技术特征：
技术总结
本发明的课题在于，提供晶片的加工方法，当在晶片内部进行形成改质层的激光加工时，能够防止在意图之外的部位产生碎裂现象。本发明的晶片的加工方法包含如下工序：搬送工序，通过搬送单元将晶片搬送到第2卡盘工作台上，将晶片的保护带侧保持在保持面上并使该搬送单元的吸引垫从晶片的背面离开；以及改质层形成工序，从晶片的背面照射激光而沿着分割预定线形成改质层。该搬送工序包含：载置工序，将晶片载置在该第2卡盘工作台的保持面上；夹持工序，将该吸引垫的吸引力阻断，利用该吸引垫和该保持面对晶片进行夹持；以及保持工序，使吸引力作用于该保持面而将晶片的保护带侧吸引保持在该保持面上并使该吸引垫从晶片的背面离开。
技术研发人员：中村胜
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2017.11.03