并列单基板处理系统的制作方法

并列单基板处理系统的制作方法
【专利摘要】一种用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统。该系统具有：处理部分，其带有框架并且具有在不接触基板表面的情况下处理基板表面的多个处理元件；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且将一个或更多个基板作为单元在处理部分与另一位置之间传送。基板保持件组件和基板保持件可移除地联接至处理部分框架，每个基板保持件构造成保持基板中的至少一个。处理部分框架具有对准特征，对准特征设置成使得对准特征与基板保持件组件的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件和处理部分框架相应地联接时相对于处理部分的预定特征以可重复对准的方式定位每个基板保持件。
【专利说明】并列单基板处理系统【技术领域】
[0001]示例性实施方式总体上涉及一种基板处理系统，并且更具体地,涉及竖直流体并列单晶片处理系统。
【背景技术】
[0002]各种处理中的流体处理用作用于将薄膜和材料施加至诸如半导体晶片和硅工件或基板的各种结构和表面或者从所述各种结构和表面移除的制造工艺。在竖直方向上的流体处理允许正被处理的基板的完全浸溃以及流体在紧邻晶片的表面的操作。出现的问题是在输送和处理期间在竖直方向上对基板的输送和处理需要以对基板构成非常小的风险的方式的精确定位。出现的另一问题是基板从水平方向向竖直方向的输送和处理需要高可靠性和高速输送系统。因此，存在对用于在竖直方向上输送和处理基板的新的和改进的方法和设备的需求。
【专利附图】

【附图说明】
[0003]结合附图，在以下描述中对所公开的实施方式的前述方面和其他特征进行阐述。
[0004]图1示出示例性并列单基板处理系统的等距视图；
[0005]图2示出示例性并列单基板处理系统的俯视图；
[0006]图3示出示例性并列单基板处理系统的俯视图；
[0007]图4示出示例性并列单基板处理系统的侧视图；
[0008]图5示出示例性并列单基板处理系统的局部等距视图；
[0009]图6示出示例性并列单基板处理系统的局部侧视图；
[0010]图7示出示例性并列单基板处理系统的俯视图；
[0011]图8示出示例性并列单基板处理系统的局部等距视图；
[0012]图9示出示例性并列单基板处理系统的局部侧视图；
[0013]图10示出示例性并列单基板处理系统的局部端视图；
[0014]图11示出示例性并列单基板处理系统的局部等距视图；
[0015]图12A示出示例性并列单基板处理系统的局部主视图；
[0016]图12B示出示例性并列单基板处理系统的局部后视图；
[0017]图12C示出示例性并列单基板处理系统的局部侧视图；
[0018]图12D示出示例性并列单基板处理系统的局部侧视图；
[0019]图13示出晶片保持件；
[0020]图14示出晶片保持件指部；
[0021]图15A示出晶片保持件；
[0022]图15B示出晶片保持件；
[0023]图15C示出晶片保持件；
[0024]图15D示出晶片保持件；[0025]图16A示出晶片保持件的一部分；
[0026]图16B示出晶片保持件的一部分；
[0027]图17示出一排晶片保持件；
[0028]图18A示出晶片保持件的一部分；
[0029]图18B示出晶片保持件的一部分；
[0030]图19示出装载器模块的等距视图；
[0031]图20示出装载器模块的端视图；
[0032]图21示出晶片保持件的端视图；
[0033]图22A示出装载器模块和保持件阵列的等距视图；
[0034]图22B示出装载器模块和保持件阵列的等距视图；
[0035]图23A示出位于输送装置上的装载器模块和保持件阵列的主视图；
[0036]图23B示出装载器模块、保持件阵列和输送装置的侧视图；
[0037]图23C示出保持件横梁的截面视图；
[0038]图24A示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0039]图24B示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0040]图24C示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0041]图24D示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0042]图24E示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0043]图24F示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0044]图24G示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0045]图24H示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0046]图241示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0047]图24J示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0048]图24K示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0049]图24L示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0050]图24M示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0051 ]图25A示出装载器运动的表格；
[0052]图25B示出装载器运动的表格；
[0053]图25C示出装载器运动的表格；
[0054]图2?示出装载器运动的表格；
[0055]图25E示出装载器运动的表格；
[0056]图26示出装载器模块的局部等距视图；
[0057]图27示出装载器模块的局部等距视图；
[0058]图28A示出保持件阵列的等距视图；
[0059]图28B示出保持件阵列的侧视图；
[0060]图28C示出保持件阵列的局部等距视图；
[0061]图28D示出保持件阵列的局部侧视图；
[0062]图29A示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0063]图29B示出输送装置和阵列运动和状态表；[0064]图29C示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0065]图29D示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0066]图29E示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0067]图29F示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0068]图29G示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0069]图29H示出输送装置和阵列运动和状态表；
[0070]图30A示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0071]图30B示出装载器模块和保持件阵列的局部主视图；
[0072]图31示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0073]图32A示出剪切板搅拌模块的侧视图；
[0074]图32B示出剪切板搅拌模块的侧视图；
[0075]图32C示出剪切板搅拌模块的侧视图；
[0076]图33A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0077]图33B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0078]图33C示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0079]图34示出剪切板搅拌模块的端视图；
[0080]图35示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0081]图36A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0082]图36B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0083]图37A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0084]图37B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0085]图38A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0086]图38B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0087]图39A示出引导辊的等距视图；
[0088]图39B示出引导辊的截面视图；
[0089]图40A示出剪切板搅拌模块的主视图；
[0090]图40B示出剪切板搅拌模块的主视图；
[0091]图41示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0092]图42A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0093]图42B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0094]图43A示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0095]图43B示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0096]图43C示出剪切板搅拌模块的等距视图；
[0097]图44是马兰戈尼(Marangoni)干燥器模块的示意图；
[0098]图45是处理流程图；
[0099]图46A是溢流坝的一部分的等距视图；
[0100]图46B是溢流坝的一部分的俯视图；
[0101]图47A是并列单晶片处理模块的等距视图；
[0102]图47B是并列单晶片处理模块的侧视图；[0103]图47C是并列单晶片处理模块的侧视图；
[0104]图48A是并列单晶片处理模块的等距视图；
[0105]图48B是并列单晶片处理模块的等距视图；
[0106]图48C是并列单晶片处理模块的俯视图；
[0107]图49A是并列单晶片处理模块的侧视图；
[0108]图49B是并列单晶片处理模块的侧视图；
[0109]图50A是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件的截面图；
[0110]图50B是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件的截面图；
[0111]图50C是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件的截面图；
[0112]图51A是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝歧管组件的等距视图；
[0113]图51B是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝歧管组件的侧视图；
[0114]图51C是溢流坝排出板的俯视图；
[0115]图5ID是溢流坝排出板的截面图；
[0116]图52是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件的截面图；
[0117]图53A是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件中的保持件的等距视图；
[0118]图53B是线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件中的保持件的俯视图；
[0119]图54是马兰戈尼干燥模块的等距视图；
[0120]图55是马兰戈尼干燥模块的截面图；
[0121]图56A是IPA喷射器歧管的等距视图；
[0122]图56B是IPA喷射器歧管的截面图；
[0123]图56C是IPA喷射器歧管的截面图；
[0124]图57A是底板的等距截面图；
[0125]图57B是板的等距视图；
[0126]图58是IPA喷射器喷嘴歧管和N2净化歧管的等距视图；
[0127]图59是气刀的截面图；
[0128]图60A是保持件和马兰戈尼干燥模块的截面图；
[0129]图60B是保持件和马兰戈尼干燥模块的截面图；
[0130]图60C是保持件和马兰戈尼干燥模块的截面图；
[0131]图6IA是线性喷嘴的等距视图；
[0132]图6IB是线性喷嘴的等距视图；
[0133]图6IC是线性喷嘴的等距视图；
[0134]图62A是处于第一位置中的晶片保持件和处理模块的侧视图；
[0135]图62B是处于第二位置中的晶片保持件和处理模块的侧视图；
[0136]图63A是晶片保持件和处理模块的截面图；
[0137]图63B是晶片保持件和处理模块的截面图；
[0138]图63C是晶片保持件和处理模块的截面图；
[0139]图64是一排晶片保持件和处理模块的侧视图；
[0140]图65A是一排晶片保持件和处理模块的截面图；
[0141]图65B是一排晶片保持件和处理模块的截面图；[0142]图65C是一排晶片保持件和处理模块的截面图；
[0143]图6?是喷嘴歧管的截面图；
[0144]图65E是一排晶片保持件和处理模块的截面图；
[0145]图66示出流体射流并列单晶片处理模块的侧视图；
[0146]图67示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0147]图68A示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0148]图68B示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0149]图68C示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0150]图69示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0151]图70示出流体射流并列单晶片处理模块的侧视图；
[0152]图71示出流体射流喷嘴阵列的局部截面等距视图；
[0153]图72示出流体射流喷嘴阵列的等距视图；
[0154]图73A示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；
[0155]图73B示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图；以及
[0156]图73C示出流体射流并列单晶片处理模块的局部截面等距视图。
【具体实施方式】
[0157]图1示出根据所公开的实施方式的一个方面的并列单基板处理系统。尽管将会参照附图描述所公开的实施方式的各方面，但是应当理解的是所公开的实施方式的各方面可以以许多方式实施。此外，可以使用任何适当的尺寸、形状或类型的元件或材料。
[0158]现在参照图1，示出示例性并列单基板处理系统200的等距视图。还参照图2，示出示例性并列单基板处理系统200的俯视图。再参照图3，示出示例性并列单基板处理系统200的俯视图。又参照图4，示出示例性并列单基板处理系统200的侧视图。基板处理机器200可以适用于使用本公开的实施方式的制造处理。所公开的实施方式可以在电镀、清洗或蚀刻系统中实施，并且可以与诸如马萨诸塞州比尔里卡(Billerica MA)的NEXX系统公司(NEXX Systems)的层云(Stratus)的电镀机一起使用。在所公开实施方式的替代方面中，系统200和模块210可以与任何适当的基板处理系统结合使用。系统200和模块210可以结合如在根据
【公开日】期为2005年5月12日的国际申请TO2005/042804A2以及如在2005年8月14日公开的、名称为“用于流体处理工件的方法和装置(method and apparatus for fluid processing a work piece)，，的美国公开N0.2005/0167275中所公开的特征，这两篇文献的全部内容在此通过参引合并到本文中。系统200作为示例性系统示出。在所公开的实施方式的可替代的方面中，可以提供具有不同构型和位置的更多或更少的模块。机器200可以具有如在于2011年6月3日提交的、名称为“基板处理系统(Substrate Processing System)”、美国临时专利申请号61/493，183中所公开的特征，这篇文献的全部内容在此通过参引合并到本文中。机器200可以包括装载端口 206，比如用光刻胶制有图案的在先处理过或以其他处理方式处理过的基板通过装载端口 206插入系统中以及从系统中取出。装载平台204可以具有将基板278间接地或直接地输送至晶片装载器模块274的机械臂276，晶片装载器模块274可以将晶片装载到保持件270、272。装载器模块274可以是具有滑闸的成批的交换装载器，滑闸具有如在下文更详细地描述的输入位置274’、装载/卸载位置247’ ’和输出位置274’，，。在所公开的实施方式的替代方面中，装载器模块274可以具有允许使保持件270转动以及以平行于保持件270或选自保持件270的方式抓握和释放一个或更多个晶片的特征。在所公开的实施方式的替代方面中，机械臂276可以传输单晶片、成批的晶片或其组合。在所公开的实施方式的替代方面中，可以将多于一个的装载器模块274设置成平行地装载保持件270、272或者将晶片装载至不同类型的保持件上，保持件270、272可以具有不同的特征或者可以用于不同类型的处理。在所公开的实施方式的替代方面中，装载平台204可以具有机械臂276，机械臂276将基板278直接传输到基板保持件270、272内，基板保持件270、272然后通过传送装置280传输至模块210并且以平行方式、连续方式或平行和连续的组合方式被处理。在所公开的实施方式的一个方面中，传送装置280或独立的保持件支承件可以具有允许将晶片从机械臂276直接切换至保持件270的特征，其中传送装置280例如可以具有允许使保持件270转动以及以平行方式或选自保持件270的方式抓握和释放一个或更多个晶片。尽管示出了 一个传送装置280，但是可以设置以平行或其他方式操作的更多个传送装置。举例来说，基板保持件270、272可以具有单晶片或成批的晶片弯曲晶片保持机构的特征，如在下面所公开的实施方式中所进一步描述的。在所公开实施方式的替代方面中，保持件270、272可以是进一步描述的弯曲晶片保持机构和关于马萨诸塞州比尔里卡的NEXX系统公司的层云系统的在前公开文献中所公开的晶片保持件的组合。在所公开的实施方式的替代方面中，可以在系统200内利用保持件的任何适当的组合。处理模块210可以具有如在下面公开的实施方式中所进一步描述的特征，例如，模块210可以适用于电镀晶片、阳极化晶片、清洗晶片，比如光刻胶的液体剥离、晶种层蚀刻、常规晶片清洗或其他功能。在所公开的实施方式中，晶片保持件和相关联的处理装置利用弯曲晶片保持机构来在竖直方向上处理晶片，并且由此利用用于流体处理的竖直方向的各方面以允许将晶片完全地浸入流体浴内以及便于搅动晶片的表面附近的流体，例如通过靠近晶片表面的单独的或与靠近晶片表面的各种喷嘴射流组合的方式的剪切板搅动，用于在晶片表面处喷射流体或气体或者用于当晶片从浸溃状态竖直地退出进入周围大气的非浸溃状态时经由马兰戈尼(Marangoni)效应干燥，或者用于经由通过线性喷嘴或多个喷嘴朝向晶片表面吹送诸如清洁的干燥氮气的气体进行干燥。所公开的实施方式包括单晶片竖直处理和批量晶片竖直处理或单晶片和批量晶片竖直处理的组合。例如，单晶片保持件可以在单晶片处理中处理，然后联合在一起用于一个或更多个批量处理。可替代地，系统200可以具有全部单晶片处理或全部批量晶片处理。在所公开的实施方式的可替代方面中，弯曲晶片保持件可以用于在任何适当方向上——竖直、水平或其他方向一处理。在将更详细地描述的单个或批量湿处理工具中，进一步公开了用于相对于流体处理元件对晶片表面进行精确定位的规定，其中流体处理元件可以是一个或更多个搅拌桨或构件(例如，剪切板搅拌构件)、线性流体排出道、线性喷嘴空气或氮气刀、马兰戈尼干燥线性喷嘴和用于晶片保持件阵列的喷嘴阵列、扫描喷嘴阵列或其他。控制器220可以设置在每个平台或模块内以使在平台或模块内的处理和/或传输连续。可以在系统200内设置系统控制器222，以使平台或处理模块之间的基板连续以及协调系统的动作，比如，主机通信、批量装载和卸载或者需要控制系统200的其他动作。在所公开的实施方式的可替代方面中，处理模块210可以包括清洁和电镀沉淀模块的组合。在所公开实施方式的可替代方面中，可以以任何合适的组合设置更多或更少的适当的组合中的更多或更少的模块。同样地，包括系统200的构型的所有这些变型、替代方案和改进。
[0159]现在参照图8，示出批量晶片处理系统或并列单基板处理系统240。也参照图9，示出批量晶片处理系统或并列单基板处理系统240的侧视图。还参照图10，示出批量晶片处理系统或并列单基板处理系统240的端视图。在所公开的实施方式中，可以在工具中存在三个水平:(I)传送装置256，( 2 )处理装置258，和(3 )马兰戈尼干燥器260。在示出的实施方式中，传送装置(未示出)可以管理处理模块262、264、266、268、270之间的晶片保持件244、246例如沿着轴线272、274的重复。在示出的实施方式中，在每个阵列244、246中示出六个晶片保持件。在所公开的实施方式的可替代方面中，可以在每个阵列中使用任何合适数量——例如1、13或任何适当数量——的晶片保持件。晶片保持件的实际阵列244可以由传送装置从一个处理到一个处理地运动通过工具。如在下面关于图7中示出的实施方式所更加详细地描述的，可以设置具有装载/卸载位置250、输入位置和/或阵列248以及输出位置和/或阵列252的滑闸。举例来说，待处理晶片可以例如从晶片承载体或FUOP装载至阵列248中，滑至装载位置250并且传送至待处理的保持件246。进一步举例来说，已经被处理的晶片可以在卸载位置250处从保持件246传送至输出阵列252，并且滑至输出位置252以被卸载用于后续处理或者传送至晶片承载体或FOUP或其他部件。在所公开的实施方式的可替代方面中，单滑闸阵列可以用于从保持件246接收处理过的晶片以及将未处理的晶片供给至保持件246，如下将会描述的。尽管在示出的实施方式中保持件阵列246以水平方式示出，但是在所公开的实施方式的可替代方面中，阵列246可以处于竖直方向。在所公开的实施方式的可替代方面中，阵列246可以从位置250滑至位置252或者从位置248滑至位置250，以便在不使用中间阵列的情况下将晶片直接传送至机械手或从机械手传送晶片。此外，在所公开的实施方式的可替代方面中，可以设置单独的装载和卸载平台，例如与输入和输出平台248、252 —致或与处理模块一致。此外，在所公开的实施方式的可替代方面中，为了装载和卸载晶片，保持件可以插入到使整个阵列旋转90度以允许水平晶片传送的装载平台中。在此，可以将装载平台250设置成使晶片保持件246的刃片掉落到可以旋转90度的托架中以水平地呈现晶片以及提供简单的凸轮驱动致动作用以撬动打开弯曲部以允许晶片传送。在所公开的实施方式中，传送装置可以在不将阵列构建成任何种类的“盒”的情况下承载晶片保持件的阵列，并且替代地，将晶片保持件作为刀片简单处理，每当传送装置重复拾取晶片保持件时，晶片保持件都形成阵列。关于处理模块262-268，在例如溶剂冲洗和DIW冲洗的随后的步骤中的流体线的高度可以高于在最终冲洗和干燥步骤期间的晶片保持件的顶部。如将在下面更加详细地描述和示出的，晶片保持件上的倾斜表面可以设置成使否则将出现在水平表面上的流体捕获最小化，以及允许晶片保持件的完全冲洗。在所公开的实施方式中，系统240可以具有传送装置，传送装置带有可以有时拾取和释放6个晶片保持件的阵列的晶片保持件抓握件。在所公开的实施方式的可替代方面中，系统可以构造成处理具有更多或更少的基板或具有不同数量的处于不同处理模块中的保持件的阵列。此外以及如将会更加详细地描述的，马兰戈尼干燥器模块290和剪切板搅拌流体模块626-268可以设置成接收多个晶片保持件。在所公开的实施方式中，六个单个侧晶片保持件可以以大约I"至1.5"节距或其他方式间隔开以组成阵列244。单独的晶片保持件允许进入晶片的后表面，例如，用于马兰戈尼干燥处理以及确信避免DFR颗粒重新沉淀在晶片背面上。系统240的潜在应用可以实施为在水平或竖直平面中的批量装载或者在水平或竖直平面中的单个晶片装载或者具有处理和/或保持件类型的任何适当组合的单个和/或批量装载的组合。在所公开的实施方式中，示出的示例性系统布局用于批量或平行的单个基板处理过程中，例如，用于光刻胶带。在此，用于竖直晶片流体处理工具的实施方式的示例用于批量去除干燥膜抗蚀剂。举例来说，模块262-268、290可以是批量剪切板搅拌的预浸泡槽中的一个或多个、批量剪切板搅拌抗溶解槽、批量剪切板IPA清洁槽和/或批量马兰戈尼IPA干燥器槽290或一个或更多个处理模块的任何其他适当的组合。如图所示，存在4或5个处理平台，其中最终DI水冲洗可以组合到马兰戈尼干燥器290的处理平台中。在所公开的实施方式的可替代方面中，可以在处理过程中增加更多或更少的模块以消除任何瓶颈，在此不同的步骤也可以具有单独使用或与其他批量尺寸组合使用的相同或不同的批量尺寸。因此，所公开的实施方式旨在包括所有这些组合。
[0160]现在参照图7，示出示例性并列单晶片处理系统300的俯视图。也参照图5，示出批量并列单晶片处理系统300的局部等距视图。再参照图6，示出并列单晶片处理系统300的局部侧视图。在该实施方式中，系统300具有晶片传送部分304、批量装载和卸载部分306、处理部分308和存储或动力分配部分302。在此，基板传送系统在处理模块340、342、346、344和承载体312之间传送基板。在此，如将更详细地描述的，系统300具有一排晶片保持件，这一排晶片保持件具有单独的保持件，单独的保持件是可移动的并且能够相对于这一排保持件中的其他保持件独立地定位。传送装置326适于将这一排保持件作为单元从处理模块340、342输送至装载器模块324，其中装载器模块324适于从这一排保持件卸载基板以及将新的晶片在快速交换操作中装载到这一排保持件。基板传送机械手314在装载器324和承载体312之间传送基板。晶片310可被机械手314从晶片盒门开启机构312输送到输入滑闸阵列322或输出滑闸阵列320，或者从输入滑闸阵列322或输出滑闸阵列320输送到晶片盒门开启机构312。机械手314可以具有单个臂和端部执行器或两个臂和/或两个端部执行器，例如，以便同时装载输入晶片以及移除输出晶片。装载器和卸载器306具有可以从输入位置332到装载位置330选择性地定位输入滑闸阵列322的滑闸。装载器和卸载器306具有可以从输出位置334到卸载位置330选择性地定位输出滑闸阵列320的滑闸。如下面将更详细地描述的，在装载和/或卸载位置330处，传送装置326可以将晶片保持件阵列324传送至装载和/或卸载位置330，以将一批待处理的晶片从输入滑闸阵列322装载至晶片保持件阵列324，或者将已处理的一批晶片从晶片保持件阵列324卸载至输出滑闸阵列320。可以设置一个或更多个滑闸阵列320、322，滑闸阵列320、322可以具有与晶片保持件阵列324相同数量的保持件位置，或者可替代地具有更多位置，如将在下面更详细地描述的，例如，滑闸阵列320能够同时保持用于与晶片保持件阵列324快速交换的输入和输出批次的晶片。在所公开的实施方式的替代方面中，滑闸306可以不设置滑闸阵列，例如，晶片保持件阵列324通过滑闸306传送至位置330、332、334，或者滑闸可以具有重新定向和/或致动保持件324的构件以及便于在机械手314和晶片保持件阵列324之间直接传送晶片的能力。在所公开的实施方式的替代方面中，可以设置附加的和/或单独的装载和卸载位置，以及可以设置更多或更少的输入和/或输出位置。例如，单个位置或滑闸阵列可被用于输入和输出或者可以设置单独的装载和卸载位置。例如，滑闸可以具有单个滑闸轴线或多个轴线以独立地定位一个或更多个滑闸阵列。在所公开的实施方式中，批量阵列可被用于能够更快地传递，例如，每小时250晶片的机械产出量，例如，可用于前端的清洁、带清洁或其他作用，以及提供改进的工具布局和存取。在所示的实施方式中，示出侧安装的传送装置机械手326，例如具有安装在工具300的下侧上的主轴承和自动装置。系统300利用使用滑闸320、322的垂直晶片传送装置，允许通过晶片机械手314对滑闸320、322进行预装载或后卸载，其中机械手314可以具有旋后机械腕，使得可以在垂直定向上完成向滑闸阵列320,322的传送。在此，13晶片批次的晶片保持件324可以例如在30秒内在传送装置326与滑闸320，322之间互换，分离前端晶片机械手314与传送装置326的致动。进一步地以及如将更详细地描述的，用于装罐自动化的悬臂结构示出用于剪切板模块340、342和344以及马兰戈尼模块346。系统300示出为具有宽的工具结构，包括4个FOUP前端304并且允许用于竖直-传送-装载器330和侧机械手326。晶片平面示出为平行于通过工具运动的y轴。在晶片保持件阵列插入到处理箱中之后，可以设置邻近晶片部分并且处于晶片保持件的处理部分下方的加热罩，从而避免热卸料器或其他化学品在晶片保持件横梁上冷凝。如将要描述的，批次马兰戈尼干燥346可具有同时平衡的13个弯月面界面。在所示的实施方式中，示出具有平行于晶片表面的行进方向(Y方向)的13个元件晶片保持件批次。在所公开的实施方式的替代方面中，可以提供任何适当数量的晶片或元件或行进的定向。在图5和图6中，示出两个晶片保持件阵列，一个在装载件330的处理位置324'中，并且另一个在传送位置324中，其中326在两个位置之间以及沿7轴方向传送晶片保持件阵列。示出了更高以及可以具有集成的提升部的马兰戈尼干燥器模块346。晶片保持件阵列批次324通过传送装置326沉积其中的装载平台330使得晶片保持件批次324通过装载件330保持在固定位置，其中传送装置326可以释放晶片保持件阵列324以及移至其他运动。传送装置326可能需要约20”或其他的Z运动。在所公开的实施方式的替代方面中，传送装置326还可以具有X轴或一个或更多个合适的转动轴线，以在任何合适的方向上选择性地定位晶片保持件阵列324，例如，其中更多或更少的装载平台或处理或后处理模块可以设置在不同的位置或其他位置。可以在装载平台330上设置推开晶片保持件324的腿部以释放晶片的致动器。可设置具有用于输入晶片322和输出晶片320的位置的X-运动滑闸，例如，用于晶片保持件批次中的每个晶片的三个位置。在所公开的实施方式的替代方面中，在相同或不同的运动轴线上，在一个或更多个独立的滑闸上可以设置任何合适数量的可选择位置。通举例来说，对于晶片保持件批次324中的1.5"节距而言，这表示是可选择的节距，例如，滑闸上的0.5"节距，使得滑闸沿+-X移动大约0.5"，如将要描述的。滑闸阵列322、320上的顶部指部和底部托架的致动器可以设置在滑闸上，使得这些晶片接触元件可以径向向外移动，例如从中心晶片边缘移动2-3mm，从而使滑闸在X方向(即垂直于晶片表面)上移动，而不接触通过晶片保持件批次324中的晶片保持件保持在中心的晶片。举例来说，13个位置滑闸晶片保持件批次320、322，这相当于2x2x13=52个致动器，最可能的是螺线管，能够成对地移动以与机械手314的端部执行器交换晶片，或者，所有52同时与装载器330的晶片保持批次组件324接合。在此，需要滑闸最小的运动，例如，对于1.5"批次晶片保持件只有大约±0.5"。进一步地，端部执行器的中心传送避免了晶片从晶片保持件“掉落”到滑闸托架内的风险；替代地，在端部执行器和滑闸中的任一个释放之前通过端部执行器和滑闸两者同时夹持晶片。在此，可以提供2-3_的“掉落”。在提供单个滑闸的情况下，当批次传送已经完成时机械手314将被闲置。与此相反，当使用如图8所示的两个滑闸时，机械手314可继续利用另一滑闸装载/卸载。在此，举例来说，第二滑闸所提供的增益对于更小的批量晶片保持件阵列尺寸来说更大。
[0161]现在参照图11，示出示例性并列单基板处理系统200的局部等距视图。还参照图12A，示出示例性并列单基板处理系统200的局部主视图。再参照图12B，示出示例性并列单基板处理系统200的局部后视图。又参照图12C，示出示例性并列单基板处理系统200的局部侧视图。还参照图12D，示出示例性并列单基板处理系统200的局部侧视图。在公开的实施方式中，系统200可以具有处理侧346和缓冲侧。在此，例如，处理侧346被示出为具有处理模块210和马兰戈尼干燥器模块290，而缓冲侧348被示出为具有缓冲平台350、352、354、358、360’。在所公开的实施方式的替代方面中，侧面346、348可包括所有的处理模块或处理模块、缓冲模块或其他模块的任何合适的组合，并且可以构造成具有处理模块、缓冲模块或其他模块的任何组合。在此，传送装置280可被构造成将保持件359的一个或更多个阵列移动到侧面346或348上的任何合适的位置，并且可以被构造成具有X轴线或旋转轴线T或任何合适的轴线以将保持件359的阵列从侧面346移动至侧面348或任何合适的处理位置、缓冲器位置或其他位置。可替代地，传送装置280可以与将支承结构281从侧面346滑至侧面348的滑闸280'相互作用。在此，传送装置280可以具有保持件阵列支承结构，其可以在侧面346和/或侧面348上传送保持件359的阵列，其中传送装置保持件阵列支承结构的任一侧可以从阵列支承结构281拾取或放置保持件359的阵列或者将保持件359的阵列拾取或放置到阵列支承结构281，并且滑闸280'使阵列支承结构281从侧面346滑至侧面348。
[0162]根据所公开的实施方式的另一个方面，提供用于处理多个基板的表面的系统200。系统200具有处理模块210，处理模块210具有处理模块框架和多个处理元件，以在不接触基板表面的情况下处理基板表面。每个具有多个基板保持件的多个基板保持件组件586，每个基板保持件可移除地联接到处理模块框架，基板保持件组件586中的每个基板保持件构造成保持基板。处理模块框架210具有对准特征，对准特征使基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的处理元件中的每一个以可重复对准的方式对准，多个处理元件的处理元件中的每一个定位在基板之间。装载器模块274、400 (见图22A)构造成将多个处理过的基板从基板保持件组件中的每一个卸载以及将多个未处理的基板装载至基板保持件组件中的每一个。传送装置280构造成将基板保持件组件586中的每一个传送至处理模块210和装载器模块274以及从处理模块210和装载器模块274传送。系统还具有第二处理模块290，其中传送装置被构造成将基板保持件组件中的每一个传送至处理模块210、第二处理模块290和装载器模块274以及从处理模块210、第二处理模块290和装载器模块274传送。该系统还具有基板传送前端204，其被构造成将未处理的基板从基板承载体传送到装载器模块274，并进一步构造为将处理过的基板从装载器模块传送至基板承载体。基板的表面在大致竖直的方向上。多个处理元件可以是在不接触基板表面的情况下搅拌靠近基板表面的流体的搅拌构件阵列。基板保持件组件可以作为一个单元从处理模块框架移除。基板保持件组件586中的每个基板保持件能够独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架移除。基板保持件组件586中的每个基板保持件可以相对于基板保持件组件中的其他基板保持件移动和定位。基板保持件组件586中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的每个处理元件可重复对准，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。示出用于流体处理布置在流体中的一个或更多个基板表面的系统200。基板保持件组件586中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件并且独立于多个处理元件中的其他处理元件能够重复对准，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。基板表面保持平行对准并且处于竖直方向。
[0163]根据所公开的实施方式的另一方面，提供一种用于流体处理布置在流体中的一个或更多个基板表面的系统200。系统200具有处理模块或部分210，其带有具有多个处理元件以在不接触基板表面的情况下处理基板表面的框架。基板保持件组件586具有保持件框架946和多个基板保持件，基板保持件中的每一个联接到保持件框架946并且被构造为用于保持基板使得保持件组件的每个基板保持件将不同的基板保持在基板保持件组件中，以便作为一个单元将基板保持件组件传送至处理部分210或者从处理部分210传送。基板保持件组件586及其每一个基板保持件能够可移除地联接到处理部分框架210。基板保持件组件586的至少一个基板保持件相对于保持框架可移动，并且相对于处理部分210的预定的特征以及相对于处理部分独立于保持件框架的定位以可重复对准的方式定位。保持件框架可以是联接至传送装置的端部执行器，其中传送装置构造为使基板保持件组件586移动至处理部分210以及使基板保持件组件586从处理部分210移动，并且传送装置280被构造成使带有保持件框架的不同的基板保持件组件移至处理部分210以及从处理部分210移动。多个基板保持件中的每一个可拆卸地联接至保持件框架。基板保持件组件586中的每个基板保持件能够独立地移动并且相对于处理元件定位。基板保持件组件586中的每个基板保持件相对于处理部分的预定特征独立于基板保持件组件中的其他基板保持件能够重复对准。多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。基板保持件组件586中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件以及独立于多个处理元件中的其他处理元件能够重复对准，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。不同的基板通过基板保持件组件的每个基板保持件保持以便将其作为一个单元传送至处理模块210以及从处理模块210传送。基板保持件组件以及基板保持件组件的每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，当联接到处理模块框架时，每个基板保持件能够独立地移动，并且可相对于基板保持件组件586的其他基板保持件定位。基板保持件组件中的每个基板保持件相对于处理模块的预定特征以及独立于基板保持件组件中的其他基板保持件能够重复对准。
[0164]根据所公开的实施方式的一个方面，提供用于流体处理布置在流体中的一个或更多个基板表面的系统200。系统200具有处理部分或模块210，处理部分或模块210带有框架并且具有多个处理元件以在不接触基板表面的情况下处理或流体处理基板表面。如将要描述的，多个处理元件可以是搅拌构件、干燥构件、流体射流构件或任何适当的处理元件。具有多个基板保持件的基板保持件组件586(图17)构造为使一个或更多个基板作为一个单元在处理部分210和另一个位置之间传送。在此，基板保持件组件586具有多个基板保持件并且被构造用于作为一个单元的基板的批量传送。基板保持件组件和每个基板保持件被构造用于可移除地联接至处理部分框架。基板保持件组件586中的每个基板保持件被构造为保持基板或基板中的至少一个。处理部分框架210具有对准特征，对准特征布置成使得在使基板保持件组件586与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件586的每个基板保持件相互作用，并且使每个基板保持件在每个基板保持件与处理部分框架的相应联接处相对于处理部分210的预定特征定位成可重复对准。预定特征可定位在基板之间，基板处于竖直方向。预定特征可以是每个处理元件，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。对准特征可以是竖直引导件，竖直引导件使基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件可重复地对准，基板保持件组件中的每个基板保持件具有与每个竖直引导件的匹配特征配合的定位特征。保持件组件586可以是联接到框架946 (见图28A)的多个基板保持件，其中框架可以是联接到传送装置的端部执行器，传送装置构造为使基板保持件组件移动至处理模块210以及使基板保持件组件从处理模块210移动，并且传送装置被构造成使带有保持件框架的不同的基板保持件组件移动至处理模块210以及从处理模块210移动。基板保持件组件586中的每个基板保持件可以独立地移动并且能够相对于基板保持组件中的其他基板保持件定位。基板保持件组件586中的每个基板保持件可以相对于处理部分的预定特征独立于基板保持件组件586中的其他基板保持件可重复地对准。基板保持件组件586的每个基板保持件可以相对于多个处理元件中的相应的处理元件以及独立于多个处理元件中的其他处理元件重复对准。模块框架具有插入引导件，每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下并且对应于插入引导件的匹配引导件，插入引导件和匹配引导件被构造为使得在联接基板保持件和模块框架时，插入引导件容纳每个基板保持件的相应的匹配引导件，匹配引导件使基板保持件组件的每个基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件可重复地对准。插入引导件可以是使基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个处理元件的相应的处理元件可重复对准的竖直引导件。保持件组件586可以是联接到框架946的多个基板保持件，其中框架包括连接至传送装置的端部执行器，并且其中传送装置被构造成使基板保持件组件移动至处理装置以及从处理装置移开，并且传送装置280被构造为使具有保持件框架的不同的基板保持件组件移动至处理装置以及从处理装置移开。基板保持件组件586中的每个基板保持件可以相对于多个处理元件中的相应的处理元件以及独立于基板保持件组件586中的其他基板保持件可重复地对准。
[0165]现在参照图13，示出单个晶片保持件360。保持件360被示出为具有手柄部分362和晶片部分364。手柄部分362具有联接晶片部分364的左弯曲部368和右弯曲部370的横杆366。左指部372和374示出为联接到左弯曲部368。右指部376、378示出为联接到右弯曲部370。还参照图15A，晶片380示出在中心，弯曲部368、370关闭以及利用指部372、374、376、378保持晶片380处于捕获状态。再参照图15B，示出晶片保持件360，其中晶片380仍然处于中心，以及弯曲部368、370打开382，例如0.070"或其他尺寸。又参照图15C，示出晶片保持件360，其中晶片380向下移动例如0.180"或其他尺寸，弯曲部368、370打开382，例如0.070"或其他尺寸。在此，弯曲部368、370示出为打开382，晶片380相对于晶片保持件360向下移动384，例如，以便允许垂直于晶片表面以晶片保持件与顶部指部372、376的触点的足够的间隙平移。在所公开的实施方式中的替代方面中，晶片不需要向下移动以清除触点。在此，晶片保持件阵列支承件能够沿着Z和X相对于晶片的支承件移动(在此X垂直于晶片表面)。弯曲晶片保持件关于装载/卸载的顶部与底部的不对称的打开位置在装载器中被相对容易地克服，并且获得系统的剩余部分中的晶片保持件的简易性和刚性。还参照图15D，晶片380示出在中心处，但是弯曲部368、370垂直于视图偏置，使得指部不捕获晶片380。在此，弯曲部368、370处于松弛状态，并且在晶片380的边缘内侧闭合，晶片380不通过指部372、374、376、378捕获。弯曲框架可由SS316不锈钢、PEEK或任何合适的材料制成。在此，基于运动的弯曲部可以用来装载和抓握作为组件的晶片，用于示出相对于晶片保持件处于其偏转状态的晶片位置。图15A示出处于晶片保持状态的梁，而图15B示出2.5"长的0.070"的示例性偏转或其他弯曲部，这可以充分地清除用于上接触块的捕获边缘并且使晶片从下接触块脱落。这种类型的致动可能需要:(I)使装载平台在打开弯曲部/接触块组件之前提供对晶片的支承，或者(2)使下接触块在弯曲部被偏转为打开时在晶片的后侧上具有更广阔的表面以支承下接触块。弯曲晶片保持机构或晶片保持件360在对基板的表面进行竖直流体处理期间保持和维持基板380，其中保持件360具有框架，框架具有支承构件355以及具有联接到框架366并且从具有第一柔性弯曲部384和第二柔性的弯曲部386的支承构件悬下的第一腿部368和第二腿部370。在此，第一和第二柔性弯曲部分构造为使得至少一个腿部可相对于另一腿部移动。第一腿部368被示出为具有第一接触指部或构件372、374，第一接触指部或构件372、374被示出为接合基板380的第一边缘388。第二腿部370被示出具有适于接合基板552的第二边缘390的第二接触指部或构件376、378，使得由腿部支承基板380。在所公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的接触指部，例如一个腿部上的单个接触指部和相对的腿部上的多个接触指部。在第一和第二柔性弯曲部偏转时，第一和第二腿部沿大致相反的方向移动，使第一和第二接触指部从基板380的第一和第二边缘380脱离。在此，在第一和第二柔性弯曲部偏转时，第一和第二腿部之间的相对运动影响第一和第二接触构件从基板的第一和第二边缘的接合和脱离。在该实施方式中，弯曲晶片保持机构在晶片380周边的多个点处接触晶片380，使得保持力可以是自动防护、简单和紧凑的。在此，自动防护可以是指使360以很小的掉落或损伤晶片或基板380的风险的方式在整个自动系统中传送。在此，简单可以是指基板接合机构的简化以及使多个晶片保持件结成批量的能力，例如6个或其他数量的晶片保持件批次，以通过处理工具提供更高的产量。在此，紧凑可以是指使各种流体处理机构非常接近晶片表面而不受晶片保持机构阻碍，例如，能够使剪切板搅拌机构在距离晶片表面0.5mm的距离处工作，可替代地，或任何其他合适的机构、距离或其他方式。基板保持件550可用于与任何适当的流体处理机构结合，例如，可以包括流体喷嘴阵列、氮气刀和马兰戈尼干燥喷嘴组件或其他装置。在公开的实施方式中，弯曲晶片保持件360可用于提供晶片相对于这些流体或气体处理元件的准确位置和移动，同时利用竖直定向以提供有利的流体流。因此，晶片保持件命名为精确对准支承体(PAC)晶片保持件。在该实施方式中，接触指部可以是不对称的，以使流体处理元件可以定位成比背侧更靠近晶片380的前表面，例如在晶片的前表面的0.5mm或其他尺寸的范围内。在所示的实施方式中，晶片保持件的腿部368、370可提供距离手柄368或横杆的一定间隔距离，使得晶片380可以浸入到流体浴中，而不润湿手柄。腿部368、370可被打开和关闭以允许插入和取出如下面将更加详细地阐述的晶片。装载致动机构(未示出)例如通过推压每个腿部368、370的下部的内表面以使腿部扩展远离晶片保持件中心线而将腿部368、370分离，使得将腿部连接到手柄的弯曲部384、386被充分地偏转以允许晶片380被移动离开接触指部表面。当晶片保持件腿部处于如图15A所示的关闭位置时，四个接触指部372、374、376、378限定与晶片大致相同直径的圆形，该圆形可以被认为是晶片保持件的标称中心点基准，当晶片被晶片保持件360捕获时晶片中心与标称中心点基点对准。当晶片保持件腿部偏转时，四个接触指部限定第二圆，第二圆可以比晶片的直径大几毫米或其他尺寸，其中由于弯曲腿部组合的偏转，该第二圆的中心可以从基点中心移动几毫米；如果晶片平移使其中心与晶片380的第二圆心对准，则晶片380可以被提升离开接触指部并且从晶片保持件360移除。在公开的实施方式的替代方面中，晶片保持件的弯曲设计可以使得第一和第二圆形中心线大致相同，使得在插入保持件360或从保持件360拔出期间，晶片取出并没有利用晶片和保持件之间的相对平移。所公开实施方式的一个方面是接触指部上的晶片捕获表面的详细形状和在装载和卸载期间能够使保持机构非常牢固而且具有与晶片表面的最小接触以及致使最小的滴落或其他不想要的流体处理产物的方式，如下面更详细地描述的。在所示的实施方式中，在打开弯曲部/接触块组件之前，装载平台可用于为晶片提供支承，或者可替代地，下接触块374、378可以提供比图14所示的更宽大的表面，例如，在晶片380的后侧上，以在弯曲部被偏转成打开时支承表面。如图15C所示，通过使晶片380例如垂直地偏移0.180"，其近似地居中在接触块的开口中(当弯曲部偏转0.070"或其他尺寸时)，晶片现在例如具有距离捕获部分的0.11"的间隙，并且仍然位于后支承表面的上方。装载平台中的该运动可以如下:1、利用传送装置280竖直地插入WH-阵列360。2、使托架旋转以偏离竖直线10度，从而通过重力对着接触块的后表面偏置晶片。3、施加10牛顿(Nts)的力以弯曲WH的弯曲的腿部(即，部分地打开它们)，这将使晶片沿Z向下滑动0.18"，同时被下接触块阻挡，向后倾斜靠在上接触块的后方。4、使装载平台垂直向上移动提升元件0.2"以沿Z方向支承晶片(这只是平行于晶片轴线以在晶片边缘上接触的一对横杆，而不会阻碍端部执行器的插入)，在该点处，将晶片在顶部处沿Z方向被较弱地限制，因此将容许一定的超程。5、施加20牛顿的力以使弯曲部腿部弯曲至打开位置，这可以为晶片提供与每个接触块前捕获边缘的2.5_的间隙，使得晶片360具有足够的间隙，以沿其轴线被提升出。6、使托架旋转至水平；晶片被接触块的倾斜表面较弱地限制不能沿Z方向向上移动。7、利用简单的端部执行器，用于获得和施加运动以拾取成品晶片和更换新的晶片。如将要描述的，在公开的实施方式的替代方面中，装载平台可以包括一组交错的托板，利用晶片周边处的3点接触，其在WH阵列被垂直插入并且旋转到水平之后提升，以使晶片在弯曲部被打开时降到接触点上；当弯曲部靠近接触块的倾斜背侧表面时，将晶片提升到晶片保持件550的抓握表面。在图14中，示出具有边缘晶片支承表面550的下接触块378，下接触块378接触基板380的外周边缘390。下接触块378还具有第一支承部分552，第一支承部分552在基板380的表面上的外周边缘处接触第一表面380’。下接触块378还具有第二支承部分554，第二支承部分554在基板380的表面上的外周边缘处接触与第一表面相对的第二表面380"。晶片接触特征378示出为设计成在从例如马兰戈尼或剪切板搅拌模块的处理模块之一突出时不捕获流体，在晶片和触点之间捕获的任何液体可以在干燥之后再沉积到晶片上，使得引起水斑。在此，晶片的两侧可以间隔开553、555超过毛细长度(2_)，使得重力超过表面接触力，并且流体滴落回缸而不是保持在凸起的PAC上。PAC晶片触点——例如接触指部372、374、376、378——可以由一种材料构成，这种材料足够硬以在与锋利刃斜面接触时不会被磨损，同时足够软以不磨损硅晶片，从而防止颗粒的产生。一种示例性材料是聚醚醚酮(PEEK)或任何合适的替代材料。这样，每个指部372、374、376、378的组合保持基板380。在公开的实施方式的替代方面中，指部可以具有特征:例如相对于晶片380的表面的倾斜部分，例如，使得当将晶片支承在打开位置时，仅晶片的外底部或背部边缘接触表面，以及使得当支架360打开时，晶片可以由支架360沿水平定向支承。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供锥形表面并且相对于晶片380的表面倾斜，并且锥形表面可以接触晶片的外边缘，例如，在包覆的晶片或其他情况的夹持和捕获中。部分552、554的长度和尺寸可以最小化，以使与晶片380的前侧的流体处理的相互作用最小化。在公开的实施方式的替代方面中，还可以提供半径刀鼻，以防止晶片挂起或其他情况。可替代地，任何合适的接触块几何形状可以单独应用或以任何合适的组合应用。如图13所示，接触块或指部378可以是可移除的接触块。在此，两个3_或其他合适的销钉可以定位接触块，多余的M2.5mm的平头螺钉556、558或其他合适的紧固件可以将块378保持就位。弯曲部370的框架可以在对附连表面的水喷射切割和研磨之前由316不锈钢切割并且被退火和磨削平整和平行。可替代地，可以使用任何适当的材料或制造技术。基于保持件360的弯曲部的腿部368、370可以足够宽，例如以使导入和轮滚动表面充分远离晶片或处理化学品。组件360的质量可以是2.3磅，或其他质量，并且可以最小化使得重心靠近晶片380的顶部。在此，例如，可以设置锥形表面560、562、564并且示出在保持件368、370的腿部(前、后、侧)的下端上，以便于晶片保持件360与流体处理模块的引导特征的对准，如在下面更详细地描述和示出的。在公开的实施方式中，保持件360提供用于将晶片与处理流体元件对准的结构。为了能够实现并列单晶片处理，晶片保持件可以实现多个功能:相对于处理模块中的参考表面对晶片的准确的故障安全保持；实现晶片的装载和卸载；实现晶片保持件的阵列的平行传送以足够高的精度定位在多个处理模块中；以及以最小的液滴的垂直处理。同时，可以通过将200mm晶片定位在晶片保持件的底部来提供例如300mm和200mm的双晶片尺寸(即，使得200mm和300mm的底部边缘相切)，使得用于200mm的装载器构不会干扰300mm的装载器构，用于打开晶片保持件的运动距离对于300mm和200mm的尺寸是不同的。类似地，300_和200_保持件的外部尺寸可以是相同的，因此相同的剪切板或其他处理承窝都可以用于200和300。在所示的实施方式中，柔软衬垫触点可以设置有例如第三边缘夹持部的另外的特征，或者从而增加捕获干扰以容纳柔性或易碎晶片或基板。在图14所示的实施方式中，保持件360将独立的径向和轴向晶片接触表面用作不同的部件，而不是使用在下面更详细地讨论的提供对准的组合的“V形槽”类型的特征，并且支承例如晶片边缘清洗或其他功能的将来的能力。如将要描述的，全氟丙烷衬垫可用于晶片径向接触，避免高点接触力和由磨损产生的相关颗粒；在此，可提供硅/玻璃键合晶片或其他易碎基板的安全处理。在此，弹性体衬垫可以模制在接触指部上。可以提供马兰戈尼喷嘴或其他处理元件所需的薄的、大约2-3mm或其他合适尺寸的指状元件372、374、376、378，指状元件具有310_或其他合适宽度的行进区域566的外侧的附接特征，由此允许线性马兰戈尼或其他喷嘴的更紧密均匀的靠近。轴向约束特征可以直接加工成这些部件，以避免引起液滴的结点。保持件360可由穿透的多个件构成，和/或热套冷缩装配在一起，或者可以提供其他合适的制造技术。在所示的实施方式中，不同的几何形状提供用于顶部指部372、376和底部指部374、378，使得液滴通过重力被向下拉离晶片380。在所示的实施方式中，侧弯曲腿部368，370可以是与顶部横杆368分离的元件。还参照图16A，示出指部378’。指部378’具有支承径向载荷的弹性衬垫570，其中不锈钢具有轴向地限制晶片的狭槽572 (BP,页面的出/入方向)。晶片380示出为具有带有2mm边缘排除部576的抵抗部574。在此，示出作为下或底指部的保持在边缘排除区域内的指部378’。还参照图16B，示出指部376’。顶部接触指部376’示出为具有不同的几何形状578，不同的几何形状578允许流体液滴向下流动远离晶片380。晶片的最小指部截面接触面积使由表面张力保持的流体的体积最小化。在所示的实施方式中，在SS或PEEK指状元件中存在有沿晶片厚度方向的间隙，该间隙可以足够紧密，以避免晶片在处理过程中例如由于与引起流体运动的剪切板搅拌构件的相互作用而运动。引入部可以设置在接触指部的部分中，例如，减小到约1/2_，这能够通过使用交换装载器构承受，其中晶片可以通过装载器抓握件精确地定位，使得间隙可能不需要复制到晶片保持件360中，由此允许处理元件的更加紧密的靠近，例如剪切板和马兰戈尼处理元件或其他元件。
[0166]现在参照图17，示出一排晶片保持件586。还参照图18A，示出晶片保持件360的局部视图。再参照图18B，示出晶片保持件360的局部视图。单独的晶片保持件360不相互连接以形成“阵列” 586，替代地，其通过对传送装置的致动临时形成为“阵列”，对传送装置的致动将晶片保持件586的“实际阵列” 586从一个处理平台提升、输送和存储到工具中的下一个处理平台。晶片保持件360上的多个特征实现作为实际阵列586的适当的传送以及单个晶片与模块内的处理元件的精确对准。在此，传送装置沿Z方向提升并支承阵列586。在传送期间，加速度沿Y (平行于晶片表面)方向，从而由于重心从提升表面的偏移而产生的初级转矩被较好地稳定，例如，通过15"或晶片保持件360的其他合适的宽度588进行稳定。在传送、尤其是提升和降下期间，需要稳定转矩590以及存在这样做的小的杠杆作用，这是因为晶片保持件阵列间距592是1.5"或其他尺寸。同样地，特征594可以设置在大多数使用该1.5"长度的每个保持件360。可以提供接近SP (剪切板)搅拌构件的下部区域引入部或LINEW (马兰戈尼)表面，例如，通过延伸下边缘的腿部368，370。可以提供上部区域引出部或稳定结构，例如，使晶片保持件在马兰戈尼LINEW阵列提升元件中对准。顶部块594被示出具有允许由传送装置拾取的宽板，并且用于在传送期间稳定晶片保持件，其中拾取机构可将晶片保持件夹持成固定板。夹紧状态可以在线性加速期间变紧以及在从处理模块上升和从处理模块下降期间变松，由此避免过约束以及允许晶片保持件360在给定处理模块或传送模块中找到其准确位置。顶部块594上的第二特征可以是在处理模块中支承晶片保持件的重量的水平短柱596，这限制了下部位置，使得更高的板特征594能够被传送装置接近以便拾取和放下。该短柱595的顶表面可以用于SP-模块以向下夹持晶片保持件360，从而抵抗由搅拌所引起的剪切搅拌构件阻力。
[0167]根据公开实施方式的另一个方面，基板支承件360适于在对基板的表面的垂直流体处理期间保持和维持基板380。晶片保持件360具有框架366和通过第一柔性弯曲部连接到框架的第一腿部368，第一腿部具有第一接触构件，第一接触构件构造成用来接合基板的第一边缘。第二腿部370通过第二柔性弯曲部连接到框架，第二腿部具有被构造为接合基板的第二边缘的第二接触构件。在第一和第二柔性弯曲部偏转时，第一腿部368和第二腿部370在使第一和第二接触指部分别从基板的第一和第二边缘分离的大致相反的方向上是可移动的。第一接触元件可以是接合基板的第一边缘的不同部分的第一和第二接触指部。第一连接构件可以包括第一接触点550、第二接触点552和第三接触点554，第一接触点接合基板的第一边缘，第二接触点接合基板的表面，第三接触点接合基板的在基板的相对侧上的另一表面。第一腿部568和第二腿部570可以在相同的平面中运动。第一和第二腿部还可以是构造成与匹配定位特征配合的第一和第二集成定位特征。第一和第二腿部还可以是构造成与匹配定位特征配合的第一和第二前端锥形边缘560。第一柔性弯曲部可以是第一和第二弯曲元件，第一弯曲元件大致平行于第二弯曲元件。处理特征594可以连接到框架上，处理特征具有大致垂直于第一腿部和第二腿部的保持件传送装置界面表面。
[0168]现在参照图19，示出装载器模块808的等距视图。还参照图20，示出装载器模块808的侧视图。再参照图21，示出装载器模块808的侧视图。在公开的实施方式中，装载器808具有滑闸910，在滑闸台910可以具有对于单个滑闸808的在X方向上的约I "的行程，而增加例如用于更高产量的第二滑闸808’，使得一个滑闸可以被装载/卸载而另一个在执行阵列传送；这将需要两个滑闸具有用于6晶片阵列818的约20"行程。在此，装载器808将晶片保持件阵列586接纳到框架916内，框架916具有必要的运动以打开晶片保持件弯曲部818，其中该“叉形杆”运动可以是关于晶片保持件(WH) 818的中心和滑闸910的中心线(即总共0.14"的运动)大约0.070"对称。在所示实施方式中，示出用于6晶片阵列586尺寸的“阵列交换装载器”808的元件。在公开的实施方式的替代方面中，可以设置任何合适的数量。装载器808具有滑闸910，滑闸910具有一排柔性晶片抓取器(CWG)元件920，每个输入和输出位置具有一个柔性晶片抓取器(CWG)元件920、安装在安装到基板924的线性支承件922。晶片保持件台916接收WH阵列586并且做出某些程度的枢转运动930、932以打开WH阵列以便进行交换，并且产生4到6mm的垂直平移936至CWG-抓取器上的WH打开指部位置的中心。在此，晶片在旋后(即，垂直)方向上被提取和插入通过晶片保持台916的侧壁中的槽。还示出传送抓握板946。在图20中，示出通过装载器和输送装置元件支承在打开位置中的WH-阵列586，如在掉落之后或拾取WH-阵列586之前即为这种情况。在图21中，WH-阵列586被示出为打开和定位成使得滑闸/CWG-抓握组件910/920可以垂直于晶片表面移动，用于在CWG-抓取器和WH元件之间传送，如在图24A-24M和图25A-25E的表格中更详细地示出的。WH台916的侧元件可枢转以实现该运动，并且WH台可以提升4-6_以使WH阵列指部在打开位置中运动到中心处，CWG-抓取器920中的晶片位于滑闸910上。在此，在图24A-24M和图25A-25E的表格中给出装载器中的更详细的移动次序。还参照图22B和22A，示出一种快速平行交换，完成处理的晶片被插入到装载器滑闸内并且输出由WH阵列移除的未处理的晶片。在此，滑闸阵列位置是用于CWG抓取器的两个和用于WH阵列的一个空位置。这些位置以大约1.5"分割阵列间距，其被称为用于输出或处理的晶片的“A”，用于输入或未处理的晶片的“B”以及“C”指的是未填充有CWG抓取器，这些是WH阵列元件插入其中的位置。在交换处理期间，滑闸水平地运动大约正或负0.75"英寸。WH阵列通过传送装置垂直地移动大约20"，以进入和退出围绕晶片抓取器阵列的WH台。
[0169]现在参照图22A，示出将6个处理的晶片402从保持件阵列324’传送到滑闸阵列320’的成批交换装载器400。还参照图22B，示出在将6个处理的晶片402从保持件阵列324’传送到滑闸阵列320’后将6个未处理的晶片404从滑闸阵列320’传送到保持件阵列324’的成批交换装载器400。在此，装载器400可以具有关于装载器808所述的特征，并且阵列324’可以具有关于阵列586所述的特征。在此，装载器400可以将如下所述的基板以“快速交换”方式在滑闸阵列320’和保持件阵列324’之间传送。在所示的实施方式中，装载器400具有滑闸阵列320’、滑闸轴线410、用于捕获晶片保持件阵列324’的托架或支承件、用于使保持件阵列324’的弯曲部扩展的致动器以及用于使滑闸阵列320'的晶片夹持特征扩展的致动器。在每种情况下，装载器400可以选择性地抓握具有晶片保持件阵列324’或滑闸阵列320’的一个或更多个晶片，例如，如将在下面关于卸载和装载顺序所述。装载器400可以将晶片保持件阵列324’接收到框架内，框架具有需要的运动以打开晶片保持件弯曲部，例如，关于晶片保持件中心和滑闸中心线对称的大约0.070"或其他尺寸的“叉形件”运动(即，总共0.14"的运动)。在此，图22A和22B示出用于6个晶片批次尺寸的“批次交换装载器”的主要元件的等距视图，其中图22A示出被插入到装载器滑闸400内的完成处理的晶片402，并且图22B示出由晶片保持件阵列324’移除的输出未处理晶片。晶片402表示输出处理或脱落的晶片，晶片404表示输入的晶片，例如，具有将在工具的处理部分中被剥离的光刻胶。滑闸阵列320’具有6个位置“A”，其用于输出或处理的晶片402。滑闸阵列320'还具有与6个位置“A”交织的6个位“B”，用于输出或处理的晶片404。在公开的实施方式的替代方面中，“A”可以用于输入或未处理的晶片。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的位置。在此，装载器400设置成适于卸载晶片和将晶片装载至一排晶片保持件324’。在所示的实施方式中，装载器400具有第一交换保持件阵列320’ “B”和第二交换保持件阵列320’ “A”，其各自具有交替并彼此相互交织的交换保持件。在此，第一交换保持件阵列320’ “B”具有装载或输入晶片，晶片保持件阵列324’具有卸载或输出的晶片。卸载晶片作为一组从保持件阵列324’运动至第二交换保持件阵列320’ “A”，装载晶片作为一组从第一交换保持件阵列320’ “B”运动至保持件阵列324’，如将要描述的。在所示的实施方式中，六个元件晶片保持件阵列(WH阵列)324’，也称为精确对准承载体(PAC)阵列，可以从输送装置(未示出)悬挂，滑闸阵列320’的晶片抓握部“A”和“B”的两个阵列，一个用于输入晶片以及一个用于输出晶片，承载在以下的滑闸机构410(未示出)上。在交换处理期间，晶片抓取器/滑闸320’、410水平地移动约一英寸或其他尺寸，而WH阵列可由传送装置或其他装置垂直地移动大约20"或其他尺寸，以进入和退出由晶片抓取器阵列占据的封壳。晶片抓取器可以将晶片保持在相对精确的位置，例如晶片可以定位在距离理想的中心位置约±0.4mm的封壳内。另外，每个晶片抓取器可以以一定的柔度保持晶片，使得在晶片由晶片保持件和滑闸320’的晶片抓握器接触的交换步骤期间，不存在由于两组接触表面之间的小的固有的不对准引起的施加到晶片上的任何相当大的力。这种抓取器指定为柔性晶片抓取器(CWG)。滑闸320’可以设置有12个晶片抓取机构420，例如在美国专利N0.6，174,011中描述的，该专利的全部内容在此通过参引合并到本文中。在公开的实施方式的替代方面中，可以使用任何合适的晶片抓取机构。抓取机构也可以从一端驱动，例如，如在此所示的安装在滑闸(未示出)中的晶片抓取器的下端，其中单个致动器提供由于晶片抓取器的弯曲系统的偏转而引起的抓取特征的精确运动。如关于图24-25所描述的，成批交换过程发生在滑闸320’“B”的位置已被前端晶片机械手(其同时可以从滑闸320' “A”位置移除任何完成的晶片)装载以及晶片保持件阵列324’已经通过工具湿法处理和干燥部分处理之后。在此，在具有边缘抓取端部执行器和旋后能力的工具的前端中，晶片通过市场上可获得的晶片机械手传送到装载器以及从装载器传送，旋后能力是使晶片从输入盒或FOUP中的水平方向转动到适于插入晶片抓取器/滑闸320'内的竖直方向的能力。对于高速系统而言，可以使用具有两个这样的端部执行器的在市场上可获得的晶片机械手。在公开的实施方式的替代方面中，同时双晶片尺寸，例如300mm和200mm或其他尺寸，可以通过将200mm晶片定位在晶片保持件的底部(即200mm和300mm的晶片的底部边缘相切)来处理，使得用于200mm的装载器机构不会干扰300mm的装载器机构。打开晶片保持件的运动距离可以为300mm和200mm的尺寸。在此，外部尺寸可以基本相似或相同，因此相同的剪切板承窝、马兰戈尼干燥器部件或其他处理或后处理部件可用于200mm和300mm的尺寸。
[0170]现在参照图23A，示出通过处理区域308的处理工具300的横截面。在所示的实施方式中，传送装置326将PAC晶片保持件阵列324传送到示例性处理模块340以及从示例性处理模块340传送。处理模块340可具有可移动的加热罩430 (示出为打开状态)，加热罩430在流体处理位置中在流体处理模块340的流体水平434的上方和示出为324’的晶片保持件阵列的横杆432的下方关闭，例如在晶片保持件上或其他位置设置加热罩430以防止凝结。过滤风扇单元438可以设置在系统300的封壳442内以保持清洁的小型环境，其中，例如，可以传送装置区域436设置成容纳传送装置327的运动部件以及通过排气增加器440由此排出空气。现在参照图23B，示出示例性批量交换装载器400的横截面。装载器400可以具有滑闸阵列320’、晶片保持件阵列支承件460和滑闸464。在所示的实施方式中，滑闸阵列320’能够保持如上所述的两个处理过的和未处理过的晶片。在公开的实施方式的替代方面中，滑闸阵列320’仅能够保持处理或未处理的晶片。可替代地，可以不设置滑闸阵列320’，例如，晶片保持件阵列324’能够滑至输入或输出位置，晶片直接由晶片处理机械手在不使用中间滑闸阵列的情况下直接传送。在所示的实施方式中，滑闸464被示出为单个滑闸。在公开的实施方式的替代方面中，可以在相同或不同的运动轴线上设置第二或更多个滑闸，联接或独立地和选择性地定位和可操作，以及能够处理另外的滑闸阵列、另外的晶片保持件或其他。此外，在公开的实施方式的替代方面中，滑闸464可以设置成具有可选择地重新定向滑闸阵列320’、晶片保持件阵列324’或其他部件至任何合适的定向(例如从垂直到水平或其他方向)的能力。传送装置326可以将晶片保持件阵列324’传送到装载器400以及从装载器400传送，其中装载器400可以设置有与传送装置326结合将晶片装载至晶片保持件阵列324’以及从晶片保持件阵列324’卸载晶片的特征，例如，输送装置326用于竖直运动和在传送期间相对于滑闸或滑闸阵列保持晶片保持件阵列324’静止状态。在公开的实施方式的替代方面中，装载器400可以操作，并且能够独立于传送装置326将晶片传送至晶片保持件阵列324’以及从晶片保持件阵列324’传送，例如，传送装置326可以将其他PAC晶片保持件阵列逐个处理地传送或者平行于将基板转载至基板保持件阵列324’或从基板保持件阵列324’卸载基板的装载器400的操作。传送装置326可以具有抓持部分470，抓持部分470具有通过致动器476致动的第一和第二抓取器472、474，其中致动器476可以选择地抓取或释放晶片传送阵列。抓握部分472、474可以具有接合晶片保持件阵列324’中的匹配特征482、484的任何适当的抓取特征478、480。抓取部分472、474和抓取特征478、480根据需要可以是刚性或柔性的，并且可以具有导入特征、插销和插孔特征或任何合适的特征，以相对于晶片保持件阵列确定地定位抓取器470。例如，可以提供支承件460，例如，在晶片批次交换期间不需要输送装置，其中支承件460可以坐置到框架480或移动滑闸464。一个或两个轴致动器482、484可被设置成竖直地、水平地或以其他方式移动支承件460，以支承晶片的批量传送，例如独立于或者结合于传送装置326，其中致动器482、484可以坐置到框架480或移动滑闸464。引入特征486、488可以设置在支承件460中，以便于在插入或其他操作期间引导晶片保持件阵列324’。夹持件(未示出)可以设置成将晶片保持件阵列324’确定地联接至支承件460。致动器490、492可以设置成选择性地释放或抓取具有晶片保持件阵列324’的晶片，其中致动器490、492可以坐置至支承件460、框架480或其他部分。滑闸464可以坐置到具有滑动件494、498、滑闸支承工作台500和驱动器502的框架480上，其中驱动器502可以是引导螺旋驱动器或任何适当的线性驱动器，其可以相对于地面480选择性地定位工作台500。滑闸阵列320’可以由滑闸工作台500直接支承，并且具有相对于滑闸阵列320’选择性地抓取或释放一个或更多个晶片(可以单独地或作为一组)的致动器406。公开的实施方式的替代方面中，滑闸阵列320’可以由中间支承件510支承，中间支承件510能够通过可以是一个或两个轴向致动器的致动器512、514来相对于滑闸工作台500例如垂直和/或水平地移动，以便于晶片的成批传送。在公开的实施方式的替代方面中，支承件、致动器或其他装置的任何合适的组合可以用来便于晶片的批量传送。现在参照图23C，示出PAC晶片保持件324’的横杆432的横截面。在所示的实施方式中，空腔可以设置用于减小重量，并且平滑滴落的最小化表面可以设置成使滴落的潜在性最小化。进一步地，涂层可以设置用于消除或减少冷凝，以防止将冷凝物从一个过程携带到另一个过程。潜在的滴落表面还可以被偏置，例如，从晶片表面或其他位置偏置。
[0171]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种基板卸载和装载设备400,其适于从多个阵列的基板保持件卸载多个处理过的基板以及将多个未处理的基板装载到多个阵列基板保持件。基板卸载和装载设备400具有框架和多个处理过的基板支承件“A”，基板支承件“A”联接到框架和构造成支承多个处理的基板。多个未处理的基板支承件“B”联接至框架并构造成支承多个未经处理的基板。多个未经处理的基板支承件中的每个相对于多个处理过的基板支承件中的每个交替和交错。保持件释放件490、492被联接至框架并被构造成接合多个阵列基板保持件。保持件释放件具有多个阵列基板保持件将多个处理的基板从多个阵列基板保持件释放的第一状态。保持件释放件具有多个阵列基板保持件通过多个阵列基板保持件捕获多个未处理的基板的第二状态。多个处理过的基板从多个阵列基板保持件卸载至处于第一状态的多个已处理基板支承件。将多个未处理的基板从多个未处理基板支承件装载至在第二状态的多个阵列基板保持件。多个处理过的基板从多个阵列基板保持件卸载，同时处于竖直方向。将多个未处理的基板装载到多个阵列基板保持件，同时处于竖直方向。多个处理过的基板支承件和多个未处理的基板支承件利用分度器与框架接合，其中分度器同时使多个处理过的基板支承件和多个未处理的基板支承件从第一位置移动至第二位置，在第一位置处，多个处理过的基板从多个阵列基板保持件卸载，在第二位置处，多个未处理的基板装载到多个阵列基板保持件。保持件释放件使多个阵列基板保持件的基板边缘支承构件从处于第一状态的多个处理过的基板的边缘脱离。保持件释放件将基板边缘支承构件接合到处于第二状态的多个未处理的基板的边缘。由多个未处理的基板支承件支承的多个未处理的基板中的每个相对于由多个处理过的基板支承件支承的多个处理过的基板中的每个交替和交错。由多个未处理的基板支承件支承的多个未处理的基板中的每个相对于由多个处理过的基板支承件支承的多个处理过的基板中的每个轴向地对准。多个未处理的基板的边缘由多个未处理的基板支承件支承，多个处理过的基板边缘由多个处理过的基板支承件支承。多个处理过的基板作为处理过的基板组从多个阵列基板保持件卸载至处于第一状态的多个处理过的基板支承件。多个未处理的基板同时作为未处理的基板组从多个未处理基板支承件被装载到处于第二状态的多个阵列基板保持件。多个保持件支承件被联接到框架，并被构造成独立于多个阵列基板保持件中的其他保持件来支承和对准多个阵列基板保持件中的每个保持件。[0172]现在参照图24A-24M，示出示例性装载顺序。现在参照图24A，示出了保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括通过PAC WH阵列324’进入滑闸320’以及例如在Z对准位置之上I英寸的垂直向下运动。在此，完全示出WH阵列324’，输出晶片和接触表面关闭。在此，滑闸-A的位置示出是空的，接触表面处于打开位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。还参照图24B，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括通过WH阵列324’进入滑闸320’以及示出在Z对准位置中的竖直向下运动。在此，完全示出PAC WH阵列324’，输出晶片和接触表面关闭。在此，滑闸-A的位置示出为空的，接触表面处于打开位置，完全示出滑闸-B的位置，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。再参照图24C，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括通过滑闸320’以使“A”位置与WH阵列324’的晶片对准的水平运动。在此，完全示出WH阵列324’，输出晶片和接触表面关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，接触表面处于打开位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。又参照图24D，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括在输出晶片上关闭的滑闸“A”的位置弯曲部。在此，完全示出WH阵列324’，输出晶片和接触表面关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，接触表面处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。还参照图24E，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括打开WH阵列324’的弯曲部以释放输出晶片。在此，完全示出WH阵列324’，输出晶片和接触表面打开。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，接触表面处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。再参照图24F，示出保持件阵列324!和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括WH阵列324’向上移动，例如，向上运动0.180"以允许滑闸320’使输出晶片移动通过其接触表面。在此，WH阵列324’示出为空的，接触表面打开。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。再参照图24G，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括使滑闸320’水平地移动以使输入晶片与WH阵列324’的接触表面对准。在此，WH阵列324’示出是空的，接触表面向上打开。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的 位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。又参照图24H，示出保持件阵列32V和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括WH阵列324’向下移动例如0.180"以与滑闸32(V对准。在此，WH阵列324’示出为空的，并且接触表面向下打开。在此，滑闸-A示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。再参照图241、24J，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括WH阵列324’的弯曲部接近以捕获输入晶片。在此，WH阵列324’示出为完全的，并且接触表面向下关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于关闭位置。还参照图24K，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括滑闸-B的位置接触表面打开以释放输入晶片。在此，WH阵列324’示出为完全打开，并且接触表面向下关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为完全的，具有接触表面的输入晶片处于打开位置。又参照图24L，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括滑闸32(V水平地移动以允许用于取出WH阵列324’的间隙。在此，具有输入晶片的WH阵列324’示出为完全的，接触表面向下关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的位置示出为空的，具有接触表面的输入晶片处于打开位置。还参照图24M，示出保持件阵列324'和滑闸阵列320’的侧视图。在此，运动和状态包括WH阵列324’从装载器竖直地移动并且继续处理输入晶片。在此，具有输入晶片的WH阵列324’示出为完全的并且向上运动，接触表面关闭。在此，滑闸-A的位置示出为完全的，具有接触表面的输出晶片处于关闭位置，滑闸-B的位置示出是空的，具有接触表面的输入晶片处于打开位置。在公开的实施方式的替代方面中，装载器可以使滑闸阵列320’竖直地移动以接合和脱离晶片保持件阵列324’，例如，替代地，传送装置或其他装置使晶片保持件阵列324’竖直地移动。此外，在公开的实施方式的替代方面中，可能不需要晶片保持件阵列324的上、下运动。
[0173]现在参照图25A-25E，示出具有通过装载器WH台808和WH阵列818 (586)在装载/卸载操作期间在晶片水平处实现的主要竖直和枢转运动的表格。如图25A-25E所示的工作台可以用于于图24A-24M中所示的序列结合，作为滑闸运动的示例性序列来卸载重新装载WH阵列。
[0174]现在参照图26，示出装载器模块的滑闸阵列320"的局部等距视图，其中示出所公开的实施方式的可替代方面。还参照图27，示出滑闸阵列320"的局部等距视图。在示出的实施方式中，阵列320"具有一排支承件602，每个支承件具有三个晶片支承件604、606、608。每个晶片支承件具有对应于如前所述的滑闸阵列的A和B位置的两个凹槽610、612。晶片支承件604、606、608配合以关于滑闸320’如前所述地或者如前所述地在竖直方向上支承输出晶片612和输入晶片(未示出)。再参照图30A，示出装载器模块400和保持件阵列324’的局部主视图。又参照图30B，示出装载器模块400和保持件阵列324’的局部主视图。图30A示出处于插入/移除位置的PAC324’，而图30B示出打开的PAC324’，其中，打开的PAC已经相对于装载器模块400被提升1.5mm。可能需要这种小的次级运动来补偿上、下晶片接触表面之间的位置差以及弯曲部装载期间其位置的水平和竖直联接。
[0175]现在参照图28A，示出保持件阵列的等距视图。还参照图28B，示出了保持件阵列的侧视图。再参照图28C，示出保持件阵列的局部等距视图。又参照图28D，示出保持件阵列的局部侧视图。图28A-28D示出保持件818、传送装置抓取器946和处理模块支承件996。输送装置946和WH950之间的相互作用的示例性特征在图28A-28D中示出，更详细地列出在图29A-29H所示的表格中。在此，传送装置拾取机构946可以包括接触晶片保持件950的两个主要部分、固定在传送装置的自动级上的顶板1004、以及相对于顶板在竖直和水平方向上移动的一对夹具1008。每个处理平台可以包括支承WH950并将其与该模块内的重要元件对准的结构996，通常的支承结构996示出为WH阵列586沉积至其中或从其中拾取的一对板。在此，单独的WH950形成“实际阵列”586或WH阵列586，当由传送装置946承载时，WH950可能从未通过固定装置实际上彼此连接，使每个晶片与处理元件单独地对准，例如马兰戈尼、剪切板、N2气刀和靠近每个晶片表面的其他部件或相似部件，如将要更详细地描述的。
[0176]现在参照图29A-29H，示出输送装置和阵列的运动和状态表格，其示出运动的序列，以便传送装置拾起和放下晶片保持件组818，例如，在处理模块或其他模式中。在此，表格示出在传送装置与处理位置或平台之间交换的主要元件的示例性序列，其可以是装载器、剪切板模块、马兰戈尼模块、气刀模块、流体喷射模块或其他类型的处理模块。在此，WH元件950作为输送装置中的“实际阵列”818被逐个平台地传送，并且当传送装置将WH元件积淀就位时WH元件变得由各自的平台单独地精确对准。在公开的实施方式的替代方面中，可以以任何合适的组合提供更多或更少的步骤。
[0177]现在参照图31，示出适用于与系统800 —起使用的剪切板搅拌模块1050等距视图。模块1050使用IOmm的间隔的SP刀片提供在单个SP刀片1060与晶片856的表面和大约为土20mm的非重复振荡全宽(总共40mm)之间的靠近和可重复的对准(即，20mm的主要振荡全宽连同20mm的较慢频率“行走”振荡全宽)。剪切板(SP)与晶片或晶片保持件(WH)之间的两种示例性类型的对准可能包括SP到模块框架和WH直接到模块框架或WH直接到SP,以及SP到模块框架。前者的优点在于更小的公差累积和晶片表面与SP搅拌表面之间的更紧密的对准，而后者具有的优点是不使用用于移动对准的WH表面，从而去除WH对准特征的表面抛光的一些制造上的限制。包括剥离的热流体处理的问题在于流体上方的水平表面上的冷凝以及避免由于该冷凝导致的污染。具有狭槽的可移动盖可以用于包括SP模块1050内的蒸汽，并且可以使用相同的运动以将WH在垂直方向上夹持就位，以抵抗由剪切板施加至晶片表面的振荡垂直力。将晶片保持件与模块框架结构而不是与剪切板对准不需要SP的振荡导向轮以抵靠WH表面。在所示的实施方式中，罐1062保持处理流体，例如光刻胶剥离剂、IPA、或DIW，其中，剪切板组件浸入到处理流体中并且WH阵列586插入或移除到处理流体中。内部框架1066支承WH阵列586并且包括精确定位的导向轮。一系列导向轮组相对于框架对准剪切板，并且一系列导向轮组相对于框架对准WH。合适的线性马达和轴承组件(未示出)可上下驱动剪切板1060，以搅拌晶片表面紧前方的流体。也可以使用旋转马达和偏心凸轮系统，如将要更详细地描述的。合适的自动化机构可以将WH586垂直地移入用于处理的处理模块中，并且在处理完成时竖直地移除它们。现在参照图32A-32C，示出剪切板模块1050的主视图。在此，图32A示出剪切板处于向下位置的正视图；图32B是剪切板处于中心位置的正视图，且图32C是剪切板在向上位置的正视图，具有40mm的典型总行程，其适用于具有±10mm的主要行程和± IOmm的第二轮廓的剪切板运动轮廓。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供其他合适轮廓或行程。在所示的实施方式中，对于每个剪切板1060，四组导向轮可以限制其水平地平行于其表面并且垂直于其表面同时允许沿竖直地平行于其表面的方向的运动的位置。类似地，每一侧上具有五个的十个轮组类似地限制沿水平和垂直方向而同时允许垂直插入和去除WH586的组的运动的WH950中的每个。WH和剪切板导向轮组之间的精确对准可以加工在框架元件上，使得晶片上的所有的点从剪切板表面定位成在正负0.5和1.0mm之间或可替代地3_或其他数值的范围内。WH对准可以包括更多轮组(10对4)，以便提供导入距离以在晶片靠近剪切板之前完全对准每个WH950和每个晶片856，从而避免晶片和剪切板之间的冲突。还参照图33A-33C，示出插入到剪切板模块1050内的晶片保持件阵列586。用于WH950的导向轮相对于图33A-33C的右侧位于框架的内侧1070上，并且用于剪切板1050的导向轮相对于图33A-33C的左侧位于每个框架元件的外侧1072上。在每个导向点处，一对轮子沿垂直于晶片表面的方向对准WH，单个轮子限制在平行于晶片表面的方向上的WH位置；在相对的平行导向点处的一对轮组完全限制在垂直和平行两个方向上的WH，同时允许用于WH插入和去除的竖直自由度的运动。类似地，在用于剪切板的4个引导点的每个处，一对导轮限制在垂直于其表面的方向上剪切板，一对限制沿平行于其表面的方向的剪切板，这对相对轮组完全限制沿平行于其表面的方向的剪切板。还参照图34，示出模块1050的端截面视图。
[0178]还参照图35，示出模块1050的等距截面视图。浸溃流体处理的一个方面是确保均匀宏观流体流到每个晶片，其中新的溶液被注入处理容器的底部，溢出靠近处理容器1062的顶部的溢流坝1080，其中溢流坝设定溶液在罐中的液位。图34示出靠近晶片的顶部的详细横断面视图，其中单独的流体溢流坝1080承载用过的流体远离每个单独晶片的区域。图35示出通过罐1062的整个高度的截面，流体输入歧管和孔示出在用于每个SP1060的容器的底部。在替代实施方式中，新的流体可以在模块的靠近每个晶片表面的顶部注射并且从罐的底部泵送，而无需设置溢流坝。剪切板1060可以通过一个或更多个线性马达驱动或可以悬臂地安装于轴承，例如，安装在工具的处理管道侧以及由线性驱动马达、滚珠螺杆或其他装置驱动。图35示出这样的结构的底部，其中溢流坝穿过基板724，并且可以在焊接到输入歧管1100之前从该基板的底部焊接，输入歧管1100通过一排尺寸是0.06"的孔1102或这样的孔沿Y方向在每个晶片保持件之下联接到单个晶片保持件。所示的坝状盒结构可以附接到工具框架以及将晶片保持件与传送装置对准，其中该结构因此可以承载来自剪切板搅拌器的线性运动的惯性载荷，并且可以是1/4不锈钢箱或其他。使用用于化学品返回的重力是指此座置于流体贮存器中。溢流坝高度可以通过高于剪切板确定以避免飞溅，并且流体高度可以相当接近于溢流坝以使溢流坝通道的内侧上氧化最小化。具有最小横截面积的晶片保持件的插入与使用I"厚的实体晶片保持件的电镀单元相比几乎是不移位的，因此装载和卸载之间的流体改变可以是最小的。漏勺状细筛不锈钢过滤器可以放置在溢流坝中以捕捉抗蚀颗粒，有效利用溢流坝的显著高度。所示的溢流坝开口可以仅为0.5"或其他尺寸，其中开口可被密封用于漏勺状件，可替代地，单元可以具有带有作为平板焊接就位的不锈钢滤网的实心钢侧面。在所示的实施方式中，单独的流体输入设置在容器和流体溢流坝的底部部分中，并且在罐的顶部部分设置有用于每个晶片的单独的输入和输出装置的排放装置。晶片特定的输入和排放装置的组合移除从每个晶片以可重复的方式溶解的材料。在替代实施方式中，仅单个的输入歧管可以设置在整个罐的底部，并且可以在罐的一个或两个顶部边缘上设置单个溢流坝排放装置。在所示的实施方式中，单独的溢流坝1104被定位在每个晶片保持件之间，以更好地确保流体流动的晶片到晶片的可重复性。溢流坝高度可以通过高于剪切板来确定以避免飞溅，并且流体高度可以相当接近于溢流坝以使溢流坝通道的内侧上的氧化最小化。转换器可以提供例如水平或压力传感器或其他设备，以提供何时改变和清洁漏勺状件的自动信号。在公开的实施方式的替代方面中，模块1050的特征可以类似地应用于涉及喷嘴阵列、单个或批量马兰戈尼干燥、浸没和浸泡或者其他单独或组合的处理应用。
[0179]现在参照图36A,示出批量晶片保持件421和批量处理模块471。还参照图36B,示出批量晶片保持件421和批量处理模块471。竖直流体处理471的一个实施方式还包括用于移除不期望的光致抗蚀剂残留物的设备。该处理模块可包括由线性马达483相对于流体罐481移动的剪切板组件473。如图所示，晶片保持件421通过安装在剪切板组件473上的轮子与剪切板对准。在该实施方式中，每个晶片的仅前侧或抗蚀剂承载侧通过剪切板搅拌，而定位在每个晶片的背面上的是引导流体通过筛以捕获从相邻晶片的前侧移除的大的抗蚀剂颗粒和碎屑的流体溢出排放隔室。图36B示出定位在剪切板处理模块471上的六个晶片保持件421的批次421，图36A示出插入到剪切板处理模块471中并且定位成用于处理的六个晶片保持件的批次421。处理模块471包括具有输入和排出歧管的外部罐481、具有导向轮485的剪切板阵列473、和定位在罐的拐角处的线性马达483，线性马达483以选择性地受控的竖直往复的图案的方式驱动剪切板阵列473。所公开实施方式的一个方面是单个晶片保持件与剪切板组件473对准，如更加详细地阐述的。
[0180]现在参照图37A，示出剪切板搅拌模块1050的局部等距视图。还参照图37B，示出剪切板搅拌模块1050的局部等距视图。图37A和37B示出插入到内部框架或从内部框架取出的晶片保持件阵列586，其中每个保持件950单独地接合三个导向轮组1076，其中另外的导向轮组1076位于上部三个之下，以独立于保持件阵列586的其他保持件、相对于每个相应的剪切板1060将每个保持件950明确地定位在保持件586的阵列中。如将要更详细描述的，每个剪切板1060可以独立地定位在导轮的单独组上，并且相对于其他剪切板在垂直方向上独立地移动。还参照图38A，示出剪切板搅拌模块1050的局部等距视图。还参照图38B，示出剪切板搅拌模块1050的局部等距视图。每个导向轮组1076具有接合保持件950的腿部的前侧、外侧和后侧的三个导向轮1078、1080和1082。在此，保持件950具有弹头尖端或引入特征，其具有设置在保持件950插入到框架1066内期间未对准的情况下的前侧锥形1086、外侧锥形1088和后侧锥形1090。还参照图39A，示出导向轮组件1080的局部等距视图。再参照图39B，示出导向轮组件1078的等距视图。现在参照图40A和40B，示出剪切板模块1050的主视图。在此，图40B示出具有处于向下位置的剪切板1060的正视图，并且图40A示出处于用于40mm的典型完全宽度的向上位置的剪切板的主视图，其适于具有± IOmm的主要行程以及具有± IOmm的次级轮廓的剪切板运动轮廓。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供其他合适的轮廓或行程。又参照图41，示出剪切板搅拌模块1050的局部等距视图。图41示出可以具有类似于导向轮组1076的特征的导向轮组1108。在此，引导轮组1108可以设置成引导剪切板搅拌构件1060。可以设置多个导向轮组1108，例如，在导向轮组1108的上方和框架1066的相对侧上来相对于相应的保持件950确定地定位剪切板搅拌构件1060。在此，每个保持件相对于在保持件阵列586中的其他保持件独立地移动和定位，其中每个保持件相对于框架1066内的每个搅拌构件950确定地和单独地定位。
[0181]现在参照图42A，示出剪切板1060。还参照图42B，示出剪切板1060的一部分。剪切板制造可以包括间距为IOmm或其他尺寸且厚度为Imm或其他尺寸的刀片1110以及340mm或其他尺寸的开口跨度的刀片1110，其几何形状还进一步限定板1060的高度和宽度。例如，基于20mm的主循环与IOmm的次循环的运动，对于距离中心总的加上或减去15mm的运动，可以在每个上半部和下半部中具有17个刀片。在公开的实施方式的另一方面，刀片行程、刀片数量可以优化，例如以提供另外的搅拌以及在叶片之间保留足够的空间，以确保抵抗“蒙皮”不被卡滞在剪切板结构中。板1060可以由不锈钢316制成，例如，各刀片可以重1.63磅。光重量孔可设置在底部边缘和顶部边缘中，并且例如，可以具有彼此的以及距离梁的边缘的0.15mm的最小距离。侧梁1112、1114可以是约0.4英寸宽或其他尺寸。凹口可以设置在侧梁中用于与晶片保持件前侧导轮的间隙，这些特征的定位可以从剪切板承窝/阵列组件来驱动，其中侧板可以限定车轮位置。在公开的实施方式的替代方面中，可以设置任何合适的剪切板搅拌构件的几何形状。又参照图43A和43B，示出具有准备插入到槽组件1062的保持件阵列586内的框架组件1066。再参照图43C，示出具有剪切搅拌构件驱动组件1120的框架1134上的罐组件1062的等距视图。在所示的实施方式中，驱动组件具有主要振荡驱动器1122和次级振荡驱动器1124。在此，主要振荡驱动器1122以高频主要振荡运动移动每个剪切板950，而次级振荡驱动器1124以低频次级振荡运动移动剪切板950的组。主要和次级振荡运动可以是正弦运动、修正的正弦运动、阶梯形运动或任何合适的选择性振荡运动。主运动驱动器1122示出为具有在框架1132上连接到凸轮排放装置1128的伺服致动器1126，其中凸轮系28具有8个分离的偏心装置，每个偏心装置联接到单个联接特征1130，其中联接特征1130将凸轮系偏心装置联接到每个剪切板搅拌构件1060。在所示的实施方式中，每个偏心装置为例如45度相位，其中高频主要运动具有每个剪切板搅拌部件，剪切板搅拌部件类似地相对于相邻的搅拌构件以45度相位操作。可替代地，可以提供任何合适的相位或相位的组合。此外，如果不同数量的保持件被构造成相对相位迟滞，那么每个相位之间可以是划分成360度或其他度数的多个保持件。次级运动驱动器1124示出为具有在框架1134上的伺服致动器1136，伺服致动器1136通过同步皮带或其他结构联接到第一和第二驱动轴1138、1140。第一和第二驱动轴1138、1140各自具有将框架1134联接至框架1132的两个偏心装置，使得第一和第二驱动轴1138、1140的旋转使框架1132相对于框架1134竖直地移动，由此使得具有剪切板1060的主要驱动器1122作为一组移动。在此，主要驱动器1122在构件1060位于不同相位角的情况下使剪切板搅拌构件1060以高频移动，而次级驱动器1124使剪切板搅拌构件1060以低频率移动，构件1060作为相位中的组在频率下一起移动。在公开的实施方式的替代方面中，可设置不同的驱动装置，例如线性电动机驱动或其他装置。例如，在公开的实施方式的替代方面中，可以设置驱动一个或更多个搅拌部件的线性马达驱动器，其中可以通过线性马达驱动器提供主要和次级运动。在公开的实施方式的替代方面中，所有搅拌构件可以在相位中或相对相位的任何组合中被一起驱动。
[0182]根据公开的实施方式的另一个方面，提供用于对布置在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统1050。该系统1050的处理模块或处理部分具有框架和多个搅拌构件1060以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面。基板保持件组件586具有保持件框架946和多个基板保持件950，多个基板保持件中的每个联接至保持件框架并且构造成保持基板，使得不同的基板由基板保持件组件中的每个基板保持件保持，用于与其作为一个单元传送至处理模块1050以及从处理模块1050传送。基板保持件组件以及基板支承件组件中的每个基板保持件可移除地连接到处理模块框架，并且当联接到处理模块框架时，每个基板保持件可独立地移动并且可相对于基板支承件组件586的其他基板保持件定位。多个搅拌构件中的每个搅拌构件1060可以独立于多个搅拌构件中的其他搅拌构件竖直地移动(见图43C)。基板的表面处于大致竖直方向。处理模块框架可以包括流体罐1062。多个基板保持件中的每个可以可拆卸地连接到保持件框架。基板保持件组件作为一个单元能够从处理模块框架移除。基板保持件组件中的每个基材保持件能够独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架移除。基板保持件组件586具有多个基板保持件950，并且构造成将一个或更多个基板作为一个单元在处理部分和另一位置之间传送，基板保持件组件和每个基板保持件被构造成可移除地连接到处理部分框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持至少一个基板。处理部分框架具有对准特征1076，对准特征布置成使得在基板保持件组件与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件中的每个基板保持件交接，并且将每一个基板保持件相对于处理部分的搅拌构件1060以可重复对准的方式定位在每个基板保持件和处理部分框架相应的联接处。多个基板保持件构造成将基板作为一个单元批量传送。模块框架具有插入导向装置1076，并且每个基板保持件具有配合导向装置，配合导向装置取决于每个基板保持件并且对应于插入引导件。插入引导件和配合引导件构造成使得在联接基板保持件和模块框架时，插入引导件接纳每个基板保持件的相应的配合引导件，配合引导件使基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个搅拌构件中的相应的搅拌构件1060可重复地对准。
[0183]现在参照图44，示出马兰戈尼干燥器模块290的示意图。如将要更详细描述的，示例性马兰戈尼干燥系统290允许对在晶片保持件上的晶片进行清洁干燥。马兰戈尼干燥器喷出一束溶剂蒸汽——例如异丙醇(IPA)或其他物质——其靠近当将晶片从去离子水(DI)水浴拉出时的吃水线。水与溶剂之间的表面张力差异使弯液面变薄，并将水从晶片拉回到浴水中。在所示的实施方式中，马兰戈尼干燥系统290具有IPA蒸汽输送系统和处理模块310。模块310具有连接到马达控制器302和模块控制器220’的线性马达1300，其可选择地和可控制地缓慢地将晶片保持件270’从DI水浴1306托起。在公开的实施方式的替代方面中，可以使用其他合适的驱动器。在公开的实施方式的替代方面中，保持件270’可以是固定的，模块310的部件是可移动的。在公开的实施方式的替代方面中，保持件270’和/或模块310能够单独地或分别地或独立地相对于彼此移动。如将示出的，根据一个示例性的实施方式，晶片保持件270’可以保持两个相对的晶片(A&B)。因此，处理模块310和蒸汽输送系统1308能够在A1312和B1314侧晶片处引导IPA蒸汽。在公开的实施方式的替代方面中，蒸汽可被引导到单个晶片或晶片的一侧或单个晶片的相对侧。类似地，马兰戈尼模块310可以具有其他子系统，它们中的每一个可以具有A侧和B侧。此外，以及如将在下面更详细地描述的，系统290可以支承平行的单晶片干燥构造中的多个晶片的干燥，其中可以设置多个模块或模块310的子部件和/或1308，以便以平行方式处理多个晶片保持件中的多个晶片。去离子水(DIW)浴1306具有溢流坝1316和排放装置1318。在此，DIW以光滑的方式流过溢流坝1316。IPA蒸汽注射系统1322在溢流坝1316正上方引导IPA蒸汽。氮气净化系统1326可用来防止晶片氧化，同时使晶片降下到DIW浴1306中。氮气刀1330可以用来从晶片上方的晶片保持件270’的部分吹落液滴，使得液滴不会落到清洁干燥晶片表面上。晶片保持件运动系统1300可以具有线性马达，其例如用来使晶片保持件270’迅速降下到DI浴1306和溢流坝1316内，以缓慢地向上推动晶片保持件270’。IPA蒸汽输送系统(VDS) 1308可以是在市场上可得到的化学品或蒸汽输送系统,例如，由纽约Saugerties的精确流动技术公司提供的输送系统。IPA蒸汽输送系统(VDS) 1308可以具有可手动或以其他方式再填装的IPA储存器或罐以及可以是容器中的容器的IPA起泡器。VDS1308将IPA保持在恒定温度，以在下列97%的N2流1354中保持恒定的3%的IPA浓度。在公开的实施方式的替代方面中，可以使用具有不同蒸汽和气体组合的不同浓度。如将要描述的，溶剂排放装置1334连接到由CDA供给装置1338供给的文丘里泵1340，其中溶剂排出装置1344排出排气物1358、1360。N2供给装置1362供给用于IPA VDS1308的氮气，作为用于在3%IPA蒸汽1354中的97%N2浓度的源。N2供给装置1342和1346分别支承N2气刀1330和N2净化分配管1326。DI水供给装置1350也可以提供用于DIW浴1306的水源。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的特征。举例来说，可以不提供N2净化分布管和/或N2气刀。通过进一步的示例，多个IPA蒸汽注射歧管可以设置在构造中以干燥平行的单晶片构造中的每个基板的一侧或两侧，其中，具有多个晶片的多个保持件由多个IPA蒸汽注射歧管干燥。同样地，可以提供任何合适的组合或构造。
[0184]现在参照图45，示出适用于在平台200内与在图44中示出的马兰戈尼系统290 —起使用的用于马兰戈尼干燥的处理流程图1380。在执行处理流程1380之前，系统290可以被初始化1384，包括确保CDA供给装置1338打开并且处于压力下，以确保IPA蒸汽排出到溶剂排出歧管内。进一步地，DI溢流坝1316的流动能够被启动并且在不足或过度的溢流可以中断马兰戈尼处理时被检查处于范围内。进一步地，VDS系统1308可以根据需要被加温以确保适当的IPA蒸汽百分比。步骤1386初始化在顶部位置的线性马达1300，并且保证线性马达系统1300位于顶部位置并且准备接受晶片保持件210'。启动N2净化的步骤1388提供在传送装置运动之前启动净化，并给予用N2来填充处理单元的足够的时间。在此，步骤1388的目的是在保持件270'的降低期间避免晶片的氧化。步骤1390例如通过输送自动化装置280将晶片保持件传送到处理单元，将晶片保持件270’切换至线性马达系统1300。步骤1392将晶片保持件下降到N2气刀位置。在此，在该位置，晶片可以部分浸没在DI水中。保持件270’可以在该线性马达系统300的位置处短暂地停止。步骤1394启动N2气刀1330。步骤1396停用N2净化1326。步骤1398将晶片保持件270’继续下降至底部位置。在此，气刀1330在该处理步骤期间将干燥晶片保持件的最顶部部分。步骤1400停用N2气刀1330。步骤1402为中间突起设置线性马达1300的值，并且准备用于中速提升操作的线性马达1300。步骤1404将晶片保持件提升到IPA蒸汽略微高于晶片底部的位置。步骤1406设置用于低突起的线性马达1300的值以将晶片提升速度减小到低速，以便改善WH270’的靠近晶片边缘的基部区域和晶片保持件270’的处于晶片的边缘处的接触环形密封唇部的干燥。在公开的实施方式的替代方面中，晶片保持件不可能具有例如利用保持件的接触环形密封件，其中晶片被保持在晶片的边缘的部分处，晶片完全浸入DIW浴1306中。步骤1408使晶片保持件270’升高到顶部位置。在此，晶片和晶片保持件将是干燥的，并且完成晶片的干燥处理。步骤1410禁止DI溢流坝1316流，并且还可以按照马兰戈尼干燥器系统290的需要停用其他适当的子组件。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的步骤来支承系统290的单个和/或多个部件和子部件以及与公开的实施方式相关。在公开的实施方式的替代方面中，可以以步骤的任何合适的类似或不同的序列提供相同的、更多或更少的步骤。
[0185]现在参照图46A和46B，分别示出溢流坝1316’的局部等距视图和俯视图。还参照图47A、47B和47C，分别示出示例性并列单晶片处理模块310’的等距视图和两个侧视图。又参照图48A、48B和48C，分别示出示例性并列单晶片处理模块310’的两个等距视图和俯视图。再参照图49 A和49B，示出示例性并列单晶片处理模块310’的侧视图。在示例性并列单晶片处理系统310的实施方式中，图47A、47B、48A和49A示出将单个晶片保持在升高位置的多个并行晶片保持件，而图47C、48B和49B示出将单个晶片保持在较低位置的多个并行晶片保持件。在所示的并列单晶片马兰戈尼干燥模块310’的实施方式中，多个N2/IPA/DIW歧管1450可以相对于罐1454漂浮就位，并且可以独立于罐1454而对准。如下面将更详细地描述的，歧管1450结合IPA/N2蒸气喷射部，IPA/N2蒸汽喷射部结合接近DIW溢流坝和溶剂排放部的线性喷嘴，以便于干燥晶片1456的两侧。例如，系统310’示出为使用基于弯曲部的晶片保持件1460，如所描述的。可替代地，可以使用任何合适的晶片保持件。对于保持件1460，例如，与用于需要电的和流体密封表面的电镀类型的密封体晶片保持件相比，更少的水可以通过弯曲型保持件进行移位。可以在每个晶片的每个干燥或加工位置处设置足够的溢流，以确保在干燥部位的IPA-蒸汽饱和水的充分稀释。充分的流动从而维持了高输出马兰戈尼干燥所需的浓度梯度。促进跨过所有处理位置的溢流的示例性设计特性可以包括例如以在大约Imm或其他尺寸内的平衡高度溢流坝。促进跨过所有处理位置的溢流的另外的示例性设计特性可以包括所有的或相当大一部分的溢流坝被永久性地润湿的溢流坝设计。举例来说，这可以通过具有凹口的溢流坝沿如图46A和46B所示的平行于以及垂直于晶片的两个方向来完成，从而促进溢流，甚至用于具有稍低的溢流坝高度的干燥处理位置。促进跨过所有处理位置的溢流的另外的示例性设计特性可以包括用于在公共贮器中产生的流体搅拌的机构1464，从而促进溢流，甚至用于具有稍低的溢流坝高度的干燥处理位置。在此，机构1464可以是振荡板、非轴对称旋转系统、振荡波纹管、柱塞、具有致动阀的泵或产生波浪和流体运动以促进局部溢流的任何其他合适的方法。在所示的实施方式中，示出保持件1460的8个晶片阵列，其可以增大或减小至任何合适数目，例如，扩大至13或用于更高产出的其他数目。在所示的实施方式中，用于将保持件传送至装载器274、模块210和马兰戈尼干燥器310’以及将保持件从装载器274、模块210和马兰戈尼干燥器310’传送的传送装置280的行进方向282可以平行于晶片。在公开的实施方式的替代方面中，可提供行进的任何合适方位或方向。如图所示，在UP或提升位置中示出的模块310’的Z-级1470从传送装置280接收具有晶片1456的保持件1460。在此，Z-级1470可以具有联接到竖直承架的保持件支承件1472，承架通过引导件1476引导并且由诸如线性马达驱动器或沿竖直方向的任何合适的驱动器1478的合适的驱动器驱动。如在晶片1456完全浸入DIW1482的向下位置中示出的Z级1470中所示，Z级1470可以由此通过线性IPA喷嘴排放和溢流坝(LINEW)组件1450缓慢地提取晶片。在所示的实施方式中，处理管(为清楚起见未示出)的可以沿X方向1484从每个LINEW的端部从模块310’侧面伸出，以及能够朝向的工具200的后部转弯90度到处理支承区域284内。在所示的实施方式中，夹持件支承件1472可以提供用于柔性和/或允许保持件1460的组的每个单个保持件之间的相对移动，其中每个单个保持件没有联接到保持件阵列1460的任何其他单独的保持件。可替代地，保持件阵列1460可提供每个单独的保持件之间的柔性。在此，并且如将在下面更详细描述的，保持件阵列1460内的每个单独的保持件可以相对于歧管1450的单独的保持件的相应部件独立地定位在模块31(V内。例如，如将会示出的，晶片保持件1460可以与构造于LINEW阵列1450内的对准轮接合，使得阵列1460内的每个WH与阵列中的LINEW元件中的每个元件精确地对准。在此，传送装置280的向保持件支承件1472的下落运动可以包括与对准轮的柔性接合，由此避免了对限制围绕ΘΧ轴线的旋转(B卩，围绕平行于晶片表面的轴线的旋转)的Z级托架的需要。在所示的实施方式中，用于工具200的XY基准面可以是传送装置280和Z驱动器1470之间的切换位置，在该位置中，用于干燥模块310’的罐1454从而可以比用于诸如剪切板模块或其他合适模块的其他处理模块的罐更低。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供例如气刀模块、Ν2净化分配模块或其他模块的任何适当的模块。[0186]现在参照图50A-50C，示出线性IPA喷嘴排放和溢流坝(LINEW)组件1450的截面图。在所示的实施方式中，线性IPA喷嘴排放和溢流坝组件1450具有歧管1510、1512和1514，每个歧管具有N2/IPA输入部1520、N2/IPA蒸汽注射部1522、DIW溢流坝1524、N2/IPA输出部1526和DIW输出部1528。在所示的实施方式中，输入部与输出部连通并共用歧管阵列的每个歧管或单个LINEW上的两个相对的N2/IPA蒸汽注射部和两个相对的DIW溢流坝部。在公开的实施方式的替代方面中，更多或更少的部分可以是共用的或分离的。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的歧管。在所示的实施方式中，在DIW水平1530处的DIW溢流坝溢流直接流入LINEW歧管本身，从而避免需要提供向下进入次级容器的单独的DIW返回路径。在图50A中，示出例如用于一个或两个晶片保持件阵列的通过LINEW歧管1510、1512、1514的液体和N2/IPA蒸汽流。在此，歧管的LINEW阵列座置在DIW1582的罐1454中，使得DIW的输入泵送装置1532使其向上1534、1536、1538、1540流经歧管的LINEW阵列中的槽1542、1544，并且流过1556由下部LINEW歧管元件1552的溢流坝边缘1550形成的单个溢流坝1524，使得DIW水平1530仅稍高于溢流坝边缘1550。DIW输出装置流经一排槽1560以及流入连接至每个LINEW歧管的一端上的管的交叉孔1562内。IPA/N2的蒸汽从LINEW歧管的一端进入并且沿着通过形成在LINEW歧管的顶部元件1570与中间元件1572之间的腔体的喷嘴水平地(S卩，进/出图50B的页面)分布。一排横槽1574用作分配歧管，以便将IPA/N2均匀地供给到喷射槽1576中，喷射槽1576例如可以是顶部LINEW歧管元件1570和中间LINEW歧管元件1572之间的处于其外边缘处的0.01"或其他合适尺寸的间隙。通过由上部中间LINEW歧管元件572与下部中间LINEW歧管元件1553之间的封闭腔形成的水平通道1580将排放流从LINEW歧管推出，其中通道可以位于与通道1562连通的通道1580中。在此，排放流沿着LINEW歧管长度的均匀性由将DIW从溢流坝边缘1550传送到流体输出通道1562的下部元件1552中的同一排的槽1560控制。大部分水从排放流滴入排出管道1562内，而IPA/N2连同环境大气气体(空气)通过排放负压由排放管道1582推出LINEW歧管。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供任何合适的歧管构造。还参照图52,示出歧管阵列1450的截面图。在所示的实施方式中，示出一排螺栓1600,其用于将LINEW歧管1514的四个部分1570、1572、1552、1553夹持在一起，以利用旋拧到下部元件1552内的螺栓1600形成输入IPA/N2通道和排放通道。在公开的实施方式的替代方面中，可以使用具有更多或更少部分的任何合适的夹持或制造方法。再参照图51A，示出线性IPA喷嘴排放和溢流坝歧管组件1450的等距视图。又参照图51B，示出线性IPA喷嘴排放和溢流坝歧管组件1450的剖面图。组件1450具有溢流坝排放板1552和顶板1570。IPAN2入口 1630与每个喷射器的IPA入口通道1520连通。IPA排气装置1632与每个喷射器的IPA排气通道1526连通。排水装置1643、1636、1638、1640与排出通道1562连通，排出通道1562与每个溢流坝的排放管道1528连通。再参照图51C，示出溢流坝排放板1552的俯视图。还参照图51D，示出溢流坝排放板1552的剖面图。在此，溢流坝排放板1552用作结构支承件，并提供溢流坝/DIW排放。如图5IC所示，水排出通道1643、1636、1638、1640与排出通道1562连通，排出通道1562进一步与每个溢流坝1524的排出管道1528连通，其中DIW流过每个溢流坝1524的边缘1550并且通过排出部1634、1636、1638、1640排出。在所公开的实施方式的替代方面中，可以将各个溢流坝降低至边缘1644和1646以便于排泄。在此，每个溢流坝可以被返回切割、逐渐变细或以其他方式改变。由于这种降低的边缘，所述流被引导成平行于晶片表面，其中溢流坝可以在晶片的直径外侧的边缘处排放。如图51D所示，在所公开的实施方式的替代方面示出两个水平的溢流坝1524。溢流坝1524示出为具有主要溢流坝1550和次级溢流坝1650。水流过主要溢流坝1550填充通道1652，然后流过次级溢流坝1650进入排放通道1528，然后到达排放通道1562。通道1652用作定位在主要溢流坝和次级溢流坝之间的贮水器，其中主要溢流坝和次级溢流坝之间的高度差可以小于毛细长度或大约是2_或其他尺寸。这允许主水源与贮器之间的流体连通，促进主溢流坝的润湿以及增加流过溢流坝的均匀性。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供任何合适的溢流坝几何形状。现在参照图53A，示出线性IPA喷嘴排放和溢流坝组件1450中的保持件的等距视图。还参照图53B，示出线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件1450中的保持件的等距视图。在所示的实施方式中，3排3个辊1620各自设置成限制保持件270’的每个腿部，使得晶片1456的表面与IPA蒸汽喷射装置和线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件1450的溢流坝部分保持预定距离。在公开的实施方式的替代方面中，可以相对于IPA蒸汽喷射装置和线性IPA喷嘴排放装置和溢流坝组件1450的溢流坝部分提供更多或更少的辊或保持件270’和/或晶片1456的其他合适的导向和定位。
[0187]根据公开实施方式的另一个方面，提供用于干燥液体中的基板表面的宽度的基板干燥装置310’。基板干燥设备310’具有包含液体的液体罐1454。注射喷嘴1576联接到液体罐，注射喷嘴具有横跨基板的表面的宽度的连续的刀状边缘喷射表面。排出装置1524被联接到注射喷嘴，排出装置具有大致平行于连续的刀状边缘喷射表面并且横跨基板1456的表面的宽度的连续排出表面。液体在连续排出表面和基板的表面的宽度之间形成弯液面。注射喷嘴在弯液面处引导蒸汽。基板处于大致竖直的方向。基板联接到保持件，保持件和基板相对于注射喷嘴和排出装置可移动。连续排出表面1524形成基本上永久性地润湿的溢流坝。连续排出表面形成沿平行于和垂直于晶片表面的方向形成凹口的溢流坝。基板干燥装置还可以具有适于补充液体的液体贮槽，液体贮槽具有用于搅拌液体的流体搅拌机构。排出装置可以包括具有下部排液部分1528和上部排气部分1526的排放歧管。系统310’可以是用于干燥液体中的基板表面的宽度的马兰戈尼干燥设备。注射喷嘴可以联接至组合的液体和蒸汽排出装置。组合的液体和蒸汽排出装置具有大致平行于连续的刀状边缘喷射表面1576的连续的排出表面1524。连续的刀状边缘喷射表面和连续排出表面连续跨过晶片的宽度。蒸汽沿着连续刀状边缘喷射表面的长度注射到形成在基板的表面和组合液体和蒸汽排出装置之间的弯液面，并且其中，液体和蒸汽流入组合液体和蒸汽排出装置中。根据所公开的实施方式的另一个方面，提供用于干燥液体中的多个基板的相对表面的多个基板干燥设备310’。多个基板干燥设备具有包含液体的液体罐。多个歧管1450中的每个歧管靠近基板的相对表面中的每一个，每个歧管具有联接到液体罐的注射喷嘴。每个歧管具有联接至注射喷嘴的排出装置，排出装置具有大致平行于连续刀状边缘喷射表面并且跨过基板的表面的宽度的连续排出表面。液体在每个连续排出表面和基板的表面的每一个的宽度之间形成弯液面，并且其中，注射喷嘴在弯液面处引导蒸汽。
[0188]现在参照图54，示出适于与保持件706 —起使用的马兰戈尼干燥模块700的等距视图。还参照54，示出适于与保持件706 —起使用的马兰戈尼干燥模块700的横截面图。在所示的实施方式中，保持件706可以将两个晶片支承在保持件706的两个相对侧上，其中两个晶片各自仅具有暴露到DIW浴的单个外部表面，例如，两个接触环密封件(CRS)设置有保持件706以密封晶片的外部边缘并且将晶片的内部表面以及保持件706的内部部分与DIW浴隔离。马兰戈尼干燥模块700具有带有配重712的线性马达竖直驱动器710，配重712使驱动托架与保持件平衡重量，以选择性地以所需的可选择速率和运动轨迹升高和/或降低保持件706。马兰戈尼干燥模块700具有相对的IPA喷射器模块716、720、相对的N2净化分配模块724、726和相对的气刀模块730、732。支架736可以提供用于控制阀。在所示的实施方式中，N2净化歧管示出为处于具有配合在IPA喷射器的入口和出口上的世伟洛克(Swagelok)的IPA喷射器的上方。N2净化歧管724被示出为具有均匀隔开的孔746的管。管被示出为通过安装法兰螺栓连接到容器板748的侧面，并且示出为具有螺纹连接到一端的管。外连接件世伟洛克配件示出为用于IPA喷射器入口 750和排出口 754。在此，可以在IPA歧管螺接至容器支承板后安装配件。在公开的实施方式的替代方面中，可提供任何合适的歧管的几何结构、配件或连接件或其他配件。示出的N2净化装置724、726防止在晶片从净化封闭传送环境切换期间的氧化。底板760具有(2)DIW/溶剂排放孔762、764和用于马兰戈尼干燥模块700中的DIW浴的用于DI水入口的单个孔766，如将在下面进一步说明的。图54示出马兰戈尼干燥模块700，其具有处于降低位置的保持件706 ;然而在线性马达710致动时随着配重712的降下，保持件706可升高到提升的传送位置。图55还示出具有处于较低的位置的保持件706的干燥模块700。底板760示出为具有用于DI入水口的入口中心管766与用于DI水排放的侧管762、764。外容器板780、782被密封到底部760和用于结构刚性的侧板748、768，以防止排放DI水从底板760泄漏。内部容器板784、786被密封到底部760和侧板748、768并且向上延伸到IPA喷射器716、720以将供应DIW与排放DIW隔离。气刀730、732示出为定位在IPA注射歧管716、720上方。机器HDPE块790、792示出为位于顶板794上以引导晶片保持件706就位。还参照图56A，示出具有IPA输入配件754和IPA蒸汽排放配件754的IPA喷射器喷嘴720的等距视图。再参照图56B和56C，分别示出IPA喷射器716、720以及气刀730和732的横截面，其中IPA注射歧管和气刀分别清理晶片保持件706和CRS805、807。还参照图57A，示出模块700中的底板760的局部等距视图。在此，DI入水口示出为具有联接到底板760的一系列均匀间隔孔的板813。还参照图57B，示出具有用于将板784联接到IPA喷射器喷嘴720的突柱871的板784的等距视图。还参照图58，示出具有处于降低位置的保持件706的IPA喷射器喷嘴的截面图。IPA喷射器喷嘴720具有顶部部分841，中间部分843和下部部分844，并且提供使用主要歧管表面和次级槽以扩展用于以下三个流的进入或排出流体或气体流的类似的构思:(I)强制进入的N2/IPA851和被动空气流853 ; (2)输出的N2/空气855 ；(3)溢出溢流坝并进入下部部分845的一排孔859中的DIW856。3个部分841、843、845可以通过从顶部插入的螺钉861保持在一起，以使底部部分845被螺接到溢流坝壁并且于流过溢流坝865的流体的完全视图相平。部分841、843进而可以向下螺栓连接，以限定N2/IPA流动间隙和排放腔。顶部至中间部分841、843可以沿Y对准0.04"宽的线性凸台/凹槽组合或其他，中间至下部部分843、845通过螺栓轴和平板或其他对准。顶部至中间对准限定诸如0.01+-0.02"宽的空气间隙的间隙。内部溢流坝板784和IPA注射器720之间的内部流体封闭体做成连续的或可接受的流体密封，喷射器组件720利用溢流坝板784上的突柱焊接的螺栓突柱871，注射器720被螺栓固定至溢流坝板以及推动注射器紧靠溢流坝板以实现合理的泄漏紧密流体密封。可以提供下列调整能力:(1)Θ-Υ: (S卩，使溢流坝垂直于铅垂线)，因此流体流厚度是均匀的；这意味着平行于顶板附接表面，可通过松散地将突柱装配至孔来实现；(2) Z和X位置:(即，使左右相同)与Θ -Y相同；(3)使用垫板或其他部件使Y与WH偏离；(4) Θ -Z和θ -X:没有调整，这些可以由溢流坝板的焊接来设定。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的调节。在所示的实施方式中，流体容器可以通过将注射器组件720夹靠在可以焊接到框架中的溢流坝板784来形成。现在参照图59，示出显示CRS805、807之间的间隙的N2气刀部分的横截面。气刀732具有螺接879到下部部分877的上部部分875，其中上部部分875和下部部分877的相对表面之间的间隙881形成来自N2压力源883的跨过基板表面的流体喷射。现在参照图60A-60C，示出具有马兰戈尼干燥器模块700中的两个晶片W的保持件706的截面图。保持件706具有定位特征线性突起部887，其与模块框架中的引导特征889匹配。在此，导向结构还可以包括如图60A所示的导入轮廓。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供更多或更少的特征。
[0189]现在参照图61A，示出晶片保持件2400和线性喷嘴2430的视图。还参照图61B，示出晶片保持件2400和线性喷嘴2430的视图。再参照图61C，示出晶片2300和线性喷嘴2430的视图。在所示的实施方式中，线性喷嘴2430提供流到一个或更多个晶片表面2302、2302’的均匀的气体流。一个实施方式可以具有竖直处理工具，该工具可以包括处理模块，处理模块提供均匀的和可能高速度的在晶片表面上的气流冲击。例如，该实施方式可以与用于干燥晶片的氮气流、所谓的“气刀”构造一起使用。可替代地，该实施方式可用于在进行电镀之前将稀释气体介质涂料施加于晶片表面。所公开的实施方式的弯曲晶片保持件和处理模块对准元件提供定位靠近晶片表面的线性喷嘴的能力，如下所述。在公开的实施方式的替代方面中，所公开的线性喷嘴和精确对准技术可以与用于电镀应用的密封的晶片保持件一起使用，例如，如在美国专利N0.7，445，697、美国专利N0.7，722，747和美国专利专利N0.7，727，336中所描述的，这些专利的全部内容在此通过参引并入本文中。在所示的实施方式中，晶片保持件2400相对于线性喷嘴2430通过处理模块对准引导件(未示出)定位，该引导件也相对于晶片保持件2400 (或晶片保持件相对于喷嘴)移动线性喷嘴2430，使得从喷嘴2430喷出的气体射流从底部移动到顶部，覆盖和通过晶片表面2302、2302’。图61C示出靠近晶片表面的线性喷嘴部分2430的放大横截面。在所示的实施方式中，约0.25mm厚的大约倾斜30度的线性间隙2432、2432’分别相对于晶片表面2302、2302’设置，并被定位成距晶片前侧表面大约1mm，并且朝向晶片表面2302以高速喷出气体，从而以足够大的能量冲击在表面上以替换大部分流体，使得流体的剩余薄层然后通过蒸发快速干燥。在公开的实施方式的替代方面中，可以提供其他合适的几何形状。在公开的实施方式的替代方面中，均匀精确对准的线性气体射流可能用来将气体介质材料或其他物质施加到晶片表面上。第二线性喷嘴2432'可定位成距离晶片背侧表面约5mm，并且还可以使背侧表面干燥，也避免了使晶片不利地偏转的施加显著的净气压。在公开的实施方式中，示出示例性线性喷嘴结构。两个制造件2434、2436被螺接或用环氧树脂粘合在一起，以形成一系列主要歧管和次级歧管，其供给限定如图61A-61C所示的喷嘴孔口的窄的线性间隙2432。分离块2438可以设置在歧管内以确保均匀的压力和流量分布。
[0190]现在参照图62A，示出晶片保持件2400和处理模块2450。还参照图62B，示出晶片保持件2400和处理模块2450。再参照图63A-63C，示出晶片保持件2400和处理模块2450。在示出的实施方式中，提供晶片2300关于流体处理元件2430的精确对准，模块2450利用附接至处理模块框架2454的导向轮2452，在晶片接近流体处理元件2430之前，导向轮2452接合晶片保持件腿部元件的下部部分。在示例性实施方式中，图62示出结合线性喷嘴处理元件2430之前的具有晶片2300的晶片保持件2400，其中图62B示出已经通过线性喷嘴2430的晶片保持件2400。另外，图63A-63C逐渐地示出晶片保持件2400移动就位并且通过一组导向轮2452在相反侧上被引导并且在处理期间通过例如可以是线性马达模块、传送装置280或者其他合适的设备(未示出)的系统自动部件来竖直地引导。在示出的实施方式中，晶片保持件2400在晶片2300与线性喷嘴2430接近之前通过导向轮2452接合，因此避免了在竖直运动的处理阶段期间在获得线性喷嘴2430相对于晶片2300的封闭空间的特征的同时晶片2300接触线性喷嘴2430并且引起对晶片表面的损坏的风险。在此，附接至处理框架2452的轮2452在晶片2300进入线性喷嘴2430的紧密空隙2456之前引导晶片保持件2400到最终位置。替代地或与所公开的实施方式结合，处理框架引导元件可以用在例如剪切板流体浸没和搅拌、马兰戈尼干燥和扫描喷嘴阵列的其他实施方式中，其中该引导方面还可以例如在光阻去除系统或其他系统中应用至例如之前描述的六个晶片保持件批次的成批的晶片保持件。相对于成批应用，单个引导元件可以设置用于批量内的单独保持件或者替代地可以设置更少的引导元件。
[0191]现在参照图64，示出晶片保持件阵列2500和处理模块2545中的线性喷嘴组2530的视图。还参照图65A，示出晶片保持件阵列2500和线性喷嘴阵列2530的视图。再参照图65B，示出被取出或插入线性喷嘴阵列2530中的晶片阵列230(V的视图。又参照图65C，示出由线性喷嘴组2530通过的晶片阵列2300'的视图。在示出的实施方式中，线性喷嘴2530为一个或更多个晶片表面2302' ’ ,2302 / ’ '提供均匀的气流。一个实施方式可以具有竖直的处理工具，该竖直的处理工具可以包括提供均匀和可能的高速度、晶片表面上的气流冲击的处理模块。该实施方式可以例如与用于干燥晶片——所谓的“气刀”构型——一起使用。可替代地，该实施方式可以用于在电镀之前对晶片表面应用稀释的气体涂层。所公开的实施方式的弯曲晶片保持件和处理模块对准元件提供将线性喷嘴定位在晶片表面附近的能力。在公开的实施方式的替代方面中，所公开的线性喷嘴和精确对准技术可以与例如如在美国专利N0.7，445，697、美国专利N0.7，722，747、美国专利N0.7，727，336中描述的用于电镀应用的密封晶片保 持件一起使用，所有这些专利的内容通过参引合并到本文中。在示出的实施方式中，晶片保持件阵列2500中的每个保持件通过处理模块对准引导件(未示出)相对于线性喷嘴2530中的每个线性喷嘴定位，该处理模块对准引导件同时相对于晶片保持件2400移动线性喷嘴2530 (或者相对于喷嘴阵列移动晶片保持件阵列)，使得从喷嘴2530发出的气体射流从底部移动到覆盖并通过晶片表面2302 ^ ’ ,2302 ; ’ '的顶部。图6?和65E75出线性喷嘴部分2530的在晶片表面附近的放大的横截面。在不出的实施方式中，倾角大约45度的约0.25mm厚的线性空隙2532、2532 ^分别相对于晶片表面2302 ^ ’、2302 / ’ '设置，并且距晶片表面大约l_4mm定位并且以高速朝向晶片表面喷射气体，由此以充足的能量冲击在表面上以移走大多数流体，使得流体的薄的剩余层然后通过蒸汽快速地干燥。在公开的实施方式的替代方面中，可以设置其他合适的几何形状。在公开的实施方式的替代方面中，均匀精确对准的线性气体射流可以用于将气体介质材料或其他材料施加至晶片表面上。第二线性喷嘴2532'可以在距晶片背侧表面大约5mm处定位并且可以导致背侧表面的干燥以及同时避免施加可能使晶片不利地偏转的重要的净气压。在公开的实施方式中，示出示例性线性喷嘴构造。两个构造件2534、2536螺栓连接或者通过环氧树脂连接在一起以形成主歧管和次级歧管的序列2537，主歧管和次级歧管供给限定喷嘴孔的窄线性间隙2532。分离块2538可以设置在歧管内以确保均匀的压力和流动分布。在示出的实施方式中，提供晶片阵列2300丨关于流体处理元件2530的精确对准，模块2545使用附接至处理模块框架2554的导向轮2552，在晶片移近流体处理元件2530之前，导向轮2552接合晶片保持件腿部元件的下部部分。在示出的实施方式中，晶片保持件2500在晶片2300 ’与线性喷嘴阵列2530邻近之前通过导向轮2552结合，由此在竖直运动的处理阶段期间获得线性喷嘴阵列2530至晶片阵列2300 ’的封闭空间的特征的同时，避免晶片2300接触线性喷嘴2530以及导致对晶片表面的损坏的风险。在此，附接至处理框架2554的轮2552在晶片阵列2300 ’中的每个晶片进入线性喷嘴阵列2530的紧密空隙2556前引导晶片保持件阵列2500中的保持件中的每个保持件至最终状态。替代地或者与公开的实施方式相结合，处理框架引导元件可以用在例如剪切板流体浸没和搅拌、马兰戈尼干燥和扫描喷嘴阵列的其他实施方式中，其中，该引导方面还可以例如在光阻条状系统或其他系统中应用于一批晶片保持件，例如在前描述的六个晶片保持件。关于成批应用，单引导元件可以设置用于批量中的单独的保持件或者替代地可以设置更少的引导元件。
[0192]现参照图66，示出流体喷射并列单晶片处理模块1300的侧视图。在此，流体处理模块1300可以处理并列的多个基板保持件，其中，模块1300具有对应于流体处理罐中的多个基板保持件的多个线性喷嘴，并且，多个基板保持件中的每个基板保持件相对于多个线性喷嘴中的每个线性喷嘴中相应的一个并且独立于其他基板保持件对准和定位。流体射流可以对晶片表面施加高速的流体。流体射流，即高速穿过限定空隙或喷嘴的流体，使得流体以相当大的速度在晶片表面冲击，这可以用于克服表面张力并且可以用于使晶片表面润湿或者用于从晶片表面上的微小零件移开或者拿走不需要的颗粒或者残渣。在晶片至流体射流分界面被例如空气或氮气的气体包围的情况下，能够获得流体流的能量以克服表面张力和润湿力。浸没在外界流体中的流体喷射组件还可以用于在晶片表面处提高混合，但是流体流的能量的大部分可以通过围绕外界流体吸收。虽然剪切板流体搅拌对使在晶片表面的前方的浸没在流体中的流体边界层变薄是有用的，由此增加穿过反应物的边界层至晶片表面的传送速度和远离晶片表面的生成物的反应，基本不使用流体能量克服润湿阻力或者有利地移开晶片表面上的颗粒。并列单晶片(PSW)流体喷射处理实用化模块1300具有流体射流1314的阵列1310，流体射流阵列1310相对于晶片表面856紧密地间隔开并且精确地对准，因此对处理有效性和可重复性提供有效的流体能量转移。流体射流的阵列1310或者多个阵列可以设置成在为高生产力设置的保持件阵列818内同步地处理各个晶片表面。在模块1300中，竖直定向引起流体离开喷嘴排出至冲击1320的晶片线，因此，确保流体能量例如在基本水平定向中可能发生的没有通过冲击流体层而浪费。在模块1300中，晶片组可以同时在单处理模块中进行处理，因此提供了共享的流体泵送、流体容纳和其他流体处理系统元件的经济利益和用于传送多个晶片到处理模块中以及将多个晶片传送出处理模块的单个运动自动子系统的经济利益。还参照图67，示出流体射流并列单晶片处理模块1300的局部截面等距视图。图66示出流体容纳容器1326的前壁移除的主视图，而图67示出穿过流体射流处理模块1300的横截面。晶片856通过已经作为阵列818输送至流体喷射处理单元1300的晶片保持件950。一组流体喷射喷嘴阵列1310相对于WH-阵列被精确地定位并且被竖直地上下扫描，如在下面将更详细地描述的。罐元件1326当流体从晶片表面滴下时可以容纳流体并且使流体回流到将流体泵送回至喷嘴阵列的泵送过滤系统。还参照图68A-68C，示出流体喷射并列单晶片处理模块1300的局部截面等距视图。图68A-68C示出描绘从晶片856的底部(图68A)至顶部(图68C)扫描的喷嘴阵列1310的流体喷射模块1300的横截面。在扫描每次结束时，该阵列通常移动至稍微超出晶片的边缘的“越过扫描”的位置，因此确保流体喷射处理对晶片表面的全面覆盖。在竖直方向上可以使用喷嘴阵列的常规扫描，例如同步操作的四个线性马达阵列，每个马达定位在矩形方阵的四个角的一个上；合适的制造商是来自Elkhorn WI的LinMot。合适的引导例如通过导向轮或其他装置可以用于相对于其相应的喷嘴1314准确地定位每个独立的保持件950。还参照图69，示出流体喷射并列单晶片处理模块1300的局部截面等距视图，其中，WH-阵列818被插入到流体喷射模块1300中。再参照图70，示出流体喷射并列单晶片处理模块1300的侧视图，其中，WH-阵列818被插入到流体喷射模块1300中。在示出的实施方式中，WH-阵列818通过自动系统的元件946保持，在该自动系统中，传送装置支承WH-阵列818的重量并且将WH-阵列818相对于流体喷射模块1300上的特征对准，流体喷射模块1300用于相对于喷嘴组1310将WH引导到精确位置。因为传送装置释放WH950，WH元件950中的每个元件在喷嘴阵列1320中自由地与WH元件950的相应的喷嘴歧管1314对准并且相对于每个对应的喷嘴1314独立地定位。再参照图71，示出流体喷射喷嘴阵列1310的等距视图。又参照图72，示出流体喷射喷嘴阵列1326在喷嘴1314中的等距视图。图71和图72示出流体射流冲击在晶片上的放大横截面视图。在此，晶片856通过精确地对准至喷嘴歧管1314的WH950保持。单独的喷嘴1328可是例如来自Lechler Inc.的商业可获得的或者可以是定制的。例如电离水、溶剂或蚀刻剂的处理流体1330被泵送至喷嘴歧管1314并且沿着歧管腔分配以及进入每个单独喷嘴1328，以高速度流体射流1330出现。在图中描绘的是发出V形扇状的射流的商业喷嘴。替代地，可以使用任何合适的样式。图72示出在定位在晶片856的顶部边缘之上一即，“越过扫描”位置的一个喷嘴歧管1314中的喷嘴1326的水平阵列。如所示出的，可以提供竖直地间隔开几个毫米定位以及可以横向地间隔的两个并列喷嘴阵列1328，使得从每个喷嘴发出的流体射流流在拦截来自其他喷嘴的气流之前不会干涉以及大体冲击在晶片表面上。还参照图73A-73C，示出流体射流并列单晶片处理模块1300丨的替代实施方式的局部截面等距视图。模块1300'使用竖直地分离的多个1340水平喷嘴阵列1342、1344，使得需要更小的竖直扫描距离以全面地覆盖图73A-73C中示出的晶片表面、分别用于每个晶片具有两个喷嘴阵列的构造的底部、中部和顶部扫描位置。在公开的实施方式中的替代方面，可以设置任何合适的组合。
[0193]根据所公开的实施方式的另一方面，提供用于处理排列在流体中的一个或更多个基板表面的系统2545。该系统具有处理模块或部分，处理模块或部分具有框架和多个流体喷射元件2530，以在不接触基板表面的情况下在基板表面处喷射流体。基板保持件组件2500具有保持件框架946和多个基板保持件，每个基板保持件联接至保持件框架并且构造成保持基板，使得不同的基板通过基板保持件组件的每个基板保持件保持，以便与基板保持件作为单元传送至处理模块以及从处理模块传送。基板保持件组件2500和基板保持件组件的每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，以及当联接至处理模块框架时，每个基板保持件能够相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。多个流体喷射元件2530作为组相对于基板保持件组件可移动。基板的表面位于大致竖直的方向上。处理模块框架可以是流体罐。多个基板保持件中的每一个可移除地联接至保持件框架。基板保持件组件2500从处理模块框架作为单元可移除。基板保持件组件中的每个基板保持件独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架可移除。基板保持件组件具有多个基板保持件并且构造成用于将一个或更多个基板作为单元在处理部分与另一个位置之间传送，基板保持件组件和基板保持件中的每一个构造成用于可移除地联接至处理部分框架，基板保持组件中的每个基板保持件构造成保持基板中的至少一个。处理部分框架具有对准特征2552，对准特征2552设置成使得在基板保持件组件与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件中的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件与处理部分框架相应地联接时相对于处理部分的流体喷射元件以可重复对准的方式定位每个基板保持件。基板保持件组件具有多个基板保持件并且构造成用于将基板作为单元批量传送，基板保持件组件和基板保持件中的每一个构造成用于可移除地联接至模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板。模块框架具有插入引导件2552并且每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下并且对应于插入引导件的匹配引导件。插入引导件和匹配引导件构造成使得在基板保持件和模块框架联接时，插入引导件接收每个基板保持件的对应的匹配引导件，对应的匹配引导件使基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个流体喷射元件2530中的对应的流体喷射元件以可重复对准的方式对准。
[0194]14618
[0195]根据所公开的实施方式的一个方面，提供用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理部分，处理部分带有框架以及具有多个处理元件，以在不接触基板表面的情况下处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成用于将一个或更多个基板作为单元在处理部分与另一个位置之间传送，该基板保持件组件和基板保持件中的每个基板保持件构造成用于可移除地联接至处理部分框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板中的至少一个；处理部分框架具有对准特征，对准特征设置成使得在基板保持件组件与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件和处理部分框架对应地联接时相对于处理部分的预定特征以可重复对准的方式定位每个基板保持件。
[0196]根据公开的实施方式的另一个方面，预定特征包括处理元件中的每一个，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。
[0197]根据公开的实施方式的再一个方面，对准特征包括竖直引导件，竖直引导件使基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的对应的处理元件以可重复对准的方式对准，其中，基板保持件组件中的基板保持件的每一个具有与竖直引导件中的每一个的匹配特征相配合的整体定位特征。
[0198]根据公开的实施方式的还一个方面，保持件组件包括联接至框架的多个基板保持件，其中，框架包括联接至传送装置的端部执行器，以及其中，传送装置构造成使基板保持件组件移动至处理模块以及从处理模块移动基板保持件组件，以及其中，传送装置构造成使具有保持件框架的不同的基板保持件组件移动至处理模块以及从处理模块移动不同的基板保持件组件。
[0199]根据所公开的实施方式的另一方面，基板保持件组件中的基板保持件中的每一个能够相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
[0200]根据公开的实施方式的又一方面，基板保持件组件中的基板保持件中的每一个独立于基板保持件组件中的其他基板保持件、相对于处理部分的预定特征可重复地对准。
[0201]根据公开的实施方式的再一方面，基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的对应的处理元件并且独立于多个处理元件中的其他处理元件可重复地对准。
[0202]根据公开的实施方式的还一方面，提供一种用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有处理设备，处理设备具有带有框架和多个处理元件的模块，以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成将基板作为单元批量传送，基板保持件组件和每个基板保持件构造成可移除地联接至模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板；其中，模块框架具有插入引导件，并且每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下并且对应于插入引导件的匹配引导件，插入引导件和匹配引导件构造成使得在基板保持件和模块框架联接时，插入引导件接纳每个基板保持件的相应的匹配引导件，相应的匹配引导件使基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的对应的处理元件以可重复对准的方式对准。
[0203]根据公开的实施方式的再一方面，插入引导件包括竖直引导件，竖直引导件使基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的相应的处理元件以可重复对准的方式对准。
[0204]根据公开的实施方式的又一方面，保持件组件包括联接至框架的多个基板保持件，其中，框架包括联接至传送装置的端部执行器，以及其中，传送装置构造成使基板保持件组件移动至处理设备以及从处理设备移动基板保持件组件，以及其中，传送装置构造成使具有保持件框架的不同的基板保持件组件移动至处理设备以及从处理设备移动不同的基板保持件组件。
[0205]根据公开的实施方式的另一方面，基板保持件组件中的基板保持件中的每一个可以相对于多个处理元件中的相应的处理元件并且独立于基板保持件组件中的其他基板保持件可重复地对准。
[0206]根据公开的实施方式的再一方面，提供一种用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:流体处理部分，该流体处理部分带有框架并且具有多个处理元件，以在不接触基板表面的情况下处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成将一个或更多个基板作为单元在处理部分与另一位置之间沿竖直方向传送，基板保持件组件和每个基板保持件构造成可移动地联接至处理部分框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板中的至少一个；处理部分框架具有竖直对准特征，竖直对准特征设置成使得在处理部分框架与基板保持件组件联接时，对准特征与基板保持件组件的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件与处理部分框架相应地联接时相对于处理部分的预定特征以可重复对准的方式定位每个基板保持件，预定特征中的每一个定位在基板之间。
[0207]14674
[0208]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有带有框架和多个处理元件的处理部分，以在不接触基板表面的情况下处理基板表面；基板保持件组件具有保持件框架和多个基板保持件，每个基板保持件联接至保持件框架并且构造成用于保持基板，使得保持件组件的每个基板保持件保持基板保持件组件中的不同的基板，以便作为单元与基板保持件组件一起传送至处理部分以及从处理部分传送；以及基板保持件组件及其每个基板保持件可移除地联接至处理部分框架，基板保持件组件的至少一个基板保持件能够相对于保持件框架移动，并且相对于处理部分的预定特征以及独立于保持件框架相对于处理部分的位置以可重复对准的方式定位。
[0209]根据公开的实施方式的还一方面，保持件框架包括联接至传送装置的端部执行器，其中，传送装置构造成使基板保持件组件运动至处理部分以及从处理部分移动基板保持件组件，以及其中，传送装置构造成使具有保持件框架的不同基板保持件组件移动至处理部分以及从处理部分移动不同基板保持件组件。
[0210]根据公开的实施方式的再一方面，多个基板保持件中的每一个可移除地联接至保持件框架。
[0211]根据公开的实施方式的另一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件能够相对于处理元件独立地移动和定位。
[0212]根据公开的实施方式的还一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件相对于处理部分的预定特征并且独立于基板保持件组件中的其他基板保持件可重复地对准。
[0213]根据公开的实施方式的又一方面，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。
[0214]根据公开的实施方式的再一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的对应的处理元件并且独立于多个处理元件中的其他处理元件可重复地对准，多个处理元件中的每个处理元件定位在基板之间。
[0215]根据公开实施方式的另一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理模块，其具有框架和多个处理元件以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；以及具有保持件框架和多个基板保持件的基板保持件组件，多个基板保持件中的每一个联接至保持件框架并且构造成保持基板，使得不同的基板通过基板保持件组件的每个基板保持件保持，以便与基板保持件组件作为单元传送至处理模块以及从处理模块传送；基板保持件组件和基板保持件组件的每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，并且当联接至处理模块框架时，每个基板保持件能够相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
[0216]根据公开的实施方式的再一方面，保持件框架包括联接至传送装置的端部执行器，其中，传送装置构造成使基板保持件组件移动至处理模块以及从处理模块移动基板保持件组件，以及其中，传送装置构造成使具有保持件框架的不同的基板保持件移动至处理模块以及从处理模块移动不同的基板保持件。
[0217]根据公开的实施方式的还一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件相对于处理模块的预定特征并且独立于基板保持件组件中的其他基板保持件可重复地对准。
[0218]根据公开的实施方式的又一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理模块，其具有框架和多个处理元件以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有保持件框架和多个基板保持件，每个基板保持件可移除地联接至保持件框架并且构造成沿竖直方向保持基板，使得不同的基板由基板保持件组件的每个基板保持件保持，以便与基板保持件组件作为单元传送至处理模块以及从处理模块传送；其中，基板保持件组件和基板保持件组件的每个基板保持件可移动地联接至处理模块框架，并且当联接至处理模块框架时，每个基板保持件相对于基板保持件组件的其他基板保持件独立地移动和定位。
[0219]14664 保持件
[0220]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种适于在对基板的表面进行竖直流体处理期间保持和保留基板的基板保持件，晶片保持件具有:框架；通过第一柔性弯曲部联接至框架的第一腿部，第一腿部具有构造成接合基板的第一边缘的第一接触构件；以及通过第二柔性弯曲部联接至框架的第二腿部，第二腿部具有构造成接合基板的第二边缘的第二接触构件；其中，在第一柔性弯曲部和第二柔性弯曲部偏转时，第一腿部和第二腿部可沿大致相反的方向移动，使第一接触指部和第二接触指部分别从基板的第一腿部和第二腿部脱离。
[0221]根据公开的实施方式的再一方面，第一接触构件包括接合基板的第一边缘的不同的部分的第一接触指部和第二接触指部。
[0222]根据公开的实施方式的还一方面，第一接触构件包括第一、第二和第三接触点，第一接触点接合基板的第一边缘，第二接触点接合基板的表面，第三接触点接合基板的相反侧上的基板的另一表面。
[0223]根据公开的实施方式的又一方面，第一腿部和第二腿部能够在相同平面中移动。
[0224]根据公开的实施方式的另一方面，第一腿部和第二腿部还包括构造成与匹配定位特征配合的第一和第二整体定位特征。
[0225]根据公开的实施方式的再一方面，第一腿部和第二腿部还包括构造成与匹配定位特征接合的第一和第二锥形引导边缘。
[0226]根据公开的实施方式的还一方面，第一柔性弯曲部包括第一弯曲元件和第二弯曲元件，第一弯曲元件大致平行于第二弯曲元件。
[0227]根据公开的实施方式的又一方面，提供一种适于在对基板的表面进行竖直流体处理期间保持和保留基板的基板保持件，晶片保持件具有:框架；通过第一柔性弯曲部联接至框架的第一腿部，第一腿部具有构造成接合基板的第一边缘的第一接触构件；通过第二柔性弯曲部联接至框架的第二腿部，第二腿部具有构造成接合基板的第二边缘的第二接触构件；以及联接至框架的操作特征，该操作特征具有大致垂直于第一腿部和第二腿部的保持件传送装置接口表面；其中，在第一柔性弯曲部和第二柔性弯曲部偏转时，第一腿部和第二腿部在大致上相反的方向上可移动，使第一接触指部和第二接触指部分别从基板的第一边缘和第二边缘脱离。
[0228]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种适于在对基板的表面进行竖直流体处理期间保持和保留基板的基板保持件，晶片保持件具有:框架；通过第一柔性弯曲部联接至框架的第一腿部，第一腿部具有第一接触构件，第一接触构件具有构造成接合基板的第一边缘的不同部分的第一接触指部和第二接触指部；以及通过第二柔性弯曲部联接至框架的第二腿部，第二腿部具有第二接触构件，第二接触构件具有构造成接合基板的第二边缘的不同部分的第三接触指部和第四接触指部；其中，在第一柔性弯曲部和第二柔性弯曲部偏转时，第一腿部和第二腿部在大致上相反的方向上可移动，使第一接触指部和第二接触指部分别从基板的第一边缘和第二边缘脱离。
[0229]14665 装载件
[0230]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种基板卸载和装载设备，其适于将第一组多个基板从多个排列的基板保持件卸载以及将不同于第一组多个基板的第二组多个基板装载至多个排列的基板保持件，基板卸载和装载设备具有:框架；联接至框架并且构造成支承第一组多个基板的第一组多个基板支承件；联接至框架并且构造成支承第二组多个基板的第二组多个基板支承件，第二组多个基板支承件中的每个支承件相对于第一组多个基板支承件的每个支承件是交替和交错的；以及联接至框架并且构造成接合多个排列的基板保持件的保持件释放装置，保持件释放装置具有第一状态，在第一状态中，保持件释放装置影响第一组多个基板从多个排列的基板保持件的释放，保持件释放装置具有不同于第一状态的第二状态，在第二状态中，保持件释放装置影响多个排列的基板保持件对第二组多个基板的捕获；其中，第一组多个基板支承件、第二组多个基板支承件和多个排列的基板保持件设置成使得与保持件释放装置处于第一状态中，第一组多个基板从多个排列的基板保持件卸载至第一组多个保持件支承件，以及其中，根据处于第二状态中的保持件释放装置，第二组多个基板从第二组多个基板支承件卸载至多个排列的基板保持件。
[0231]根据公开的实施方式的再一方面，第一组多个基板沿竖直方向从多个排列的基板保持件卸载，以及其中第二组多个基板沿竖直方向装载至多个排列的基板保持件。
[0232]根据公开的实施方式的又一方面，第一组多个基板支承件和第二组多个基板支承件联接至具有分度器的框架，其中，分度器使第一组多个基板支承件和第二组多个基板支承件同时从第一位置移动至第二位置，在第一位置中，第一组多个基板从多个排列的基板保持件卸载，在第二位置中，第二组多个基板装载至多个排列的基板保持件。
[0233]根据公开的实施方式的还一方面，当处于第一状态时，保持件释放装置使多个排列的基板保持件的基板边缘支承构件从第一组多个基板的边缘脱离，以及其中，当处于第二状态时，保持件释放装置使基板边缘支承构件接合至第二组多个基板的边缘。
[0234]根据公开的实施方式的再一方面，由第二组多个基板支承件支承的第二组多个基板中的每个基板相对于由第一组多个处理基板支承件支承的第一组多个基板中的每个基板是交替和交错的。
[0235]根据公开的实施方式的还一方面，第一组多个基板支承件和第二组多个基板支承件联接至具有分度器的框架，其中分度器使第一组多个基板支承件和第二组多个基板支承件同时从第一位置移动至第二位置，在第一位置中，第一组多个基板从多个排列的基板保持件卸载，在第二位置中，第二组多个基板装载至多个排列的基板保持件。
[0236]根据公开的实施方式的又一方面，第二组多个基板的边缘由第二组多个基板支承件来支承，并且其中，第一组多个基板的边缘由第一组多个基板支承件来支承。
[0237]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种基板卸载和装载设备，其适于从多个排列的基板保持件卸载第一组多个基板以及将不同于第一组多个基板的第二组多个基板装载至多个排列的基板保持件，基板卸载和装载设备具有:框架；联接至框架并且构造成支承第一组多个基板的第一组多个基板支承件；联接至框架并且构造成支承第二组多个基板的第二组多个基板支承件，第二组多个基板支承件的每个支承件相对于第一组多个基板支承件的每个支承件是交替和交错的；以及联接至框架并且构造成接合多个排列的基板保持件的保持件释放装置，保持件释放装置具有第一状态，在第一状态中，多个排列的基板保持件从多个排列的基板保持件释放第一组多个基板，保持件释放装置具有第二状态，在第二状态中，多个排列的基板保持件捕获第二组多个基板；其中，第一组多个基板支承件、第二组多个基板支承件和多个排列的基板保持件设置成使得根据处于第一状态中的保持件释放装置，第一组多个基板作为基板组同时从多个排列的基板保持件卸载至第一组多个基板支承件，并且其中根据处于第二状态的保持件释放装置，第二组多个第二基板作为未处理基板组从第二组多个基板支承件同时装载至多个排列的基板保持件。
[0238]根据公开的实施方式的再一方面，提供一种基板卸载和装载设备，其适于从多个排列的基板保持件卸载多个处理的基板并且将多个未处理的基板装载至多个排列的基板保持件，基板卸载和装置设备具有:框架；联接至框架并且构造成支承多个处理的基板的多个处理的基板支承件；联接至框架并且构造成支承多个未处理的基板的多个未处理的基板支承件，多个未处理的基板支承件中的每一个相对于多个处理的基板支承件中的每一个是交替和交错的；多个保持件支承件，其联接至框架并且构造成独立于多个排列的基板保持件中的其他保持件支承和对准多个排列的基板保持件的每个保持件；以及联接至框架并且构造成接合多个排列的基板保持件的保持件释放装置，保持件释放具有第一状态，在第一状态中，多个排列的基板保持件从多个排列的基板保持件释放多个处理的基板，保持件释放装置具有第二状态，在第二状态中，多个排列的基板保持件利用多个排列的基板保持件捕获多个未处理的基板；其中，多个处理的基板从多个排列的基板保持件卸载至处于第一状态中的多个处理的基板支承件，并且其中，多个未处理的基板从多个未处理的基板支承件装载至处于第二状态中的多个排列的基板保持件。
[0239]14729 系统
[0240]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种用于处理多个基板的表面的系统，该系统具有:处理模块，其具有处理模块框架以及具有多个处理元件，以在不接触基板表面的情况下处理多个基板的基板表面；多个基板保持件组件，每个基板保持件组件具有多个基板保持件，每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板；使得每个基板保持件保持基板保持件组件中的不同的基板，以便与基板保持件组件作为单元传送；处理模块框架，其具有对准特征，对准特征使基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的每一个以可重复的对准方式对准，多个处理元件中的每个处理元件至少部分地在基板之间定位和突出；装载器模块，其构造成将多个处理的基板从基板保持件组件中的每一个卸载并且将多个未处理的基板装载至基板保持件组件中的每一个；以及传送装置，其构造成将基板保持件组件中的每一个传送至处理模块和装载器模块以及从处理模块和装载器模块传送基板保持件组件中的每一个。
[0241]根据公开的实施方式的又一方面，系统还具有第二处理模块，其中传送装置构造成将基板保持件组件中的每一个传送至处理模块、第二处理模块和装载器模块以及从处理模块、第二处理模块和装载器模块传送基板保持件组件中的每一个。
[0242]根据公开的实施方式的还一方面，系统还具有基板传送前端，基板传送前端构造成将未处理的基板从基板载体传送至装载器模块，并且还构造成将处理的基板从装载模块传送至基板载体。
[0243]根据公开的实施方式的再一方面，基板的表面处于大致竖直的方向上。
[0244]根据公开的实施方式的另一方面，多个处理元件包括一排搅拌构件，搅拌构件在不接触基板表面的情况下搅拌靠近基板表面的流体。
[0245]根据公开的实施方式的又一方面，基板保持件组件能够作为单元从处理模块框架移动。
[0246]根据公开的实施方式的还一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件能够独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架移除。
[0247]根据公开的实施方式的另一方面，提供一种用于处理多个基板的表面的系统，该系统具有:处理模块框架，其具有多个处理元件以在不接触基板表面的情况下处理多个基板的基板表面；具有多个基板保持件的基板保持件组件，每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板，使得每个基板保持件保持基板保持件组件中的不同基板，以便与基板保持件组件作为单元传送，基板保持件组件中的每个基板保持件相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地定位和移动；基板保持件组件中的每个基板保持件相对于多个处理元件中的每个处理元件可重复地对准，多个处理元件中的每个处理元件至少部分地在基板之间定位和突出；装载器模块，其构造成将多个处理的基板从每个基板保持件组件卸载并且将多个未处理的基板装载至每个基板保持件组件；以及传送装置，其构造成将每个基板保持件组件传送至处理模块和装载器模块以及从处理模块和装载器模块传送每个基板保持件组件。
[0248]根据公开的实施方式的再一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理模块框架，其具有多个处理元件以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；具有多个基板保持件的基板保持件组件，每个基板保持件可移动地联接至处理模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板，使得每个基板保持件保持基板保持件组件中的不同基板，以便与基板保持件组件作为单元传送，基板保持件组件中的每个基板保持件相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位；基板保持件组件中的每个基板保持件能够相对于多个处理元件中的对应的处理元件并且独立于多个处理元件中的其他处理元件以可重复对准的方式定位，多个处理元件中的每个处理元件至少部分地在基板之间定位并且突出，以及其中，基板表面保持大致平行对准并且处于竖直方向；装载器模块，其构造成将多个处理的基板从每个基板保持件组件卸载并且将多个未处理的基板装载至每个基板保持件组件；以及传送装置，其构造成将每个基板保持件组件传送至处理模块和装载器模块以及从处理模块和装载器模块传送每个基板保持件组件。
[0249]剪切板
[0250]根据公开的实施方式的又一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理模块，其具有框架以及多个搅拌构件以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有保持件框架和多个基板保持件，每个基板保持件联接至保持件框架并且构造成保持基板，使得不同的基板通过基板保持件组件的每个基板保持件保持，以便与基板保持件组件作为单元传送至处理模块以及从处理模块传送；其中，基板保持件组件和基板保持件组件中的每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，并且当联接至处理模块框架时，每个基板保持件相对于基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
[0251]根据公开的实施方式的还一方面，多个搅拌构件的每个搅拌构件能够独立于多个搅拌构件中的其他搅拌构件竖直地移动。
[0252]根据公开的实施方式的另一方面，基板的表面处于大致竖直方向。
[0253]根据公开的实施方式的再一方面，处理模块框架包括流体罐。
[0254]根据公开的实施方式的还一方面，多个基板保持件中的每一个可移除地联接至保持件框架。
[0255]根据公开的实施方式的又一方面，基板保持件组件能够从处理模块框架作为单元移除。
[0256]根据公开的实施方式的另一方面，基板保持件组件中的每个基板保持件能够独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架移除。
[0257]根据公开的实施方式的再一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理部分，其带有框架并且具有多个搅拌构件，以在不接触基板表面的情况下处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成使一个或更多个基板作为单元在处理部分与另一位置之间传送，基板保持件组件和每个基板保持件构造成可移动地联接至处理部分框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板中的至少一个；具有对准特征的处理部分框架，对准特征设置成使得在基板保持件组件与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件中的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件与处理部分框架相应地联接时相对于处理部分的搅拌构件以可重复对准的方式定位每个基板保持件。
[0258]根据公开的实施方式的又一方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理设备，其具有带有框架和多个搅拌构件的模块，以在不接触基板表面的情况下流体处理基板表面；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成用于将基板作为单元批量传送，基板保持件组件和每个基板保持件构造成用于可移除地联接至模块框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板；其中，模块框架具有插入引导件，并且每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下以及对应于插入引导件的匹配引导件，插入引导件和匹配引导件构造成使得在基板保持件与模块框架联接时，插入引导件接纳每个基板保持件的对应的匹配引导件，对应的匹配引导件使基板保持件组件的每个基板保持件相对于多个搅拌构件中的对应的搅拌构件以重复对准的方式对准。
[0259]马兰戈尼
[0260]根据公开的实施方式的还一方面，提供一种用于干燥流体中的基板表面的宽度的基板干燥设备，该基板干燥设备具有:构造成容纳液体的罐；联接至罐的喷射喷嘴，喷射喷嘴具有跨过基板的表面的宽度的连续刃状边缘喷射表面；以及联接至喷射喷嘴的排出装置，该排出装置具有与连续刃状边缘喷射表面共同延伸并且跨过基板的表面的宽度的连续排出表面；其中，连续排出表面设置成使得罐中的液体在连续排出表面与基板表面的宽度之间形成弯液面，以及其中，喷射喷嘴构造成使其在弯液面处引导蒸汽。[0261]根据公开的实施方式的另一方面，基板在设备中处于大致竖直的方向，并且其中，连续排出表面大致平行于连续刃状边缘喷射表面。
[0262]根据公开的实施方式的再一方面，基板联接至保持件，保持件和基板能够相对于喷射喷嘴和排放装置移动。
[0263]根据公开的实施方式的又一方面，连续排出表面形成基本永久润湿的溢流坝。
[0264]根据公开的实施方式的还一方面，连续排出表面形成溢流坝，溢流坝在平行于以及垂直于晶片表面的方向上形成有凹口。
[0265]根据公开的实施方式的另一个方面，基板干燥设备还具有适于补充液体的液体贮器，液体贮液器具有搅拌液体的液体搅拌机构。
[0266]根据公开的实施方式的再一个方面，排出管包括排放歧管，排放歧管具有下部液体排出部分和上部蒸汽排出部分。
[0267]根据公开的实施方式的又一个方面，提供一种用于干燥液体中的基板的表面的宽度的马兰戈尼干燥设备，马兰戈尼干燥设备具有:联接至组合液体和蒸汽排出装置的喷射喷嘴；喷射喷嘴具有连续刀状边缘喷射表面；组合液体和蒸汽排出装置具有与连续刀状边缘喷射表面共同延伸的连续排出表面；连续刀状边缘喷射表面和连续排出表面连续地越过基板的干燥宽度；其中，喷射喷嘴构造成使其沿着连续刀状边缘喷射表面的长度将蒸汽喷射到形成在基板的表面与组合液体和蒸汽排出装置之间的弯液面，组合液体和蒸汽排出装置设置成使得液体和蒸汽流入组合液体和蒸汽排出装置。
[0268]根据公开的实施方式的还一个方面，提供一种用于干燥液体中的多个基板的相对表面的基板干燥设备，该基板干燥设备具有:构造成用于容纳流体的槽；多个歧管，每个歧管接近基板的对应的一个的相对表面中的每一个；每个歧管具有联接至液体槽的喷射喷嘴，喷射喷嘴具有越过对应的基板的相对表面中的相应的一个的整个宽度的连续刀状边缘喷射表面；以及每个歧管具有连接至喷射喷嘴的排出装置，排出装置具有大致平行于连续刀状边缘喷射表面并且越过基板的表面的宽度的连续排出装置表面；其中，每个歧管的连续排出装置表面设置成使得槽中的液体在连续排出装置表面与对应的基板的相对表面中的每一个的宽度之间形成弯液面，并且其中喷射喷嘴构造成使其在弯液面处引导蒸汽。
[0269]气刀
[0270]根据公开的实施方式的另一个方面，提供一种用于流体处理排列在流体中的一个或更多个基板表面的系统，该系统具有:处理模块，其具有框架和多个流体喷射元件，以在不接触基板表面的情况下在基板表面处喷射流体；以及基板保持件组件，其具有保持件框架和多个基板保持件，基板保持件中的每一个联接至保持件框架并且构造成保持基板，使得不同基板由基板保持件组件的每个基板保持件保持，以便与基板保持件组件作为单元传送至处理模块以及从处理模块传送；其中，基板保持件组件和基板保持件组件中的每个基板保持件可移除地联接至处理模块框架，并且当连接至处理模块框架时，每个基板保持件相对于基板保持件组件的其他基板保持件能够独立地移动和定位。
[0271]根据公开的实施方式中的再一个方面，多个流体喷射元件能够作为组相对于基板保持件组件移动。
[0272]根据公开的实施方式的又一个方面，基板的表面处于大致竖直方向。
[0273]根据公开的实施方式的还一个方面，处理模块框架包括流体罐。[0274]根据公开的实施方式的另一个方面，多个基板保持件中的每一个可移除地联接至保持件框架。
[0275]根据公开的实施方式的再一个方面，基板保持件组件能够作为单元从处理模块框架移除。
[0276]根据公开的实施方式的又一个方面，基板保持件组件中的每个基板保持件能够独立于基板保持件组件中的其他保持件从处理模块框架移除。
[0277]根据公开的实施方式的还一个方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理部分，其具有框架以及具有多个流体喷射元件，以在不接触基板表面的情况下在基板表面处喷射流体；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成用于在处理部分与另一个位置之间作为单元传送一个或更多个基板，基板保持件组件和基板保持件中的每个基板保持件构造成用于可移除地联接至处理部分框架，基板保持件组件中的每个基板保持件构造成用于保持基板中的至少一个；具有对准特征的处理部分框架，对准特征设置成使得在基板保持件组件与处理部分框架联接时，对准特征与基板保持件组件中的每个基板保持件交接并且在每个基板保持件与处理部分框架对应地联接时相对于处理部分的流体喷射元件以可重复对准的方式定位每个基板保持件。
[0278]根据公开的实施方式的另一个方面，提供一种对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，该系统具有:处理设备，其具有带有框架和多个流体喷射元件的模块，以在不接触基板表面的情况下在基板表面处喷射流体；以及基板保持件组件，其具有多个基板保持件并且构造成作为单元批量传送基板，基板保持件组件和基板保持件中的每个基板保持件构造成用于可移除地联接至模块框架，基板保持框架组件中的每个基板保持件构造成保持基板；其中，模块框架具有插入引导件并且每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下并且对应于插入引导件的匹配引导件，插入引导件和匹配引导件构造成使得在基板保持件与模块框架联接时，插入引导件接纳每个基板保持件的对应的匹配引导件，对应的匹配引导件使基板保持件组件的每个基板保持件相对于多个流体喷射元件中的对应的流体喷射元件以可重复对准的方式对准。
[0279]应当理解的是，前述的描述仅是对公开的实施方式的各方面的例示。本领域技术人员可以在不脱离所公开的实施方式的各方面的情况下设计各种变型和改进。因此，所公开的实施方式的各方面旨在涵盖落入所附权利要求的范围内的所有变型、改进和变体。此夕卜，从相互不同的独立权利要求或者从属权利要求中引述的不同特征的简单事实并不代表不能有利地使用这些特征的组合，这种组合落入本发明的各方面的范围内。
[0280]权利要求书如下。
【权利要求】
1.一种用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，所述系统包括: 处理部分，所述处理部分带有框架并且具有多个处理元件，以在不接触所述基板表面的情况下处理所述基板表面；以及 基板保持件组件，所述基板保持件组件具有多个基板保持件并且构造成用于将一个或更多个基板作为单元在所述处理部分与另一位置之间传送，所述基板保持件中的每一个和所述基板保持件组件被构造成用于可移除地联接至处理部分框架，所述基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持所述基板中的至少一个； 所述处理部分框架具有对准特征，所述对准特征设置成使得在使所述基板保持件组件与所述处理部分框架联接时，所述对准特征与所述基板保持件组件的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件和所述处理部分框架相应地联接时相对于所述处理部分的预定特征以可重复对准的方式定位每个基板保持件。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述预定特征包括所述处理元件中的每一个，所述多个处理元件中的每个处理元件被定位在所述基板之间。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述对准特征包括使所述基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的相应处理元件以可重复对准的方式对准的竖直引导件，其中所述基板保持件组件中的基板保持件中的每一个具有与所述竖直引导件中的每一个的匹配特征相配合的整体定位特征。
4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述保持件组件包括联接至框架的多个基板保持件，其中所述框架包括联接至传送装置的端部执行器，以及其中，所述传送装置构造成将所述基板保持件组件移动至所述处理模块以及将所述基板保持件组件从所述处理模块移走，以及其中，所述传送装置构造成将带有所述保持件框架的不同基板保持件组件移动至所述处理模块以及将带有所述保持件框架的不同基板保持件组件从所述处理模块移走。
5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够相对于所述基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够独立于所述基板保持件组件中的其他基板保持件相对于所述处理部分的所述预定特征可重复地对准。
7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够独立于多个处理元件中的其他处理元件相对于多个处理元件中的相应的处理元件可重复地对准。
8.一种用于对排列在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，所述系统包括: 具有模块的处理设备，所述模块带有框架和多个处理元件以在不接触所述基板表面的情况下流体处理所述基板表面；以及 基板保持件组件，所述基板保持件组件具有多个基板保持件并且构造成用于将基板作为单元批量传送，所述基板保持件中的每一个和所述基板保持件组件构造成用于可移除地联接至模块框架，所述基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持基板； 其中，所述模块框架具有插入引导件并且每个基板保持件具有从每个基板保持件悬下以及对应于所述插入引导件的匹配引导件，所述插入引导件和所述匹配引导件构造成使得在使所述基板保持件与所述模块框架联接时，所述插入引导件接纳每个基板保持件的相应的匹配引导件，所述相应的匹配引导件使所述基板保持件组件的每个基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件以可重复对准的方式对准。
9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述多个处理元件中的每个处理元件定位在所述基板之间。
10.根据权利要求8所述的系统，其中，所述插入引导件包括相对于所述多个处理元件中的相应的处理元件以可重复对准的方式对准所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个的竖直引导件。
11.根据权利要求8所述的系统，其中，所述保持件组件包括联接至框架的多个基板保持件，其中所述框架包括联接至传送装置的端部执行器，以及其中，所述传送装置构造成使所述基板保持件组件移动至所述处理设备以及使所述基板保持件组件从所述处理设备移走，以及其中，所述传送装置构造成使带有所述保持件框架的不同基板保持件组件移动至所述处理设备以及使带有所述保持件框架的不同基板保持件组件从所述处理设备移走。
12.根据权利要求8所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够相对于所述基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
13.根据权利要求8所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够独立于所述基板保持件组件中的其他基板保持件相对于多个处理元件中的相应的处理元件可重复地对准。
14.根据权利要求8所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够独立于多个处理元件中的其他处理元件相对于多个处理元件中的相应的处理元件可重复地对准。
15.一种用于对排列·在流体中的一个或更多个基板表面进行流体处理的系统，所述系统包括: 流体处理部分，所述流体处理部分带有框架并且具有多个处理元件，以在不接触所述基板表面的情况下处理所述基板表面；以及 基板保持件组件，所述基板保持件组件具有多个基板保持件并且构造成用于将一个或更多个基板作为单元在所述处理部分与另一位置之间沿竖直方向传送，所述基板保持件中的每一个和所述基板保持件组件构造成用于可移除地联接至处理部分框架，所述基板保持件组件中的每个基板保持件构造成保持所述基板中的至少一个； 所述处理部分框架具有竖直对准特征，所述竖直对准特征设置成使得在使所述基板保持件组件与所述处理部分框架联接时，所述对准特征与所述基板保持件组件的每个基板保持件交接，并且在每个基板保持件与所述处理部分框架相应地联接时相对于所述处理部分的预定特征以可重复对准的方式定位每个基板保持件，所述预定特征中的每一个定位在所述基板之间。
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述预定特征中的每一个包括每个处理元件，所述多个处理元件中的每个处理元件被定位在所述基板之间。
17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述对准特征包括使所述基板保持件组件中的基板保持件中的每一个相对于多个处理元件中的相应的处理元件以可重复对准的方式对准的竖直引导件，其中所述基板保持件组件中的基板保持件中的每一个具有与所述竖直引导件中的每一个的匹配特征相配合的整体定位特征。
18.根据权利要求15所述的系统，其中，所述保持件组件包括联接至框架的多个基板保持件，其中所述框架包括联接至传送装置的端部执行器，以及其中，所述传送装置构造成使所述基板保持件组件移动至所述处理模块以及使所述基板保持件组件从所述处理模块移走，以及其中，所述传送装置构造成使带有所述保持件框架的不同基板保持件组件移动至所述处理模块以及使带有所述保持件框架的不同基板保持件组件从所述处理模块移走。
19.根据权利要求15所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够相对于所述基板保持件组件中的其他基板保持件独立地移动和定位。
20.根据权利要求15所述的系统，其中，所述基板保持件组件中的所述基板保持件中的每一个能够独立于所述基板保持件组件中的其他基板保持件并且独立于其他相对于所述处理部分的所述预定 特征可重复地对准。
【文档编号】B23Q1/25GK103582532SQ201280027194
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年6月4日 优先权日:2011年6月3日
【发明者】亚瑟·柯格勒, 丹尼尔·L·古德曼, 大卫·G·瓜尔纳恰, 弗里曼·费希尔, 乔纳森·海内斯, 梅赫拉·阿斯迪加 申请人:东京毅力科创尼克斯公司