真空处理装置、真空处理方法以及计算机可读存储介质的制作方法

专利名称：真空处理装置、真空处理方法以及计算机可读存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及真空处理装置、使用了真空处理装置的真空处理方法、以及存储有使 该真空处理装置执行该真空处理方法的计算机的计算机可读存储介质，所述真空处理装置 被构成为多个真空处理室与具有衬底运送单元的真空运送室连接，从而可有效应用所述多
个真空处理室。
背景技术：
当制造半导体器件时，对作为半导体衬底的半导体晶片(以下称为“晶片”)进行 包括蚀刻处理、成膜处理、灰化处理等在内的预定的真空处理。作为执行这些工序的装置， 公知所谓的多腔室式真空处理装置，所述多腔室式真空处理装置的多个真空处理室与可维 持真空的共用的运送室连接，该真空运送室和大气气氛的运送室经由构成加载互锁真空室 (load lock chamber)的预备真空室而连接。上述的真空处理装置如图1所示。在该装置中，运载盒10内的晶片由常压气氛的 运送室11的第一运送臂12取出，并由运送臂12将其运送到常压气氛的预备真空室13中。 接着，在将预备真空室13排气至预定的负压之后，晶片通过第二运送臂14从预备真空室13 经由真空运送室15被运送到某一真空处理室16中，并在此被实施预定的真空处理。之后， 晶片通过第二运送臂14经由真空运送室15被运送到真空气氛的预备真空室13中，并在预 备真空室I3中被加压至常压，然后通过第一运送臂12经由运送室11被返回到运载盒10 中。这里，第二运送臂14具有两个保持臂。由此，通过一个保持臂运出在所述真空处 理室中被处理过的晶片，接着将预先保持在另一个保持臂上的未处理的晶片运入该真空处 理室16，然后将一个保持臂上的晶片运送到进行下一工序的处理的其他真空处理室16中。在上述的真空处理装置中，真空处理室16沿着真空运送室15的运送通道的长度 方向而设置，因此设置在该真空处理装置中的真空处理室16的个数根据真空运送室15的 运送通道的长度来决定。在以往的真空处理装置中，如图所示，最多例如设置6个真空处理 室16，为了制造半导体器件，在各自的处理室中进行蚀刻处理、成膜处理、灰化处理等一系 列的处理。在上述的真空处理装置中，除蚀刻处理等以外，还需要设置进行臂清洁处理的 模块、为了去除附着在晶片W上的附着物而进行使该附着物气化的脱气处理(degassing process)等处理的模块、以及暂时放置晶片W的空间，并使得第二运送臂14能够访问这些 模块等。臂清洁处理用于洗涤第二运送臂14的晶片保持区域。当第二运送臂进入真空处 理室16时，由于真空处理室16内的残留处理气体附着在第二运送臂14上，因此当反复进 入真空处理室16以及从真空处理室16离开时，会在运送臂14上堆积膜。如果该膜被剥离， 有时会附着到晶片上，因此堆积在运送臂14上的膜可成为引起尘粒污染的原因。洗涤运送 臂14的方法可有效地用于防止这一点，因此需要设置执行臂清洁处理的模块。
另外，在由第二运送臂14从真空处理室16取出处理过的晶片W之后对真空处理 室16的内部进行清洁处理时等的情况下需要暂时放置晶片W的区域。如上所述，第二运送 臂14的两个保持臂中的一个保持臂保持在真空处理室16中处理过的晶片W，另一个保持臂 保持要处理的晶片W(未处理晶片W)。这里，在清洁真空处理室16的情况下，不能将未处理 的晶片W运入真空处理室16。于是，第二运送臂14也不能将处理过的晶片W运送到下一 真空处理室16，其结果是，第二运送臂14必须在保持着两片晶片的状态下进行等待，直到 清洁处理结束为止。此时，如果能够将未处理的晶片W暂时放置在上述的区域，就能够将处 理过的晶片W运送到下一工序的真空处理室16中而不必等待清洁处理结束，因此能够抑制 生产量的下降。根据上述的理由，需要设置暂时放置晶片W的区域(以下，有时称为缓冲模 块)。但是，由于进行半导体器件的制造处理的模块优先与真空运送室15连接，因此， 在以往的真空处理装置中，难以确保用于臂清洁模块、脱气处理模块以及缓冲模块等在半 导体器件制造处理的前后被使用的附属模块的空间。为了解决上述困难，也可考虑通过增大真空运送室15来增加与真空运送室15 连接的模块数并连接附属模块。但是，在这样的结构下会产生如下的问题装置的占有面 积(foot print)变大，并且由于第二运送臂14的移动区域变大而该运送臂14的生产量 (throughput)下降。另外，如果增大真空运送室15并增加连接在其上的模块数，就必须大 幅度变更装置整体和第二运送臂14的规格，因此还存在设计等方面需要功夫和时间的问 题。此外，虽也可考虑在预备真空室13中设置附属模块，但在将预备真空室13选择性地维 持为减压和常压时需要进行复杂的压力调节，而由于该压力调节也会产生生产量下降的问 题。另外，如上所述，臂清洁模块或缓冲模块不是经常使用的，其在预定的定时被使 用，从而有时很长时间不被使用。因此，从设计装置和运送程序的观点来看，用于制造半导 体器件的一系列处理最好使用现有装置并通过现有的运送程序来实施。根据这样的要求， 发明人研究了最小限度地改变现有的装置结构和程序的规格并能够增加附属模块的结构。在专利文献1中提出了如下方案例如在真空运送室中设置缓冲部，由此在不增 大装置的占有面积的情况下在该缓冲部中进行用于晶片W的脱气处理或预定的测定处理 的简单处理。然而，在该构成中，由于在真空运送室的运送单元的移动区域设置缓冲部，因 此运送单元不能沿真空运送室的长度方向运送晶片W，为了向与真空运送室连接的所有真 空处理室运送晶片W，需要在不同的每个区域设置两个运送单元。如上所述，由于在真空运 送室中必须设置缓冲室和两个运送单元，因此需要与现有的真空处理装置的规格不同的规 格，并且必须将装置的占有面积增大一定程度。因此，即使根据该文献1公开的构成，也不 能解决本发明的课题。专利文献1 日本专利申请公开公报第2002-324829号。

发明内容
本发明是基于上述情况而作出的，其目的在于提供一种抑制装置占有面积的增 大、并能够添加进行对衬底运送单元的处理、对衬底的处理以及衬底的等待的附属模块的 真空处理装置、使用该真空处理装置的真空处理方法、以及存储有使该真空处理装置执行该真空处理方法的程序的计算机可读存储介质。为达到上述目的，本发明的第一方式提供一种真空处理装置，预备真空室，其内部 压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出该预备真空室；对衬底进行各种处理的多 个真空处理室；真空运送室，其与预备真空室以及多个真空处理室连接，并包括在预备真空 室和多个真空处理室之间运送衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部的凹部；附 属模块，其对衬底运送机构进行预定的处理；以及升降机构，其在第一位置和第二位置之间 移动附属模块，其中，第一位置是附属模块被容纳到凹部以便不妨碍衬底运送机构运送衬 底的位置，第二位置是衬底通过衬底运送机构能够进出附属模块的位置。本发明的第二方式是根据第一方式所述的真空处理装置，其中，对衬底运送机构 进行的预定的处理是保持该衬底运送机构的衬底的保持臂的洗涤处理、保持臂的静电去除 处理以及保持臂的位置调节处理中的任意处理。本发明的第三方式提供一种真空处理装置，包括预备真空室，其内部压力能够被 切换为常压和负压，衬底被运入运出预备真空室；对衬底进行各种处理的多个真空处理室； 真空运送室，其与预备真空室和多个真空处理室连接，并包括在预备真空室和多个真空处 理室之间运送衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部的凹部；附属模块，其能够容 纳衬底，并被构成为对容纳的衬底进行预定的处理；以及升降机构，其在第一位置和第二位 置之间移动附属模块，其中，第一位置是附属模块被容纳到凹部以便不妨碍衬底运送机构 运送衬底的位置，第二位置是衬底通过衬底运送机构能够进出附属模块的位置。本发明的第四方式是根据第三方式所述的真空处理装置，其中，附属模块包括盖 体，其通过升降机构而在第三位置和第四位置之间自如地升降，其中，第三位置是附属模块 气密地密封凹部的位置，第四位置是盖体向真空运送室内伸出的位置；以及载置衬底的载 置部，其通过升降机构而在第五位置和第六位置之间自如地升降，其中，第五位置是在由凹 部和盖体划定的空间中衬底被载置到载置部上的位置，第六位置是能够在衬底运送机构和 载置部之间交接衬底的位置。本发明的第五方式是根据第四方式所述的真空处理装置，其中，载置部与盖体一 体地升降。本发明的第六方式是根据第三方式所述的真空处理装置，其中，盖体，其通过升降 机构而在第三位置和第四位置之间自如地升降，第三位置是盖体气密地密封凹部的位置， 第四位置是盖体向真空运送室内伸入的位置；载置衬底的载置部，其被配置在由凹部和气 密地密封该凹部的盖体划定的空间内；以及交接部，其被构成为升降自如，以使衬底能够在 载置部和衬底运送机构之间被交接。本发明的第七方式是根据第一至第四方式中任一项所述的真空处理装置，其中， 附属模块包括对衬底进行处理的处理部。本发明的第八方式是根据第七方式所述的真空处理装置，其中，对衬底进行处理 的处理部是调节衬底的温度的温度调节部。本发明的第九方式是根据第八方式所述的真空处理装置，其中，附属模块包括加 热衬底的加热部。本发明的第十方式是根据第八方式所述的真空处理装置，其中，附属模块包括冷 却衬底的冷却部。
本发明的第十一方式是根据第八方式所述的真空处理装置，其中，温度调节部包 括温度调节流体的流道，其形成在凹部的壁部；气体供应部，其向由凹部和气密地密封该 凹部的盖体划定的空间供应气体；以及排气部，其将空间排气至负压。本发明的第十二方式是根据第十一方式所述的真空处理装置，其中，在附属模块 中，通过使附着在衬底上的附着物气化而去除该附着物。本发明的第十三方式是根据第一至第十二方式中任一项所述的真空处理装置，其 中，衬底运送机构包括底座，其被设置成能够在真空运送室中沿着设置在该真空运送室中 的导轨移动；以及衬底的保持臂，其以在水平方向上自如旋转以及自如进退的状态设置在 底座上；其中，形成在真空运送室的底部的凹部在不与导轨冲突干涉的区域内被配置成能 够处在使得底座不与凹部冲突干涉的位置。本发明的第十四方式提供一种在第一方式所述的真空处理装置中进行的真空处 理方法，包括以下工序将附属模块容纳到凹部中；通过衬底运送机构向多个真空处理室 中的一个真空处理装置运入衬底；在一个真空处理室中对衬底进行预定的真空处理；将附 属模块从凹部伸出到真空运送室，并使衬底运送机构进入该附属模块；以及在附属模块中 对衬底运送机构进行预定的处理。本发明的第十五方式是根据第十四方式所述的真空处理方法，其中，在对衬底运 送机构进行预定的处理的工序中，进行该衬底运送机构的保持衬底的保持臂的洗涤处理、 保持臂的静电去除处理以及保持臂的位置调节处理中的任意处理。本发明的第十六方式提供一种在第三方式所述的真空处理装置中进行的真空处 理方法，包括以下工序将附属模块容纳到凹部中；向多个真空处理室中的一个真空处理 装置运入衬底；在一个真空处理室中对衬底进行预定的真空处理；将附属模块从凹部伸出 到真空运送室，并向该附属模块中运入衬底；以及将运入了衬底的附属模块容纳到凹部中。本发明的第十七方式是根据第十六方式所述的真空处理方法，其中，当清洁多个 真空处理室中的任意的真空处理室时执行向附属模块中运入衬底的工序。本发明的第十八方式是根据第十六方式所述的真空处理方法，还包括以下工序 在被容纳在凹部中的附属模块中对衬底进行预定的真空处理。本发明的第十九方式是根据第十八方式所述的真空处理方法，其中，在所述附属 模块中对衬底进行预定的真空处理的工序中，衬底的温度被调节。本发明的第二十方式是根据第十八方式所述的真空处理方法，其中，在附属模块 中对衬底进行预定的真空处理的工序中，通过使附着在衬底上的附着物气化来去除该附着 物。本发明的第二十一方式提供一种计算机可读存储介质，其中存储有使第一方式所 述的真空处理装置执行真空处理方法的计算机程序，在该计算机程序中编有使真空处理装 置执行以下工序的步骤将附属模块容纳到凹部中；通过衬底运送机构向多个真空处理室 中的一个真空处理装置运入衬底；在一个真空处理室中对衬底进行预定的真空处理；将附 属模块从凹部伸出到真空运送室，并使衬底运送机构进入该附属模块；以及在附属模块中 对衬底运送机构进行预定的处理。本发明的第二十二方式提供一种计算机可读存储介质，其中存储有使第三方式所 述的真空处理装置执行真空处理方式的计算机程序，在该计算机程序中编有使真空处理装置执行以下工序的步骤将附属模块容纳到凹部中；向多个真空处理室中的一个真空处理 装置运入衬底；在一个真空处理室中对衬底进行预定的真空处理；将附属模块从凹部伸出 到真空运送室，并向该附属模块中运入衬底；以及将运入了衬底的附属模块容纳到凹部中。发明效果根据本发明，由于在真空运送室的底部或顶棚部形成凹部，并且将能够进行对衬 底运送机构的处理、衬底的待机、对衬底的处理等的附属模块在不使用时容纳在凹部中以 使其不妨碍由衬底运送机构执行的衬底运送，而在使用时将该附属模块伸出到真空运送室 内，因此能够抑制装置的占有面积的增大，并能够添加附属模块。另外，通过形成在真空运送室的底部或顶棚部的凹部和密封该凹部的开口部的盖 体来形成划定空间，并使得在该划定空间内进行衬底的等待或衬底的处理，由此能够抑制 装置的占有面积的增大，并能够添加执行衬底的等待、衬底处理的功能。


图1是示出现有的真空处理装置的平面图；图2是示出本发明一个实施方式涉及的真空处理装置的平面图；图3是示出设置在真空出处理装置中的第二运送室的一个示例的截面图；图4是示出第二运送室的一个示例的截面图；图5是示出第二运送室的一个示例的主要部分的立体图；图6是示出第二运送室的一个示例的主要部分的立体图；图7是示出第二运送室的一个示例的主要部分的立体图；图8是示出真空处理装置的另一示例的截面图；图9是示出真空处理装置的其他示例的截面图；图10是示出真空处理装置的其他示例的截面图；图IlA是用于说明图10所示真空处理装置的作用的工序图，图IlB是用于说明图 10所示真空处理装置的作用的工序图；图12A是用于说明图10所示真空处理装置的作用的工序图，图12B是用于说明图 10所示真空处理装置的作用的工序图；图13是用于说明图10所示真空处理装置的作用的工序图；图14是示出真空处理装置的其他示例的截面图；图15是示出真空处理装置的其他示例的截面图。标号说明C 运载盒21第一运送室22,23加载互锁真空室(预备真空室)3第二运送室30 底部31A 31F 真空处理室32第二运送臂34 底座
37 导轨38 第一凹部4洗涤模块41第二模块41b 流道6缓冲模块7、8、40、82 盖体71保持部件87升降杆W半导体晶片
具体实施例方式下面，参考附图对本发明的非限定性例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对 相同或对应的构件或部件标注相同或对应的标号，并省略重复的说明。另外，附图并不意图 示出构件或部件之间的相对比例，因此，具体尺寸应由本领域的技术人员依照以下非限定 性的实施方式来决定。图2是示出真空处理装置2的整体构成的平面图。如图所示，真空处理装置2包 括作为进行晶片W的装载及卸载的装载器模块的第一运送室21 ；加载互锁真空室(预备 真空室)22、23 ；作为真空运送室的第二运送室3 ；以及真空处理室31A 31F。另外，在真 空处理装置2中，在第一运送室21的前方(图2中的-Y方向)设置有装载端口 24，容纳晶 片W的运载盒C被载置在该装载端口 24上。在第一运送室21的正面壁上设置有闸门GT， 该闸门GT与载置于装载端口 24上的运载盒C连接，并与该运载盒C的盖一起打开以及关 闭。另外，在第一运送室21的外侧壁上设置有用于调节晶片W的朝向、偏心的调准室 25。在加载互锁真空室22、23中分别设置有图中没有示出的真空泵和漏泄阀。由此，加载 互锁真空室22、23能够选择性地维持在常压和负压。即，通过如此构成，消除了常压下的第 一运送室21与加载互锁真空室22、23之间的压力差以及负压下的第二运送室3与加载互 锁真空室22、23之间的压力差，由此允许晶片W在第一运送室21与第二运送室3之间被运 送。图2中的“G”表示加载互锁真空室22、23与第一运送室21之间、加载互锁真空室22、 23与第二运送室3之间、以及第二运送室3与各真空处理室31A 31F之间的起到可打闭 的间隔件的作用的闸门阀。此外，在第一运送室21中设置有第一运送臂26。第一运送臂26用于在运载盒C 与加载互锁真空室22、23之间以及第一运送室21与调准室25之间运入及运出晶片W，其被 构成为例如可在运载盒C的排列方向(图2中的X方向)上自由移动，可自由升降，可绕竖 直轴自由旋转，并可在X方向和Y方向上自由进退。第二运送室3具有沿X方向(图2)延伸的细长的六角形的平面形状。第二运送室 3的六个侧壁中位于-Y方向(图2)侧的两个侧壁与加载互锁真空室22、23分别气密地连 接。例如真空处理室31A、31B气密地连接在第二运送室3的朝向-X方向的侧壁(以下，根 据需要称为左壁)上，例如真空处理室31E、31F气密地连接在朝向+X方向的侧壁(以下，根据需要称为右壁)上。此外，在第二运送室3的位于Y方向侧的两个侧壁与真空处理室 31C、31D分别气密地连接。例如，真空处理室31A 31F可以是成膜装置、退火装置、蚀刻装置等。在该第二运送室3中设置有作为衬底运送单元的第二运送臂32(32A、32B)。晶片 W通过该运送臂32在加载互锁真空室22、23与各真空处理室31A 31F之间被运入和运 出。如图2 图6所示，所述第二运送臂32A、32B具有可绕竖直轴自由旋转且可伸缩的多 关节臂、以及安装在该多关节臂的顶端上的平面形状为大致U字状的保持臂33，所述第二 运送臂32A、32B配置在共用的底座34上。在该底座34的士X方向上的外边缘附近的背面 设置有向下延伸的支承部35 (图3)。该支承部35的下端与移动机构36连接。通过该移动 机构36，底座24以及第二运送臂32能够沿着在方向上延伸的导轨37滑动移动。参考图2和图3可知，在第二运送室3的底部30上形成有分别沿左壁和右壁向Y 方向延伸的第一凹部38，该第一凹部38具有细长的四边形的平面形状。导轨37设置在该 凹部38内。通过如上构成，第二运送臂32能够在第二运送室3中的靠近加载互锁真空室 22,23的初始位置(图2所示的位置)和第二运送室3中的靠近真空处理室31C、31D的位 置之间沿士Y方向滑动移动。此外，在第二运送室3中设置有可沿基本垂直方向移动的附属模块。在第二运送 室3的底部30上的下述区域形成有例如具有四边形的平面形状的第二凹部41，附属模块 被容纳在该第二凹部41内，所述区域是第二运送臂32位于初始位置时空出的区域、即第二 运送室3的+Y方向侧的区域中比两个第一凹部38更靠内侧的区域。在该附属模块中能够 进行第二运送臂32的处理、晶片W的临时放置、以及晶片W的处理等。具体来说，对于第二 运送臂32进行的处理包括保持臂33的洗涤(臂清洁)、静电去除、位置调节、以及温度调节 等。另外，对于晶片W进行的处理包括对附着在晶片W上的附着物的脱气、晶片W的温度调 节、在真空处理室31A 31F中对晶片W进行真空处理之前对该晶片W进行的预热、以及对 真空处理之后的晶片W进行的冷却等。接下来，参考图4 图7，对作为该附属模块的一个示例的进行臂清洁处理的洗涤 模块4进行说明。该洗涤模块4用于对第二运送臂32A、32B的晶片保持区域进行洗涤。图 中的标号“40”是洗涤模块4的框架。框架40例如被形成为平面形状呈四边形的扁平且中 空的角柱形状，并具有第二运送臂32的保持臂33能够进入框架40内的大小。另外，框架 40具有朝着加载互锁真空室22、23开口的开口 42。第二运送臂32的保持臂33能够通过 该开口 42进入框架40内或从框架40内退出。在该框架40内部的进入到框架40内的保持臂33的上方设置有洗涤气体供应部 43 (图6)，该洗涤气体供应部43用于向保持臂33喷射例如异丙醇等洗涤气体。该洗涤气 体供应部43为了向保持臂33中的晶片保持区域供应洗涤气体，包括沿保持臂33的两个 臂延伸的洗涤气体供应管43a ；在该洗涤气体供应管43a上沿长度方向隔开预定间隔而设 置的多个喷嘴部43b ；以及用于向该洗涤气体供应管43a供应洗涤气体的洗涤气体供应通 道43c (图7)。洗涤气体供应通道43c被构成为可自由伸缩，其另一端贯穿凹部41的底部， 并经由阀Vl与洗涤气体供应源44连接。参考图7，在框架40的底部的例如中央部形成有洗涤气体的排气口 45a。在排气 口 45a处连接有排气波纹管46a，所述排气波纹管46a包围排气口 45a并向框架40的下方
11延伸。该排气波纹管45的另一端与形成在凹部41底部的排气口 46a连接。排气口 46a与 排气通道46连接，该排气通道46的另一端经由阀V2与真空排气单元47连接。上述的框架40被构成为通过设置在凹部41中的升降机构48可在容纳位置和处 理位置之间自由升降，容纳位置是该框架40被容纳在凹部41中的位置，处理位置是在第二 运送室3内保持臂33能够进入框架40或者从该框架40退出的位置(对第二运送臂32进 行处理的位置)。升降机构48可采用汽缸(air cylinder)和电动执行器等。另外，图6和 图7中的标号“49”是升降导向件。框架40在位于容纳位置时被容纳在凹部41中，以使框 架40的上表面不妨碍第二运送臂3的底座34的移动。再次参考图2，在真空处理装置2中设置有例如由计算机构成的控制部100，该控 制部100包括由程序和CPU构成的数据处理部IOOa和存储部100b，程序中编有命令(各 工序)以使得从控制部100向真空处理装置2的构成部件等发送控制信号并推进后述的运 送顺序。该程序例如预先存储在软盘、高密度磁盘、硬盘、MO(光磁盘)等计算机存储介质 IOla中，并经由输入输出装置101被安装到控制部100的存储部IOOb中。另外，通过控制 部100向第二运送室3的各部分发送用于闸门阀G的开闭、第二运送臂32的驱动、洗涤模 块4的升降、洗涤模块4中的预定处理等的控制信号。接着，对真空处理装置2中的晶片W的流程进行说明。首先，容纳有多片晶片W的 密闭型运载盒C载置在装载端口 24，晶片W被第一运送臂26从运载盒C运入第一运送室 21。然后，常压气氛的加载互锁真空室22的闸门阀G打开，晶片W被第一运送臂26运入加 载互锁真空室22、23内。然后，在将加载互锁真空室22、23排气至预定的负压之后，闸门阀 G打开，晶片W被第二运送臂32运送到第二运送室3。之后，晶片W被第二运送臂32运送 到真空处理室31A 31F的某一个，并在真空处理室31A 31F中对晶片W进行预定的真 空处理。在如此在真空处理室3IA 3IF中对晶片W进行了预定的处理之后，该晶片W被第 二运送臂32从真空处理室31A 31F运出，并运入到负压下的加载互锁真空室22、23内。 然后，在将加载互锁真空室22、23的内部加压至常压之后，晶片W被第一运送臂26从加载 互锁真空室22、23通过第一运送室21而返回至预定的运载盒C。接下来，对本发明实施方式涉及的臂清洁处理进行说明。该臂清洁处理是在晶片W 被第二运送臂32在加载互锁真空室22、23和真空处理室31A 31F之间运送多次之后执 行的。例如，臂清洁处理在预先设定的预定的定时、或者在维护时执行。首先，使第二运送臂32 (32A、32B)位于初始位置，使洗涤模块4从容纳位置上升到 处理位置。接着，使第二运送臂32A的保持臂33进入洗涤模块4的框架40内，并打开阀Vl 而向洗涤气体供应管43a供应洗涤气体，另一方面，打开阀V2而通过真空排气单元47对框 架40进行排气。由此，洗涤气体从保持臂33的上方侧向保持臂33喷射，通过洗涤气体脱 离并去除附着在保持臂33上的成膜成分，并将成膜成分与洗涤气体一并从排气口 45a经由 排气波纹管45和排气通道46从真空排气装置2排出。如此，在第二运送臂32A的保持臂 33的洗涤结束之后，同样也对第二运送臂32B的保持臂33进行洗涤处理。在运送臂32A、 32B的洗涤处理结束之后，将第二运送臂32返回到初始位置，使洗涤模块4下降并容纳到第 二凹部41中。由于通过上述的臂清洁处理在预定的定时洗涤保持臂33的晶片保持区域，因此即使真空处理室31A 31F中的残留处理气体附着到第二运送臂32上，也可抑制膜堆积在 运送臂32上。因此，可抑制由形成在运送臂32上的膜引起尘粒污染的问题。另外，洗涤模块4被容纳凹部41，该凹部41形成在真空处理装置2中的第二运送 室3的底部30的运送区域中空出的部分、即第二运送臂32处于初始位置时空出的部分。因 此，能够在不增加第二运送室3以及真空处理装置2的占有面积的状态下添加洗涤模块4。另外，通过改变第二运送室3的底部30的构造，能够添加洗涤模块4，而不需要改 变对第二运送臂32、加载互锁真空室22、23、真空处理室31A 31F等真空处理装置2的其 他部分的结构，因此能够将系统变更限于最小限度，装置设计变得容易。此时，在如上述那 样第二运送室3被形成为沿Y方向较长并且第二运送臂32被构成为能够沿Y方向移动的 情况下，运送区域中会形成不被运送臂32占据的空闲区域，因此，通过在该空闲区域设置 洗涤模块4，可有效利用空间。另外，当洗涤模块4未被使用时，该洗涤模块4被容纳在凹部41中以便不阻碍由 第二运送臂32执行的晶片W的运送。由此，当不使用洗涤模块4时，能够像以往那样进行 晶片W的运送。因此，能够将运送程序的变更限于最小限度，能够容易地准备与具有洗涤模 块4的真空处理装置2对应的程序。洗涤模块4例如也可以被构成为如图8所示的那样被设置于形成在第二运送室3 的顶棚部39的凹部50内。在该示例中，洗涤模块4如下构成其在上表面与设置在凹部50 的顶棚部的升降机构51连接，并且通过该升降机构51而在容纳位置和第二运送室3内的 处理位置之间升降，其中容纳位置是洗涤模块4被容纳在凹部50中以便不阻碍由第二运送 臂23执行的晶片运送的位置。图8中的标号“52”是升降导向件，其他结构与图4所示的 真空处理装置2相同。接下来，说明通过附属模块对保持臂33进行的其他处理示例。首先，作为保持臂 33的静电去除处理，例如在附属模块的框架内设置除静电器，并通过该除静电器对进入框 架40中的保持臂33进行静电去除处理。例如，除静电器可以被构成为对插入框架40中的 保持臂33供应离子气体，或者被构成为使保持臂33与除静电器接触。通过如上述去除保 持臂33的静电，能够防止尘粒的吸附以及抑制在晶片W上制造的元件(制造过程中的元件 或未完成的元件)中的绝缘被破坏。另外，保持臂33的位置调节处理通过如下进行；例如通过在附属模块的框架内设 置位置检测部，来掌握进入框架40内的保持臂33的位置数据，并基于该位置数据从控制部 100向衬底运送单元的驱动机构输出位置调节指令来进行。作为位置检测部，能够使用为检 测位置而拍摄保持臂33的CXD相机、或者对保持臂33光学地进行位置检测的传感器。通 过如上述对保持臂33进行位置调节，能够针对真空处理室31A 31F或预备真空室22、23 正确地进行晶片W的运入及运出，并能够在晶片W的运入及运出时抑制晶片W掉落、或者冲 撞晶片W这样的事故的发生。此外，对保持臂33进行加热、冷却的温度调节处理通过如下进行例如通过在框 架内设置温度调节器来对插入框架内的保持臂33进行加热、冷却，由此将保持臂33调节为 预定温度。例如，温度调节器可被构成为对于进入框架40内的保持臂33喷射已调节温度 的惰性气体，或者被构成为使保持臂33与已调节温度的板接触。通过如上述对保持臂33 进行温度调节，来将未处理的晶片预热至处理温度附近或者将处理过的晶片冷却，能够缩短其他单元中的晶片的加热和冷却所需的时间，可提高生产量。当在上述的静电去除处理 和温度调节处理中向框架内供应气体时，为对应于框架的升降，优选设置与洗涤模块4同 样地伸缩自如的气体供应通道和排气波纹管。接下来，使用图9对本实施方式的其他示例进行说明。在该示例中，作为附属模 块，设置用于载置多片(例如13片)晶片W的缓冲模块6。该缓冲模块6包括框架60，所 述框架60例如具有四边形的平面形状并被形成为扁平且中空的角柱状。该框架60具有向 加载互锁真空室22、23开口的开口 61。当缓冲模块6位于第二运送室3的内部时，第二运 送臂32的保持臂33能够通过该开口 61进入框架60内或者从框架60退出。另外，在框架 60的内部，沿上下方向隔出预定的间隔而设置有用于保持晶片W的背面周缘部的多个保持 部62。该保持部62相当于载置晶片W的载置部。如上述地构成的框架60被构成为通过 设置在第二凹部41的升降机构63而可在容纳位置和运送位置之间自如升降，所述容纳位 置是该框架60被容纳在凹部41的位置，所述运送位置是在第二运送室3内保持臂33向缓 冲模块6内运入晶片W或者从该缓冲模块6运出晶片W的位置。当缓冲模块6位于容纳位 置时，框架60被容纳在凹部41内以使所述框架60不妨碍第二运送臂3的底座34的移动。 图中的标号“64”是升降导向件。上述的缓冲模块6例如在对真空处理室31A 31F的内部进行清洁处理时被使 用。例如，当清洁真空处理室31A时，首先使第二运送臂32位于初始位置。此时，该第二运 送臂32的一个运送臂32A保持已在真空处理室31A中处理过的晶片W，另一个运送臂32B 保持接下来运入真空处理室31A内的未处理的晶片W。然后，使缓冲模块6上升至运送位置，将保持在运送臂32B上的未处理的晶片W运 入缓冲模块6的保持部62处。接着，在使缓冲模块6下降至容纳位置后，将运送臂32A上 的已处理过的晶片W运送到执行下一工序的真空处理室31B中。并且，在真空处理室31A 的清洁结束之后，使第二运送臂32B处于初始位置，然后使缓冲模块6上升至运送位置，载 置在缓冲模块6上的未处理的晶片W被运送臂32接收。接着，在使缓冲模块6下降并容纳 到凹部41内后，将晶片W运入真空处理室31A中。如上所述，即使在由于对真空处理室31A 31F的内部进行清洁而不能将晶片W 运入该真空处理室31A 31F的情况下，也能够将第二运送臂32保持的未处理的晶片W临 时放置在缓冲模块6中。因此，由于第二运送臂32的一个空出，因此能够将在正进行清洁的 真空处理室31A 31F中被处理过的晶片W运送到下一工序的真空处理室31A 31F中。 由此，第二运送臂32不会以保持着被作为清洁对象的真空处理室31A 31F处理前和处理 后的两个晶片W的状态进行等待而直至该清洁结束为止不能进行运送，从而能够防止生产 量的下降。在该示例中，缓冲模块6也可以被设置成被容纳于形成在第二运送室3的顶棚部 39的凹部50内，并被构成为可在凹部50内的容纳位置和第二运送室3内的运送位置之间 升降。接下来，参考图10 图13，对本发明的其他实施方式进行说明。该实施方式中的 附属模块包括能够气密地密封凹部41的上部开口部的盖体7 ；以及在由凹部41和盖体7 形成的划定空间S中载置晶片W的载置部，该附属模块在划定空间S中对晶片W进行处理。 图中的标号“71”是设置在盖体7的下表面的、作为载置部的晶片W的保持部件。该保持部件71例如如图10所示，包括与盖体7相对的底板72、以及位于盖体7和底板72之间的多 根(例如三根)支柱73a 73c。在该支柱73a 73c上，各自形成用于在上下方向上隔 出预定间隔地保持晶片W的保持部74a 74c，并通过这些保持部74a 74c来保持晶片W 的周缘。所述盖体7和保持部件71可通过设置在保持部件71的底板72的下表面的共用的 升降结构75而一体地自如升降。由此，盖体7和保持部件71能够位于使得盖体7气密地 封闭凹部41的位置、以及上升到第二运送室内、并且第二运送臂32将晶片W运入保持部件 71以及从保持部件71运出晶片W的运送位置。图10中的标号“75a”是升降导向件，“76” 是作为用于通过盖体7来气密地密封凹部41的上部开口的密封部件的0环。另外，当盖体 7位于封闭凹部41的位置时，盖体7的上表面不阻碍第二运送臂3的底座34的移动，底座 34能够在盖体7的上方移动。此外，在该实施方式中，例如在凹部41的侧壁41a内形成有温度调节流体的流道 41b，被调节至预定温度的温度调节流体从温度调节流体供应部77被循环供应到流道41b 中。另外，在凹部41上连接有用于向由凹部41和盖体7形成的划定空间S内供应惰性气 体(或者N2气体)的气体供应通道78a，该气体供应通道78a的另一端经由阀V3与气体供 应源78连接。此外，在凹部41上设置有用于对划定空间S内的气氛进行真空排气的排气 通道79a，在该排气通道79a的另一端经由阀V4与真空排气单元79连接。温度调节流体的 流道41b以及由气体供应通道78a和气体供应源78形成的气体供应部构成了温度调节器。在如上的结构中，在划定空间S中对晶片W进行温度调节处理，例如在真空处理室 31A 31F中进行真空处理之前对晶片W进行预热的处理。以下，参考图IlA 图13来说 明该预热处理。首先，如图IlA所示，通过盖体7气密地密封凹部41的上部开口并由此形 成划定空间S，真空排气单元79 (图10)经由排气通道79a将该划定空间S真空排气至与第 二运送室3相同的压力。并且，此时向流道41b中提供被调节为预定温度的温度调节流体。接着，如图IlB所示，在使第二运送臂32位于初始位置后，使盖体7和保持部件71 上升至运送位置，通过第二运送臂32将晶片W运入保持部件71处。然后，使盖体7和保持 部件71下降，通过盖体7密封凹部41的上部开口以形成划定空间S。此时，真空排气单元 79(图10)经由排气通道79a对划定空间S进行排气，流道41b中提供有被调节为预定温度 的温度调节流体。然后，停止划定空间S的排气，并如图12A所示，由气体供应源78 (图10)经由气 体供应通道78a以预定的流量向划定空间S内供应惰性气体，从而例如将划定空间S加压 至大气压左右的压力。由此，由于凹部41已通过温度调节流体被加热到预定温度，因此该 热量通过惰性气体被传导给晶片W，晶片W被加热至预定温度、例如200°C左右。在将该加热处理例如执行30秒左右之后，停止向划定空间S供应惰性气体并停止 供应温度调节流体，并如图12B所示，通过真空排气单元79 (图10)经由排气通道79a对划 定空间S进行排气，使得划定空间S具有与第二运送室3同等程度的压力(负压)。然后， 如图13所示，使盖体7和保持部件71上升至运送位置，第二运送臂23从保持部件71运出 已加热的晶片W。根据上述的结构，设置气密地密封凹部41的上部开口的盖体7以通过凹部41和 盖体7形成划定空间S，并在该划定空间S中对晶片W进行处理，由此能够将凹部41作为处理腔室的一部分来利用，因此能够在抑制以往真空处理装置2的占有面积的增大的情况下 增加处理晶片W的功能。另外，由于除了在第二运送室3中增加处理晶片W的功能以外，无 需改变其他结构，即真空处理室31A 31F和第二运送臂32等，因此能够在将系统变更限 于最小限度的情况下增加上述的功能。此时，由于气密地构成划定空间S，并设有向划定空间S供应气体的气体供应部 (气体供应通道78a和气体供应源78)和将划定空间S排气至负压的真空排气单元79，因 而划定空间S能够与第二运送室3分开独立地进行压力调节和气体的供应/排出。因此， 在该附属模块中，除晶片W的预热处理以外，还能够执行对在真空处理室31A 31F中进行 了真空处理的晶片W进行冷却的处理、或晶片W的脱气处理等，提高了在附属模块中进行的 处理的自由度。另外，温度调节器也可以采用珀尔贴元件等。接着，参考图14对该实施方式的其他示例进行说明。在该示例中，通过使盖体8 滑动移动，使凹部41的上部开口自如地开闭。这里，由于凹部41的上部开口的长边的大小 例如为500mm左右，因此也可以使用摆阀来作为盖体8。但是，优选使用闸门阀来作为盖体 8。图中的标号“81”是盖体8的移动机构。根据该实施方式的附属模块除了被构成为保持 部件71与盖体8分开单独设置，并且仅保持部件71可通过升降机构75自如升降之外，其 他部分与上述的图10所示附属模块同样地构成。在该示例中，首先通过盖体8关闭凹部41的上部开口，并通过真空排气单元79将 由凹部41和盖体8形成的划定空间S真空排气至与第二运送室3相同的压力(负压)，然 后使盖体8滑动移动以打开凹部41的上部开口。接着，通过升降机构75将保持部件71提 升至运送位置，通过第二运送臂32将晶片W运入保持部件71中。接着，在使保持部件71下 降至凹部41内的预定位置后，使盖体8滑动移动以关闭凹部41的上部开口，并从气体供应 源向划定空间S内供应惰性气体(或者N2气体)。由此，在形成于凹部41的侧壁41a内的 流道41b中流动的温度调节流体的热量经由惰性气体传导到晶片W上，晶片W被预热。在 进行了预定时间的该加热之后，停止向划定空间S供应惰性气体，将划定空间S排气至与第 二运送室3相同的压力(负压)。之后，打开盖体8并使保持部件7上升至运送位置，经处 理的晶片W被第二运送臂32运出。在图10和图14所示的例子中，也可以构成为通过盖体7、8气密地密封形成在第 二运送室3的顶棚部39处的凹部50的下表面开口，并使保持部件71在凹部50内的位置和 第二运送室3内的运送位置之间自如地升降，并且使得在由凹部50和盖体7、8形成的划定 空间S中对晶片W进行预定的处理。另外，也可以使保持部件71和盖体7分开独立升降。接下来，参考图15对本发明的另一实施方式进行说明。在该实施方式中，附属模 块也同样包括气密地密封凹部41的上部开口的盖体82 ；以及在由凹部41和盖体82形成 的划定空间S中载置晶片W的载置部84，并且该附属模块被构成为在划定空间S中对晶片 W进行处理。盖体82被构成为通过升降机构83在使所述盖体82气密地密封凹部41的上部开 口的位置和比第二运送室3内的运送位置更靠上的位置(图15中以实线所示的盖体82的 位置)之间自如地升降。这里，当盖体82位于密封凹部41的位置时，所述盖体82不阻碍 第二运送臂32的底座34的移动，底座34的下表面能够在盖体82的上方移动。图10中的 标号“83a”是升降导向件。
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在凹部41的内部设置有晶片W的载置部84，加热部、例如加热器85内置于该载 置部84中。图中的标号“86”是向加热器85供应预定电力的电力供应部。在该实施方式 中，由加热器85和电子供应部86构成了温度调节器。另外，在载置部84上设置有升降杆 87，升降杆87用于将晶片W载置在载置部84上，并从载置部84上提起晶片W。该升降杆 87被构成为通过升降机构87a在运送位置和载置位置之间自如地升降，其中，运送位置是 第二运送室3内的、升降机构87a从第二运送臂32上接收晶片W或者将晶片W传递给第二 运送臂32的位置，载置位置是晶片W被载置到载置部84上的位置(此时升降杆87的上端 低于载置部84的上表面)。此外，在划定空间S中，例如在载置部84的上方设置有用于向划定空间S供应气 体的气体供应通道88a，该气体供应通道88a的另一端经由阀V5与气体供应源88连接。另 外，在凹部41上设置有将划定空间S排气至负压的排气通道89a，该排气通道89a的另一端 经由阀V6与真空排气单元89连接。在该实施方式中，在由凹部41和盖体82形成的划定空间S中，能够进行晶片W的 脱气处理和表面处理、以及退火处理和刻蚀处理等真空处理等。换言之，由凹部41和盖体 82构成了对衬底进行真空处理的处理腔室。当在本实施方式中进行脱气处理时，首先通过盖体82气密地密封凹部41的上部 开口以形成划定空间S,并通过真空排气单元79将该划定空间S排气至与第二运送室3相 同的压力负压。此时，通过加热器85将载置部84加热至预定温度。接着，通过使第二运送臂32位于初始位置，使盖体82上升，使使用保持臂33保持 晶片W的第二运送臂32移动至运送位置，并使升降杆87上升至运送位置，由此升降杆87 从第二运送臂32接收晶片W。此时，盖体82位于比运送位置更靠上的位置。另外，盖体82 的升降机构83被设置在当升降杆87位于运送位置时不会阻碍第二运送臂32和升降杆87 之间的晶片W的交接的位置。然后，例如将升降杆87下降至载置位置并由此将晶片W载置 到载置部84上，之后降低盖体82以气密地密封凹部41的上部开口，从而通过盖体82和凹 部41形成划定空间S。然后，经由气体供应通道88a向划定空间S供应预定的处理气体，使载置部84的 热量传导到晶片W上，以将晶片W加热至预定温度。由此，附着在晶片W上的附着物被气化 而去除。划定空间S被排气至负压，并被供应处理气体，因此附着物的气化成分与处理气体 一并被排出到外部，抑制了气化成分再次附着到晶片W。在将该脱气处理例如执行30秒左 右之后，将划定空间S调节至与第二运送室3相同的压力，然后使盖体82上升至运送位置 的上方，使升降杆87上升至运送位置，以将脱气后的晶片W传递给第二运送臂23。在上述的结构中，也通过设置气密地密封凹部41的盖体82以通过凹部41和盖体 82来形成划定空间S，并在该划定空间S中对晶片W进行处理，而能够将凹部41作为处理 腔室的一部分来使用，因此能够在抑制以往真空处理装置的占有面积的增加的情况下增加 处理晶片W的功能。另外，由于除了在第二运送室3中增加处理晶片W的功能以外，无需改 变其他结构，即真空处理室31A 31F和第二运送臂32等，因此能够在将系统变更限于最 小限度的情况下增加上述的功能。此外，在本实施方式中，也可以通过向载置部84供应温度调节流体来调节载置部 84的温度，并使载置部84的热量传递到晶片W来进行晶片W的预热处理或冷却处理。另外，也可以与图10所示的结构同样地，在凹部41的壁部形成温度调节流体的流道，并向其 中提供被调节至预定温度的温度调节流体，来对处在划定空间S中的晶片W进行温度调节。 此外，也可以不设置载置部84，而是在凹部41中在通过升降杆87保持晶片W的状态下进行 预定的处理。参考上述的实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于公开的实施方式， 可在所要求的本发明的范围内进行各种变形和变更。例如，本发明也能够应用于第二运送 臂32不滑动移动的结构。另外，设置在缓冲模块6或盖体7的下表面的保持部件71、设置 在凹部41内的载置部84的结构不限于上述的示例，能够进行适当变更。另外，本发明也能 够应用于例如处理平板显示器(FPD)衬底等的真空处理装置。本国际申请要求基于2007年12月28日申请的日本国专利申请2007-339987号 的优先权，并将该日本专利申请2007-339987号的全部内容援引于此。
权利要求
一种真空处理装置，包括预备真空室，其内部压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出该预备真空室；对所述衬底进行各种处理的多个真空处理室；真空运送室，其与所述预备真空室以及所述多个真空处理室连接，并包括在所述预备真空室和所述多个真空处理室之间运送所述衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部的凹部；附属模块，其对所述衬底运送机构进行预定的处理；以及升降机构，其在第一位置和第二位置之间移动所述附属模块，其中，所述第一位置是所述附属模块被容纳到所述凹部以便不妨碍所述衬底运送机构运送所述衬底的位置，所述第二位置是所述衬底通过所述衬底运送机构能够进出所述附属模块的位置。
2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，对所述衬底运送机构进行的所述预定的处理是该衬底运送机构中的保持所述衬底的 保持臂的洗涤处理、所述保持臂的静电去除处理、以及所述保持臂的位置调节处理中的任 意处理。
3.一种真空处理装置，包括预备真空室，其内部压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出所述预备真空室；对所述衬底进行各种处理的多个真空处理室；真空运送室，其与所述预备真空室和所述多个真空处理室连接，并包括在所述预备真 空室和所述多个真空处理室之间运送所述衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部 的凹部；附属模块，其能够容纳所述衬底，并被构成为对容纳的所述衬底进行预定的处理；以及 升降机构，其在第一位置和第二位置之间移动所述附属模块，其中，所述第一位置是所 述附属模块被容纳到所述凹部以便不妨碍所述衬底运送机构运送所述衬底的位置，所述第 二位置是所述衬底通过所述衬底运送机构能够进出所述附属模块的位置。
4.根据权利要求3所述的真空处理装置，其中， 所述附属模块包括盖体，其通过所述升降机构而在第三位置和第四位置之间自如地升降，其中，所述第三 位置是所述盖体气密地密封所述凹部的位置，所述第四位置是所述盖体向所述真空运送室 内伸出的位置；以及载置所述衬底的载置部，其通过所述升降机构而在第五位置和第六位置之间自如地升 降，所述第五位置是在由所述凹部和所述盖体划定的空间中所述衬底被载置到所述载置部 上的位置，所述第六位置是能够在所述衬底运送机构和所述载置部之间交接所述衬底的位置。
5.根据权利要求4所述的真空处理装置，其中， 所述载置部与所述盖体一体地升降。
6.根据权利要求3所述的真空处理装置，其中， 所述附属模块包括盖体，其通过所述升降机构而在第三位置和第四位置之间自如地升降，所述第三位置是所述盖体气密地密封所述凹部的位置，所述第四位置是所述盖体向所述真空运送室内伸 出的位置；载置所述衬底的载置部，其被配置在由所述凹部和气密地密封该凹部的所述盖体划定 的空间内；以及交接部，其被构成为升降自如，以使所述衬底能够在所述载置部和所述衬底运送机构 之间被交接。
7.根据权利要求4所述的真空处理装置，其中， 所述附属模块包括对所述衬底进行处理的处理部。
8.根据权利要求7所述的真空处理装置，其中，对所述衬底进行处理的处理部是调节所述衬底的温度的温度调节部。
9.根据权利要求8所述的真空处理装置，其中， 所述附属模块包括加热所述衬底的加热部。
10.根据权利要求8所述的真空处理装置，其中， 所述附属模块包括冷却所述衬底的冷却部。
11.根据权利要求8所述的真空处理装置，其中， 所述温度调节部包括温度调节流体的流道，其形成在所述凹部的壁部；气体供应部，其向由所述凹部和气密地密封该凹部的所述盖体划定的空间供应气体；以及排气部，其将所述空间排气至负压。
12.根据权利要求11所述的真空处理装置，其中，在所述附属模块中，通过使附着在所述衬底上的附着物气化而去除该附着物。
13.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中， 所述衬底运送机构包括底座，其被设置成能够在所述真空运送室中沿着设置在该真空运送室中的导轨移动；以及衬底的保持臂，其以在水平方向上自如旋转以及自如进退的状态设置在所述底座上； 其中，形成在真空运送室的底部的凹部在不与所述导轨冲突干涉的区域内被配置成能 够处在使得所述底座不与所述凹部冲突干涉的位置。
14. 一种真空处理方法，用于在权利要求1所述的真空处理装置中进行，所述真空处理 方法包括以下工序将所述附属模块容纳到所述凹部中；通过所述衬底运送机构向所述多个真空处理室中的一个真空处理装置运入所述衬底；在所述一个真空处理室中对所述衬底进行预定的真空处理；将所述附属模块从所述凹部伸出到所述真空运送室，并使所述衬底运送机构进入该附 属模块；以及在所述附属模块中对所述衬底运送机构进行预定的处理。
15.根据权利要求14所述的真空处理方法，其中，在对所述衬底运送机构进行预定的处理的工序中，进行该衬底运送机构的保持所述衬 底的保持臂的洗涤处理、所述保持臂的静电去除处理以及所述保持臂的位置调节处理中的 任意处理。
16.一种真空处理方法，用于在权利要求3所述的真空处理装置中进行，所述真空处理 方法包括以下工序将所述附属模块容纳到所述凹部中；向所述多个真空处理室中的一个真空处理装置运入所述衬底；在所述一个真空处理室中对所述衬底进行预定的真空处理；将所述附属模块从所述凹部伸出到所述真空运送室，并向该附属模块中运入所述衬 底；以及将运入了所述衬底的所述附属模块容纳到所述凹部中。
17.根据权利要求16所述的真空处理方法，其中，当清洁所述多个真空处理室中的任意的真空处理室时执行向所述附属模块中运入所 述衬底的工序。
18.根据权利要求16所述的真空处理方法，还包括以下工序在被容纳在所述凹部中 的所述附属模块中对所述衬底进行预定的真空处理。
19.根据权利要求18所述的真空处理方法，其中，在所述附属模块中对所述衬底进行预定的真空处理的工序中，衬底的温度被调节。
20.根据权利要求18所述的真空处理方法，其中，在所述附属模块中对所述衬底进行预定的真空处理的工序中，通过使附着在所述衬底 上的附着物气化来去除该附着物。
21.一种计算机可读存储介质，存储有使权利要求1所述的真空处理装置执行真空处 理方法的计算机程序，在该计算机程序中编有使所述真空处理装置执行以下工序的步骤将所述附属模块容纳到所述凹部中；通过所述衬底运送机构向所述多个真空处理室中的一个真空处理装置运入所述衬底；在所述一个真空处理室中对所述衬底进行预定的真空处理；将所述附属模块从所述凹部伸出到所述真空运送室，并使所述衬底运送机构进入该附 属模块；以及在所述附属模块中对所述衬底运送机构进行预定的处理。
22.—种计算机可读存储介质，存储有使权利要求3所述的真空处理装置执行真空处 理方法的计算机程序，在该计算机程序中编有以使所述真空处理装置执行以下工序的步 骤将所述附属模块容纳到所述凹部中；向所述多个真空处理室中的一个真空处理装置内运入所述衬底；在所述一个真空处理室中对所述衬底进行预定的真空处理；将所述附属模块从所述凹部伸出到所述真空运送室，并向该附属模块中运入所述衬 底；以及将运入了所述衬底的所述附属模块容纳到所述凹部中。
全文摘要
真空处理装置包括预备真空室，其内部压力能够被切换为常压和负压，衬底被运入运出该预备真空室；对衬底进行各种处理的多个真空处理室；真空运送室，其与预备真空室以及多个真空处理室连接，并包括在预备真空室和多个真空处理室之间运送衬底的衬底运送机构、以及形成在底部或顶棚部的凹部；附属模块，其对衬底运送机构进行预定的处理；以及升降机构，其在第一位置和第二位置之间移动附属模块，其中，第一位置是附属模块被容纳到凹部以便不妨碍衬底运送机构运送衬底的位置，第二位置是衬底通过衬底运送机构能够进出附属模块的位置。
文档编号C23C14/56GK101911275SQ20088012329
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月17日 优先权日2007年12月28日
发明者广木勤 申请人:东京毅力科创株式会社