半导体晶片的激光切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体晶片的激光切割方法，特别是可去除激光全切穿切割后于该半导体晶片上所飞溅堆积的残渣，以利于一吸嘴将切割后的晶粒提取至下一制程步骤。
【背景技术】
[0002]一般半导体代工业界所制作集成电路或半导体元件所必须经过切割处理的步骤方能将半导体晶圆或晶片(wafer)切割成所需要的晶粒(die)，也是半导体晶圆封装制程中重要且不可或缺的步骤之一。在以往尺寸较大的半导体晶圆或晶片通常是运用钻石刀以机械的方式切割出每一个晶粒，然而，以机械式的切割方法相对容易破坏材质较脆弱的晶圆或晶片，不仅容易造成晶圆或晶片破裂的不良状况发生，更耗费于大量时间于切割的过程，拖慢整体制程的时间，且于钻石刀切割的同时其切割痕也会消耗一部份晶圆而产生废料。
[0003]近年由于制程科技的进步，对于材质脆弱的三五族半导体晶圆的切割，逐渐以先进的激光切割技术予以取代，由于激光切割技术是以极高功率的光线聚焦于半导体晶圆或晶片表面，造成局部温度升高而加以溶解将该半导体晶圆或晶片切割分裂，其优点在于能快速精准的进行切割，其速度约为传统机械式切割所花费时间的五分之一，其重点是不会进一步造成半导体晶圆或晶片裁切时产生机械式的应力破坏。
[0004]目前因激光切割容易于激光切割道周围处造成熔融物飞溅或气化凝结所产生的堆积物，在后续晶粒进行封装制程中，若使用崁入式吸嘴提取切割后的晶粒，而位于该晶粒周缘上经激光切割后所残留的堆积物将会造成晶粒边缘不平整的现象，使得该吸嘴提取晶粒过程中产生卡晶粒的现象，进一步造成封装过程延迟停滞。请参阅图1A、图1B、图1C所示，其中，图1A是现有激光切割晶圆技术的步骤A制程示意图。图1B是现有激光切割晶圆技术的步骤B制程示意图。图1C是现有激光切割晶圆技术的步骤C制程示意图。
[0005]如图1A所不,一般现有激光切割晶圆技术利用一激光切割器9于一半导体晶片I上进行激光熔融切割，于该半导体晶片I的一正面11上设置有复数个电路元件12，而于该半导体晶片I的一背面13上贴附有一胶带(tape) 14以固定切割后的该半导体晶片I。该激光切割器9依照该半导体晶片I上所预设的一激光切割道15进行分割，以达到将该半导体晶片I分割成复数个晶粒10的目的(参考图1B所示)，而由于该激光切割道15大致位于相邻的两电路元件12之间，使得经由该激光切割器9所激光切割后每一个晶粒10上都具有至少一电路元件12。
[0006]如图1B所示，该激光切割器9沿着位于该半导体晶片I上所预设的该激光切割道15以极高功率的光线聚焦造成局部温度升高而加以激光全切穿切割的方式将该半导体晶片I切割成复数个具有该电路元件12的晶粒10。于该半导体晶片I的该正面11也就是位于该激光切割道15的切口周缘处会产生激光切割后所熔融物飞溅或气化凝结的堆积物16，造成该些晶粒10边缘不平整的现象。
[0007]如图1C所示，封装机台利用一吸嘴8将切割后的晶粒10提取时，位于该晶粒10边缘上的堆积物16造成该晶粒10于该崁入式吸嘴8提取时呈现不规则倾斜现象，会影响到该吸嘴8提取该晶粒10于封装制程要求的平行度，进一步造成卡滞该晶粒10的现象发生。
【发明内容】
[0008]针对上述事由，本发明一种半导体晶片的激光切割方法，利用于半导体晶片的背面朝上进行激光全切穿切割，并配合于该半导体晶片的正面贴附一具有胶层的一胶带基材膜，使激光切割后所熔化飞溅的堆积物不会滞留于该半导体晶片的正面，达到利于封装制程中该吸嘴将切割后的晶粒提取至下一制程步骤的目的。
[0009]为实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
[0010]一种半导体晶片的激光切割方法，其特征在于，其包括有以下步骤:
[0011]步骤一，提供一半导体晶片，该半导体晶片具有包括:设有复数个电路元件的一正面、以及一背面，并将该半导体晶片加以翻转使该背面朝上；
[0012]步骤二，利用一胶带基材膜上涂布有一胶层，并以该胶层覆盖贴附于该半导体晶片的该正面上，且以加热的方式将该胶层填充于该胶带基材膜与该半导体晶片间的空隙中；以及
[0013]步骤三，凭借一激光切割器在该半导体晶片的该背面且位于每一个该电路元件之间所预设的一激光切割道上进行激光全切穿切割，以形成复数个具有该电路元件的晶粒。
[0014]其中，步骤二的加热温度范围为60V?90°C之间，并且持续3?8分钟。
[0015]其中，还包括一步骤四，以蚀刻的方式将该半导体晶片的该背面上因激光切割后在该激光切割道口周围所飞溅或气化凝结产生的堆积物加以消除。
[0016]其中，还包括一步骤五，将该半导体晶片的该正面翻转朝上，并去除贴附于该正面上的该胶带基材膜的同时去除该胶层，以利于经激光全切穿切割后每一个具有该电路元件的该晶粒通过一吸嘴提取至下一制程步骤的机台。
[0017]其中，该胶层垂直于该半导体晶片的该正面的厚度大于该电路元件一顶面垂直于该半导体晶片的该正面的厚度的1.1倍。
[0018]其中，该蚀刻的方式是湿蚀刻，所使用的溶液可以是盐酸与水或是盐酸及磷酸依预设比例调和的混合液。
[0019]其中，在该半导体晶片的该正面且分别位于该电路元件之间设有凸出的一激光切割平台，该激光切割平台的顶面垂直于该半导体晶片的该正面的厚度大于或等于该电路元件一顶面垂直于该半导体晶片的该正面的厚度；其中，该激光切割平台对应位于该激光切割道上。
[0020]其中，在该半导体晶片的该背面上设有复数个凸出的折射体，且每一个该折射体分别对应于该电路元件。
[0021]其中，该电路元件是一发光元件或检光元件，并通过该折射体进行一次光学折射。
[0022]与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是:
[0023]本发明提供一种半导体晶片的激光切割方法，凭借半导体晶片一背面朝上激光全切穿切割方式，使半导体晶片的正面无激光切割后所残留的熔融堆积物产生，达到一吸嘴将切割后的晶粒提取至下一制程步骤的目的。
[0024]本发明提供一种半导体晶片的激光切割方法，凭借该半导体晶片设有复数个电路元件的一正面上所贴附的一胶带基材膜上的一胶层利用加热方式使该胶层能填补该些电路元件高低所造成孔隙，以避免激光切割时因高温熔融产生高温气体接触该电路元件造成烧焦、或是熔融残渣飞溅到该些电路元件上的目的。
【附图说明】
[0025]图1A是现有激光切割晶圆技术的步骤A制程示意图；
[0026]图1B是现有激光切割晶圆技术的步骤B制程示意图；
[0027]图1C是现有激光切割晶圆技术的步骤C制程示意图；
[0028]图2为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤流程图；
[0029]图3A为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤一制程示意图；
[0030]图3B为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤二制程示意图；
[0031]图3C为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤三制程示意图；
[0032]图3D为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤四制程示意图；
[0033]图3E为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤五制程示意图；
[0034]图4为本发明半导体晶片的激光切割方法的第一较佳实施例的半导体晶片示意图；
[0035]图5为本发明半导体晶片的激光切割方法的第二较佳实施例的半导体晶片示意图。
[0036]附图标记说明:1_半导体晶片；10-晶粒；11-正面；12-电路兀件；13-背面；14-胶带；15_激光切割道；16_堆积物；2、2a、2b-半导体晶片；20_晶粒；21、21a、21b_正面;22、22b-背面；23、23a、23b-电路元件；231、231a_顶面；24、24a_胶带基材膜；25、25a-胶层；26、26a-激光切割道;27_堆积物;28_激光切割平台;281_顶面；29~折射体；301?305-步骤一?步骤五；51_第一方向；52_第二方向；8_吸嘴；9_激光切割器。
【具体实施方式】
[0037]为了能更清楚地描述本发明所提出的半导体晶片的激光切割方法，以下将配合图式详细说明的。
[0038]请参阅图2所示，图2是本发明半导体晶片的激光切割方法步骤流程图。其中，本发明一种半导体晶片的激光切割方法，其包括有以下步骤:
[0039]步骤一 301:将该半导体晶片包括:一正面、以及一背面，加以翻转该半导体晶片使该背面朝上，并令该正面上凸起且以阵列排列的复数个电路元件朝下。
[0040]步骤二 302:利用一胶带基材膜上涂布有一胶层，并以该胶层覆盖贴附于该半导体晶片的该正面上，且以加热的方式将该胶层填充于该胶带基材膜与该半导体晶片间的空隙中。
[0041]步骤三303:凭借一激光切割器于该半导体晶片的该背面且位于每一个该电路元件之间所预设的一激光切割道上进行激光全切穿切割，以形成复数个具有该电路元件的晶粒。
[0042]步骤四304:以蚀刻的方式将该半导体晶片的该背面上因激光切割后于该激光切割道口周围所飞溅或气化凝结产生的堆积物加以消除。
[0043]步骤五305:将该半导体晶片的该正面翻转朝上，并去除贴附于该正面上的该胶带基材膜的同时去除该胶层，以利于经激光全切穿切割后每一个具有该电路元件的该晶粒通过一吸嘴提取至下一制程步骤的机台。
[0044]请参阅图3A?图3E所示，图3A为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤一制程示意图。图3B为本发明半导体晶片的激光切割方法的步骤二制程示意图。图3C为本发明半导体晶片的激光