一种电路板基板层间导通的方法及电路板基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板基板技术领域，具体涉及一种电路板基板层间导通的方法及电路板基板。
【背景技术】
[0002]电路板基板产品走大电流已成为一种趋势，但大电流需要超厚铜芯板进行载流，对于超厚铜芯板之间的导通，目前大多采用的是钻孔工艺，通过金属化孔作为层层之间导通结构。
[0003]然而，这种钻孔工艺需要较多的金属化孔来进行并联载流才能实现导通，这样不仅占用了电路板外层较多的布线空间，而且超厚铜产品钻孔容易出现断钻的现象。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种电路板基板层间导通的方法及电路板基板，用于解决现有技术中通过钻孔工艺实现电路板基板层间导通所存在的问题。
[0005]本发明第一方面提供一种电路板基板层间导通的方法，包括:采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，所述第一金属板的厚度为H，所述第二金属板的厚度h，h = Hl ;
[0006]在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板以使得所述第一金属板的除所述第一导通区域以外的其他区域的厚度为H1，所述第一导通区域的面积为SI，其中，SI根据所述第一导通区域的电流大小确定；
[0007]在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板以使得所述第二导通区域的厚度为H4，所述第二导通区域的横截面积为S2，其中，S2根据所述第二导通区域的电流大小确定；
[0008]将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。
[0009]结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述方法还包括:
[0010]采用蚀刻工艺分别在所述第一金属板的第三表面和第二金属板的第四表面制作线路图形，其中，所述第三表面为与所述第一金属板的第一表面相对应的另一个表面，所述第四表面为与所述第二金属板的第二表面相对应的另一个表面；
[0011 ] 将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。
[0012]结合第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形之前还包括:
[0013]对所述第一金属板和所述第二金属板进行表面处理，所述表面处理包括除油，微蚀刻和粗糙处理。
[0014]结合第一方面或者第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合包括:
[0015]采用半固化片PP将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。
[0016]结合第一方面，在第四种可能的实现方式中，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形包括:
[0017]对所述第一金属板蚀刻的厚度为H1/2+H2+H3，对所述第二金属板蚀刻的厚度为H1/2，其中，所述第一金属板和所述第二金属板进行蚀刻区域的垂直方向上剩余的厚度均为H1/2，所述第一金属板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2为所述第一金属板的介质层厚度，H3为需要进行微蚀刻的厚度。
[0018]结合第一方面或者第一方面的第一至第二种任意一种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述第一金属板和所述第二金属板为铜板。
[0019]结合第一方面或者第一方面的第一至第二种任意一种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述抗蚀刻膜包含干膜。
[0020]结合第一方面，在第七种可能的实现方式中，所述H4 ( 0.1mm，所述SI > S2。
[0021]本发明第二方面提供一种电路板基板，包括:第一金属板和第二金属板；
[0022]所述第一金属板的第一表面设置有第一导通区域；
[0023]所述第二金属板的第二表面设置有第二导通区域；
[0024]所述第一导通区域接触所述第二导通区域。
[0025]应用以上技术方案，采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻模，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板，在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板，将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合，采用该技术方案实现电路板基板层间导通的过程，无需钻孔，因此不会发生断钻的现象，节约了电路板基板外层的布线空间。
【附图说明】
[0026]为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0027]图1是本发明实施例中电路板基板层间导通的方法的一个实施例示意图；
[0028]图2是本发明实施例中电路板基板蚀刻的一个剖面图；
[0029]图3是本发明实施例中电路板基板设置抗蚀刻模的一个剖面图；
[0030]图4是本发明实施例中电路板基板微蚀刻的一个剖面图；
[0031]图5是本发明实施例中电路板基板设置抗蚀刻模的另一个剖面图；
[0032]图6是本发明实施例中电路板基板微蚀刻的另一个剖面图；
[0033]图7是本发明实施例中电路板基板层压的一个剖面图；
[0034]图8是本发明实施例中电路板基板层压的另一个剖面图；
[0035]图9是本发明实施例中电路板基板蚀刻的另一个剖面图；
[0036]图10是本发明实施例中电路板基板层压的另一个剖面图；
[0037]图11是本发明实施例中电路板基板的一个剖面图。
【具体实施方式】
[0038]本发明实施例提供一种电路板基板层间导通的方法及电路板基板，用于解决现有技术中通过钻孔工艺实现电路板基板层间导通所存在的问题，无需钻孔，因此不会发生断钻的现象，节约了电路板基板外层的布线空间。
[0039]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0040]下面通过具体实施例，分别进行详细的说明。
[0041]实施例一、
[0042]请参阅图1，本发明实施例提供一种电路板基板层间导通的方法，可包括:
[0043]101、采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形；
[0044]请参阅图2,米用蚀刻工艺分别在第一金属板201的第一表面202和第二金属板203的第二表面204制作线路图形，第一金属板201的厚度为H，第二金属板203的厚度为h，h = Hl ο
[0045]可选的，米用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形之前还包括:
[0046]对第一金属板和第二金属板进行表面处理，表面处理包括除油，微蚀刻和粗糙处理。
[0047]可选的，米用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形包括:
[0048]对所述第一金属板蚀刻的厚度为H1/2+H2+H3，对所述第二金属板蚀刻的厚度为H1/2，其中，所述第一金属板和所述第二金属板进行蚀刻区域的垂直方向上剩余的厚度均为H1/2，所述第一金属板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2为所述第一金属板的介质层厚度，H3为需要进行微蚀刻的厚度。
[0049]102、在第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻第一金属板以使得第一金属板的除第一导通区域以外的其他区域的厚度为Hl ；
[0050]请参阅图3和图4，在上述对第一金属板201蚀刻的基础上，进一步进行微蚀刻，即:在第一表面202的第一导通区域205设置抗蚀刻膜206，采用微蚀刻工艺蚀刻第一金属板201以使得第一表面202除第一导通区域205以外的其他区域的厚度为H1。
[0051]需要说明的是，第一导通区域的面积为SI，其中，SI根据所述第一导通区域的电流大小确定。
[0052]可以理解的是，比如在导体内，通过电流的第一导通区域的面积为SI，在时间间隔dt内，则在导体中的电流为通过面积SI的电荷随时间的变化率，反之，根据通过所述第一导通区域的电流确定所述面积SI。
[0053]103、在第二表面除第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻第二金属板以使得第二导通区域的厚度为H4 ；
[0054]请参阅图5和图6，进一步对第二金属板203进行微蚀刻，即:在第二表面204除第二导通区域207以外的其他区域设置抗蚀刻膜206，采