放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法

专利名称：放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法，尤其涉及采 用多个电极同时进行放电加工的放电加工装置。
背景技术：
放电加工可在不影响硬度的情况下将金属加工为自由自在的形状，也用作从半导 体锭块(ingot)切出大口径化的晶片的方法。在该放电加工中，为了防止放电集中于一处 而使加工精度劣化，在移动放电点的同时进行脉冲状放电，因此加工速度慢。因而，如专利 文献1所公开，提出了在使多个电线(wire)并联排列的状态下进行半导体锭块的切片加 工，从而提高加工速度的方法。但是，在该方法中，由一个电源驱动多个电线时，若任一电线产生放电，则在剩余 的电线施加的电压降低，无法在剩余的电线产生放电。因而，必须对每个电线设置电源，导 致放电加工装置的大型化及高价格化。另外，为了实现可获得良质的加工面等的优良加工特性，专利文献2公开了，向电 极施加交流高频，使平均加工电压为零，以防止破碎，并且针对每次半波放电使极性交替， 使每次放电的放电点不同的方法。另外，作为由一个电源在多个电线产生放电的方法，专利文献3公开了对多个放 电间隙分别并联设置电容器，经由二极管对这些电容器充电的方法。专利文献1 日本特开平9-248719号公报专利文献2 日本特开昭61-260917号公报专利文献3 日本特开2003-260617号公报

发明内容
但是，根据上述以往的技术，对多个放电间隙分别并联设置电容器，因此，在电极 和工件之间的放电间隙施加直流电压，无法向电极施加交流高频。因此，在电极和工件之间 的放电间隙中，无法高速产生脉冲状的放电，存在无法进行高速加工且加工面的品质劣化 的问题。本发明鉴于上述问题而提出，目的在于得到可由一个电源向多个电极高速产生脉 冲状的放电的放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法。为了解决上述问题，达成目的，本发明的放电加工装置的特征在于，具备N个电 极，在与工件之间各自地产生放电，其中N是2以上的整数；交流电源或脉冲电源，在所述工 件和所述N个电极之间共同施加交流电压或电压脉冲；以及N个电容器，一端分别各自地与 所述电极连接，并且另一端共同连接到所述交流电源或脉冲电源。根据本发明，具有可由一个电源向多个电极高速产生脉冲状的放电的效果。


图1是表示本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。图2是表示本发明的放电加工装置的实施方式2的概略构成的平面图。图3是表示本发明的放电加工装置的实施方式3的概略构成的平面图。图4是表示本发明的放电加工装置的实施方式4的概略构成的平面图。图5是表示本发明的放电加工装置的实施方式5的概略构成的平面图。图6是表示本发明的放电加工装置的实施方式6的概略构成的平面图。图7是表示本发明的放电加工装置的实施方式7的概略构成的平面图。图8是表示本发明的放电加工装置的实施方式8的概略构成的平面图。图9是表示本发明的放电加工装置的实施方式9的概略构成的平面图。图10是表示本发明的放电加工装置的实施方式10的概略构成的平面图。图11是表示本发明的放电加工装置的实施方式11的概略构成的平面图。图12是表示本发明的放电加工装置的实施方式12的概略构成的平面图。(附图标记说明)W 工件G交流电源PG脉冲电源El En 电极Cl Cn电容器Dl Dn 二极管R0, Rl Rn，Nl Nn，RHl RHn-Ι 电阻器Sff开关元件K电力回收电路P控制电路MO, Ml Mn，MHl MHn-1 电感器Y 电线
具体实施例方式以下，根据附图详细说明本发明的放电加工装置的实施方式。另外，本发明并不限 定于该实施方式。(实施方式1)图1是本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。图1中，在放 电加工装置中设置了 N(N是2以上的整数)个电极El Erul个交流电源G、N个电容器 Cl Cn。这里，电极E1 En可在与工件W之间分别形成放电间隙，经由该放电间隙可在 与工件W之间各自产生放电。另外，作为电极El En例如可采用相互并联配置的线电极。或者，也可以是刻模 加工等中采用的分割电极等。另外，作为工件(也称为工作物)W可以是金属等的导电体， 也可以是半导体锭块或者半导体晶片等的半导体。另外，交流电源G可产生交流电压，向电极El En共同施加。另外，作为交流电源G产生的交流电压波形，可以是电压以正负出现的脉冲性的波形，可以是正弦波状的波 形，可以是三角波状的波形，也可以是高频状的波形。另外，电容器Cl Cn的一端分别各自与电极El En连接，而另一端共同连接到 交流电源G。S卩，电容器Cl Cn针对在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙分 别串联连接。另外，各电容器Cl Cn与放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。在向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时，电容器Cl Cn被充电， 并且降低了在电容器Cl Cn产生的电压的量的电压分别被施加到在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙。这里，例如，在电极El和工件W之间的放电间隙产生放电或 者在电极El和工件W之间的放电间隙短路而导通的情况下，从电极El向工件W流过电流。如果从电极El向工件W流过电流，则从电极El向工件W的方向对电容器Cl充电， 在电容器Cl产生的电压上升。从而，由于电极El和工件W之间的放电间隙与电容器Cl串 联连接，因此，对电极El和工件W之间的放电间隙施加的电压降低了电容器Cl所上升的电 压量，在电极El和工件W之间的放电间隙中流过的电流消失，因此，从电极El朝向工件W 的电流成为脉冲性的。其结果，即使在电极El和工件W之间的放电间隙产生放电，也可以防止在电极El 和工件W之间的放电间隙施加的电压成为直流性的，可高速产生脉冲状的放电。即使在电 极E2 En和工件W之间，也可以同样高速产生脉冲状的放电。接着，向工件W施加正电压，向电极El En施加负电压时，对电容器Cl Cn逆 向充电的同时，在电容器Cl Cn分别产生的电压和交流电源G的电压重叠后的电压施加 到电极El En和工件W之间的放电间隙，分别施加比交流电源G产生的电压高的电压。这里，例如，在电极El和工件W之间的放电间隙产生放电或者在电极El和工件W 之间的放电间隙短路而导通的情况下，从工件W向电极El流过电流。如果从工件W向电极El流过电流，则在从工件W朝向电极El的方向上对电容器Cl 充电，在电容器Cl产生的电压降低。从而，对在电极El和工件W之间的放电间隙施加的电压 降低，在电极El和工件W之间的放电间隙中流过的电流消失，因此，从工件W向电极El的电 流成为脉冲性的。即使在电极E2 En和工件W之间，也可同样高速产生脉冲状的放电。以下，每次交流电源G的极性以正负反转时，以上的动作反复进行，当每次交流电 源G的极性反转时，对电极El En和工件W之间的放电间隙分别施加电压，产生放电。这样，通过设置与电极El En和工件W之间的放电间隙串联的电容器Cl Cn， 可以分别在电容器Cl Cn蓄积电压，可以总是对电极El En和工件W之间的放电间隙 独立施加交流高频，因此，可稳定进行高速的加工。这里，假定没有电容器Cl Cn时，全部的电极El En和工件W之间的放电间隙 的电压为同电位，因此如果在某放电间隙产生放电，则产生放电的放电间隙的电压降低到 接近零。因而，全部的放电间隙的电压降低，无法在最初产生放电的放电间隙以外的放电间 隙产生放电。即，对于一次的电压施加动作，只能在电极El En和工件W之间的放电间隙 中的某一处产生放电。实际上，虽然由于各放电点间的阻抗的影响等而有可能在多个位置 进行放电，但是无法在全部的电极E1 En和工件W之间的放电间隙中持续放电。相对于此，设置了与电极E1 En和工件W之间的放电间隙串联的电容器Cl Cn 时，即使在某放电间隙中产生放电，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器Cl Cn的电压变化，不影响其他电容器Cl Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱动N个电极El En的情况下，也可以在电极El En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。另外，设置了与电极El En和工件W之间的放电间隙串联的电容器Cl Cn时， 向放电间隙施加交流电源G的电压和各电容器Cl Cn的电压重叠后的电压。因而，对放 电间隙施加比交流电源G的电压高的电压，如果开始了一次放电，则随后也容易持续放电。反之，如果在某一处的放电间隙中停止放电，则随后也只有该放电间隙难以产生 放电，而导致只有此处无法进行放电加工的情况。因而，为了容易在停止放电的放电间隙产 生放电，也可以暂时地施加高电压，使放电重新开始。具体地说，在检测出某放电间隙中长 期间停止放电时，也可以施加高电压脉冲。或者，为了使放电停止的放电间隙容易产生放 电，也可以定期地施加高电压脉冲。另外，对电极El En和工件W之间的放电间隙施加的电压成为由电极El En 和工件W之间的浮置电容和电容器Cl Cn的电容进行分压的电压。因而，电容器Cl Cn 的电容若小，则对电极El En和工件W之间的放电间隙施加的电压变小。从而，电容器 Cl Cn的电容优选比电极El En和工件W之间的放电间隙的浮置电容大。但是，放电间隙中的放电次数依赖于交流电源G的频率，为了增加放电次数，必须 提高交流电源G的频率。此时，若增大电容器Cl Cn的电容，则有电容器Cl Cn的阻抗 变小，无法取得与工件W的匹配的情况。因而，优选不仅仅考虑在电极El En和工件W之 间的放电间隙施加的电压，还考虑与工件W之间的匹配性，来设定电容器Cl Cn的电容。(实施方式2)图2是本发明的放电加工装置的实施方式2的概略构成的平面图。图2中，在该放 电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置了 N个二极管Dl Dn及N个电阻 器Rl Rn。这里，二极管Dl Dn的阳极分别各自与电极El En连接，并且二极管Dl Dn的阴极分别经由电阻器Rl Rn与交流电源G的工件W侧的端子共同连接。S卩，电容器Cl Cn分别与在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙串 联连接。另外，各电容器Cl Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。而 且，各电容器Cl Cru二极管Dl Dn和电阻器Rl Rn的串联电路相对于交流电源G并 联连接。这里，设工件W为半导体。该场合，在固定工件W的金属的平台和作为半导体的工 件W之间呈现二极管特性，无法从电极El En向工件W流过电流。S卩，向工件W施加正电压，向电极El En施加负电压时，电流从工件W流向电极 El En，在电极El En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里，即使在某放电间隙 最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器Cl Cn的电压变化，不会影 响其他电容器Cl Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱动N个电极El En的 情况下，也可以在电极El En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。另一方面，向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时，分别经由二极管 Dl Dn及电阻器Rl Rn流过电流。因而，对电极El En仅仅施加了二极管Dl Dn及 电阻器Rl Rn的电压下降量的电压，在电极E1 En和工件W之间的放电间隙中不产生 放电。另外，向工件W施加负电压，向电极E1 En施加正电压时的半周期量的电力被电阻 器Rl Rn消耗。
从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑 制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工，同时 切出多个半导体基板。(实施方式3)图3是本发明的放电加工装置的实施方式3的概略构成的平面图。图3中，在该 放电加工装置中取代图2的电阻器Rl Rn而设置了电阻器R0、开关元件SW及控制电路 P。这里，二极管Dl Dn的阳极分别各自与电极El En连接，并且二极管Dl Dn的阴 极共同连接到交流电源G的工件W侧的端子。另外，电阻器RO与交流电源G串联连接，开 关元件SW与电阻器RO并联连接。S卩，电容器Cl Cn分别与在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙串 联连接。另外，各电容器Cl Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G和电阻器RO的 串联电路并联连接。而且，各电容器Cl Cn和二极管Dl Dn的串联电路相对于交流电 源G和电阻器RO的串联电路并联连接。另外，控制电路P可以在向工件W施加正电压的半周期使开关元件SW导通，向工 件W施加负电压的半周期使开关元件SW截止。在工件W为半导体的场合，在向工件W施加正电压的半周期中使开关元件SW导 通。向工件W施加正电压，向电极El En施加负电压时，电流从工件W流向电极El En， 在电极El En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里，即使在某放电间隙中最初产 生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器Cl Cn的电压变化，不影响其他电 容器Cl Cn的电压。因此，即使由单一的交流电源G驱动N个电极El En的情况下，也 可以在电极El En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。另一方面，向工件W施加负电压的半周期中，使开关元件SW截止。向工件W施加 负电压，向电极El En施加正电压时，分别经由二极管Dl Dn流过电流后，这些电流进 行合流而流过电阻器RO。因而，对电极El En仅仅施加了二极管Dl Dn的电压下降量 的电压，在电极E1 En和工件W之间的放电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电 压，向电极El En施加正电压时的半周期量的电力被电阻器RO消耗。从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑 制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工。另外， 即使电流流过每个二极管Dl Dn的情况下，通过设置1个电阻器R0，可消耗半周期量的 电力，不必对每个二极管Dl Dn设置图2的电阻器Rl Rn，因此可使放电加工装置小型 化。(实施方式4)图4是本发明的放电加工装置的实施方式4的概略构成的平面图。图4中，在该 放电加工装置中取代图3的电阻器R0、开关元件SW及控制电路P而设置了电力回收电路 K。这里，二极管Dl Dn的阳极分别各自与电极El En连接，并且二极管Dl Dn的阴 极共同连接到交流电源G的工件W侧的端子。另外，电力回收电路K与交流电源G串联连接。S卩，电容器Cl Cn分别与在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙串 联连接。另外，各电容器Cl Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G和电力回收电路K的串联电路并联连接。而且，各电容器Cl Cn和二极管Dl Dn的串联电路相对于 交流电源G和电力回收电路K的串联电路并联连接。另外，电力回收电路K可在向工件W施加负电压的半周期中回收电力并再利用。例 如，通过在蓄电池中贮藏向工件W施加负电压的半周期量的电力，并将在该蓄电池中贮藏 的直流变换为交流，可用作交流电源G的辅助电源。工件W为半导体的场合，向工件W施加正电压，向电极El En施加负电压时，电流 从工件W流向电极El En，在电极El En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里， 即使在某放电间隙中最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器Cl Cn的电压变化，不会影响其他电容器Cl Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱 动N个电极El En的情况下，也可以在电极El En和工件W之间的放电间隙中持续地 产生放电。另一方面，向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时，在分别经由二极 管Dl Dn流过电流后，这些电流进行合流并流过电力回收电路K。因而，对电极El En 仅仅施加了二极管Dl Dn的电压下降量的电压，在电极El En和工件W之间的放电间 隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时的半周期量的 电力由电力回收电路K回收，可以在接下来的半周期中用于驱动电极El En。从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑 制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工，并且 可防止半周期量的电力被电阻RO无用地消耗，可提高放电加工用电源的效率。(实施方式5)图5是本发明的放电加工装置的实施方式5的概略构成的平面图。图5中，在该 放电加工装置中取代图2的电阻器Rl Rn而设置电阻器R0。这里，二极管Dl Dn的阳 极分别各自与电极El En连接，并且二极管Dl Dn的阴极经由电阻器RO共同连接到交 流电源G的工件W侧的端子。S卩，电容器Cl Cn分别与在工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙串 联连接。另外，各电容器Cl Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。而 且，对并联连接了各电容器Cl Cn和二极管Dl Dn的串联电路的并联电路串联连接了 电阻器RO而成的串联电路，相对于交流电源G并联连接。工件W为半导体的场合，向工件W施加正电压，向电极El En施加负电压时，电流 从工件W流向电极El En，在电极El En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里， 即使在某放电间隙中最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器Cl Cn的电压变化，不会影响其他电容器Cl Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱 动N个电极El En的情况下，也可以在电极El En和工件W之间的放电间隙中持续地 产生放电。另一方面，向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时，分别经由二极管 Dl Dn流过电流后，这些电流进行合流而流过电阻器R0。因而，对电极El En仅仅施加 了各二极管Dl Dn及电阻器RO的电压下降量的电压，在电极El En和工件W之间的放 电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极El En施加正电压时的半周期 量的电力被电阻器RO消耗。
从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑 制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工。另外， 即使电流流过每个二极管Dl Dn的情况下，通过设置1个电阻器R0，可消耗半周期量的电 力，并且也不需要图3的开关元件SW，因此可实现放电加工装置的小型化及低价格化。(实施方式6)图6是本发明的放电加工装置的实施方式6的概略构成的平面图。图6中，在该 放电加工装置中取代图1的交流电源G而设置脉冲电源PG。这里，交流电源G中产生电压变动为正和负的波形，而脉冲电源PG中，产生电压仅 仅变动为正或者仅仅变动为负的脉冲波形。但是，图6的构成中，电容器Cl Cn分别与在 工件W和电极El En之间分别形成的放电间隙串联连接，因此只能流过交流电流，无法通 过电流的直流分量。因而，脉冲电源P即使进行单极的脉冲驱动，实际上也与进行交流驱动 相同。从而，也可以取代图1的交流电源G而采用脉冲电源PG(单极也可两极也可)。(实施方式7)图7是本发明的放电加工装置的实施方式7的概略构成的平面图。图7中，在该 放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成外，还设置了 N个电阻器m Nn。这里， N个电阻器Nl Nn分别与N个电容器Cl Cn串联连接。此时，在某电极El En之间产生放电的场合，由于电容器Cl Cn，其影响难以传 递到其他电极El En，但是，虽然例如电位变化这样的直流变化被电容器Cl Cn阻碍，但 电位的变化导致的变位电流可通过电容器Cl Cn流过。 因而，通过将电容器Cl Cn分别与电阻器附 Nn串联连接，可以由电阻器附 Nn抑制电位的变化导致的脉冲性的电流，可提高各电极的加工的独立性。另外，作为这样的电阻器m Nn，也可以是浮置的电阻器，例如可以是布线的电 阻、电容器、电极构造引起的电阻。(实施方式8)图8是本发明的放电加工装置的实施方式8的概略构成的平面图。图8中，在该 放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成，还设置N个电感器Ml Mn。这里，N个 电感器Ml Mn分别与N个电容器Cl Cn串联连接。这里，通过将N个电感器Ml Mn分别与N个电容器Cl Cn串联连接，可使脉冲 性的电流难以流过，各放电点变得容易独立放电。另外，通过采用电感器Ml Mn，与图7的 采用电阻器W Nn的场合相比，可以降低损失。另外，作为这样的电感器Ml Mn，也可以是浮置的电感器，例如也可以是由布线 的电感、电极构造引起的电感。(实施方式9)图9是本发明的放电加工装置的实施方式9的概略构成的平面图。图9中，在该 放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成，还设置了 1个电感器Mo。这里，电感器 MO与交流电源G串联连接。该场合，交流电源G最好以电感器MO和N个电容器Cl Cn的 共振频率附近的频率驱动。这里，通过以电感器MO和N个电容器Cl Cn的共振频率附近的频率驱动交流电 源G，可在电感器MO和N个电容器Cl Cn之间产生电压共振，可通过该电压共振进行升压。因而，可容易对电容器Cl Cn的端部施加高电压，使极间的放电变得容易。另外，作为这样的电感器M0，也可以是浮置的电感器，例如也可以是由布线的电 感、电极构造引起的电感。(实施方式10)图10是本发明的放电加工装置的实施方式10的概略构成的平面图。图10中，该 放电加工装置中，电极El En用一根电线Y的一部分构成。这里，由一根电线Y的一部分 构成电极El En的场合，为了能够通过插入N个电容器Cl Cn有效抑制各电极间El En的电压变动的影响，最好尽可能提高电极El En间的阻抗。另外，作为电极El En间 的阻抗也可以是浮置的阻抗。这里，通过由一根电线Y的一部分构成电极El En，为使电极El En移动，只要 对一根电线Y设置卷轴或传送机构即可，不必对N个电极El En分别设置卷轴或传送机 构，从而可简化放电加工装置的构成。(实施方式11)图11是本发明的放电加工装置的实施方式11的概略构成的平面图。图11中，该 放电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置N-I个电阻器RHl RHn-Ι。这 里，N-I个电阻器RHl RHn-I分别在电极El En间连接。这里，电极El En如图10所示，可由一根电线Y的一部分构成。另夕卜，电阻器 RHl RHn-I可由电线Y本身构成。这里，为了增大电阻器RHl RHn-I的电阻值，例如，可 以在电极El En间使电线Y围绕，可将电极El En间的电线Y构成为环状。(实施方式12)图12是本发明的放电加工装置的实施方式12的概略构成的平面图。图12中，该 放电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置N-I个电感器MHl MHn-1。这 里，N-I个电感器MHl MHn-I分别在电极El En间连接。这里，电极El En如图10所示，可由一根电线Y的一部分构成。另外，电感器 MHl MHn-I可由电线Y本身构成。这里，为了增大电感器MHl MHn-I的值，例如，可使电 极El En间的电线Y构成为环状，并且最好在该环的内侧插入导磁率高的磁性材料。作 为该磁性材料，例如可以采用铁氧体等。另外，电极El En由一根电线Y构成的场合，由于电极El En间无法完全绝缘， 因此无法防止电极El En间流过直流性的电流。但是，若在电极El En间存在某程度 的电阻性或者电感性阻抗，则在放电产生的短时间之间不太会受到其他电极El En的电 压变动的影响。该场合，即使电极El En是一根电线Y，也可以以各个电极El En独立 产生放电。(产业上的可利用性)以上的本发明的放电加工装置，适用于由一个电源在多个电极高速产生脉冲状的 放电的方法，例如，适用于在多个电线并联排列的状态下进行半导体锭块的切片加工的方法等。
权利要求
1.一种放电加工装置，其特征在于，具备N个电极，在与工件之间各自地产生放电，其中N是2以上的整数； 交流电源或脉冲电源，在所述工件和所述N个电极之间共同施加交流电压或电压脉 冲；以及N个电容器，一端分别各自地与所述电极连接，并且另一端共同连接到所述交流电源或 脉冲电源。
2.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备N个二极管，阳极分别各自地与所述电极连接，并且阴极共同连接到所述交流电源或脉 冲电源的工件侧的端子。
3.根据权利要求2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备 N个电阻器，分别与所述二极管串联连接。
4.根据权利要求1或2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备 电阻器，与所述交流电源或脉冲电源串联连接；开关元件，与所述电阻器并联连接；以及控制电路，在对所述工件施加正电压的期间使所述开关元件导通，在对所述工件施加 负电压的期间使所述开关元件截止。
5.根据权利要求1或2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备电力回收电路，与所述交流电源或脉冲电源串联连接，在对所述工件施加负电压的期 间回收电力并进行再利用。
6.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备 N个电阻器，分别与所述N个电容器串联连接。
7.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备 N个电感器，分别与所述N个电容器串联连接。
8.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备 电感器，与所述交流电源或者脉冲电源串联连接。
9.根据权利要求1到8中的任一项所述的放电加工装置，其特征在于， 所述电极是相互并联配置的线电极。
10.根据权利要求9所述的放电加工装置，其特征在于， 所述线电极是一根电线的一部分。
11.根据权利要求10所述的放电加工装置，其特征在于， 所述电线是在所述电极间以环状围绕的。
12.根据权利要求11所述的放电加工装置，其特征在于， 在所述环的内侧插入了磁性材料。
13.一种放电加工方法，其特征在于，具备在与并联配置的N个电极相对置的位置设置工作物，在所述电极和所述工作物之间形 成放电电极的工序；和经由分别与所述N个电极串联连接的N个电容器施加交流电压脉冲或电压脉冲，使N 个放电电极产生放电，从而在N点进行放电加工的工序。
14.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，通过所述权利要求13的放电加工方法同时切出多个半导体基板。
全文摘要
本发明的放电加工装置设有N个电极E1～En、交流电源G以及N个电容器C1～Cn，交流电源G向电极E1～En共同施加交流电压，电容器C1～Cn的一端分别与电极E1～En连接，并且另一端共同连接到交流电源G。
文档编号B23H7/02GK102076454SQ20098012500
公开日2011年5月25日 申请日期2009年7月23日 优先权日2008年7月24日
发明者佐藤达志, 岩田明彦, 桥本隆, 民田太一郎 申请人:三菱电机株式会社