用微蚀刻工艺蚀刻第二金属板203以使得第二导通区域207的厚度为H4。
[0055]需要说明的是，第二导通区域的面积为S2，其中，S2根据所述第二导通区域的电流大小确定。
[0056]可以理解的是，比如在导体内，通过电流的第二导通区域的面积为S2，在时间间隔dt内，则在导体中的电流为通过面积S2的电荷随时间的变化率，反之，根据通过所述第二导通区域的电流确定所述面积S2。
[0057]可选的，H4彡 0.1mm，所述 SI > S2 ;
[0058]需要说明的是，第一导通区域与第二导通区域的表面图形可以为矩形，也可以是圆形，此处不做具体限定。
[0059]可以理解的是，当第一导通区域和第二导通区域的表面图形都为圆形时，第一导通区域的表面直径为D，第二导通区域的表面直径为d，则d = D-0.05_。
[0060]可以理解的是，第二导通区域的厚度通过微蚀刻从Hl变为H4，第一导通区域的厚度通过微蚀刻变为H2+H3，第一金属板的第一导通区域通过过赢压合进入第二金属板的第二导通区域的凹槽中，凹槽的深度为H1-H4，使得第一导通区域和第二导通区域完全无绝缘接触。
[0061]104、将第一金属板和第二金属板进行配板压合。
[0062]请参阅图7，在上述微蚀刻的基础上，将第一金属板和第二金属板进行配板压合。
[0063]请参阅图8，可选的，采用半固化片P208将第一金属板201和第二金属板203进行配板压合。
[0064]可以理解的是，通过PP将第一金属板和第二金属板进行配板压合，其中，PP的配置张数根据介质层厚度要求而定，由于本发明实施例中无需钻孔，只需通过线路图形进行载流导通，线路图形通过PP时散热小，从而对电路板层层之间的功率传输效率影响少。
[0065]可选的，该方法还包括:
[0066]采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第三表面和第二金属板的第四表面制作线路图形，其中，第三表面为与第一金属板的第一表面相对应的另一个表面，第四表面为与第二金属板的第二表面相对应的另一个表面；
[0067]将第一金属板和第二金属板进行配板压合。
[0068]请参阅图9和图10，在上述采用蚀刻工艺只在第一金属板201的第一表面202和第二金属板203的第二表面204制作线路图形的基础上，进一步采用蚀刻工艺分别在第一金属板201的第三表面209和第二金属板203的第四表面210制作线路图形，并将第一金属板201和第二金属板203进行配板压合。
[0069]可选的,第一金属板201和第二金属板203为铜板。
[0070]可选的，抗蚀刻膜206包含干膜。
[0071]在本发明实施例中，采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻模，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板，在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板，将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合，采用该技术方案实现电路板基板层间导通的过程，无需钻孔，因此不会发生断钻的现象，节约了电路板基板外层的布线空间。
[0072]为便于更好的实施本发明实施例的上述相关方法，下面还提供用于配合上述方法的电路板基板，请参阅图11，该电路板基板300可包括:
[0073]第一金属板301和第二金属板302 ；
[0074]第一金属板301,用于在第一金属板301的第一表面设置有第一导通区域303 ；
[0075]第二金属板302，用于在第二金属板的第二表面设置有第二导通区域304 ；
[0076]第一导通区域303，用于接触第二导通区域304。
[0077]由于该电路板基板是上述相关方法对应的电路板基板，具体请参阅上述实施例一，此处不再赘述。
[0078]综上所述，本发明实施例采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板，在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板，将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合，采用该技术方案实现电路板层间导通的过程，无需钻孔，因此不会发生断钻的现象，节约了电路板外层的布线空间。
[0079]在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0080]需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
[0081]以上对本发明实施例所提供的电路板基板层间导通的方法及电路板基板进行了详细介绍，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制。本技术领域的技术人员，依据本发明的思想，在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电路板基板层间导通的方法，其特征在于，包括: 采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，所述第一金属板的厚度为H，所述第二金属板的厚度为h，h = Hl ; 在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板以使得所述第一金属板的除所述第一导通区域以外的其他区域的厚度为H1，所述第一导通区域的面积为SI，其中，SI根据所述第一导通区域的电流大小确定； 在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板以使得所述第二导通区域的厚度为H4，所述第二导通区域的面积为S2，其中，S2根据所述第二导通区域的电流大小确定； 将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 采用蚀刻工艺分别在所述第一金属板的第三表面和第二金属板的第四表面制作线路图形，其中，所述第三表面为与所述第一金属板的第一表面相对应的另一个表面，所述第四表面为与所述第二金属板的第二表面相对应的另一个表面； 将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形之前还包括: 对所述第一金属板和所述第二金属板进行表面处理，所述表面处理包括除油，微蚀刻和粗糙处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形包括: 对所述第一金属板蚀刻的厚度为H1/2+H2+H3，对所述第二金属板蚀刻的厚度为H1/2，其中，所述第一金属板和所述第二金属板进行蚀刻区域的垂直方向上剩余的厚度均为H1/2，所述第一金属板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2为所述第一金属板的介质层厚度，H3为需要进行微蚀刻的厚度。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合包括: 采用半固化片PP将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于， 所述第一金属板和所述第二金属板为铜板。7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于， 所述抗蚀刻膜包含干膜。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述 H4 ( 0.1_，所述 SI > S2。9.一种电路板,其特征在于,包括:第一金属板和第二金属板； 所述第一金属板的第一表面设置有第一导通区域； 所述第二金属板的第二表面设置有第二导通区域； 所述第一导通区域接触所述第二导通区域。
【专利摘要】本发明公开了一种电路板基板层间导通的方法。用于解决现有技术中通过钻孔工艺实现电路板基板层间导通所存在的问题，所述方法包括：采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形；在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板以使得所述第一金属板的除所述第一导通区域以外的其他区域的厚度为H1；在所述第二表面除所述第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板以使得所述第二导通区域的厚度为H4；将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。本发明实施例还提供相应的电路板基板。
【IPC分类】H05K3/46, H05K1/11, H05K3/40, H05K1/02
【公开号】CN105704906
【申请号】CN201410706020
【发明人】黄立球, 刘宝林, 沙雷
【申请人】深南电路有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2014年11月27日