专利名称：树脂覆盖方法和树脂覆盖装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在将半导体晶片等薄板状工件磨削成平面时，利用树脂覆盖工件的一
个面，并将树脂侧的面形成为磨削工件时的基准面的方法。
背景技术：
关于作为半导体或电子部件的材料的半导体晶片，例如有由硅等单晶体材料构成的半导体晶片、或由具有多种元素的化合物构成的半导体晶片等。关于这些晶片，在成形成圆柱状的锭之后，通过钢丝锯等切成基板状的片，接着通过实施研磨、蚀刻等来除去在切片时产生的起伏和翘曲，从而将晶片加工得薄且平坦。 但是，为了进行上述蚀刻，需要这样的大规模的设备向晶片周围供给反应气体并使反应气体滞留在晶片周围，通过对该反应气体附加高电压来使其等离子化。此外，作为能够对用于晶片的硅进行蚀刻的气体，例如有SF6等氟化气体，但是这种气体是温室气体，并且价格很高。因此存在以下缺点为了进行蚀刻，要使用大规模的设备和高价气体，要花费巨额的费用。
因此，提出了这样的方法在晶片的一个面上涂布树脂或蜡等并使之硬化而形成
覆盖物之后磨削晶片，由此来除去晶片的起伏和翘曲(参照专利文献1、2)。在该方法中，使
所涂布的树脂硬化从而形成表面平坦的覆盖物，通过以该覆盖物的表面作为基准面磨削晶
片，来除去晶片的起伏和翘曲，从而将晶片加工成平坦状。 专利文献1 :日本特开平8-66850号公报 专利文献2 :日本特开2006-269761号公报 但是，在上述专利文献1的方法中，有时会由于形成在晶片的一个面上的覆盖物的厚度而产生如下问题。例如，在涂布于晶片的覆盖物的厚度很薄的情况下，无法通过覆盖物充分吸收起伏和翘曲。此外，在涂布于晶片的覆盖物的厚度很厚的情况下，会产生如下问题在使用一般的磨削装置将旋转的磨削磨具压靠在晶片上来磨削晶片时，晶片因覆盖物的弹性作用而逃离磨削磨具，即使能够除去起伏和翘曲，也难以将晶片磨削成均一的厚度。
另一方面，在上述专利文献2的方法中，由于能够将覆盖物控制为适当的膜厚，所以能够有效地除去起伏和翘曲。但是，由于是在晶片中残留有内部应力的状态下使树脂等硬化，所以当在磨削晶片后将覆盖物除去时，有时会因残留在晶片内的内部应力而产生所谓起伏和翘曲重新恢复的回弹现象，未必能够满足要求。 此外，重力环境下的晶片的形状被认为是在起伏和翘曲的基础上还受到了"挠曲"的影响而呈现的形状。所谓"挠曲"是因重力而产生的变形，关于考虑了挠曲的影响的严格的平坦度，在上述文献中均未提及。
发明内容
因此，本发明的目的为提供一种树脂覆盖方法和装置，其在为了对含有起伏、翘曲
和挠曲等变形因素的上述晶片等薄板状工件进行磨削以将其加工成平坦状而在工件的一个面上覆盖树脂时，适当地除去了工件的起伏和翘曲，能够得到在无重力条件下抑制了起伏和翘曲的工件。 本发明的树脂覆盖方法是为了对含有起伏和翘曲等变形因素的薄板状工件的一个面进行磨削以加工成平坦状而在该工件的另一个面上覆盖树脂的方法，其特征在于，上述树脂覆盖方法至少包括工件矫正工序，在该工件矫正工序中，在使工件的一个面与平坦面紧密接触的状态下将该工件保持至该平坦面，矫正变形因素使上述工件变得平坦；工件载置工序，在该工件载置工序中，将通过矫正工序进行了矫正的状态下的工件载置在通过外部剌激而硬化的硬化性树脂上，并且将上述工件载置成上述工件的另一个面与上述树脂紧密接触的状态；平坦面离开工序，在该平坦面离开工序中，使平坦面从工件的一个面离开；以及树脂硬化工序，在该树脂硬化工序中，利用外部剌激附加单元对硬化性树脂附加剌激，以使该树脂硬化。 在本发明的树脂覆盖方法中，在工件载置工序中，将通过矫正工序而矫正了变形的状态下的工件载置到硬化性树脂上，接着在平坦面离开工序中，使与工件的一个面紧密接触对工件进行了矫正的平坦面从该工件的一个面离开。在该阶段，工件处于以矫正被解除、且另一个面与树脂紧密接触的方式载置在硬化前的树脂上的状态。 虽然矫正被解除后的工件想要返回原来的变形状态(存在起伏、翘曲和挠曲的状态)，但是在本发明中，在上述平坦面离开工序中，关于解除了矫正地载置于硬化前的树脂上的工件，在使树脂流动的同时产生由内部应力引起的变形，然而由重力引起的变形通过被树脂支承而得到抑制。即、能够使工件成为不受重力的影响而仅因内部应力而产生了变形的形状、或者成为与该形状近似的形状。然后，通过在实施平坦面离开工序后使树脂硬化，工件大致保持仅因内部应力而产生了变形的形状。 本发明的树脂覆盖方法具有将上述硬化性树脂供给到平台的工件载置面上的树
脂供给工序，在进行该树脂供给工序之后进行上述工件载置工序，在工件载置工序和上述平坦面离开工序之间包含有工件按压工序，在该工件按压工序中，利用按压单元将通过上
述矫正工序进行了矫正的状态下的工件从一个面侧朝向供给到工件载置面上的硬化性树脂按压。 当采用该方式时，供给到平台的工件载置面上的硬化性树脂被工件压延，从而能够使树脂均匀地遍布于工件的另一个面的整个面上。特别是在本发明中，由于将矫正了变形而接近平坦的状态下的工件按压向树脂，所以树脂更容易均匀地展开，并且能够以很短的按压距离使树脂均匀地展开。另外，还具有气泡不易进入工件与树脂之间的优点。
此外，关于本发明的树脂覆盖方法，在上述工件按压工序和上述平坦面离开工序之间包含有平坦面移动工序，在该平坦面移动工序中，在工件的一个面保持于上述平坦面上的状态下，使该平坦面移动，该平坦面的移动方向是从该工件的另一个面朝向该工件的一个面的方向。 当采用该方式时，能够使通过工件按压工序而展开的树脂的厚度增大。例如，在通过工件按压工序使树脂均匀地展开所需要的按压距离很长、在实施平坦面离开工序后无法得到使工件借助内部应力产生变形所需要的树脂厚度的情况下，为了确保树脂的厚度，要进行使树脂的厚度增大的工序。即、当树脂厚度很薄时，存在工件与平台的工件载置面抵接而无法产生更大的变形的可能，然而通过确保树脂的厚度，能够使工件充分变形，从而能够
5再现按压前的变形状态。换言之，平坦面在该平坦面移动工序中的移动量只要是能够使矫正后的工件通过内部应力的影响而回到原来的形状的程度即可。 作为在本发明的树脂覆盖方法中使用的上述硬化性树脂，列举了通过照射紫外线而硬化的紫外线硬化树脂，该情况下的上述外部剌激附加单元是照射紫外线的紫外线照射单元。 作为除此之外的硬化性树脂，可以列举出通过加热而硬化的热硬化树脂、或者通过加热而液化并通过冷却而硬化的热塑性树脂。为热硬化树脂时的外部剌激附加单元是进行加热的加热单元，为热塑性树脂时的外部剌激附加单元是进行冷却的冷却单元。
接下来，本发明的树脂覆盖装置是正好能够实施上述本发明的树脂覆盖方法的装置，其特征在于，上述树脂覆盖装置至少包括工件矫正单元，其具有平坦面，该平坦面在与工件的一个面紧密接触的状态下将该工件保持成能够装卸，该工件矫正单元在将该工件保持于该平坦面上时矫正变形因素，使该工件变得平坦；平台，其具有工件载置面，硬化性树脂被供给到该工件载置面上；工件载置单元，其将利用工件矫正单元进行了矫正的状态下的工件载置在被供给到该工件载置面的硬化性树脂上；以及外部剌激附加单元，其对供给到平台的工件载置面上的硬化性树脂附加外部剌激。 本发明的树脂覆盖装置包括具有按压单元的方式，该按压单元使上述工件矫正单元与上述平台的上述工件载置面对置配置，并且使该工件矫正单元以相对于该工件载置面能够进退的方式移动，在前进时，上述按压单元对载置于硬化性树脂上的工件朝向该树脂进行按压。在该方式中，能够进行上述本发明方法的工件按压工序。 另外，对于本发明中所说的工件并没有特别进行限定，例如可以列举出由硅或砷
化镓等构成的半导体晶片、以及由蓝宝石(氧化铝)等无机化合物构成的晶片等。 根据本发明，在将矫正了变形的状态下的工件载置到硬化前的树脂上之后解除矫
正，然后，按照使树脂硬化的步骤使树脂覆盖在工件上，由此，关于磨削后的工件，由于是在
缓和了因重力影响而产生的变形的状态下被磨削，因此具有能够获得在无重力条件下抑制
了翘曲和起伏的工件的效果。
图1的(a)是晶片在重力条件下载置于衬垫上的状态的立体图，所述晶片通过本
发明的一个实施方式将树脂覆盖在一个面上，图1的(b)是对从图1中(a)所示的A方向
和B方向观察有重力和无重力条件下的晶片时的形状进行比较的表。 图2是本发明的一个实施方式所述的树脂覆盖装置的立体图。 图3是表示一个实施方式的树脂覆盖工序的剖视图。 图4是表示一个实施方式的树脂覆盖工序(图3的继续)的剖视图。 图5是表示一个实施方式的树脂覆盖工序(图4的继续)的剖视图。 图6是在矫正后的晶片载置于树脂上的状态(有矫正)、以及矫正解除后的晶片载
置于树脂上的状态(无矫正)下，对从图1中(a)所示的A方向和B方向进行观察时的形
状进行比较的表。 图7是表示用于对晶片进行磨削的一个实施方式的磨削装置(磨削主轴)的侧视图。
图8是表示磨削工序的剖视图。
标号说明 l:晶片(工件)；la:晶片的表面(一个面)；lb:晶片的背面(另一个面)；10:树脂覆盖装置;12 :平台;12a :工件载置面;13 :UV(紫外线)灯(外部剌激附加单元);20 :晶片保持单元(工件矫正单元、工件载置单元、按压单元、平坦面移动单元)；23:按压垫；
24a :吸附面(平坦面)。
具体实施例方式
下面，参照
本发明所述的一个实施方式。[OO35] [1]半导体晶片 图1的(a)中的标号1表示一个实施方式中的作为工件的半导体晶片(以下，称为晶片)。该晶片1处于通过钢丝锯将由硅等构成的圆柱状的材料锭切成预定厚度的片而得到的原材料阶段。 在图1的(a)中，示出了在重力条件下从下方支承晶片1的中心时的状态。该晶片1由于内部应力而在A方向上产生了翘曲，并且如局部放大图所示在表面产生了起伏。此处，将对翘曲进行截断的方向称为A方向，将翘曲的脊背延伸的方向称为B方向。由于晶片l处于在重力条件下中心被支承的状态，所以如图1的(b)所示，"有重力时的A方向的晶片形状"与"无重力时的A方向的晶片形状"相比，受到重力的影响而处于被下压的状态。
g卩、图1的(a)中的A方向上的晶片形状被认为是由于内部应力和重力而产生了变形的、图1的(b)中的"有重力时的A方向的晶片形状"。同样，如图1的(b)所示，"有重力时的B方向的晶片形状"与"无重力时的B方向的晶片形状"相比，晶片的端部受到重力的影响而处于下垂的状态。即、图1的(a)中的A方向上的晶片形状被认为是由于重力而产生了变形的、图1的(b)中的"有重力时的B方向的晶片形状"。关于该晶片l，当在背面lb涂布紫外线硬化型树脂并使该树脂硬化后，对表面la进行磨削，接着对背面lb进行磨削以加工成平坦状，然后在磨削后的表面形成由具有电子电路的多个器件构成的图形。
[2]树脂覆盖装置的结构 图2表示向晶片1的背面lb供给树脂并使该树脂硬化的一个实施方式的树脂涂布单元10。在图2中，标号11是中空的基座，在该基座11的上部配设有矩形板状的平台12，该平台12的上表面平坦、并且被作为水平的工件载置面12a。平台12由能够透过紫外线的硼硅玻璃或石英玻璃等构成，平台12的下表面面对基座11内的中空空间。
在基座ll内的底部，配设有向上方的平台12照射紫外线(紫外光)的多个UV灯13。此外，在基座11上设置有矩形板状的遮挡件15，该遮挡件15通过气缸14而相对于UV灯13的上方进退，从而在进入时将UV灯13向上方照射紫外线的紫外线照射光路切断。虽然在图2中仅示出了一个遮挡件15，但遮挡件15是如图3所示的左右一对遮挡件，并且在各遮挡件15上连接有气缸14。 气缸14具有在基座11方向水平伸縮的活塞杆14a，在活塞杆14a的前端以水平状态固定有遮挡件15。当活塞杆14a伸长时，如图3所示，左右遮挡件15进入到UV灯13的上方，并且前端相互抵接而成为关闭状态，从而自UV灯13向上方的紫外线照射被切断。此外，当活塞杆14a縮小时，如图5的(b)所示，各遮挡件15从UV灯13的上方退开而成为打
7开状态，从而自UV灯13向平台12照射紫外线。 如图3所示，在基座11内的遮挡件15的上方，配设有用于切断除紫外线以外的光的矩形板状的滤光器16。通过该滤光器16，基座11内的空间被上下分隔开来。如图2所示，在基座11的侧壁部lla设置有圆筒状的管道17，该管道17与基座11内的位于滤光器16上方的空间连通。在该管道17上连接有未图示的排气单元，该排气单元抽吸基座11内的空气从而将该空气排出。 通过从UV灯13照射的紫外线，基座11内的温度上升，由此平台12热膨胀，从而平台12的工件载置面12a的平坦度有可能降低。因此，通过将平台12的下表面侧的空气从管道17排出到外部，抑制了平台12的温度上升，从而维持了工件载置面12a的平坦度。此外，利用滤光器16将不需要的光成分遮挡住，由此也能够维持工件载置面12a的平坦度。
如图2所示，在基座11上的平台12的里侧竖立设置有背板部18，并且，在该背板部18的上端部，形成有向平台12的上方延伸的遮檐部19。而且在遮檐部19上设置有晶片保持单元20，该晶片保持单元20水平地吸附晶片l进行保持，并且使保持的晶片1向下方移动。 晶片保持单元20包括主杆21，其从遮檐部19的大致中心向下方的平台12与遮檐部19之间的空间延伸；多根(该情况下为四根)副杆22，它们配设在该主杆21的周围；以及圆板状的按压垫23，其水平地固定在这些杆21、22的下端。相互平行地配设的各杆21、22在上端部具有驱动部21A、22A，这些驱动部21A、22A固定于遮檐部19。当分别使驱动部21A、22A运转时，各杆21、22以向下方伸长或者向上方縮短的方式工作，按压垫23伴随各杆21、22的伸縮而升降。 如图3所示，在按压垫23的下表面的大部分设置有吸附部24。该吸附部24由多孔质材料形成为圆板状，当使与该吸附部24连接的未图示的空气抽吸源运转时，在吸附部24的平坦下表面即吸附面24a上产生负压，从而晶片1吸附在该吸附面24a上并被保持。如图3的(c)所示，当含有起伏和翘曲的晶片l被吸附到吸附部24上时，晶片1与吸附面24a紧密接触，起伏、翘曲和挠曲等变形被矫正而使得晶片1大致变平。
[3]树脂覆盖装置的动作 接下来，对上述树脂覆盖装置10的动作进行说明。在该动作中，包含有本发明的树脂覆盖方法。 作为初始状态，如图3的(a)所示，虽然UV灯13始终为打开(ON)状态而照射紫外线，但是遮挡件15是关闭的，因而紫外线没有照射到平台12。并且，按压垫23定位在上方的待机位置。 从该状态起，如图3的(b)所示，向平台12的工件载置面12a的中央以块状的状态供给预定量的液态树脂Pl (树脂供给工序)。所供给的树脂Pl采用通过受到紫外线的照射而硬化的紫外线硬化型树脂，树脂P1的粘度选择为例如大约50 30000mPa。接着，使按压垫23的吸附部24产生负压，如图3的(c)所示，使晶片1的表面la吸附到吸附部24的吸附面24a上。含有起伏和翘曲而产生了变形的晶片1与吸附面24a紧密接触从而使得变形被矫正(工件矫正工序)。 然后，使驱动部21A、22A运转，使各杆21、22向下方伸长，使按压垫23下降，从而将晶片1的背面lb压靠向树脂P1。由此，变形被矫正了的晶片1的背面lb与树脂P1紧密接触，从而晶片1成为载置在树脂P1上的状态(工件载置工序)。接着，进一步使按压 垫23下降，将晶片1向树脂P1按压。于是，如图4的(a)所示，树脂P1被压延而成为从晶 片1的背面冒出的状态，从而确保了树脂P1均匀地遍布于整个背面lb的状态(工件按压 工序)。 在将树脂PI涂布于晶片1的整个背面lb后，使驱动部21A、22A的运转停止，或者 使通过运转而附加在树脂P1上的压力减弱。于是，通过按压垫23将晶片1按压在树脂Pl 上的载荷被撤除，按压垫23受到树脂P1的反作用力而如图4的(b)所示那样稍微上升，由 此树脂PI的厚度稍微增大(平坦面移动工序)。 接着，在使按压垫23的负压运转停止后，如图5的(a)所示，使按压垫23上升而 返回待机位置，使吸附面24a从晶片1的表面la离开(平坦面离开工序)。当使按压垫23 从晶片1离开时，对变形进行了矫正的力被解除，晶片1以欲从平坦状态返回原来的状态的 方式变形。 图6是在矫正后的晶片1载置于树脂PI上的状态(有矫正)、和矫正被解除后的 晶片1载置于树脂P1上的状态(无矫正)下，对从图1中(a)所示的A方向和B方向进行 观察时的形状进行比较的表。此处，关于A方向上的晶片1，由于利用树脂P1从晶片1的整 个下表面对因重力而产生的向下的力进行了支承，所以晶片1不会成为受到重力影响而被 下压的"无矫正的虚线形状(图1中(b)所示的有重力时的A方向的晶片形状)"，而是成 为主要反映了翘曲的"无矫正的实线形状"。 另一方面，在B方向上，由于因重力而产生的向下的力被树脂P1支承，所以晶片1 的端部不会像图6的"未矫正的虚线形状(图1中(b)所示的有重力时的B方向的晶片形 状)"那样下垂，而是像"无矫正的实线形状"那样被维持。即、图6所示的无矫正的从A方 向和B方向进行观察时的形状是抑制了因挠曲而引起的形状变化的状态下的形状。此时， 由于尚未对树脂P1进行硬化处理，所以晶片1可能变形，且变形随着树脂P1的流动而产 生。 接着，如图5的(b)所示，打开遮挡件15。于是，从UV灯13发出的紫外线穿过滤 光器16而照射向树脂P1 (树脂硬化工序)。照射了紫外线的树脂P1发生硬化，在晶片1的 背面lb上形成与背面lb紧密接触的树脂膜P2，从而成为能够从工件载置面12a上取出晶 片1的状态。树脂膜P2的与工件载置面12a紧密接触的表面(下表面)通过对平坦的工 件载置面12a进行转印而形成为平坦状。
[4]通过磨削晶片来进行的平坦加工 将如上所述地在背面la上覆盖有树脂膜P2的晶片1移送至对两面进行磨削的平
坦加工工序。图7表示用于磨削晶片1的磨削主轴30以及卡盘工作台40。 磨削主轴30为如下所述的结构在圆筒状的壳体31内，内置有通过电动机32而
旋转的主轴33，在主轴33上，经凸缘34固定有磨轮35。磨削主轴30设置成主轴33的轴
向沿着上下方向的状态，并且磨削主轴30能够通过未图示的升降机构而升降。磨轮35是
在环状的框架36的下表面上呈环状地排列多个磨片37并对这些磨片37进行固定而构成
的部件。 卡盘工作台40以与磨轮35对置的方式配设在磨削主轴30的下方。卡盘工作台 40的水平上表面由吸附部41构成，该吸附部41通过负压作用吸附并保持工件。该吸附部41与上述树脂覆盖装置10的按压垫23的吸附部24相同，由多孔质材料形成为圆板状，并 且上表面为吸附面41a。卡盘工作台40通过未图示的旋转驱动单元而旋转。
关于晶片1的磨削，首先，如图7所示使树脂膜P2吸附到吸附部41的吸附面41a 上，在表面la露出的状态下将晶片1保持到卡盘工作台40上。然后，使卡盘工作台40旋 转，另一方面，使磨削主轴30下降并将旋转的磨具37压靠于晶片1的表面。由此，晶片1的 表面la被磨削。另外，在该情况下，使旋转的磨轮35的外周部通过旋转的晶片1的中心， 由此晶片1的整个表面被磨削，表面被加工成平坦状。 如图8的(a)所示，在将晶片1的表面la加工成平坦状后，接着如图8的(b)所 示，将树脂膜P2从晶片1的背面lb剥离并除去。然后，使磨削过的表面la吸附在吸附面 24a上，在背面lb露出的状态下将晶片1保持到卡盘工作台40上。接着，在使卡盘工作台 40旋转的同时利用磨削主轴30对背面lb进行磨削，如图8的(c)所示，将背面lb加工成 平坦状。通过以上工序，如图8的(d)所示，表面la和背面lb被加工成很平坦且相互平行， 从而得到了厚度均一的晶片1。
[5]实施方式的作用效果 在如上所述地利用树脂覆盖装置10在晶片1的背面lb上覆盖树脂膜P2的实施 方式中，如下所述的步骤是要点在将吸附于按压垫23上而矫正了变形的晶片1载置到硬 化前的树脂Pl上并进行按压之后，在该时刻还不使树脂Pl硬化，而在一旦使按压垫23从 晶片1离开而解除了矫正后，使树脂P1硬化。 以往，未考虑由挠曲引起的晶片的变形，例如在图1的状态下直接将晶片载置到 树脂上，从而晶片以含有由挠曲引起的变形的形状固定在树脂上并进行磨削。因此，以往的 晶片是含有由挠曲引起的内部应力的晶片，在无重力环境下由于挠曲所致的内部应力而产 生了新的翘曲。但是通过上述步骤，矫正被解除后的晶片l缓和了重力的影响，从而以主要 因翘曲而产生了变形的形状被固定，因此，所得到的晶片l成为不含有因挠曲而引起的内 部应力的状态、或者接近于该状态的状态。因此，即使在无重力时，也能够形成更接近于平 坦的形状的晶片。 另外，作为所使用的树脂，考虑晶片1的原材料、结构、形状甚至原本所具有的内 部应力等各种因素来选择适当的粘度和厚度，由此能够更加显著地获得本发明的效果。艮P、 所谓适当的粘度和厚度，被认为是能够容许解除矫正后的晶片的由翘曲引起的变形、并且 能够抑制该晶片的由挠曲引起的变形的粘度和厚度。换言之，是指对于因重力而产生于晶 片的力能够以大致相同的力进行对抗的树脂。 在本实施方式中，通过在树脂P1附着于晶片1的背面lb上之后进一步如图4的 (b)所示地利用晶片1按压树脂P1，能够将树脂P1压延从而使树脂P1均匀地遍布于整个 背面lb。特别是在本实施方式中，由于将矫正了变形而接近平坦的状态的晶片1按压向树 脂P1，所以树脂P1更容易均匀地展开，并且能够以很短的按压距离使树脂P1均匀地展开。 另外，还具有气泡不易进入晶片1与树脂P1之间的优点。 此外，本实施方式为这样的方式向平台12的工件载置面12a供给块状的树脂 Pl，通过利用晶片1按压该树脂P1来在晶片1的背面lb上涂布树脂P1。在该方式中，能够 使所使用的树脂P1的量为能够涂布在晶片1的背面lb上的最低限度的量，其结果为，抑制 了树脂使用量，降低了成本。此外，由于能够在即将使用之前供给树脂P1，所以也能够使用粘度低的树脂，从而粘度的选择范围扩大，能够使晶片1更接近平坦。 此外，在本实施方式中，在如图4的(b)所示按压树脂P1后，不是马上使按压垫23 从晶片1离开，而是在按压垫23吸附晶片1进行保持的状态下(即、在矫正成平坦状的状 态下)，暂时使按压垫23稍微上升，从而使树脂Pl的厚度从按压状态增大。
通过进行该动作，能够在使按压垫23从晶片l离开时使晶片l借助于内部应力在 树脂P1内充分变形，能够再现原来的变形状态。因此，当在基于磨削的平坦加工工序中将 树脂膜P2从晶片1剥离时，不易产生晶片1的由内部应力引起的变形，能够获得严格的平 坦状态、或者接近平坦的状态。另外，关于在按压后使按压垫23在吸附并保持晶片1的状 态下上升的量设定为这样的程度晶片1在上升后的树脂P1的厚度内变形。
另外，在上述实施方式中，关于树脂P1向平台12的工件载置面12a的供给，是将 必要量的树脂P1直接供给到工件载置面12a上，但是本发明方法并不限定于该供给方式。 例如，也可以采用以下方式将预先涂布有树脂的膜以涂布有树脂的面朝上的方式供给到 平台12的工件载置面12a上，将吸附在按压垫23上的晶片紧密接触至该膜的上表面的树 脂上并进行按压，由此来在晶片的背面涂布树脂。 此外，在晶片1是含有翘曲的形状的情况下，将翘曲的凸侧的面吸附到按压垫23 的吸附部24上更容易在矫正解除后产生这样的举动在使树脂P1流动的同时翘曲恢复，因 此将翘曲的凸侧的面吸附到按压垫23的吸附部24上是优选的。
实施例
下面，对本发明的实施例进行说明。
[实施例] 利用钢丝锯对由单晶硅构成的圆柱状的材料锭进行切片，从而得到了直径为 小300mm、且厚度为900iim的晶片。然后对该晶片的翘曲进行测量。 接着，将该晶片吸附在与图2相同的树脂覆盖装置的按压垫上以矫正变形。另一 方面，将在一个面上涂布有紫外线硬化型树脂的膜以树脂朝上的方式供给到平台(由石英 玻璃制成)上，然后使按压垫下降使矫正后的晶片的背面紧密接触在该膜的上表面的树脂 上，进而将晶片按压向树脂。接着，在解除了基于按压垫的吸附、即矫正后，使按压垫上升而 从晶片离开，此后，使树脂硬化从而在晶片的背面形成了树脂膜。 接着，按照图7 图8所示的要领，以树脂膜的表面为基准面对晶片的表面进行磨 削，接着，在将树脂膜从晶片的背面除去后，以表面为基准面对背面进行磨削，从而得到了 两面被磨削而加工成平坦状的晶片。
[比较例] 在将晶片载置到膜的树脂上时，采用了如下方法不是将晶片吸附在按压垫上来 矫正变形，而是单纯地将晶片载置到膜的树脂上，然后利用按压垫按压该晶片，接着，使按 压垫从晶片离开。除此之外的工序与上述实施例相同，从而得到了两面被磨削而加工成平 坦状的晶片。[翘曲的测量值的比较] 利用-《A卜科研(股份有限公司名)的"晶片弯曲/翘曲(BOW/WARP)测量装置 SBW-331M"对平坦加工后的上述实施例和比较例的WARP(翘曲)进行了测量。将其结果与 树脂覆盖前的翘曲的测量值一起表示在表l中。另外，由于该测量装置"SBW-331M"的测量
11结果反映了用于抵消基于挠曲的形状变形量的数值补正，所以可以看作是无重力条件下的
测量结果。表1
树脂覆盖前的翘曲平坦加工后的翘曲
实施例14. 96 um6. 93um
比较例14. 74 um13. 64 um 如表1表明的那样，在未对变形进行矫正就直接将晶片按压向树脂、然后解除按 压力并使树脂硬化的比较例中，平坦加工后的翘曲与树脂覆盖前相比几乎没有变化，翘曲 未被除去。与此相对，根据将矫正了变形的状态下的晶片载置到树脂上的本发明方法，平坦 加工后翘曲显著地减小，能够得到接近平坦的晶片，从而证实了本发明的效果。
1权利要求
一种树脂覆盖方法，该树脂覆盖方法是为了对含有起伏和翘曲等变形因素的薄板状工件的一个面进行磨削以加工成平坦状而在该工件的另一个面上覆盖树脂的方法，其特征在于，上述树脂覆盖方法至少包括工件矫正工序，在该工件矫正工序中，在使上述工件的上述一个面与平坦面紧密接触的状态下将该工件保持至该平坦面，矫正上述变形因素使上述工件变得平坦；工件载置工序，在该工件载置工序中，将通过上述矫正工序进行了矫正的状态下的上述工件载置在通过外部刺激而硬化的硬化性树脂上，并且将上述工件载置成上述工件的上述另一个面与上述树脂紧密接触的状态；平坦面离开工序，在该平坦面离开工序中，使上述平坦面从上述工件的上述一个面离开；以及树脂硬化工序，在该树脂硬化工序中，利用外部刺激附加单元对上述硬化性树脂附加刺激，以使该树脂硬化。
2. 根据权利要求1所述的树脂覆盖方法，其特征在于，上述树脂覆盖方法具有将上述硬化性树脂供给到平台的工件载置面上的树脂供给工 序，在进行该树脂供给工序之后进行上述工件载置工序，在上述工件载置工序和上述平坦 面离开工序之间包含有工件按压工序，在该工件按压工序中，利用按压单元将通过上述矫 正工序进行了矫正的状态下的上述工件从上述一个面侧朝向供给到上述工件载置面上的 上述硬化性树脂按压。
3. 根据权利要求2所述的树脂覆盖方法，其特征在于，在上述工件按压工序和上述平坦面离开工序之间包含有平坦面移动工序，在该平坦面 移动工序中，在上述工件的上述一个面保持于上述平坦面的状态下，使该平坦面移动，该平 坦面的移动方向是从上述工件的上述另一个面朝向上述工件的上述一个面的方向。
4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的树脂覆盖方法，其特征在于， 上述硬化性树脂是通过照射紫外线而硬化的紫外线硬化树脂， 上述外部剌激附加单元是照射紫外线的紫外线照射单元。
5. 根据权利要求1至3中的任一项所述的树脂覆盖方法，其特征在于， 上述硬化性树脂是通过加热而硬化的热硬化树脂， 上述外部剌激附加单元是进行加热的加热单元。
6. 根据权利要求1至3中的任一项所述的树脂覆盖方法，其特征在于， 上述硬化性树脂是通过加热而液化、通过冷却而硬化的热塑性树脂， 上述外部剌激附加单元是进行冷却的冷却单元。
7. —种树脂覆盖装置，该树脂覆盖装置是为了对含有起伏和翘曲等变形因素的薄板状 工件的一个面进行磨削以加工成平坦状而在该工件的另一个面上覆盖树脂的装置，其特征 在于，上述树脂覆盖装置至少包括工件矫正单元，其具有平坦面，该平坦面在与上述工件的上述一个面紧密接触的状态 下将该工件保持成能够装卸，该工件矫正单元在将上述工件保持于上述平坦面时矫正上述 变形因素，使上述工件变得平坦；平台，其具有工件载置面，硬化性树脂被供给到该工件载置面上；工件载置单元，其将利用上述工件矫正单元进行了矫正的状态下的上述工件载置在被供给到上述工件载置面的上述硬化性树脂上；以及外部剌激附加单元，其对供给到上述平台的上述工件载置面上的硬化性树脂附加外部剌激。
8.根据权利要求7所述的树脂覆盖装置，其特征在于，上述树脂覆盖装置具有按压单元，该按压单元使上述工件矫正单元与上述平台的上述工件载置面对置配置，并且使上述工件矫正单元以相对于上述工件载置面能够进退的方式移动，在前进时，上述按压单元对载置于上述硬化性树脂的上述工件朝向该树脂进行按压。
全文摘要
本发明提供一种树脂覆盖方法和树脂覆盖装置，其适当地除去工件的起伏和翘曲，能够使磨削后的工件形成为考虑了重力的严格的平坦状。使晶片(1)的表面(1a)吸附在按压垫(23)的吸附部(24)的吸附面(24a)上，以矫正晶片(1)的变形。接着，将矫正状态下的晶片(1)载置到液态的树脂(P1)上并进行按压，然后，在使按压垫(23)从晶片(1)离开使晶片(1)产生翘曲等恢复的变形之后，使树脂(P1)硬化。由于从矫正状态起使晶片(1)在树脂(P1)上进行变形，所以不会产生由重力引起的变形，能够在磨削后获得严格的平坦状态。
文档编号B24B41/06GK101770936SQ20091025883
公开日2010年7月7日 申请日期2009年12月25日 优先权日2008年12月26日
发明者下谷诚, 关家一马, 小野寺宽 申请人:株式会社迪思科