一种去除镓铝砷材料表面金层的方法

文档序号:3348055阅读:151来源:国知局
专利名称:一种去除镓铝砷材料表面金层的方法
技术领域
本发明涉及一种去除镓铝砷材料表面金层的方法。
背景技术
Ga(,-x)AlxAs三元混晶半导体材料是制作红光、红外光发光二极管、激光器 的重要原材料。在制作发光二极管、激光芯片的过程中,首先要在材料表面蒸 镀一层主要成份为Au层的组合结构,以便形成金属与外延材料的欧姆接触。 电极的制作是采用化学试剂有选择性地去除不需要区域形成。目前常用来去除 材料表面金层的试剂主要有两种
A,碱金属碘盐与碘混合形成的复合溶液,如碱化钾、碘的混合溶液
反应式如下
KI+I2——KI3+KI (过量) ① 3KI3+2Au-2KAuI4+KI ②
B、氰化钾溶液 反应式如下
4 Au + 8 KCN + 2H20 + 02——4 Na[Au(C翠]+ 4 NaOH G)
但试剂A不适用于去除Ga(1-x)AlxAs三元混晶半导体材料表面金层,因为 试剂A在去除材料表面金层的同时对材料表面也具有腐蚀作用,且X值越大, 试剂A对材料的腐蚀作用越明显,材料本身的损伤严重影响芯片外观及使用性 能。在目前常用来去除Ga(k)AlxAs三元混晶半导体材料表面金层的化学试剂 为试剂B。但氰化物有剧毒,操作过程及防护措施必须十分小心周全,而且氰 化物的购买及废弃物处理程序繁琐,不利于规模生产及成本降低。

发明内容
本发明的目的在于提供一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,该方法在去 除金层的同时在材料表面形成轻微钝化膜,以便在保证产品质量的前提下取代 现有的氰化物剧毒配方。
本发明是这样实现的,其特征是在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体
积比在20。/。-35。/。的浓硝酸,混合后去除镓铝砷三元混晶材料的表面金层。在LED 芯片生产中,由于加入了浓硝酸后,在去除金层的同时在材料表面形成轻微钝 化膜,保护了外延片表面。
本发明所述的混合后的溶、液中含有主要成份为k+、 r、 i2、 no2、 i3-、 h+、 n03。
本发明所述的混合的溶液至少含有h+、 n03—、 n02。 本发明的技术效果是容易实施,无剧毒,性能稳定可靠,可在去除金层 的同时在镓铝砷材料表面形成轻微钝化膜,有利于保护试剂对材料表面的损伤。
具体实施例方式
实施例一
首先取一发光波长约为640nm左右的GaAlAs材料外延片,然后通过真 空蒸镀的方法在外延片表面蒸镀一层主要成份为金的金属。将外延片从真空蒸 镀台中取出,在金层表面涂覆一层光阻层,并利用曝光、显影、烘干固定等技 术在光阻层中形成特定的图形区域。完成以上操作后,将以上外延片用石英夹 具装好备用。
取去离子水1000克、碘25克、碘化钾100克放入石英杯中,搅拌均匀, 放置15分钟以上后在溶液中加入质量比为70%的左右浓硝酸300毫升,搅拦均匀。
将装好的GaAlAs外延片浸泡于以上溶液中,轻微抖动以使金层腐蚀均匀, 等无光阻层保护区域金层完全去除后取出,冲去离子水15分以上,去除电极 区域光阻层即可。
实施例二
首先取一发光波长约为940nm左右的GaAlAs材料外延片,然后通过真 空蒸镀的方法在外延片表面蒸镀一层主要成份为金的金属。将外延片从真空蒸 镀台中取出,在金层表面涂覆一层光阻层,并利用曝光、显影、烘干固定等技 术在光阻层中形成特定的图形区域。完成以上操作后,将以上外延片用石英夹 具装好备用。
取去离子水1000克、碘20克、碘化铵120克放入石英杯中,搅拌均匀, 放置15分钟以上后在溶液中加入质量比70%左右浓硝酸250毫升,搅拦均勻。
将装好的GaAlAs外延片浸泡于以上溶液中,轻微抖动以使金层腐蚀均匀, 等无光阻层保护区域金层完全去除后取出,冲去离子水15分以上,去除电极 区域光阻层即可。
权利要求
1、一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,其特征是在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体积比在20%-35%的浓硝酸,混合后去除镓铝砷三元混晶材料的表面金层。
2、 根据权利要求1所述的一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,其特征 在于混合后的溶外友主要成份为K+、 I—、 I2、 N02、 I3—、 H+、 N03—。
3、 根据权利要求2所述的一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,其特征 在于混合后的溶液中至少含有H+、 N03—、 N02。
全文摘要
一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,其特征是质量为在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体积比在20%-35%的浓硝酸,混合后用于去除镓铝砷三元混晶材料表面的金层。本发明的技术效果是容易实施,无剧毒,性能稳定可靠,可在去除金层的同时在半导体材料表面形成轻微钝化膜,有利于减缓试剂对材料表面的损伤。
文档编号C23F1/10GK101445934SQ20081013663
公开日2009年6月3日 申请日期2008年12月26日 优先权日2008年12月26日
发明者万金平, 何民华, 叶建青, 力 周 申请人:南昌欣磊光电科技有限公司
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