专利名称：磁控溅射设备和薄膜的制造方法
技术领域：
本发明涉及 一 种含有硼原子和镧原子的硼_镧化合物薄膜 的制造设备和该薄膜的制造方法。
背景技术：
3口曰本专利才艮No.286228/1989 、 No.232959/1991禾口 No. 101033/1991所述，传统上已知作为二次电子生成膜的如 LaB6等硼-镧化合物的薄膜。在上述三个公报中说明的传统发明 通过'减射法形成硼-镧化合物的单晶薄膜。
但是，当将传统的溅射设备和溅射方法所形成的硼-镧化合 物薄膜应用到二次电子源膜时，作为二次电子源膜，其电子生 成效率并不令人满意。
尤其是，在将由如LaB6等硼-镧化合物形成的薄膜用于FED (场发射显示器)或SED (表面传导电子发射显示器)时，目 前还没有获得用于显示装置的令人满意的亮度。
发明内容
根据本发明人进行的研究，上述缺陷的原因是由硼-镧化合 物形成的薄膜的晶体成长不足。尤其是，如果膜具有10nm以下 的非常小的厚度，则单晶性在大面积晶域方向上不足，由于晶 粒界面，没有形成大面积晶域。
本发明人所进行的研究发现，大面积晶域方向上的单晶性 的改进可大大提高二次电子生成效率，尤其是，可提高如FED 或SED等电子生成装置的亮度。亮度的提高减小了FED或SED 的正极电压，同时还能增大可用荧光体的可用范围或选择范围。本发明提供 一 种能够改进大面积晶域方向上的单晶性以形
成由如LaB6等硼-镧化合物构成的薄膜的制造设备及该薄膜的 制造方法。
根据本发明的第一种磁控溅射设备包括第一室；排气装 置，其用于对第一室的内部进行真空排气；阴极，其能够安装 由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的材；以及高频电 源，其用于对阴才及施加高频电力。该第一种》兹控溅射设备还包 括第一直流电源，其用于在施加高频电力期间对阴极施加直 流电力；磁场生成装置，其用于使靶材的表面暴露于磁场；第 一基板保持件，其用于将基板保持在与阴极相对的位置处；以 及第二直流电源，其用于对第 一基板保持件施加直流电力。
根据本发明的第二种磁控溅射设备从第 一 种磁控溅射设备 省略了第二直流电源，并且设置用于从高频电源滤掉低频成分 的滤波器，该高频电源用于对阴才及施加高频电力。
根据本发明的第三种磁控溅射设备为对第 一 种磁控溅射设 备设置了用于从高频电源滤掉低频成分的滤波器，该高频电源 用于对阴才及施加高频电力。
根据本发明的第 一种和第三种磁控溅射设备的优选实施方 式具有作为来自第二直流电源的直流电力的脉冲波形电力。该 脉沖波形优选具有相位与来自高频电源的^f氐频成分的相位相反 的波形。
根据本发明的第 一 种至第三种磁控溅射设备的优选实施方 式还包括退火(annealing)单元，该退火单元设置有第二室； 用于在第二室内生成离子、电子或活性物种中的至少一种的装 置；第二基板保持件，其用于保持基板；以及加热装置，其用 于加热基板。在具有上述退火单元的实施方式中，优选满足如 下任一或二者以能够将第一室和第二室的内部保持为真空状态(减压状态)的状态连接第一室和第二室；具有用于对第二 基板保持件施加直流电力的第三直流电源。
除了第一种磁控、践射设备中的用于对阴极施加高频电力的 高频电源(第一高频电源)之外，根据本发明的第四种磁控溅 射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电 源。
除了第三种磁控溅射设备中的用于对阴极施加高频电力的 高频电源(第一高频电源)之外，根据本发明的第五种磁控溅 射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电源。
除了第三种磁控溅射设备中的用于对阴极施加高频电力的 高频电源(第一高频电源)和用于从第一高频电源滤掉低频成 分的滤波器(第一滤波器)之外，根据本发明的第六种磁控溅 射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电 源和从第二高频电源滤掉低频成分的第二滤波器。
根据本发明的第一种薄膜的制造方法包括使用由含有硼 原子和镧原子的硼-锎化合物构成的#巴材由》兹控溅射方法在经 过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧 化合物薄膜，其中，对靶材施加从高频电源滤掉低频成分而得 到的高频成分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，在施 加高频成分电力和第一直流电力期间，从第二直流电源对基板 保持件施加第二直流电力。
根据本发明的第 一种薄膜的制造方法，第二直流电力优选 是脉冲波形电力，硼-镧化合物优选是化学计量的或非化学计量 的LaBs。
根据本发明的第 一种薄膜的制造方法的优选实施方式还包 括加热硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前使该
9硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气氛中 的至少一种气氛中。
根据本发明的第 一种薄膜的制造方法的另 一优选实施方式
还包括加热硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前， 在施加直流电场下，使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电 子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
根据本发明的第二种薄膜的制造方法包括使用由含有硼 原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由^兹控溅射方法在经 过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧 化合物薄膜，其中，对靶材施加高频成分电力和来自第一直流 电源的第一直流电力，在施加高频成分电力和第一直流电力期 间，从第二直流电源对基板保持件施加第二直流电力。
根据本发明，提高了由如LaB6等硼-镧化合物构成的薄膜的 二次电子生成效率。并且，可提高使用该薄膜作为二次电子源 膜的FED或SED显示装置的亮度。
图l是根据本发明的第一实施例的磁控溅射设备的截面图。 图2是本发明的电子生成装置的示意性截面图。 图3A和图3B是LaB6薄膜的放大截面图，图3A是本发明的
LaB6薄膜，图3B不是根据本发明的LaB6薄膜。
图4是根据本发明的第二实施例的立式串联(vertical
in-line)》兹控溅射i殳备的截面图。
图5是根据本发明的第三实施例的磁控溅射设备的截面图。
具体实施例方式
图1是根据本发明的第 一 实施例的设备的示意图。附图标记l是第一室，2是与第一室1真空连接的第二室(退火单元)，3 是基板充电室，4是放电室，5是闸门阀，ll是使用如LaB6等硼-镧化合物的靶材， 12是基板，13是用于保持基板12的基板保持 件(第一基板保持件)，14是溅射气体进给系统，15是基板保持 件(第二基板保持件)，16是加热机构，17是等离子电极，18 是用于等离子源的气体进给系统，19是溅射高频电源系统，101 是能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材 ll的阴极，102是》兹场生成装置，103是》兹场区，191是才及间耦合 电容器，192是匹配电路，193是高频电源，194是賊射偏置电源， 20是(退火)基板偏置电源，21是基板偏置电源(第二直流电 源)，22是用于等离子源的高频电源系统，221是极间耦合电容 器，222是匹配电路，223是高频电源，23是从高频电源193滤掉 低频成分以提供高频成分电力的低频截止滤波器(第一滤波 器)。
基板12被放置在第 一 室1中的第 一 保持件13上且面对阴极 101，第一室的内部被抽真空并且被加热(增温到用于稍后进行 的溅射用温度)。由加热4几构16进4亍该加热。然后，乂人溅射气体 进给系统14导入溅射气体(氩气、氪气、氙气)以设定规定压 强(0.01Pa至50Pa，优选0.1Pa至10Pa )，并JM吏用溅射电源系 统19开始成膜。
随后，乂人高频电源193施加高频电力(0.1MHz至10GHz的 频率，优选为lMHz至5GHz的频率，100W至3000W的施加功率， 优选为200W至2000W的施加功率)以产生等离子，由第一直流 电源194将直流电力(电压)设定为规定电压(-50V至-1000V, 优选-100V至-500V),并且进行溅射成膜。在基板12侧，由第 二直流电源21以规定电压(-IOV至-IOOOV,优选-100V至-500V ) 对第一基板保持件13施加直流电力(电压)。在从高频电源193施加高频电力之前、与施加该高频电力同时、或者接着该高频
电力的施加完成之后，可以从第 一 直流电源194施加直流电力 (第一直流电力)。
从第二直流电源21和/或溅射高频电源系统19向第 一基板 保持件13施加直流电力和/或高频电力的位置优选为关于第一 基板保持件13的中心点对称的多个点。例如，可以将关于第一 基板保持件13的中心点对称的位置确定为多个直流电力和/或 高频电力的施加位置。
由永石兹体或电万兹体制成的》兹场生成装置10 2 #皮配置在阴招^ 101的后方位置，使得靶材11的表面可暴露于磁场103。期望磁 场103不到达基板12的表面，但是，如果磁场103的能级(level) 不使硼-镧化合物膜的大面积单晶域变窄，则磁场103也可以到 达基板12的表面。
磁场生成装置102的S极和N极可^皮配置成在相对于阴极 103的平面的垂直方向上具有彼此相反的才及性。确定相邻的万兹体 在相对于阴极103的平面的垂直方向上具有4皮此相反的极性。
磁场生成装置102的S极和N极还可^皮配置成在相对于阴才及 103的平面的水平方向上具有4皮此相反的才及性。在该情况下，也 确定相邻的i兹体在相对于阴极103的平面的水平方向上具有被二 此相反的才及性。
在本发明的优选实施方式中，磁场生成装置102可在相对于 阴才及103的平面的水平方向上进4亍4罢动运动(oscillating movement )。
本发明中所用的第一滤波器23可从高频电源193滤掉低频 成分(O.OlMHz以下、尤其是0.001MHz以下的频率成分)。单 晶域大小显然取决于是否使用第一滤波器23而变化。当使用第 一滤波器23时，单晶域具有l^in^至lmn^的平均面积，并且优选具有5^1112至500^11112的平均面积，当不使用第 一滤波器23时，单 晶域具有0.01 pm2至1 (11112的平均面积。
另外，本发明能通过从基板12侧的第二直流电源21施加直 流电力(电压)来增加单晶域的平均面积。该第二直流电源21 (电压)也可以是在时间平均上具有直流成分(相对于地的直 流成分)的脉沖波形电源。
本发明还可通过添加退火处理来增加单晶域的平均面积。
在通过上述,兹控溅射方法完成成膜之后，在保持真空状态 的同时经由闸门阀5将基板12输送到第二室2中，将基板12放置 在第二室2中的第二保持件15上，并且由加热机构16开始退火 (200。C至800。C，优选300。C至500。C )。当进行退火时，由等离 子源用的气体进给系统18将来自等离子源气体(氩气、氪气、 氙气、氢气、氮气或类似气体)的等离子放射到基板12,并且 可以由第二直流电源21施加^见定电压(-IOV至-IOOOV,优选 -IOOV至-SOOV)。在完成退火之后，将第二室2的内部恢复成大 气状态，并且移除基板12。
此外，用于等离子源的电源系统22设置有极间耦合电容器 221、匹配电路222和高频电源223，可以从高频电源223施加高 频电力(0.1MHz至10GHz的频率，优选lMHz至5GHz的频率， 100W至3000W的功率，优选200W至2000W的功率)。
由加热机构16将第二基板保持件15加热到规定温度，并且 对放置在第二基板保持件15上的基板12进行退火处理。这里， 加热机构16的预设温度和退火处理时间取决于所需的膜性质而 被调整到最佳值。此时，可通过向基板12放射离子、电子、自 由基(活性物种)或类似物的粒子束来进一步增强退火效果。 可以在加热基板12期间、之后或之前进行离子、电子、自由基 (活性物种)或类似物的粒子束的放射。在本实施例中，说明了使用平行才反型高频;故电电极17 (等 离子电极17)的等离子源的例子，但是也可使用多磁极会切场 (bucket)型离子源、ECR (电子回旋共振)离子源、电子束 放射装置或类似物。其上放置基板12的第二基板保持件15可具 有浮动的电位， <旦是，从第二直流电源21施加^L定偏置电压以 使入射粒子的能量在规定能级也是有效的。通过未示出的输送 室、输送机构和充放电室将已经受退火处理的基板12移送到大 气中。在形成LaB6薄膜之后，该设备在不将基板12移送到大气 中的情况下进行退火处理和其它处理，使得LaB6表面不被大气 中所含的成分污染。从而，可以获得具有良好的晶体结构的 LaB6薄膜。
本发明可通过使用理想配比成分的靶材来形成作为化学计 量薄膜的LaB6薄膜。
根据本发明的另 一 实施例，可通过使用化学计量LaB6靶材 和La靶材的同时溅射法来形成非化学计量薄膜。
在本发明中使用的LaB6薄膜还可含有如Ba金属等其它成分。
在图2中，208是具有形成锥形突起209的钼膜(阴极电极) 202和覆盖该钼膜的突起209的LaBJ莫203的电子源基板。附图 标记210是由玻璃基板207、形成在玻璃基板207上的荧光体膜 206以及由薄铝膜制成的阳极电极205组成的荧光体基板。电子 源基板208和荧光体基板210之间的空间204是真空空间。100V 至3000V的直流电压被施加到阴极电极202和阳极电极205之 间，以从钼膜202的覆盖有LaBj莫203的突起209的尖端朝向阳 极电极205发射电子束。电子束透过阳极电极205撞击荧光体膜， 可产生荧光。
图3A和图3B是图2的覆盖有LaB6膜203的突起209的放大截面图。图3A的突起209覆盖有根据本发明形成的LaB6膜203,在 该膜中形成被晶粒界面301围绕的大面积单晶域302。大面积单 晶域302具有1(11112至lmii^的平均面积，并且优选具有5^m^至 500^11112的平均面积。图3B的突起209覆盖有不是根据本发明形 成的LaB6膜203,并且在该膜中形成小面积单晶域303。该小面 积单晶域303具有0.01pm2至1^112的平均面积。
然后，制造图2所示的电子生成装置，并且视觉观察和评价 其亮度。评价结果在下表l中示出。
通过在玻璃基才反201上形成厚度为3pm的钼膜202和圆锥半 径为1(im且高度为2nm的突起209、然后由》兹控偏置溅射法形成 厚度为5nm的LaB6膜203,来制造电子源基^反208。
为了形成这里使用的LaBJ莫203,如下表l所示改变来自第 一直流电源194 (-250V)和第二直流电源21 (-100V)的直流 电力的使用以及滤波器的使用。对于高频电源193 ，使用 13.56MHz的频率和800W的功率。
电子生成装置具有由电子源基板208 、具有阳极电极205的 荧光体基板210以及2mm厚的密封构件(未示出)构成的真空室。 阳极电极205和阴极电极202被连接到500伏的直流电源211 。
表l
电源的类型观察到的亮度结果
实施例1使用第一直流电源194非常亮 适合显示
使用第二直流电源21使用第一滤波器23实施例2使用第一直流电源194亮，但不是非常亮 适合显示
使用第二直流电源21不使用第一滤波器23实施例3使用第一直流电源194与实施例2相比足够亮 适合显示
不使用第二直流电源21 (维持浮动状态)使用第一滤波器23比较例使用第一直流电源194暗
不使用第二直流电源21不适合显示
(维持浮动状态)
不使用第一滤波器23
图4所示的设备是根据本发明的第二实施例的立式串联溅 射设备的例子，该设备以从上方看的截面图示出。与图l中的附 图标记相同的附图标记表示相同的部件或相应的部件。
两个基板12分别被固定到两个基板保持件4 2 ，与基板保持 件42 —起被从大气侧经由闸门阀51输送到充电室3中，然后被处 理。当将托盘(tray)(未示出)输送到充电室3中时，闸门阀 51关闭，由未示出的排气系统将该室的内部抽真空。当抽真空 到规定压强以下时，通向第一室l的闸门阀52打开，托盘^皮输送 到第一室1中，并且闸门阀52关闭。然后，以与第一实施例中说 明的方式相同的方式形成LaB6薄膜，并且以与第 一 实施例中说 明的方式相同的方式排出溅射气体。在排气到规定压强之后， 通向第二室2的闸门阀53打开，托盘被输送到第二室2中。被保 持在规定温度的加热才几构16被配置在第二室2内，基板12可与第 二基板保持件15 —起经受退火处理。此时，可以以与图l所示的 实施例中的方式相同的方式使用电子、离子、自由基等。在完 成退火之后，对室的内部抽真空，通向》文电室4的闸门阀54打开， 托盘被输送到放电室4中，并且基板12被固定到基板保持件43。 然后，闸门阀54关闭。放电室4设置有用于在退火后降低基板温 度的冷却板44。在降低到规定温度之后，放电室4的内部由于泄 漏气体(氮气、氢气、氩气或类似气体)而恢复到大气压强， 闸门阀55打开以将托盘移送到大气中。
在该实施例中，托盘在第一室1和第二室2中以静止的状态 3皮处理， <旦是也可以在移动的状态下#1处理。在该情况下，可 以根据需要添加第一室1和第二室2，以与整个设备的处理速度
16的力口 平#f 。
作为磁控'减射方法，上面说明的是同时使用高频电力和直 流电力二者的方法。但是，可以取决于所需的膜品质而在不施
加高频的情况下由第 一 直流电源194进行石兹控溅射。该情况具有 如下优点不需要高频电源193和匹配电^各192,可以减少"i殳备 所需成本。
图5是根据本发明的第三实施例的设备的示意图。本实施例 的设备设置有添加到图1的设备的用于基板的高频电源系统 505。用于基板的高频电源系统505被用来经由基板保持件13对 基板12施加高频电力。
本实施例中的溅射高频电源系统19以与图1的设备相同的 方式设置有极间耦合电容器191、匹配电路192和高频电源(第 一高频电源)193。并且溅射高频电源系统19与第一滤波器23 连接，该第 一 滤波器2 3从第 一 高频电源19 3滤掉低频成分。
在本实施例中添加的用于基板的高频电源系统505设置有 极间耦合电容器502、匹配电路503和高频电源(第二高频电源) 504。并且用于基板的高频电源系统505与滤波器(第二滤波器) 501连接，该第二滤波器501从第二高频电源504滤掉低频成分。
用于基板的高频电源系统505从第二高频电源504输出高频 电力(O.lMHz至lOGHz的频率，优选lMHz至5GHz的频率，100W 至3000W的施加功率，优选200W至2000W的施加功率)，并且 可从极间耦合电容器502、匹配电路503和第二高频电源504经由 滤掉低频成分的第二滤波器501向基板12施加高频电力。可以省 略掉第二滤波器501的使用。
由图5所示的设备制造的电子生成装置可以实现比由实施 例l实现的荧光体亮度大得多的亮度。
根据本发明，用于磁控溅射的磁体单元可以是通常使用的永磁体。
在停止托盘的移动之后进行磁控溅射的情况下，设置面积 比基板1 2的面积稍大的靶材，多个磁体单元被配置在靶材的背 面，并且》兹体单元之间具有适当的间隔，使这些磁体单元在与 靶材的表面平行的方向上进行直移运动。从而，可获得靶材的 良好的厚度均匀性和高利用率。在移动托盘的同时进行溅射的 情况下，可以将磁体单元和宽度比基板的长度小的靶材用于基
—反12的移动方向。
已经参照
了本申请的优选实施方式和实施例，但 本发明不限于上述实施方式和实施例。应当理解，在不背离本 发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行变型和修改。
权利要求
1.一种磁控溅射设备，其包括第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；以及第二直流电源，其用于对所述第一基板保持件施加直流电力。
2. 根据权利要求l所述的磁控賊射设备，其特征在于，第 二直流电力是脉冲波形电力。
3. 根据权利要求l所述的磁控溅射设备，其特征在于，所 述设备还包括退火单元，该退火单元设置有第二室；用于在 所述第二室内生成离子、电子或活性物种中的至少一种的装置； 第二基板保持件，其用于保持所述基板；以及加热装置，其用 于加热所述基板。
4. 根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，以 能够将所述第一室和所述第二室的内部保持为真空状态的状态 连接所迷第一室和所述第二室。
5. 根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所 述设备还包括第三直流电源，该第三直流电源用于对所述第二 基板保持件施加直流电力。
6. 根据权利要求l所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述硼-镧化合物是化学计量的或非化学计量的L aB 6 。
7. —种磁控溅射设备，其包括 第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靭4才；高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力； 第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴 才及施力口直；虎电力；滤波器，其用于从所述高频电源滤掉低频成分； 磁场生成装置，其用于使所述耙材的表面暴露于磁场；以及第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的 位置处。
8. —种磁控溅射设备，其包括 第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气； 阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构 成的耙材；高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；第 一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴才及施力口直5危电力；滤波器，其用于从所述高频电源滤掉低频成分； 磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场； 第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；以及第二直流电源，其用于对所述第 一基板保持件施加直流电力。
9. 一种磁控'减射设备，其包括第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气； 阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构 成的耙材；第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力； 第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴 才及施力口直力先电力；磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场； 基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力；以及第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力。
10. —种磁控溅射设备，其包括 第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气； 阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构 成的革巴材；第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力； 第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴 才及施力口直；庇电力；滤波器，其用于从所述第一高频电源滤掉低频成分； 磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场； 基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力；以及第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力。
11. 一种磁控賊射设备，其包括 第一室；排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气； 阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构 成的革巴材；第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力； 第 一 直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴 才及施力口直5危电力；第一滤波器，其用于从所述第一高频电源滤掉低频成分； 磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场； 基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力； 第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力；以及第二滤波器，其用于从所述第二高频电源滤掉低频成分。
12. —种薄膜的制造方法，其包括使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的耙材由 磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的 基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中对所述革巴材施加从高频电源滤掉低频成分而得到的高频成 分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，在施加所述高频成分电力和所述第一直流电力期间，从第 二直流电源对所述基板保持件施加第二直流电力。
13. 根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于， 所述第二直流电力是脉冲波形电力。
14. 根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于， 所述硼-镧化合物是化学计量的或非化学计量的L aB 6 。
15. 根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于， 所述方法还包4舌加热所述硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前 使该硼-锎化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气 氛中的至少一种气氛中。
16. 根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于， 所述方法还包4舌加热所述硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前， 在施加直流电场下，使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电 子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
17. —种薄膜的制造方法，其包括使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由 磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的 基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中对所述耙材施加高频成分电力和来自第一直流电源的第一 直流电力，在施加所述高频成分电力和所述第一直流电力期间，从第 二直流电源对所述基板保持件施加第二直流电力。
全文摘要
磁控溅射设备和薄膜的制造方法。为了通过磁控溅射形成LaB<sub>6</sub>薄膜，对靶材(11)施加直流电力和来自高频电源(193)的已滤掉低频成分的高频成分电力，并且在施加高频成分电力和直流电力期间，对基板保持件(13)施加来自另一直流电源(21)的直流电力。从而，改进了所获得的LaB<sub>6</sub>薄膜的大面积晶域方向上的单晶性。
文档编号C23C14/35GK101560644SQ20091013551
公开日2009年10月21日 申请日期2009年4月17日 优先权日2008年4月18日
发明者中村昇 申请人:佳能安内华股份有限公司