磁控溅射均匀进气装置的制作方法

文档序号:3421748阅读:262来源:国知局
专利名称:磁控溅射均匀进气装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池生产中的磁控溅射装置,具体的说是一 种改变进气方式提高沉积均匀性的磁控溅射均匀进气装置。
背景技术
在太阳能电池生产中,磁控溅射工艺作为一种背电极(铝层)的溅射 工艺,在其运行过程中,需要在其高真空室中充入所需要的惰性气体-氩气, 氩气电离成正离子和电子,通过洛伦兹力作用飞向靶材,激发靶材溅射成膜, 而膜厚的均匀性是一个重要质量标准,所以气体进入设备时的均匀性就十分 重要。气体只有均匀的进入设备被电离,才能使正离子和电子更好的分布, 保证靶材的溅射效果,使成膜均匀、平整。
而现有磁控溅射设备结构为一根管进气,进气盘上只有一个进气孔,如 此进气方式结果为中间气体流量大,而进气盘四周的气体要求得不到保证。 影响镀膜均匀性,急需改进。 发明内容
本实用新型的目的是要提供一种结构简单合理、气体能够均匀的进入设 备被电离、溅射效果好,使成膜均匀、平整的磁控溅射均匀进气装置。
本实用新型的目的是这样实现的该进气装置包括溅镀室1、进气盘2,
所述的进气盘2设置在溅镀室1的进气面上,进气盘2上设置有多个进气孔 3。
所述的进气孔3的数量是两个以上,并且在进气盘2上均布设置。 本实用新型由于采用上述结构,使得设备进气时,分别从进气盘上的多个孔进入,如此保证进气盘中央和四周的气体压强能大致相同,保证了气体 的均匀性,使气体能够均匀的进入设备被电离、溅射效果好,使成膜均匀、 平整。

图1为磁控溅射均匀进气装置整体结构示意图
图2为本实用新型进气盘结构示意图具体实施方式
由图1所示;该进气装置包括溅镀室1、进气盘2,所述的进气盘2设 置在溅镀室1的进气面上,进气盘2上设置有多个进气孔3。
所述的进气孔3的数量是两个以上,并且在进气盘2上均布设置。 如图2所示进气盘2上的进气孔3的数量为九个,当设备进气时,气 体分九根管道分别接入九个进气孔3,由于管道气压基本相同,所以进入进 气孔3的气压相同,保证了进气盘2面上各处气体的均匀,使后面的电离均 匀,进一步保证镀膜的均匀性。
权利要求1、一种磁控溅射均匀进气装置,该进气装置包括溅镀室(1)、进气盘(2),所述的进气盘(2)设置在溅镀室(1)的进气面上,其特征在于所述的进气盘(2)上设置有多个进气孔(3)。
2、根据权利要求l所述的一种磁控溅射均匀进气装置,其特征在于所述的进气孔(3)的数量是两个以上,并且在进气盘(2)上均布设置。
专利摘要本实用新型涉及一种太阳能电池生产中的磁控溅射装置,具体地说是一种改变进气方式提高沉积均匀性的磁控溅射均匀进气装置。该进气装置包括溅镀室、进气盘,所述的进气盘设置在溅镀室的进气面上,进气盘上设置有多个进气孔。所述的进气孔的数量是两个以上,并且在进气盘上均布设置。本实用新型由于采用上述结构,使得设备进气时,分别从进气盘上的多个孔进入,如此保证进气盘中央和四周的气体压强能大致相同,保证了气体的均匀性,使气体能够均匀的进入设备被电离、溅射效果好,使成膜均匀、平整。
文档编号C23C14/35GK201326008SQ200820073008
公开日2009年10月14日 申请日期2008年12月30日 优先权日2008年12月30日
发明者刘万学, 兵 张, 爽 曲, 王德宏 申请人:吉林庆达新能源电力股份有限公司
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