专利名称：面板的表面处理膜烧成方法
技术领域：
本发明是关于阴极射线管的烧成方法，更具体地说，本发明是关于为了屏蔽电子波向外部辐射或防止产生静电而在阴极射线管的面板(フェィスパネル)表面上涂覆后进行的面板的表面处理膜烧成方法。
经过装配制成的阴极射线管，其面板的表面上通常需要进行二次处理。二次处理的目的是防眩(nonglare)、抗静电(antistatic)和抗反射(antireflection)以及吸收通过面板向四周辐射的电子波。
美国专利US5660876中公开了一种这样的表面处理膜，其目的是防眩。另外，美国专利US5523649和US5652477中公开了用于抗静电(antistatic)、抗反射(antireflection)等的表面处理膜。
用于屏蔽电子波的涂膜，如果是单一的涂层，一般是由二氧化硅薄膜构成，在具有二层结构时，兼有抗静电膜和二氧化硅薄膜。抗静电膜基本上是由ITO、ATO等透明导电性涂膜或Ag、Ag／Pd金属薄膜形成，二氧化硅薄膜是用溶胶-凝胶法制成，其起始涂料中添加了具有低电阻特性的金属前体(precursor)。
溶胶-凝胶法是在起始物质烷氧基硅醇盐(シリコンァルコキシド)中添加用于水解反应的水和对于上述二种成分共同的溶剂——醇类。
在这样的工艺过程中，为了诱发适于形成薄膜的水解和缩聚反应，具有线形溶胶结构，往往使用各种各样的酸作为催化剂。
另外，利用溶胶-凝胶法制造二氧化硅薄膜时，要经历具有适合于形成上述薄膜的溶胶结构的硅溶胶的合成、涂覆、干燥、热处理等工艺过程。硅溶胶是二氧化硅的前体，一般是在原硅酸四乙酯(TEOS)或原硅酸四甲酯(TMOS)中添加一定量的水以引发水解反应而制成的。
此时，由于烷氧基硅醇盐与水没有亲合力，因此需要添加对于它们来说共同的溶剂乙醇、甲醇、丁醇等，促使其水解和缩聚反应，然后添加催化剂，使其具有溶胶粒子结构，这样在旋涂或浸涂时可以容易形成薄膜。
用上述方法制造、涂覆在阴极射线管的面板表面上的二氧化硅薄膜，为了使其组织致密化和粘结固着，还要进行后处理工序，即用热风或陶瓷加热器等加热方法在300℃左右的高温下烧成处理。
为了尽可能地减小物理化学上可能产生的电子波屏蔽膜的表面损伤，上述阴极射线管的高温烧成处理是作为最后一道工序进行的。尽管如此，由于热处理是集中在面板表面上、局部地进行的，与其它部分之间产生热膨胀的差异，时常产生爆缩，在面板内侧涂布的荧光膜受到热损伤，导致图象质量不佳，此外，在阴极射线管的内部由于高温引起热分解而产生气体，致使真空度降低，产生一系列问题。
本发明的目的是，解决在上述阴极射线管的电子波屏蔽膜烧成工序中由于高温处理而产生的问题，提供将烧成温度设定为最低温度、在不发生爆缩的状态下可以容易地使电子波屏蔽膜硬化的阴极射线管的烧成方法。
本发明的烧成方法包括，用通常的烧成用加热器对面板上涂布了电子波屏蔽膜的阴极射线管进行一次加热，使其硬化，然后将其暴露于紫外线中，使上述电子波屏蔽膜中所含的金属前体析出。所述的金属前体使用通过紫外线照射容易析出的银或金。
另外，本发明的烧成方法还可以是，首先使阴极射线管的面板暴露于紫外线中，析出金属前体，然后烧成，涂布电子波屏蔽膜，通过上述工序促进上述紫外线照射引起的金属前体的析出以及金属氧化物的组织致密化和促进结晶化，从而可以形成导电性提高的薄膜。
在本发明中，利用烧成用加热器进行热处理时的温度是160-200℃。另外，紫外线采用1mW／cm2-50mW／cm2的范围。紫外线照射时间越长，金属前体的析出量越多，但超过50分钟后，其析出不再增加，结果，紫外线照射时间越长，电阻值越低，因此将时间限制在50分钟。
下面通过实施例详细地说明本发明。
实施例1制备由20％(重量)甲醇、67．5％(重量)乙醇和10％(重量)正丁醇构成的混合溶剂，向其中添加2．5％(重量)粒径约为80nm的ITO微粒后使之分散，制成第1涂布液。接着，在29％(重量)甲醇、49％(重量)乙醇、12％(重量)正丁醇、3．9％(重量)纯水的混合溶液中混入4．4％(重量)原硅酸四乙酯(TEOS)，再添加0．6％(重量)硝酸和0．3％(重量)硝酸银(AgNO3)，在室温下搅拌24小时，制成第2涂布液。将上述第1涂布液以50cc的量注到以90rpm的转速旋转的阴极射线管面板表面上，将转速提高到150rpm，进行旋涂。接着，用同样方法以60cc的量旋涂第2涂布液。
将上述在面板表面上旋转涂覆了涂布液后的阴极射线管干燥，然后在180℃下烧成30分钟，形成透明导电性薄膜，接着用1mW／cm2的紫外线灯分别照射20分钟、30分钟、50分钟，使之析出金属前体。作为对照组，使用没有照射上述紫外线的阴极射线管，分别测定它们的电阻值，结果示于下面的表1中。
表1
由表1可以看出，薄膜的电阻值随着紫外线照射的时间而改变。这是由于照射紫外线使金属前体析出的缘故。另外，紫外线照射时间与电阻值成反比例，照射时间在50分钟以上时，金属前体的析出不再进行，因此电阻值不再发生变化。
实施例2与上述实施例1同样进行。但是，在旋转涂布第1涂布液和第2涂布液后，立即用紫外线灯照射30分钟，然后在180℃下烧成30分钟，形成透明导电性薄膜。作为对照组，不进行上述紫外线照射，在180℃下烧成30分钟，然后分别测定电阻值，结果示于表2中。
表2
由表2可以看出，经过紫外线照射后电阻值降低。另外，烧成后进行紫外线照射的方法电阻值更低。
发明的效果本发明的烧成方法是，对在阴极射线管的面板上涂布的电子波屏蔽膜照射紫外线，使之析出金属前体，在比以往更低的温度下烧成，从而可以得到优质的透明导电性涂膜。另外，通过降低烧成温度，使热膨胀的差异减小，抑制了爆缩，同时还缩短了烧成后阴极射线管的缓冷处理所需要的时间，提高了生产率，阴极射线管内部的部件也不会受到热损伤，因而对阴极射线管进行烧成处理时不会产生任何问题。
权利要求
1．面板的表面处理膜烧成方法，其特征是，该方法由下列工序构成，即将面板上涂布了电子波屏蔽膜的阴极射线管烧成，使上述电子波屏蔽膜硬化，然后，照射紫外线20-50分钟，使上述电子波屏蔽膜中所含的金属前体析出。
2．面板的表面处理膜烧成方法，其特征是，该方法由下列工序构成，即对面板上涂布了电子波屏蔽膜的阴极射线管照射紫外线20-50分钟，使上述电子波屏蔽膜中所含的金属前体析出，然后进行烧成，使之硬化。
3．权利要求1或2所述的面板的表面处理膜烧成方法，其特征是，所述的金属前体是以经过紫外线照射容易析出的银或金作为主要成分的。
4．权利要求1或2所述的面板的表面处理膜烧成方法，其特征是，所述的烧成是在160-200℃下进行的。
5．权利要求1或2所述的面板的表面处理膜烧成方法，其特征是，所述的紫外线是1mW／cm2-50mW／cm2的范围。
全文摘要
发明的目的是,解决阴极射线管的电子波屏蔽膜烧成工序中由于高温处理而产生的问题,提供将烧成温度设定为最低温度、在不产生爆缩的状态下可以容易地使电子波屏蔽膜硬化的阴极射线管的烧成方法。本发明的烧成方法是用通常的烧成用加热器对面板上涂布了电子波屏蔽膜的阴极射线管进行1次加热,使之硬化,然后将其暴露于紫外线中,使上述电子波屏蔽膜中所含的金属前体析出。另外,也可以先暴露于紫外线中,使上述电子波屏蔽膜所含的金属前体析出,然后烧成,涂布电子波屏蔽膜。
文档编号H01J29/88GK1204851SQ9810256
公开日1999年1月13日 申请日期1998年6月29日 优先权日1998年6月29日
发明者李钟赫, 赵尹衡, 张东植, 田胤浩 申请人:三星电管株式会社