专利名称：绝缘导热金属基板的制造方法
绝缘导热金属基板的制造方法
技术领域：
本发明有关一种绝缘导热金属基板的制造方法，特别是指与高发热电子组 件配合使用，易于制造并且且热传导性较佳的绝缘导热金属基板的制造方法。背景技术：
现有的制造该导热基板的方法有如下四种
方法之一是在塑料基板上印刷铜箔电路形成印刷电路板，如FR4印刷电路 基板，其热导率约为0. 36W/mK，但其缺点是热性能较差，仅适用于低功率的LED;
方法之二是在PCB基板上贴附一片金属板(如铝基板)，形成所谓的Metal CorePCB基板，以提高散热效率，不过其介电层的热传导率相当于印刷电路基 板，同时操作温度局限于14(TC以内，制程温度局限于250 30(TC内。
方法之三是直接采用烧结成型的陶瓷基板(如AlN/SiC基板)，其具有很 好的绝缘性和导热性，但是其尺寸限于4.5平方英寸以下，无法用于大面积的 面板。
方法之四是在铜板和陶瓷之间通氧气(02)高温下进行结合反应得到的直 接铜接合基板(DBC:Direct Bonded Copper),兼具高导热率及低热膨胀性和介 电性，但其操作和制程温度需高于800。C以上。
发明内容
本发明目的在于提供一种绝缘导热金属基板的制造方法，以解决现有技术 中制造过于复杂或所制造的导热基板应用范围有限的缺陷。
为达成上述目的，本发明绝缘导热金属基板的制造方法包括如下步骤(1) 提供一铝合金基材；(2)对该铝合金基材进行前处理，使表面清洁；(3)将该 铝合金基材置入真空腔抽真空；(4)向真空腔中通入氩气，启动基板负偏压，并 启动溅镀靶材铝，进行离子冲击并植入铝；(5)调整溅射靶电流密度与基板偏压， 之后通入氮气，生成氮化铝薄膜。
与现有技术相比较，本发明利用在铝合金基材上通过真空溅镀形成绝缘层， 并且其制造过程简单，易于实施，并且所制造的导热基板热导率能够达到75 85W/mK，具有较佳的散热性能。
具体实施方式
本发明绝缘导热金属基板的制造方法包括如下步骤
1. 提供铝合金基材；
2. 对该铝合金基材进行前处理，具体包括脱脂，酸洗，清洗等步骤，使其表 面清洁；
、
3. 将该铝基材置入真空腔抽真空至10—5Torr;
4. 向该真空腔中通入氩气维持在1 3x10—3 Torr，启动基板负偏压在-300 -600 V，此时启动溅镀靶材(A1)，控制溅镀靶材的电流密度在0. 1 1 W/cm2，进行 离子冲击并植入铝，时间约为3 10分钟；
5. 将溅射耙电流密度逐步调整至5 15 W/cm2，基板偏压同步逐渐调整至 20 60 V,时间为1 3分钟后通入氮气，氮气分压维持在1 3xl0'3 Torr，使其生 成氮化铝薄膜，其中该氮化铝薄膜的厚度为3 5微米。
权利要求
1、一种绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤(1)提供一铝合金基材；(2)对该铝合金基材进行前处理，使表面清洁；(3)将该铝合金基材置入真空腔抽真空；(4)向真空腔中通入氩气，启动基板负偏压，并启动溅镀靶材铝，进行离子冲击并植入铝；(5)调整溅射靶电流密度与基板偏压，之后通入氮气，生成氮化铝薄膜。
2、 如权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于:对该 铝合金基材进行前处理的过程包括脱脂，酸洗，清洗步骤。
3、 如权利要求1或2所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于 在步骤4中，向该真空腔中通入氩气后其压强维持在l 3x10—3Torr，基板负偏 压在-300 -600 V，控制溅镀耙材的电流密度在0. 1 1 W/cm2，进行离子冲击并 植入铝的时间约为3 10分钟。
4、 如权利要求3所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于在步 骤5中，溅射靶电流密度逐步调整至5 15 W/cm2，基板偏压同步逐渐调整至20 60 V，时间为1 3分钟后通入氮气，氮气分压维持在1 3x10—3 Torr。
5、 如权利要求4所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于该氮 化铝薄膜的厚度为3 5微米。
全文摘要
本发明揭示一种绝缘导热金属基板的制造方法，包括如下步骤(1)提供一铝合金基材；(2)对该铝合金基材进行前处理，使表面清洁；(3)将该铝合金基材置入真空腔抽真空；(4)向真空腔中通入氩气，启动基板负偏压，并启动溅镀靶材铝，进行离子冲击并植入铝；(5)调整溅射靶电流密度与基板偏压，之后通入氮气，生成氮化铝薄膜。
文档编号C23C14/06GK101298660SQ20071002210
公开日2008年11月5日 申请日期2007年4月30日 优先权日2007年4月30日
发明者吴政道, 胡振宇, 郭雪梅 申请人:汉达精密电子(昆山)有限公司