专利名称：软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺。
背景技术：
目前，国内正在使用的软磁铁氧体磁心镀银导电电极都是采用化学电镀的方法，对环境造成很大的影响。而且镀层的厚度一般在20-30微米，浪费材料，抗420℃高温焊锡的能力不超过3分钟。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种节省材料、对环境无污染的软磁铁氧体磁心镀银方法。
本发明的技术解决方案是一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺，首先将软磁铁氧体磁心放在真空炉内进行加热，其特征在于还包括下列步骤a.在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗；b.在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米；c.在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层，膜厚为1-2微米；d.在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米；e.在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。
本发明的有益效果在于软磁铁氧体磁心经此工艺沉积的银电极，膜厚5-8微米，较化学方法的20-30微米镀膜厚度大大节省原材料，能抗420℃锡炉焊接4分钟以上，而90％的银电极仍然可焊接。
下面结合附图详细介绍本发明的具体实施方式
。
图1为本发明的工艺流程图。
图中1.磁芯装夹，2.进真空炉，3.离子轰击，4.镀过渡层，5.交替镀层，6.镀银，7.镀银。
具体实施例方式
参见图1所示的工艺流程图，本发明的详细操作过程如下1.磁心装夹，将不需要电镀的部分用夹具遮挡；2.进真空炉，将装好夹具的磁心放在多靶位磁控溅射镀膜机(真空炉)里，并抽真空至真空度10-2帕或以上，加热到200-300℃；3.离子轰击，用不锈钢靶材-简称靶①(含铁、镍、铬)，对磁芯进行离子轰击，使待镀电极表面清洁。真空炉内充氩气，压力2-6×10-1帕，负偏压300-400V。
4.镀过渡层，用靶①沉积0.5-1微米，增加镀银层与磁心的结合力。负偏压50-80V，真空炉内氩气压力2-6×10-1帕。
5.交替镀层，不锈钢膜层与银膜层交替镀膜，膜厚在1-2微米。然后逐渐减少不锈钢材料的沉积。负偏压50-80V，真空炉内氩气压力2-6×10-1帕。
6.镀纯银3-5微米，负偏压50-80V，真空炉内氩气压力2-6×10-1帕。
7.镀纯银0.5-1微米。负偏压0V，真空炉内氩气压力2-6×10-1帕。
实施例1将一磁心装夹后放在多靶位磁控溅射镀膜机里，并抽真空至真空度10-2，加热到200℃；用靶①对磁芯进行离子轰击，真空炉内氩气压力6×10-1帕，负偏压300V；用靶①沉积0.5微米，负偏压80V，真空炉内氩气压力6×10-1帕。
不锈钢膜层与银膜层交替镀膜，膜厚在1.5微米。然后逐渐减少不锈钢材料的沉积。负偏压50V，真空炉内氩气压力6×10-1帕。
镀纯银5微米，负偏压50V，真空炉内氩气压力6×10-1帕。
镀纯银0.5微米。负偏压0V，真空炉内氩气压力6×10-1帕。
本实施例得到的软磁铁氧体磁心经测试抗420℃高温焊锡4分钟，90％的银电极可焊接。
实施例2将一磁心装夹后放在多靶位磁控溅射镀膜机里，并抽真空至真空度1.5×10-2帕，加热到250℃；用靶①对磁芯进行离子轰击，真空炉内氩气压力4×10-1帕，负偏压350V；
用靶①沉积0.8微米，负偏压70V，真空炉内氩气压力4×10-1帕。
不锈钢膜层与银膜层交替镀膜，膜厚在1微米。然后逐渐减少不锈钢材料的沉积。负偏压70V，真空炉内氩气压力4×10-1帕。
镀纯银4微米，负偏压70V，真空炉内氩气压力4×10-1帕。
镀纯银0.7微米。负偏压0V，真空炉内氩气压力4×10-1帕。
本实施例得到的软磁铁氧体磁心经测试抗420℃高温焊锡4分钟，92％的银电极可焊接。
实施例3将一磁心装夹后放在多靶位磁控溅射镀膜机里，并抽真空至真空度1.5×10-2帕，加热到300℃；用靶①对磁芯进行离子轰击，真空炉内氩气压力2×10-1帕，负偏压400V；用靶①沉积1微米，负偏压80V，真空炉内氩气压力2×10-1帕。
不锈钢膜层与银膜层交替镀膜，膜厚在2微米。然后逐渐减少不锈钢材料的沉积。负偏压80V，真空炉内氩气压力2×10-1帕。
镀纯银3微米，负偏压80V，真空炉内氩气压力2×10-1帕。
镀纯银1微米。负偏压0V，真空炉内氩气压力2×10-1帕。
本实施例得到的软磁铁氧体磁心经测试抗420℃高温焊锡4分钟，94％的银电极可焊接。
权利要求
1.一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺，首先将软磁铁氧体磁心放在真空炉内进行加热，其特征在于还包括下列步骤a.在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗；b.在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米；c.在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层，膜厚为1-2微米；d.在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米；e.在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于所选用的过渡层材料为含有铁镍铬的不锈钢靶材。
全文摘要
本发明涉及一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺。包括下列步骤在负偏压300－400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗；在负偏压50－80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5－1微米；在负偏压50－80V交替镀不锈钢膜层与银膜层，膜厚为1－2微米；在负偏压50－80V镀纯银膜层3－5微米；在负偏压0V镀纯银膜层0.5－1微米。软磁铁氧体磁心经此工艺沉积的银电极，膜厚5－8微米，较化学方法的20－30微米镀膜厚度大大节省原材料，能抗420℃锡炉焊接4分钟以上，而90％的银电极仍然可焊接。
文档编号C23C14/14GK1603458SQ20041007462
公开日2005年4月6日 申请日期2004年9月9日 优先权日2004年9月9日
发明者蔡育平 申请人:蔡育平