案中，一个板可包含沉积于衬底上的静止层，且另一板可包含通过气隙与所述静止层分离的金属膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射在所述干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用，且预期用于改进现有产品及产生新产品，尤其为具有显示能力的产品。
[0004]可使用各种处理工具(例如，也可用以制造集成电路(IC)的一类型的沉积及蚀刻(例如，等离子蚀刻)工具) 来制造上文提及的机电系统装置。

【发明内容】

[0005]本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面，所述若干创新方面的单单一者不单独负责本文揭示的所要属性。
[0006]可在等离子蚀刻系统中实施本发明中描述的标的物的一个创新方面。所述等离子蚀刻系统包含等离子蚀刻反应室、入口、阴极及非中空阳极。所述入口可经配置以与所述反应室流体连通。所述阴极可包含定位于所述反应室内的衬底支撑件。所述非中空阳极可定位于所述入口与所述阴极之间的反应室内。所述入口可经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得允许所述处理气体的至少一部分跨所述阳极的上表面且在所述阳极的边缘周围流动。
[0007]在一些实施方案中，所述等离子蚀刻反应室可包含溅射蚀刻反应室。在一些实施方案中，所述阳极实质上可未穿孔穿过其厚度。
[0008]可在等离子蚀刻系统中实施本发明中描述的标的物的另一创新方面。所述等离子蚀刻系统包含用于等离子蚀刻反应的室、用于传导电荷的阴极装置、用于传导电荷的阳极装置及流体连通装置。所述流体连通装置可用于提供流体到所述室中并跨所述阳极装置的上表面、围绕所述阳极装置的外缘引导所述流体的至少一些，且引导所述流体的至少一些到所述阳极装置与所述阴极装置之间的等离子反应区中。
[0009]在一些实施方案中,所述室可包含派射蚀刻反应室。在一些实施方案中，所述流体连通装置可包含气体入口，且所述阳极装置包含定位于所述气体入口与所述阴极装置之间的非中空板。
[0010]可以等离子蚀刻衬底的方法实施本发明中描述的标的物的另一创新方面。所述对衬底进行等离子蚀刻的方法可包含提供等离子蚀刻反应室、经配置以与所述反应室流体连通的入口、经配置以支撑衬底的阴极以及所述入口与所述阴极之间的反应室内的阳极。所述阴极可经配置以相对于所述阳极负向偏压。所述方法可包含将处理气体引入所述反应室中，使得所述处理气体的至少一部分撞击所述阳极的上表面且跨所述上表面且在所述阳极的边缘周围流动。所述方法可包含在所述阳极与所述阴极之间激发等离子。
[0011]在一些实施方案中，所述对衬底进行等离子蚀刻的方法还可包含从通过所述阴极支撑的衬底的至少一部分蚀刻材料。在一些实施方案中，蚀刻可包含溅射蚀刻。
[0012]附图中及下文描述中陈述本说明书中描述的标的物的一个或一个以上实施方案的细节。从所述描述、所述图式及权利要求书将明白其它特征、方面及优点。注意下列图式的相对尺寸可能不是按比例绘制。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中两个相邻像素的等角视图的实例。
[0014]图2展示说明并入有3x3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。
[0015]图3展示说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对施加电压的图的实例。
[0016]图4展示说明在施加各种共同电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表格的实例。
[0017]图5A展示说明图2的3x3干涉式调制器显示器中的显示数据的帧的图的实例。
[0018]图5B展示可用以写入图5A中说明的显示数据的帧的共同及分段信号的时序图的实例。
[0019]图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例。
[0020]图6B到6E展示干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。
[0021]图7展示说明干涉式调制器的制造工艺的实例的流程图。
[0022]图8A到SE展示制造干涉式调制器的方法中各种阶段的横截面示意说明的实例。
[0023]图9展示制造干涉式调制器装置中的阶段的横截面示意说明的实例。
[0024]图1OA展示等离子蚀刻系统的横截面侧视图的实例。
[0025]图1OB展示沿图1OA的线10B-10B取得的等离子蚀刻系统的横截面俯视图的实例。
[0026]图1OC展示等离子蚀刻系统的横截面侧视图的实例。
[0027]图1OD展示沿图1OC的线10D-10D取得的等离子蚀刻系统的横截面俯视图的实例。
[0028]图1OE展示说明包含等离子蚀刻反应器及控制系统的等离子蚀刻系统的系统框图的实例。[0029]图1OF展示说明对衬底进行等离子蚀刻的方法的流程图的实例。
[0030]图1lA及IlB展示说明包含多个干涉式调制器的显示装置的系统框图的实例。[0031 ] 在各种图式中，相同的参考数字及命名指示相同的元件。
【具体实施方式】
[0032]下列详细描述出于描述创新方面的目的而针对于某些实施方案。然而，本文中的教示可以许多不同方式应用。所描述的实施方案可在经配置以显示无论是动态(例如，视频)还是静态(例如，静止图像)及无论是文字、图形还是图片的图像的任何装置中实施。更特定来说，预期所述实施方案可在多种电子装置中实施或与多种电子装置相关联，所述电子装置例如(但不限于):移动电话、多媒体支持因特网功能的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、蓝牙装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持型或便携式计算机、上网本、笔记本计算机、智能笔记本计算机、打印机、复印机、扫描仪、传真装置、GPS接收器/导航仪、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏主控台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(例如，电子书阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等等)、驾驶舱控制器件及/或显示器、摄影机取景显示器(例如，车辆中的后视相机的显示器)、电子相册、电子广告牌或标牌、投影机、建筑结构、微波炉、冰箱、音响系统、卡带录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音机、便携式存储器芯片、洗衣器、干衣器、洗衣器/干衣器、封装(例如，机电系统(EMS)、MEMS及非MEMS)、美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示)及多种机电系统装置。本文中的教示还可用于非显示器应用中，例如(但不限于)电子切换装置、射频滤波器、传感器、加速度计、陀螺仪、运动感测装置、磁力计、消费型电子器件的惯性组件、消费型电子器件产品的零件、可变电抗器、液晶装置、电泳装置、驱动方案、制造工艺、电子测试设备。因此，所述教示不旨在限于仅在图式中描绘的实施方案而是具有广泛适用性，如所属领域的一般技术人员将容易明白。
[0033]揭示一种可用以制造装置(例如，MEMS装置)的等离子蚀刻系统。所述等离子蚀刻系统可包含反应室、经配置以将处理气体(例如，氩气)引入所述反应室中的入口、阳极及阴极。所述系统可经配置以对通过所述反应室内的阴极支撑的衬底执行等离子蚀刻工艺及尤其溅射蚀刻工艺。所述等离子蚀刻系统可包含非中空阳极来代替喷洒头增压室。所述阳极可包含定位于所述入口与所述阴极之间的衬层板，所述衬层板经配置使得所述处理气体的至少一部分可撞击所述衬层板的上表面且跨所述上表面且在所述板的边缘周围流动。在一些实施方案中，所述处理气体的至少一部分可流过所述衬层板。在一些实施方案中，所述衬层板可包含未经阳极处理的材料。
[0034]本发明中描述的标的物的特定实施方案可经实施以实现下列潜在优势中的一者或一者以上。所述入口下方的大致上实心或非中空阳极可在喷洒头不具备较高表面区域、增压室及孔的情况下辅助分布用于等离子蚀刻的气体。喷洒头增压室产生保持湿气及污染物的设陷空间及高表面区域，从而需要极长的排气循环时间来在一些常规工具的反应室内达到所要的湿气及/或污染物水平。相比之下，针对相同湿气/污染物水平，本文揭示的一些实施方案中的非中空阳极相对于喷洒头可减少排气时间，从而增加工具处理量。在一些实施方案中，所述阳极可包含未经阳极处理的裸金属，例如钥、不锈钢及/或铝，这可进一步减少湿气吸收及排气时间。如本文进一步描述，针对所述非中空阳极选择的材料可经喷珠或喷砂以提供表面粗糙度。所述非中空阳极可包含如本文进一步描述的衬层板。
[0035]可应用所描述的实施方案的合适的MEMS装置的一个实例为反射显示装置。反射显示装置可并入有干涉式调制器(IMOD)，用以使用光学干涉的原理选择性地吸收及/或反射入射在其上的光。IMOD可包含吸收体、可相对于所述吸收体移动的反射体及界定于所述吸收体与所述反射体之间的光学谐振腔。所述反射体可移动到两个或两个以上不同的位置，这可改变光学谐振腔的大小且借此影响所述干涉式调制器的反射比。MOD的反射比光谱可产生相当宽的光谱带，所述光谱带可跨可见波长移位以产生不同颜色。可通过改变所述光学谐振腔的厚度(即，通过改变反射体的位置)来调整所述光谱带的位置。
[0036]图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图的实例。所述IMOD显示装置包含一个或一个以上干涉式MEMS显示元件。在这些装置中，MEMS显示元件的像素可处于亮状态或暗状态中。在亮(“松弛”、“敞开”或“开启”)状态中，显示元件将入射可见光的大部分反射到(例如)用户。相反，在暗(“激活”、“闭合”或“关闭”)状态中，显示元件反射极少入射可见光。在一些实施方案中，可颠倒开启状态及关闭状态的光反射比性质。MEMS像素可经配置以主要在允许除黑色及白色以外的彩色显示的特定波长下反射。
[0037]IMOD显示装置可包含MOD的行/列阵列。每一 IMOD可包含一对反射层(即，可移动反射层及固定部分反射层)，所述对反射层彼此相距一可变且可控制距离而定位以形成气隙(也称为光学间隙或腔)。所述可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)中，所述可移动反射层可定位成与所述固定部分反射层相距一相对较大距离。在第二位置(即，激活位置)中，所述可移动反射层可定位成更接近所述部分反射层。从所述两个层反射的入射光可取决于所述可移动反射层的位置而相长地或相消地干涉，从而针对每一像素产生总体反射或非反射状态。在一些实施方案中，IMOD在未激活时可处于反射状态中，从而反射可见光谱内的光，且在未激活时可处于暗状态中，从而反射可见范围外的光(例如，红外光)。然而，在一些其它实施方案中，IMOD在未激活时可处于暗状态中，且在激活时处于反射状态中。在一些实施方案中，弓I入施加电压可驱动像素改变状态。在一些其它实施方案中，施加电荷可驱动像素改变状态。
[0038]图1中的像素阵列的所描绘部分包含两个相邻干涉式调制器12。在左侧的IM0D12(如说明)中，可移动反射层14说明为处于与包含部分反射层的光学堆叠16相距一预定距离的松弛位置中。跨左侧的IM0D12施加的电压Vtl不足以引起所述可移动反射层14的激活。在右侧的IM0D12中，可移动反射层14说明为处于接近或邻近光学堆叠16的激活位置中。跨右侧的IM0D12施加的电压Vbias足以将可移动反射层14维持在激活位置中。
[0039]在图1中，像素12的反射性质大致上用箭头13说明，箭头13指示入射在像素12上的光及从左侧像素12反射的光15。虽然未详细说明，但是所属领域的一般技术人员应了解，入射在像素12上的光13的大部分将朝向光学堆叠16而透射穿过透明衬底20。入射在光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层且一部分将被反射回来而穿过透明衬底20。透射穿过光学堆叠16的光13的部分将在可移动反射层14处朝向透明衬底20被反射回来(并穿过透明衬底20)。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的(相长或相消)干涉将决定从像素12反射的光15的(若干)波长。[0040]光学堆叠16可包含单一层或若干层。所述层可包含电极层、部分反射及部分透射层及透明电介质层中的一者或一者以上。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电、部分透明及部分反射的，且可(例如)通过将上述层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上而制造。电极层可由多种材料(例如各种金属，例如氧化铟锡(ITO))形成。部分反射层可由具部分反射性的多种材料(例如各种金属，例如铬(Cr)、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包含单一半透明厚度的金属或半导体，其用作光学吸收体及导体两者，而(例如，光学堆叠16或IMOD的其它结构的)不同的、导电性更强的层或部分可用以在MOD像素之间载送信号。光学堆叠16还可包含覆盖一个或一个以上导电层或导电/吸收层的一个或一个以上绝缘或电介质层。
[0041]在一些实施方案中，如下文进一步描述，可将光学堆叠16的(若干)层图案化为平行条状物且可形成显示装置中的行电极。如所属领域的技术人员所了解，本文中使用术语“图案化”来指代掩蔽以及蚀刻工艺。在一些实施方案中，例如铝(Al)的高度导电及反射材料可用于可移动反射层14，且这些条状物可形成显示装置中的列电极。可移动反射层14可形成为沉积金属层的一系列平行条状物(正交于光学堆叠16的行电极)以形成沉积在柱18的顶部上的列及沉积在柱18之间的介入牺牲材料。当蚀除牺牲材料时，可在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成界定的间隙19或光学腔。在一些实施方案中，柱18之间的间隔可为大约I微米到1000微米，而间隙19可小于约10.000埃(人)。
[0042]在一些实施方案中，IMOD的每一像素(无论处于激活状态中还是松弛状态中)本质上为通过固定反射层及移动反射层形成的电容器。如通过图1左侧的像素12说明，当未施加电压时，可移动反射层14a保持在机械松弛状态中，其中间隙19介于可移动反射层14与光学堆叠16之间。然而，当将电势差(例如，电压)施加到选定行及列中的至少一者时，形成于对应像素处的行电极及列电极的交叉处的电容器开始充电，且静电力将电极牵拉在一起。如果所施加电压超过阈值，那么可移动反射层14可变形且接近或背向光学堆叠16而移动。如图1右侧的激活像素12说明，光学堆叠16内的一电介质层(未展示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离。行为是相同的而与所施加的电势差的极性无关。虽然在一些实例中可将一阵列中的一系列像素称为“行”或“列”，但是所属领域的一般技术人员将容易了解，将一个方向称为“行”且将另一方向称为“列”是任意的。重申，在一些定向上，行可视为列，且列可视为行。而且，显示元件可均匀地布置成正交行及列(“阵列”)或布置成(例如)相对于彼此具有特定位置偏移的非线性配置(“马赛克”)。术语“阵列”及“马赛克”可指代任一配置。因此，虽然显示器称为包含“阵列”或“马赛克”，但是在任何例子中，元件本身无需布置成彼此正交或布置成均匀分布，而是可包含具有不对称形状及不均匀分布元件的布置。
[0043]图2到5B说明用于在显示应用中使用干涉式调制器的阵列的过程的一个实例及用于在显示应用中使用干涉式调制器的阵列的系统的一个实例。
[0044]图2展示说明并入有3x3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。所述电子装置包含可经配置以执行一个或一个以上软件模块的处理器21。除执行操作系统夕卜，处理器21还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包含网页浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。[0045]所述处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含提供信号给(例如)显示阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中说明的IMOD显示装置的横截面通过图2中的线1-1加以展示。虽然图2为清楚起见而说明IMOD的3x3阵列，但是显示阵列30可含有极多个M0D，且行中的MOD数目可不同于列中的MOD数目，且反之亦然。
[0046]图3展示说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对施加电压的图的实例。对于MEMS干涉式调制器，行/列(即，共同/分段)写入程序可利用如图3中说明的这些装置的磁滞性质。干涉式调制器可能需要(例如)约10伏特电势差以引起可移动反射层或反射镜从松弛状态改变为激活状态。当电压从所述值减小时，可移动反射层维持其状态，这是因为电压下降回到(例如)10伏特以下，然而，所述可移动反射层直到电压下降到2伏特以下才完全松弛。因此，如图3中所示，存在大约3伏特到7伏特的电压范围，在所述范围中存在施加电压窗，在这个电压窗内装置在松弛状态中或激活状态中均是稳定的。在本文中，将所述窗称为“磁滞窗”或“稳定性窗”。对于具有图3的磁滞特性的显示阵列30，行/列写入程序可经设计以一次寻址一个或一个以上行，使得在寻址给定行期间，所寻址行中待激活的像素暴露于约10伏特的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏特的电压差。在寻址之后，将所述像素暴露于稳定状态或大约5伏特的偏压电压差，使得所述像素保持在先前选通状态中。在此实例中，在经寻址之后，每一像素经历约3伏特到7伏特的“稳定性窗”内的电势差。此磁滞性质特征使像素设计(例如，图1中说明)能够在相同施加电压条件下在激活或松弛的预先存在状态中保持稳定。因为每一 IMOD像素(无论处于激活状态中还是松弛状态中)本质上为通过固定反射层及移动反射层形成的电容器，所以此稳定状态可保持在磁滞窗内的稳定电压下而不实质上消耗或损耗电力。而且，如果施加的电压电势保持实质上固定，那么基本上极少量或无电流流入頂OD像素中。
[0047]在一些实施方案中，可根据给定行中的像素的状态的所要变化(如果存在)，通过沿列电极集合以“分段”电压的形式施加数据信号来产生图像的帧。可轮流寻址阵列的每一行，使得一次一行地写入帧。为将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于所述第一行中的像素的所要状态的分段电压施加在列电极上，且可将呈特定“共同”电压或信号形式的第一行脉冲施加到第一行电极。接着，可改变分段电压集合以对应于第二行中的像素的状态的所要变化(如果存在)，且可将第二共同电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，第一行中的像素未受沿列电极施加的分段电压的变化影响，且保持在其在第一共同电压行脉冲期间所设定的状态。可针对整个系列的行或列以循序方式重复此过程以产生图像帧。可用新图像数据通过以每秒某一所要数目的帧持续重复此过程来刷新及/或更新所述帧。
[0048]跨每一像素施加的分段信号及共同信号的组合(即，跨每一像素的电势差)确定每一像素的所得状态。图4展示说明在施加各种共同电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表格的实例。如所属领域的一般技术人员将容易了解，“分段”电压可施加到列电极或行电极，且“共同”电压可施加到列电极或行电极中的另一者。
[0049]如图4中(以及5B中所示的时序图中)说明，当沿共同线施加释放电压VC.时，沿所述共同线的所有干涉式调制器元件均将被置于松弛状态中，或者称为释放状态或未激活状态，而与沿分段线施加的电压(即，高分段电压VSh及低分段电压VSJ无关。特定来说，当沿共同线施加释放电压VC.时，跨调制器的电势电压(或者称为像素电压)在沿所述像素的对应分段线施加高分段电压VSh及低分段电压V&时均处于松弛窗(参见图3，也称为释放窗)内。
[0050]当在共同线上施加保持电压(例如高保持电压VCmD H或低保持电压VCmD J时，干涉式调制器的状态将保持恒定。例如，松弛IMOD将保持在松弛位置中，且激活IMOD将保持在激活位置中。保持电压可经选择使得在沿对应分段线施加高分段电压VSh及低分段电压￥&时，像素电压均将保持在稳定性窗内。因此，分段电压摆动(即，高分段电压VSh与低分段电压VSlj之间的差)小于正稳定性窗或负稳定性窗的宽度。
[0051 ] 当在共同线上施加寻址或激活电压(例如高寻址电压VCadd H或低寻址电压VCadd D时，可沿所述线通过沿相应分段线施加分段电压而将数据选择性地写入到调制器。分段电压可经选择使得激活取决于所施加的分段电压。当沿共同线施加寻址电压时，施加一个分段电压将导致像素电压在稳定性窗内，从而引起像素保持未激活。相比之下，施加另一分段电压将导致像素电压超出稳定性窗，进而导致像素的激活。引起激活的特定分段电压可取决于所使用的寻址电压而改变。在一些实施方案中，当沿共同线施加高寻址电压VCadd h时，施加高分段电压VSh可引起调制器保持于其当前位置中，而施加低分段电压V&可引起所述调制器的激活。作为推论，当施加低寻址电压VCADDj时，分段电压的影响可为相反的，其中高分段电压VS1^I起所述调制器的激活，且低分段电对所述调制器的状态不具有影响(即，保持稳定)。
[0052]在一些实施方案中，可使用跨调制器产生相同极性电势差的保持电压、寻址电压及分段电压。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电势差的极性交替的信号。跨调制器的极性交替(即，写入程序的极性的交替)可减少或抑制可在重复单一极性的写入操作之后发生的电荷积累。
[0053]图5A展示说明图2的3x3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。图5B展示可用以写入图5A中说明的显示数据的帧的共同信号及分段信号的时序图的实例。可将信号施加到(例如)图2的3x3阵列，这最终将导致图5A中说明的显示布置的线时间60e。图5A中的激活调制器处于暗状态中(即，其中反射光的大部分在可见光谱之外)，以导致对(例如)观看者的暗外观。在写入图5A中说明的帧之前，像素可处于任何状态中，但是图5B的时序图中说明的写入程序`假定每一调制器已在第一线时间60a之前释放且驻留在未激活状态中。
[0054]在第一线时间60a期间:将释放电压70施加在共同线I上；施加在共同线2上的电压开始于高保持电压72且移动到释放电压70 ;及沿共同线3施加低保持电压76。因此，在第一线时间60a的持续时间之内，沿共同线I的调制器(共同1，分段I)、(共同1，分段2)及(共同1，分段3)保持在松弛或未激活状态中，沿共同线2的调制器(共同2，分段I)、(共同2，分段2)及(共同2，分段3)将移动到松弛状态，且沿共同线3的调制器(共同3，分段I)、(共同3，分段2)及(共同3，分段3)将保持在其先前状态中。参考图4，沿分段线
1、2及3施加的分段电压将对干涉式调制器的状态不具有影响，这是因为在线时间60a(即，VC.-松弛且VCmD f稳定)期间，共同线1、2或3中没有一个被暴露于引起激活的电压电平。
[0055]在第二线时间60b期间，共同线I上的电压移动到高保持电压72，且沿共同线I的所有调制器保持在松弛状态中而与所施加的分段电压无关，这是因为在共同线I上未施加寻址或激活电压。归因于释放电压70的施加，沿共同线2的调制器保持在松弛状态中，且沿共同线3的调制器(3，I)、(3,2)及(3，3)将在沿共同线3的电压移动到释放电压70时松弛。
[0056]在第三线时间60c期间，通过在共同线I上施加高寻址电压74而寻址共同线I。因为在施加此寻址电压期间沿分段线I及2施加低分段电压64，所以跨调制器(1，1)及(1，2)的像素电压大于调制器的正稳定性窗的高端(即，电压差超过预定义阈值)，且激活调制器(1，1)及(1，2)。相反，因为沿分段线3施加高分段电压62，所以跨调制器(1，3)的像素电压小于调制器(1，1)及(1，2)的像素电压且保持在调制器的正稳定性窗内；因此，调制器(1,3)保持松弛。同样在线时间60c期间，沿共同线2的电压降低到低保持电压76，且沿共同线3的电压保持在释放电压70处，从而使沿共同线2及3的调制器保持于松弛位置中。
[0057]在第四线时间60d期间，共同线I上的电压返回到高保持电压72，使沿共同线I的调制器保持于其相应寻址状态中。共同线2上的电压降低到低寻址电压78。因为沿分段线2施加高分段电压62，所以跨调制器(2，2)的像素电压低于调制器的负稳定性窗的低端，从而引起调制器(2，2)激活。相反，因为沿分段线I及3施加低分段电压64，所以调制器(2，I)及(2，3)保持在松弛位置中。共同线3上的电压增加到高保持电压72，使沿共同线3的调制器保持于松弛状态中。
[0058]最终，在第五线时间60e期间，共同线I上的电压保持在高保持电压72，且共同线2上的电压保持在低保持电压76，使沿共同线I及2的调制器保持于其相应寻址状态中。共同线3上的电压增加到高寻址电压74以寻址沿共同线3的调制器。由于在分段线2及3上施加低分段电压64，所以调制器(3，2)及(3，3)激活，而沿分段线I施加的高分段电压62引起调制器(3，1)保持在松弛位置中。因此，在第五线时间60e结束时，3x3像素阵列处于图5A中所示的状态中，且只要沿共同线施加保持电压便将保持在所述状态中，而与在寻址沿其它共同线(未展示)的调制器时可发生的分段电压的变动无关。
[0059]在图5B的时序图中，给定写入程序(即，线时间60a到60e)可包含使用高保持电压及高寻址电压或低保持电压及低寻址电压。一旦已针对给定共同线完成写入程序(且将共同电压设定为具有与激活电压相同的极性的保持电压)，像素电压便保持在给定稳定性窗内，且直到在所述共同线上施加释放电压时才通过松弛窗。而且，由于每一调制器在寻址调制器之前作为写入程序的一部分而释放，所以调制器的激活时间(而非释放时间)可确定线时间。具体来说，在其中调制器的释放时间大于激活时间的实施方案中，如图5B中所描绘，可施加释放电压达长于单一线时间。在一些其它实施方案中，可改变沿共同线或分段线施加的电压以考虑到不同调制器(例如不同颜色的调制器)的激活电压及释放电压的变动。
[0060]根据上文陈述的原理进行操作的干涉式调制器的结构的细节可能大不相同。例如，图6A到6E展示干涉式调制器的不同实施方案的实例，其包含可移动反射层14及其支撑结构。图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例，其中金属材料的条状物(即，可移动反射层14)沉积在从衬底20正交地延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14的形状大体上为正方形或矩形，且在隅角处或隅角附近经由系链32附接到支撑件。在图6C中，可移动反射层14的形状大体上为正方形或矩形，且从可包含柔性金属的可变形层34上悬挂下来。可变形层34可围绕可移动反射层14的周边而直接或间接连接到衬底20。这些连接在本文中为称为支撑柱。图6C中所示的实施方案具有得自可移动反射层14的光学功能与其机械功能(其通过可变形层34实施)的去耦合的额外益处。此去耦合允许用于反射层14的结构设计及材料及用于可变形层34的结构设计及材料彼此独立而优化。
[0061]图6D展不IMOD的另一实例,其中可移动反射层14包含反射子层14a。可移动反射层14搁在支撑结构(例如支撑柱18)上。支撑柱18提供可移动反射层14与下固定电极(即，所说明IMOD中的光学堆叠16的一部分)的分离，使得(例如)当可移动反射层14处于松弛位置中时在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包含可经配置以用作电极的导电层14c，以及支撑层14b。在此实例中，导电层14c安置在支撑层14b远离衬底20的一侧上，且反射子层14a安置在支撑层14b靠近衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可导电且可安置在支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包含电介质材料(例如，氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一个或一个以上层。在一些实施方案中，支撑层14b可为层的堆叠，例如，Si02/Si0N/Si02三层堆叠。反射子层14a及导电层14c中的任一者或两者可包含(例如)具有约0.5%的Cu的铝Al合金或另一反射金属材料。在电介质支撑层14b上方及下方采用导电层14a、14c可平衡应力并提供增强的导电性。在一些实施方案中，针对多种设计目的(例如在可移动反射层14内实现特定应力分布)，反射子层14a及导电层14c可由不同材料形成。
[0062]如图6D中说明，一些实施方案还可包含黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非活性区域中(例如，像素之间或柱18下方)以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示器的非活性部分反射或透射穿过显示器的非活性部分而改善显示装置的光学性质，借此提高对比率。此外，黑色掩模结构23可导电且经配置以用作为电汇流层。在一些实施方案中，可将行电极连接到黑色掩模结构23以减小所连接的行电极的电阻。可使用多种方法(包含沉积及图案化技术)形成黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可包含一个或一个以上层。例如，在一些实施方案中，黑色掩模结构23包含用作光学吸收体的钥铬(MoCr)层、SiO2层及用作反射体及汇流层的铝合金，所述层的厚度分别在约30 A到80人、500人到1000 A及500 A到6000 A的范围中。可使用多种技术来图案化一个或一个以上层，所述技术包含光刻及干式蚀刻(包含(例如)用于MoCr及SiO2层的四氟甲烷(CF4)及/或氧气(O2)以及用于铝合金层的氯气(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3))。在一些实施方案中，黑色掩模23可为校准器或干涉式堆叠结构。在此类干涉式堆叠黑色掩模结构23中，可使用导电吸收体在每一行或列的光学堆叠16中的下固定电极之间发射或载送信号。在一些实施方案中，间隔层35可用以使吸收层16a与黑色掩模23中的导电层大体上电隔离。
[0063]图6E展示MOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案并不包含支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置处接触下伏光学堆叠16，且当跨干涉式调制器的电压不足以引起激活时，可移动反射层14的曲率提供足够支撑使得可移动反射层14返回到6E的未激活位置。此处为清楚起见，将可能含有多个若干不同层的光学堆叠16展示为包含光学吸收体16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收体16a可用作固定电极及部分反射层两者。
[0064]在例如图6A到6E中所示的实施方案中，MOD用作为直视装置，其中从透明衬底20的前侧(B卩，与其上布置调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施方案中，装置的背面部分(即，显示装置在可移动反射层14后面的任何部分，包含例如图6C中说明的可变形层34)可经配置及接受操作而不冲击或对显示装置的图像质量产生负面影响，这是因为反射层14光学屏蔽所述装置的所述部分。例如，在一些实施方案中，可移动反射层14后面可包含总线结构(未说明)，所述总线结构提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如电压寻址及由此寻址所引起的移动)分离的能力。此外，图6A到6E的实施方案可简化处理，例如(例如，图案化)。
[0065]图7展示说明干涉式调制器的制造工艺80的流程图的实例，且图8A到SE展示此制造工艺80的对应阶段的横截面示意说明的实例。在一些实施方案中，除图7中未展示的其它框外，制造工艺80还可经实施以制造(例如)图1及6中说明的一般类型的干涉式调制器。参考图1、6及7，工艺80开始于框82，其中在衬底20上方形成光学堆叠16。图8A说明形成于衬底20上方的此光学堆叠16。衬底20可为透明衬底(例如玻璃或塑料)，其可为柔性或相对较硬及不可弯曲，且可能已经受先前制备工艺(例如，清洗)以促进光学堆叠16的有效形成。如上所论述，光学堆叠16可导电、部分透明及具部分反射性，且可通过(例如)将具有所要性质的一个或一个以上层沉积到透明衬底20上而制造。在图8A中，光学堆叠16包含具有子层16a及16b的多层结构，但是在一些其它实施方案中，可包含更多或更少的子层。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可经配置而具有光学吸收及导电性质两者，例如组合导体/吸收体子层16a。此外，可将所述子层16a、16b中的一者或一者以上图案化为平行条状物且可形成显示装置中的行电极。可通过掩蔽及蚀刻工艺或此项技术中已知的另一适当工艺执行此图案化。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可为绝缘层或电介质层，例如沉积在一个或一个以上金属层(例如，一个或一个以上反射层及/或导电层)上方的子层16b。此外，可将光学堆叠16图案化为形成显示器的行的个别及平行条状物。
[0066]工艺80在框84继续,其中在光学堆叠16上方形成牺牲层25。随后移除牺牲层25 (例如，在框90处)以形成腔19且因此在图1中说明的所得干涉式调制器12中未展示牺牲层25。图SB说明包含形成于光学堆叠16上方的牺牲层25的部分制造的装置。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包含依经选择以在后续移除之后提供具有所要设计大小的间隙或腔19 (还参见图1及8E)的厚度沉积二氟化氙(XeF2)可蚀刻材料，例如钥(Mo)或非晶硅(Si)。可使用例如以下的沉积技术来实施所述牺牲材料的沉积:物理气相沉积(PVD，例如溅射)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂。
[0067]工艺80在框86继续，其中形成支撑结构(例如，如图1、6及8C中说明的柱18)。形成柱18可包含图案化牺牲层25以形成支撑结构孔隙，接着使用沉积方法(例如PVD、PECVD、热CVD或旋涂)将材料(例如聚合物或无机材料，例如氧化硅)沉积到所述孔隙中以形成柱18。在一些实施方案中，如图6A中说明，形成于所述牺牲层中的支撑结构孔隙可延伸穿过牺牲层25及光学堆叠16两者而到下伏衬底20，使得柱18的下端接触衬底20。或者，如图SC中描绘，形成于牺牲层25中的孔隙可延伸穿过牺牲层25，但未穿过光学堆叠
16。例如，图SE说明与光学堆叠16的上表面接触的支撑柱18的下端。可通过在牺牲层25上方沉积支撑结构材料层且图案化经定位远离牺牲层25中的孔隙的支撑结构材料的部分来形成柱18或其它支撑结构。如图SC中说明，支撑结构可定位于孔隙内，但也可至少部分延伸在牺牲层25的一部分上方。如上所述，牺牲层25及/或支撑柱18的图案化可通过图案化及蚀刻工艺执行,但也可通过替代性蚀刻方法执行。
[0068]工艺80在框88继续，其中形成可移动反射层或薄膜(例如图1、6及8D中说明的可移动反射层14)。可通过采用例如反射层(例如，铝、铝合金)沉积的一个或一个以上沉积步骤连同一个或一个以上图案化、掩蔽及/或蚀刻步骤一起形成可移动反射层14。可移动反射层14可导电且可称为导电层。在一些实施方案中，如图8D中所示，可移动反射层14可包含多个子层14a、14b、14c。在一些实施方案中，子层(例如子层14a、14c)的一者或一者以上可包含针对其光学性质而选择的高反射子层，且另一子层14b可包含针对其机械性质而选择的机械子层。因为牺牲层25仍存在于框88处所形成的部分制造干涉式调制器中，所以可移动反射层14在此阶段通常不可移动。含有牺牲层25的部分制造的IMOD在本文也可称为“未释放” MOD。如上文结合图1所述，可将可移动反射层14图案化为形成显示器的列的个别及平行条状物。
[0069]工艺80在框90继续，其中形成腔(例如，如图1、6及8E中说明的腔19)。可通过使牺牲材料25 (在框84沉积)暴露于蚀刻剂而形成腔19。例如，可通过干式化学蚀刻，例如通过使牺牲层25暴露于气态或蒸汽蚀刻剂(例如源自固体XeF2的蒸汽)达有效移除(通常相对于包围腔19的结构选择性地移除)所要量的材料的时段来移除例如钥Mo或非晶Si的可蚀刻牺牲材料。也可使用其它蚀刻方法(例如湿式蚀刻及/或等离子蚀刻)。因为牺牲层25在框90期间被移除，所以可移动反射层14在此阶段之后通常为可移动的。在移除牺牲材料25之后，所得完全或部分制造的IMOD在本文可称为“释放” IM0D。
[0070]在一些实施方案中，前文提及的机电系统装置(或IC装置)的制造可采用等离子蚀刻工艺(例如反应离子蚀刻或溅射蚀刻工艺)以从衬底蚀刻材料。例如，等离子蚀刻工艺可用以在沉积上覆导体之前从导电接触表面清洗残留氧化物或其它材料，及/或用以在各个装置制造阶段处使这些装置的表面粗糙化。此蚀刻可用以改善后续材料层的电接触及/或粘着。
[0071]图9展示制造干涉式调制器装置100中的一阶段的横截面示意说明的实例。特定来说，展示所述装置100的周边中的接触区域。在所说明的实施方案中，图案化包含导电材料(例如，例如铝的金属)的布线层以在衬底115上形成互连件110。将绝缘层120(例如，例如SiO2的氧化物层)沉积到互连件110上，且将其图案化以在互连件110上方形成敞开接触区域的通孔130。可在互连件110及绝缘层120上方沉积一个或一个以上导电层140以填充通孔130。在所说明实施方案中，可在层140中的一者上图案化例如SiON的电介质150，且用层140中的第二者覆盖电介质150。在所说明实例中，层140可包含例如AlCu的金属，其夹住电介质150，从而一起在所述装置100的阵列区域(图9中未展示)中界定类似于图6D或6E的可移动反射层14的三层可移动反射层。然而，所属领域的一般技术人员将容易明白，可在集成电路或机电装置的各种区域中形成此类接触开口。
[0072]在一些实施方案中，可在将所说明的导电层140的下部沉积到绝缘层120及互连件Iio上之前采用等离子蚀刻工艺，且还可在沉积导电层140的上部之前采用等离子蚀刻工艺。等离子蚀刻工艺可用以从互连件110的表面清洗可在制造工艺期间形成的残留氧化物(例如，氧化铝)。等离子蚀刻工艺还可用以粗糙化干涉式调制器100的表面。例如，溅射蚀刻工艺可促进一个或一个以上后续层(例如，导电层140)粘着到互连件110及/或绝缘层120上。所属领域的一般技术人员将了解图9中所示的干涉式调制器100的配置仅出于说明性目的，且提供本文进一步描述的等离子蚀刻设备的实施方案的使用背景的实例(例如，图1OA到10B)。所属领域的一般技术人员将了解，可在(例如)所述干涉式调制器100的其它部分或其它机电系统及/或IC装置的部分的制造期间采用本文描述的等离子蚀刻设备。
[0073]等离子蚀刻工具(例如，反应离子蚀刻(“RIE”)工具、溅射蚀刻工具等等)通常包含具有用作阳极的上电极及用作定位于其中的阴极的下电极的蚀刻室。待蚀刻的衬底大体上被放置在所述阴极上且通过所述阴极支撑，所述阴极在操作中相对于所述阳极经负向偏压(通常使用射频(RF)电源)。在RIE工艺中，所述工艺可固有地在所述阴极上提供相对于所述阳极的负向偏压。在溅射蚀刻工艺中，可相对于所述阳极及/或接地直接控制偏压电压或将其施加到阴极，以提供此负向偏压给所述阴极。所施加电压可取决于反应器、阴极及/或阳极的大小及/或工艺条件而改变。所施加电压可在数十伏特到数千伏特的范围内。例如，所述阳极可接地且所述阴极可经供电。任选地，室壁也可通过(例如)将导电侧壁连接到接地而用作所述阳极的部分。将处理气体引入蚀刻室中，同时使所述室保持低压(通常在毫托范围中)。所述阳极与所述阴极之间建立的电场导致由所述处理气体形成等离子，且所述等离子的带正电荷离子(例如，氩离子Ar+)被吸引到所述阴极。离子轰击在物理上溅射或蚀刻通过所述阴极支撑的衬底。
[0074]在一些等离子蚀刻室中，阳极经配置为用于惰性气体的更好气流分布的喷洒头板。所述喷洒头板包含具有通向所述喷洒头板与衬底之间的反应空间的许多小孔的至少一个中空空间或狭窄间隙。内部狭窄间隙与相对较小的孔的组合产生反压且改善惰性气体在所述衬底上的分布以更均匀地跨所述衬底进行蚀刻。
[0075]这些复杂常规喷洒头配置的组件的表面区域可吸收湿气及污染物，特别是在日常维护程序期间及每一衬底转移后的工艺期间，这是因为衬底将湿气及其它污染物带入腔中，所述湿气及污染物可被吸收到腔内侧(例如，喷洒头、腔壁及衬层内侧)的任何表面，使得在工艺之间或在维护之后，极长的排气工艺被用于在处理下一个衬底之前实现经界定的湿气/污染物水平。所述喷洒头板中的孔限制气体从所述喷洒头的内部空间流动到蚀刻室中，这也增加了排气时间。此外，常规喷洒头通常可具有化学惰性阳极处理的铝表面；然而，阳极处理的铝也是多孔的且吸收湿气，因此进一步增加排气循环时间。
[0076]本文揭示的是一种等离子蚀刻系统的实施方案，所述等离子蚀刻系统可包含大致上实心或非中空阳极，例如简单衬层板，所述阳极可用来代替喷洒头。在入口处用非中空阳极取代所述喷洒头可减小阳极的总表面区域，从而减少排气循环时间且增加工具处理量。在一些实施方案中，阳极可包含裸(例如，未经阳极处理)金属(例如，铝、不锈钢或钥)，这可有助于进一步减少湿气吸收及排气时间。所述室经配置以用于等离子蚀刻，且特定来说用于减少惰性溅射蚀刻(例如，氩溅射蚀刻)的排气时间。溅射蚀刻通常对非均匀性不敏感。对于其中气体分布要求较大均匀性的应用，阳极可包含穿孔板以促进气体自由流过所述板的边缘且在所述板的边缘周围自由流动。然而，此穿孔板大体上具有小于许多常规设计中的喷洒头的总表面区域。
[0077]在一些实施方案中，阳极可经配置以改装及/或可容易取代，使得阳极可结合现有等离子蚀刻设备使用，及/或可与喷洒头互换以允许工具用于多种等离子工艺中的任一工艺。
[0078]图1OA展示等离子蚀刻系统200的横截面侧视图的实例。图1OB展示沿图1OA的线10B-10B取得的等离子蚀刻系统的横截面俯视图的实例。参考图1OA到10B，离子蚀刻系统200可包含等离子蚀刻反应器205。离子蚀刻反应器205可包含等离子蚀刻反应室210、处理气体入口或入口结构220及产生等离子的电源。除产生促进在室210内产生等离子(例如，通过施加RF功率到内部或外部电极)的交变场之外，反应器205包含产生偏压的电极。例如，所说明反应器205包含可相对于阳极240经负向偏压的阴极230。
[0079]反应室210可为适合支撑在定位且支撑于反应室210的内部体积内的衬底300上且对衬底300进行等离子蚀刻工艺的任何形状。衬底300可包含用以形成机电系统装置及/或集成电路装置的若干不同衬底中的任一衬底(例如玻璃、硅等等)。在一实施方案中，衬底300可包含在Gl (300毫米X 350毫米)到GlO (2850毫米X 3050毫米)的大小范围内的矩形玻璃衬底。衬底300的长度可在约350毫米到约3050毫米的范围内，或更特定来说，在约470毫米到约1850毫米的范围内、或更特定来说，在约650毫米到约1250毫米的范围内。衬底300的宽度可在约300毫米到约2850毫米的范围内，或更特定来说，在约370毫米到约1500毫米的范围内、或更特定来说，在约550毫米到约1100毫米的范围内。在一个实例中，衬底300可为长度X宽度为约920毫米X 730毫米的矩形玻璃衬底。
[0080]等离子蚀刻反应室210可经配置以在侧壁211、顶部212及基座(例如，阴极230)内形成内部体积。在一个实施方案中,对于G4.5大小的玻璃来说，反应室210的内部体积可在约100公升到300公升的范围内。对于GlO大小，反应室210的内部体积可为1500公升或更多。室210可包含适合用于等离子蚀刻工艺的许多材料中的任一材料，例如金属及/或金属合金(例如，铝、不锈钢等等)。室210可适当地经配置以在所述等离子蚀刻工艺的至少部分期间被密封且保持在特定压力(例如，毫托范围中的低压)。
[0081]处理气体入口结构220可具有任何合适配置以促进入口结构220与反应室210内部之间的流体连通，例如(例如)促进将处理气体引入到反应室210中。在所说明实例中，入口结构220可包含入口主体222，入口主体222具有延伸穿过其的通道221。入口主体222及通道221可经配置以延伸穿过反应室210的一部分(例如，顶部212)。入口主体222可以任何合适方式(例如借助从所述入口主体222延伸的凸缘223)附接到反应室210的一部分。
[0082]阴极230可包含适当经配置以提供支撑给衬底300且将衬底300定位于反应室210内的衬底支撑件(此处说明为基座主体231)。在一些实施方案中，阴极230可经配置以可在装载位置与处理位置之间移动(例如，在由箭头510所示的方向上)，以促进衬底300装载到反应室210和从反应室210卸载。阴极230在图1OA及IOB中被展示处于处理位置中。可使用任何合适的驱动机构233来使阴极230移动。所属领域的一般技术人员将了解，系统200 (例如，反应器205)可以其它方式配置以促进将衬底装载到反应室210中和将所述衬底从反应室210卸载。例如，阴极可为固定的，及/或阳极及/或顶部可经配置以移动，以允许衬底从所述反应室的上部分装载及卸载。在其它实例中，所述室的侧壁中的一者或一者以上可包含开口或闸阀，通过所述开口或闸阀可装载及卸载所述衬底。
[0083]阳极240可定位在入口结构220与阴极230之间的反应室210内。在一些实施方案中，阳极240可通过反应室210的一个或一个以上壁(例如，顶部212)支撑及/或附接到反应室210的一个或一个以上壁(例如，顶部212)。在所说明实施方案中，阳极240附接到延伸到室210的内部体积中的入口结构220的下部分。所属领域的一般技术人员将了解，可采用将阳极240支撑并附接在室210内的若干合适配置中的任一配置。在说明性实施方案中，阳极240附接到从入口结构220的入口主体222向外延伸的凸缘224。
[0084]阳极240可包含定位于入口结构220与阴极230之间的反应室210内的衬层板241。如本文进一步描述，衬层板241可经配置而具有允许在等离子蚀刻工艺期间在阳极240与阴极230之间施加电压差且允许处理气体在板241周围流动的任何合适形状、大小及材料。在一些实施方案中，衬层板241经定大小、塑形且定位于反应室210内使得在衬层板241 (例如，衬层板241的边缘244)与反应室210的壁(例如，侧壁211)之间形成间隙216。
[0085]阳极240、入口结构220及/或反应室210可经配置且相对于彼此定位使得当将处理气体从入口结构220引入反应室中时，允许所述处理气体的至少一部分跨阳极240的上表面(例如，衬层板241的上表面243)流动。在一些实施方案中，允许所述处理气体的至少一部分以撞击或冲击阳极240的上表面(例如,在方向501上通过通道221)的方向从入口结构220流动。在一些实施方案中，阳极240、入口结构220及/或反应室210可经配置且相对于彼此定位使得处理气体可在板241的边缘244周围流动。可以多种方式中的任一方式促进所述处理气体的此流动。
[0086]入口结构220可相对于衬层板241 —体式或分离地形成，且可以若干不同方式(例如，搭扣配合、压入配合、螺纹、紧固件等等)中的任一方式附接到衬层板241。在所说明实施方案中，入口结构220可包含一个或一个以上紧固件(例如，螺丝钉或螺栓)227以将衬层板241附接到入口结构220的一部分(例如，入口主体222)。将了解，图1OB中所示的紧固件227的数目及安装型式是仅仅出于说明性目的，且可实施若干数量及安装型式中的任一者。入口结构220可包含可使衬层板241与入口主体222的下部分(例如，通道221的一个或一个以上下部出口或开口 226)隔开的一个或一个以上间隔件225，从而在入口结构220内在衬层板241与入口主体222之间形成垂直间隙246。如图1OA中说明，衬层板241与入口主体222之间的垂直间隙246允许处理气体的至少一部分从下出口或开口226流动(例如，在由箭头501所示的方向上)，且撞击衬层板241的上表面243，从而重新引导所述处理气体的至少一部分平行于衬层板241的上表面243流动或在表面243上方流动(例如，在由箭头502所示的方向上)。
[0087]参考图10B，间隔件225及/或紧固件227可相对于彼此隔开，以在其之间形成一个或一个以上水平间隙或开口 247。此类水平间隙或开口 247可允许处理气体的至少一部分在由方向箭头502所示的方向上从入口结构220(例如，出口 226)的入口主体222、在间隔件225及/或紧固件227周围或之间、从入口结构220且跨衬层板241的上表面243流动。在一些实施方案中，处理气体的至少一部分可跨衬层板241的上表面243且在板241的边缘244周围流动(例如,通过间隙216,如由箭头方向503所示)。在一些实施方案中，可跨上表面243从出口 226到板241的边缘244且在板241的边缘244周围形成气体的至少一部分的畅通流动路径。接着处理气体的至少一部分可如图1OA中所示从边缘244周围流到大致上定位于阳极240(例如，衬层板241的下表面243)与阴极230之间的等离子反应区260。在一些实施方案中，衬层板241可为实心及/或可实质上未穿孔穿过其厚度，使得处理气体不能流过衬层板241。
[0088]图1OC展示等离子蚀刻系统的横截面侧视图的实例。图1OD展示沿图1OC的线10D-10D取得的等离子蚀刻系统的横截面俯视图的实例。参考图1OC及10D，阳极240、入口结构220及/或反应室210可相对于彼此配置且定位，使得处理气体可流过板241。如所示，衬层板241可包含延伸穿过其厚度的一个或一个以上孔径或孔242，以允许处理气体的至少一部分如由方向箭头504所示通过衬层板241流到等离子反应区260。孔242可为若干数量、大小、形状的任一者及/或在衬层板241上的任何位置，以允许一个或一个以上不同的流动路径通过衬层板241。在一个实施方案中，如关于图1OA及IOB描述，孔242经配置以允许处理气体的至少一部分在由方向箭头502所示的方向上跨衬层241的上表面243流动，使得尽管一些气体穿过孔242，但一些处理气体仍可跨衬层板241的上表面243且在板241的边缘244周围(例如，通过间隙216，如由方向箭头503所示)流到等离子反应区260。
[0089]所属领域的一般技术人员将了解，图1OA到IOD中所示的等离子蚀刻系统200的实施方案仅用于说明性目的。所属领域的一般技术人员将了解，系统200及其组件或子组件(例如衬层241、入口结构220及/或反应室210)可以许多不同方式及组合配置，所述不同方式及组合促进上文提及的处理气体流动路径的各种组合，且同时消除常规等离子蚀刻工具中采用的上文提及的喷洒头及复杂的流动分布结构及流动路径。例如，虽然通道221展不为近似垂直于衬层板241的上表面243定向，但是出口或开口 226可相对于衬层板241的上表面243定位在允许处理气体从下出口 226流动且撞击衬层板241的上表面的其它角度处。在一些实施方案中，入口结构220的主体222可直接安装到衬层板241 (例如，无间隔件225)，且入口结构220可包含上表面243上方经配置以在由箭头502所示的方向上跨衬层板241的上表面243从入口结构220向外(例如，径向向外)引导处理气体的一个或一个以上出口开口。在一些实施方案中，入口结构220可包含延伸穿过主体222的侧壁且经配置以跨阳极240的上表面243引导处理气体的一个或一个以上出口开口。退出此类出口开口的气体在退出此类侧孔之前无需垂直冲击上表面。用衬层板241取代等离子蚀刻工具上的喷洒头可促进上文提及的处理气体流动的各种组合，且可减少溅射蚀刻工艺的排气循环时间并因此增加工具处理量。
[0090]衬层板241可包含若干不同材料中的任一材料。常规喷洒头设计涂覆有(例如，经阳极处理)保护涂层或绝缘体，例如氧化铝。当在反应性离子蚀刻工艺中使用喷洒头时，使用此涂层以保护喷洒头不受腐蚀。然而，在使用例如氩气的惰性气体的溅射蚀刻工艺中，来自反应剂的腐蚀问题不大，且经阳极处理的涂层可吸收水且相对于类似未经阳极处理的组件增加释气。此水吸收及增加的释气在工艺之间或维护之后增加溅射蚀刻反应室的排气时间。在一些实施方案中，衬层板241可包含裸(例如,未经阳极处理或未涂覆)金属或金属合金(例如不锈钢、Mo、铝等等)以减少溅射蚀刻工艺中的湿气吸收及排气时间。
[0091]在一些实施方案中，可通过喷砂、喷珠、弧喷射、等离子喷射或其它粗糙化工艺使衬层板241的一个或一个以上表面(例如,在衬层板241定位于室210内时面对衬底300的下表面245)粗糙化。衬层板241可经配置以足够粗糙以在溅射蚀刻工艺期间允许材料层粘着到衬层板241的表面(例如，以防止剥落)，且同时将衬层板241的表面区域控制在减小释气的水平。在一个实施方案中，将衬层板241的表面区域(例如，面对衬底300的下表面245)配置在约63 μ m rms到250 μ m rms的范围内的平均粗糙度Ra。当膜厚度达到数千埃时在光滑表面上可发生膜剥落。当厚度达到数微米以上时在粗糙表面上通常发生膜剥落，但其取决于膜的材料及应力。粗糙表面可具有优选膜粘附力且有助于减少颗粒。然而，粗糙表面趋向于具有更多的湿气吸收且导致排气速度较慢。湿气吸收及排气速度还取决于粗糙度。本文揭示的一个实施方案中的粗糙度(Ra:63到250)可有效地减少剥落，但是具有此粗糙度的单一板衬层的排气速度远远快于常规喷洒头结构。
[0092]等离子蚀刻系统200 (例如，反应器205)可包含提供额外或替代支撑给衬层板241的一个或一个以上结构。在所说明实施方案中，等离子蚀刻系统200包含在阳极240的一部分(例如，上表面243)与反应室210(例如，顶部212的下表面)之间延伸的一个或一个以上带242。
[0093]顶部212、侧壁213、入口结构220、带242及/或衬层板241可以若干方式中的任一方式相对于彼此电连接或隔离，以促进用于控制溅射蚀刻的方向性的所要电偏压。一部分或所有这些组件中的任一者或全部可包含提供此电连接性或隔离的导电或绝缘材料。在一些实施方案中，绝缘结构可定位在这些组件中的任一者或全部之间以提供此隔离。此隔离可允许在这些组件中的一者或一者以上之间产生电势差(例如，电压)。例如，衬层板241、入口结构220、顶部212及侧壁211可包含导电材料，且可提供如图1OA及IOC中所示的带242以允许这些组件偏压到与阳极240相同的电势(例如，接地)。在其它布置中，衬层板及入口可与顶部及侧壁电隔离。
[0094]使用具有285公升的内部体积且用上文提及的衬层板的实施方案取代常规喷洒头的常规等离子蚀刻室的测试结果，已使得达到等离子蚀刻室内的基本压力1.0OxlO-5Pa所需的排气时间从使用喷洒头的35小时减少到使用图1OA的非中空衬层板241的22小时。使用具有285公升的内部体积且用上文提及的衬层板的一个实施方案取代常规喷洒头的常规等离子蚀刻室的实例测试结果，已使得达到对应于等离子蚀刻室内的水(H2O)的部分压力8e-8托的残留气体分析器(RGA)检测的湿气水平所需的排气时间从使用喷洒头的28小时减少到使用图1OA的非中空衬层板241的20小时。在上文提及的衬层板的实施方案中，先前每周进行的清除等离子蚀刻室的湿气及污染物的维护程序现在可较不频繁地进行，例如(例如)每两周一次或每月一次等等。因此，使用上文提及的衬层板，在一些实施方案中清洗等离子蚀刻室之前在总数为5000个以上的溅射循环内可处理5000个以上的衬底，而使用具有常规喷洒头设计的相同等离子蚀刻室，在总数为1500到2500个溅射循环内仅可处理1500到2500个衬底。
[0095]此外，等离子蚀刻系统可包含覆盖反应室的一个或一个以上内表面的一个或一个以上壁衬层。此类壁衬层可经配置具有特定材料及性质(例如，粗糙度)以促进反应室清洗并控制材料及在等离子蚀刻工艺期间形成的膜粘着到此类壁衬层的水平。继续参考图1OA及10B，等离子蚀刻系统200可包含经配置以覆盖侧壁211的一部分的一个或一个以上壁衬层213。在一些实施方案中，如本文进一步描述，壁衬层213可经配置以减少在溅射蚀刻工艺期间形成的导电膜，其可屏蔽阴极230且降低等离子激发的效率或降低等离子激发的可能性。
[0096]阴极230可包含从主体231向外延伸的凸缘232(例如，环形凸缘)以在衬底300装载到处理位置中时有助于密封反应室210。本文进一步描述，一个或一个以上绝缘部分或层可经配置以覆盖阴极230的一个或一个以上部分，以使阴极230与接地(例如，室210的壁)隔离且促进在阳极240与阴极230之间形成偏压。绝缘部分可包含若干不同合适的绝缘材料的任一材料，例如陶瓷。在所说明的实施方案中，第一绝缘体234可经配置以覆盖上表面和主体231的侧表面的一部分。第二绝缘体235可经配置以覆盖主体231的侧表面的剩余部分及凸缘232的上表面。第二绝缘体235 (在一些实施方案中，结合额外结构及机构)可经配置以在阴极230处于装载位置中时啮合侧壁211的下部分217 (例如，以密封室210)。可彼此成一体的绝缘体234及235可使阴极230与室210的剩余部分(例如，与侧壁211)及/或与衬底300绝缘。
[0097]绝缘体234及235可经配置使得在侧壁211 (具体来说，侧壁211的下部分217)与绝缘体234之间形成水平间隙250。在导电膜(例如Mo)的溅射蚀刻期间，所溅射材料可沉积在室210中的任何暴露表面上。因此，导电膜可在绝缘体234及235上形成侧壁211 (包含下部分217的暴露部分)及定位于侧壁211上的任何衬层。在一些配置中，此导电膜可形成跨衬底300、跨绝缘体234及235的暴露表面延伸到水平间隙250中、跨侧壁211的暴露表面且跨定位于侧壁211上的衬层延伸的层。一旦形成此导电层，立即存在风险:用以形成等离子蚀刻工艺内的等离子的RF功率可沿导电层的表面流动且流到接地(例如，室壁)。此导电膜可导致阴极230产生RF功率损耗，这可降低等离子激发的可能性并降低等离子蚀刻工艺的效率。
[0098]在所说明实施方案中，衬层213包含经配置以安装在室210的壁上的第一部件214。所说明衬层213还包含从第一部件214的下部分(例如，从第一部件214的一端)向外延伸的第二部件215。第二部件215可经配置使得当衬层213定位于侧壁211上时，第二部件215在水平间隙250上方(例如，上面)延伸，使得在第二部件215的下表面与绝缘体234的上表面之间形成垂直间隙251。衬层213的此定位及配置可减少来自蚀刻衬底300的溅射材料沉积在第二部件215下方及在水平间隙250内及绝缘体234、第二绝缘体235及侧壁211 (包含下部分217的暴露表面)的定位于第二部件215下方的部分上形成导电膜。在一些实施方案中，第二部件215可延伸超出水平间隙250的边缘(例如，衬层234的一部分上方)约数毫米到数厘米的范围内的距离。第二部件215可足够长以覆盖间隙250。第二部件215的长度可比间隙250宽数毫米。可基于平衡性能及可用空间确定水平间隙250的覆叠宽度。在一些实施方案中，覆叠宽度可为约5毫米到15毫米。衬层213可经定位且配置使得垂直间隙251足够狭窄以大体上抑制溅射材料在水平间隙250内沉积，同时垂直间隙251足够宽使得来自溅射工艺的导电膜在生产运行进程中并未跨垂直间隙251 (例如，从第二部件215到衬底300及/或第一绝缘体234)延伸。在一些实施方案中，衬层213可经定位且配置使得垂直间隙251的长度在约0.3毫米到I毫米的范围内。
[0099]所属领域的一般技术人员将了解，衬层213并不限于图1OA及IOB中所示的L形状，且可以可用以在间隙250上方延伸且屏蔽间隙250的多种形状的任一形状配置。例如，衬层213可经配置使得第二部件215可沿第一部件214的长度从各种位置延伸及/或在相对于第一部件214的各种角度处延伸。在一些实施方案中，第二部件215可为在室210内向内弯曲的弯曲部件，同时仍在水平间隙250上方延伸且形成垂直间隙251。
[0100]所属领域的一般技术人员还将了解，仅出于说明性目的，本文描述的衬层213及衬层板241的实施方案在图1OA及IOB中展示为彼此结合使用。然而，可以在等离子蚀刻工具中实施衬层213及/或衬层板241中的一者或两者。
[0101]图1OE展示说明等离子蚀刻系统200的系统框图的实例，等离子蚀刻系统200包含控制系统或控制器270以控制等离子蚀刻系统200的一个或一个以上其它组件(例如反应器205)的各种特征或通过等离子蚀刻系统200的一个或一个以上其它组件(例如反应器205)提供的方法。等离子蚀刻系统200可经电子控制，但可包含其它类型的(例如气动或液压的)控制子系统或组件。控制系统270可包含若干配置的任一配置，且可包含多种控制器、用户接口、按钮、开关、电路等等中的任一者。控制系统270可控制反应器205的若干组件的任一组件。例如，控制系统270可控制处理气体流入反应室中；到反应室内的电极的功率；及衬底到反应室及从反应室的移动。在一些实施方案中，控制系统270可与用于制造机电系统装置及/或集成电路装置的设施内的控制系统及/或网络通信及/或可为所述控制系统及/或网络通信的一部分。
[0102]在一些实施方案中，控制系统270可硬接线到等离子蚀刻系统200的组件或子组件，或可经配置以无线地控制所述组件或子组件。控制系统270可任选地与网络280通信。控制系统270可附接到等离子蚀刻系统200的一部分(例如，反应器205)或可与等离子蚀刻系统200的此部分分离。在一些实施方案中，控制系统270可经配置以远程控制等离子蚀刻系统200的各种方面(例如，无线地通过电信系统及/或发送控制信号到控制系统270的额外控制系统等等)，这允许用户与一个或一个以上等离子蚀刻系统200及其组件(例如，来自中央站)远程互动并控制一个或一个以上等离子蚀刻系统200及其等组件。控制系统270可包含处理器272、中央处理单元(CPU)、微控制器或逻辑单元。在一些实施方案中，控制系统270可包含存储器274，存储器274可为控制系统270的剩余部分的本机存储器，或可远离控制系统270的剩余部分而定位(例如，通过云计算方法)。
[0103]图1OF展示说明对衬底进行等离子蚀刻的方法的流程图的实例。如图1OF中说明，方法400可包含在框410处提供等离子蚀刻反应室、经配置以与反应室流体连通的入口、经配置以支撑衬底的阴极及在入口与阴极之间的反应室内的阳极。阴极可经配置以相对于阳极负向偏压。在框420处，所述方法包含将处理气体引入反应室中使得所述处理气体的至少一部分撞击阳极的上表面且跨所述上表面且在阳极的边缘周围流动。在框430处，所述方法包含在阳极与阴极之间激发等离子。在一些实施方案中，所述方法可进一步包含从通过阴极支撑的衬底的至少一部分蚀刻材料。在一些实施方案中，所述蚀刻可包含溅射蚀刻。在一些实施方案中，通过使所述处理气体的一部分流过延伸穿过衬层板的厚度的一个或一个以上孔将所述处理气体引入反应室中。在一些实施方案中，所述处理气体包含氩气。
[0104]图1lA及IlB展示说明包含多个干涉式调制器的显示装置40的系统框图的实例。显示装置40可为(例如)蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其稍微变动还说明各种类型的显示装置，例如电视机、电子书阅读器及便携式媒体播放器。
[0105]显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风
46。外壳41可由多种制造工艺的任一工艺形成,包含注射模制及真空成形。此外,外壳41可由多种材料中的任一材料制造，包含(但不限于):塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合。外壳41可包含可移除部分(未展示)，所述可移除部分可与具有不同颜色或含有不同标志、图片或符号的其它可移除部分互换。
[0106]显示器30可为可使用如本文中描述的蚀刻设备的各种实施方案制造的多种显示器的任一者，包含双稳态或模拟显示器。显示器30还可经配置以包含平板显示器(例如等离子、EL、OLED、STN IXD或TFT IXD)或非平板显示器(例如CRT或其它显像管装置)。此夕卜，如本文所述，显示器30可包含干涉式调制器显示器。
[0107]在图1lB中示意地说明实例显示装置40的组件。显示装置40包含外壳41且可包含至少部分围封在外壳41中的额外组件。例如，显示装置40包含网络接口 27，网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28及阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。电力供应器50可将电力提供到如通过特定显示装置40设计所界定的所有组件。
[0108]网络接口 27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。网络接口 27还可具有一些处理能力以免除(例如)处理器21的数据处理要求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据IEEE16.11标准(包含 IEEE16.ll(a)、(b)或(g))或 IEEE802.11 标准(包含 IEEE802.lla、b、g 或 η)发射及接收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据蓝牙(BLUETOOTH)标准发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况中，天线43经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用包无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、陆地中继无线电(TETRA)、宽带CDMA (W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、IxEV-DO、EV-DO Rev A、EV_D0 Rev B、高速包接入(HSPA)、高速下行链路包接入(HSDPA)、高速上行链路包接入(HSUPA)、演进型高速包接入(HSPA+)、长期演进技术(LTE)、AMPS或用以在无线网络(例如利用3G或4G技术的系统)内通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信号，使得处理器21可接收并进一步操纵所述信号。收发器47还可处理从处理器21接收的信号，使得所述信号可经由天线43从显示装置40发射。
[0109]在一些实施方案中，收发器47可由接收器取代。此外，网络接口 27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源取代。处理器21可控制显示装置40的总体操作。处理器21接收数据(例如来自网络接口 27或图像源的压缩图像数据)并将数据处理成原始图像数据或易于处理成原始图像数据的格式。处理器21可将经处理的数据发送到驱动器控制器29或帧缓冲器28以进行存储。原始数据通常指代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。例如，此类图像特性可包含颜色、饱和度及灰阶度。
[0110]处理器21可包含用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节硬件52可包含用于将信号发射到扬声器45及用于从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件或可并入在处理器21或其它组件内。
[0111]驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据且可适当地重新格式化原始图像数据以使其高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将所述原始图像数据重新格式化为具有类光栅格式的数据流，使得其具有适合跨显示阵列30扫描的时序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。虽然驱动器控制器29 (例如LCD控制器)通常作为独立集成电路(IC)而与系统处理器21相关联，但是可以许多方式实施此类控制器。例如，控制器可作为硬件嵌入于处理器21中、作为软件嵌入于处理器21中或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
[0112]阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化的信息且可将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形每秒多次地施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百及有时数千个(或更多)引线。
[0113]在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适合于本文描述的任何类型的显示器。例如，驱动器控制器29可为常规显示控制器或双稳态显示控制器(例如，IMOD控制器)。此外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示驱动器(例如，IMOD显示驱动器)。而且，显示阵列30可为常规显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包含IMOD阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成。此实施方案在高度集成系统(例如蜂窝式电话、腕表及其它小面积显示器)中是常见的。
[0114]在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(例如)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、游戏杆、触敏屏幕或压敏膜或热敏膜。麦克风46可配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，通过麦克风46的语音命令可用于控制显示装置40的操作。
[0115]电力供应器50可包含多种能量储存装置。例如，电力供应器50可为可再充电电池，例如镍镉电池或锂离子电池。电力供应器50还可为可再生能源、电容器或太阳能电池(包含塑料太阳能电池或太阳能电池漆)。电力供应器50还可经配置以从壁式插座接收电力。
[0116]在一些实施方案中，控制可编程性驻留在可位于电子显示系统中的若干位置中的驱动器控制器29中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻留在阵列驱动器22中。可在任何数目的硬件及/或软件组件及各种配置中实施上述优化。
[0117]结合本文揭示的实施方案描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及算法步骤可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。已在功能性方面大体上描述且在上述各种说明性组件、块、模块、电路及步骤中说明硬件及软件的可互换性。以硬件实施还是以软件实施此功能性取决于特定应用及强加于整个系统的设计限制。
[0118]可使用以下每一者实施或执行用以实施结合本文揭示的方面进行描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块及电路的硬件及数据处理设备:通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文描述的功能的任何组合。通用处理器可为微处理器或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合)、多个微处理器、结合DSP核心的一个或一个以上微处理器或任何其它此配置。在一些实施方案中，可通过专用于给定功能的电路执行特定步骤及方法。
[0119]在一个或一个以上实例方面中，可以用硬件、数字电子电路、计算机软件、固件或其任何组合实施所描述的功能，包含本说明书中揭示的结构及其结构等效物。本说明书中描述的标的物的实施方案还可实施为在计算机存储媒体上编码以通过数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作的一个或一个以上计算机程序(即，计算机程序指令的一个或一个以上模块)。
[0120]所属领域的技术人员可容易明白在本发明中描述的实施方案的各种修改，且在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本文定义的一般原理也可应用于其它实施方案。因此，本发明不旨在限于本文所示的实施方案，而是应被赋予与本文所揭示的权利要求书、原理及新颖特征一致的最广范围。此外，所属领域的一般技术人员将容易明白，术语“上”及“下”有时为了为便于描述图式且指示对应于适当定向页面上的图式定向的相对位置而使用，且可能不反映如所实施的IMOD的适当定向。
[0121]本说明书中的在个别实施方案的背景内容下描述的某些特征也可在单一实施方案中组合实施。相反，在单一实施方案的背景内容下描述的各种特征也可在多个实施方案中分开实施或以任何适当子组合实施。而且，虽然上文可将特征描述为以特定组合起作用且即使最初如此主张，但在一些情况中，来自所主张的组合的一个或一个以上特征可从组合中删除且所主张的组合可针对子组合或子组合的变型。
[0122]类似地，虽然在图式中以特定顺序描绘操作，但是这不应理解为需要以所展示的特定顺序或循序顺序执行此类操作，或执行所有经说明的操作以实现所要结果。在某些境况中，多任务处理及并行处理可为有利。而且，在上述实施方案中的各种系统组件的分离不应理解为在所有实施方案中均需要此分离，且应理解为所描述的程序组件及系统通常可一起集成于单一软件产品中或封装到多个软件产品中。此外，其它实施方案在所附权利要求书的范围内。在一些情况中，权利要求书中叙述的动作可以不同顺序执行且仍实现所要结果O
【权利要求】
1.一种等离子蚀刻系统，其包括: 等离子蚀刻反应室； 入口，其经配置以与所述反应室流体连通； 阴极，其包含定位于所述反应室内的衬底支撑件 '及 非中空阳极，其定位于所述入口与所述阴极之间的所述反应室内，其中所述入口经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得允许所述处理气体的至少一部分跨所述阳极的上表面且在所述阳极的边缘周围流动。
2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其中所述等离子蚀刻反应室包含溅射蚀刻反应室。
3.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极包含衬层板。
4.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极包含不具备经阳极处理的涂层的暴露金属。
5.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极实质上未穿孔穿过其厚度。
6.根据权利要求1 所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极包含延伸穿过其厚度的一个或一个以上孔。
7.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其中所述入口界定定位于所述阳极的所述上表面上方的一个或一个以上开口，且经配置以允许所述处理气体的所述至少一部分从所述入口且跨所述阳极的所述上表面流动。
8.根据权利要求7所述的等离子蚀刻系统，其中所述一个或一个以上开口与所述阳极的所述上表面间隔开以在所述阳极的所述上表面与所述入口之间界定垂直间隙。
9.根据权利要求8所述的等离子蚀刻系统，其中所述一个或一个以上开口相对于所述阳极的所述上表面对准，使得所述处理气体的所述至少一部分撞击所述上表面。
10.根据权利要求8所述的等离子蚀刻系统，其进一步包含在所述入口与所述阳极的所述上表面之间的多个间隔件，其中水平间隙在所述多个间隔件中的每两个相邻间隔件之间延伸，以允许所述处理气体的所述至少一部分从所述入口、穿过所述垂直间隙及水平间隙且跨所述阳极的所述上表面流动。
11.根据权利要求1所述的等离子蚀刻系统，其进一步包含控制系统。
12.根据权利要求11所述的等离子蚀刻系统，其中所述控制系统进一步包含处理器。
13.根据权利要求11所述的等离子蚀刻系统，其中所述控制系统通信地耦合到网络。
14.一种等离子蚀刻系统，其包括: 室，其用于等离子蚀刻反应； 阴极装置，其用于传导电荷； 阳极装置，其用于传导电荷；及 流体连通装置，其用于提供流体到所述室中且跨所述阳极装置的上表面、所述阳极装置的外缘周围引导所述流体的至少一些，且引导到所述阳极装置与所述阴极装置之间的等离子反应区中。
15.根据权利要求14所述的等离子蚀刻系统，其中所述室包含溅射蚀刻反应室。
16.根据权利要求14所述的等离子蚀刻系统，其中所述流体连通装置包含气体入口，且所述阳极装置包含定位于所述气体入口与所述阴极装置之间的非中空板。
17.根据权利要求14所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极装置包含不具备经阳极处理的涂层的暴露金属。
18.根据权利要求14所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极装置包含实质上未穿孔板。
19.根据权利要求14所述的等离子蚀刻系统，其中所述阳极装置包含板，所述板界定延伸穿过所述板的厚度使得气体可流过的多个孔。
20.一种对衬底进行等离子蚀刻的方法，其包括: 提供等离子蚀刻反应室、经配置以与所述反应室流体连通的入口、经配置以支撑衬底的阴极、及所述入口与所述阴极之间的所述反应室内的阳极，其中所述阴极经配置以相对于所述阳极负向偏压； 将处理气体引入所述反应室中，使得所述处理气体的至少一部分撞击所述阳极的上表面且跨所述上表面且在所述阳极的边缘周围流动；及在所述阳极与所述阴极之间激发等离子。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包含从通过所述阴极支撑的衬底的至少一部分蚀刻材料。
22.根据权利要求21所述的方法，其中蚀刻包含溅射蚀刻。
23.根据权利要求20所述的方法，其中引入进一步包含使所述处理气体的一部分流过延伸穿过所述衬层板的厚度的一个或一个以上孔。
24.根据权利要求20所·述的方法，其中引入包含将氩气引入所述反应室中。
【文档编号】H01J37/32GK103718269SQ201280038145
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年7月19日 优先权日:2011年7月29日
【发明者】笹川照夫 申请人:高通Mems科技公司