专利名称：用于原子层沉积的装置和方法
用于原子层沉积的装置和方法 本发明涉及一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的装置。本发明还涉及一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的方法。原子层沉积被认为是用于沉积单层靶材的方法。原子层沉积与诸如化学气相沉积的不同之处在于，原子层沉积具有至少两个工艺步骤。这些工艺步骤中的第一个包括在衬底表面上施加前驱体气体。这些工艺步骤中的第二个包括使前驱体材料反应以形成单层靶材。原子层沉积具有能很好地控制层厚度的优点。但是，已知的原子层沉积方法表现出对前驱体气体的相当低效率的使用。典型地，超过一半的前驱体气体被浪费掉。由于前驱体气体通常很贵，因此这是成问题的。本发明的目的是提供一种用于原子层沉积的装置和方法，其具有对前驱体气体的提高使用。因此，本发明提供了一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的装置，该装置包括前驱体注入头，该前驱体注入头包括前驱体供给源和在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定的沉积空间，其中前驱体注入头设置为可将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间以与衬底表面接触，该装置设置为可在沉积空间和衬底表面之间在衬底表面的平面内提供相对运动，并且该装置具有限制结构，其设置为将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面相邻的沉积空间中。这样便可将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面相邻的沉积空间中。这种限制减小了前驱体气体的使用量。将前驱体气体限制在与衬底表面相邻的沉积空间中也减少了由于所不希望的前驱体沉积在装置上和/或衬底的与上述衬底表面相反的背面上而造成的装置污染。这避免了用于除去污染的清洁步骤。被限制在与衬底表面相邻的沉积空间中的前驱体气体优选意味着前驱体气体被限制在衬底表面的有限距离中。此有限距离例如最多为衬底表面的最大尺寸和最小尺寸中的一个，但也可为衬底的厚度。此尺寸可为衬底表面的直径或宽度。备选地，该有限距离例如最多为最大尺寸和最小尺寸中的一个的一部分，该部分例如等于0. 1,0. 2,0. 3,0. 5 或0. 8。备选地，该有限距离例如大于最大尺寸和最小尺寸中的一个，例如最多为其的1. 2、 1. 5,1. 8、2、2. 5、3或10倍。作为替代或附加，限制在与衬底表面相邻的沉积空间中的前驱体气体可意味着前驱体气体被限制在沿衬底表面的平面的大致狭长的、如平面状的空间中。这里，衬底表面可包括此表面在衬底台或其它衬底支撑工具中的面状延伸部分，因此注入头能自由地在衬底上运动超出边缘。作为替代或附加，限制在与衬底表面相邻的沉积空间中的前驱体气体可意味着前驱体气体在使用中不会穿过沿衬底表面的虚拟面。作为替代或附加，限制在与衬底表面相邻的沉积空间中的前驱体气体可意味着沉积空间不会在沿衬底表面的平面的方向上远离衬底而延伸。将前驱体气体限制在沉积空间中使得能控制沉积空间内的压力，例如沉积空间内的前驱体气体压力或沉积空间内的总压力。装置可包括沉积空间压力控制器。可控制沉积空间内的压力以使之独立于和/或不同于沉积空间外的压力。这样便可设定沉积空间内的预定压力，以优选地优化原子层沉积工艺。在该装置的使用中，沉积空间由衬底表面来界定。可以清楚，以这种方式衬底可有助于限制前驱体气体。通过衬底的这种限制优选保证了能显著地阻止前驱体气体流过沿衬底表面的虚拟面。在沉积空间和衬底之间的衬底表面的平面中的相对运动与将所注入的前驱体气体限制在沉积空间中的组合进一步促成了前驱体气体的很高效率的使用。这样，在被注入到沉积空间之后，可将一定量的前驱体气体有效地分布在衬底表面上，由此提高了前驱体气体分子与衬底表面接触的几率。该装置设置为可在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动。在一个实施例中，沉积空间在使用中在衬底表面的平面中是静止的，而衬底是运动的。在另一实施例中，沉积空间在使用中在衬底表面的平面中是运动的，而衬底是静止的。在另外一个实施例中，沉积空间和衬底这两者在使用中衬底表面的平面中都是运动的。可以清楚，该限制结构可由前驱体注入头的一个或多个凸起部分形成。在一个实施例中，在使用中沉积空间优选地仅由前驱体注入头、限制结构和衬底表面来界定。这进一步增强了前驱体气体的使用效率。US2007/0218702描述了一种用于原子层沉积的带有旋转基座的半导体加工装置。US2007/0218702的目的是解决在原子层沉积中的长清冼时间的问题，但没有解决前驱体气体的低使用效率的问题。在US2007/0218702的半导体加工装置中，前驱体气体填充了承载半导体衬底的基座周围的相对大的空间。该半导体加工装置设置为可远离半导体衬底地排放前驱体气体。并且，排放和注入发生于半导体衬底的不同侧面处。结果，在 US2007/0218702的半导体加工装置的使用中，没有将前驱体气体限制在半导体衬底表面的附近。在一个实施例中，该装置还设置为可在前驱体注入头和衬底之间在衬底表面之外的平面中提供相对运动，前驱体注入头还包括用于将气体注入到前驱体注入头和衬底表面之间的气体注入器，气体因而形成了气体支承层。作为替代或附加，气体注入器适于将气体注入到前驱体注入头和与衬底机械式相连的衬底架之间，气体因而形成了气体支承层。在衬底表面之外的平面中的运动有助于限制注入的前驱体气体。气体支承层允许前驱体注入头紧密地靠近衬底表面和/或衬底架，例如在50微米或15微米之内，比如3到 10微米的范围中，如5微米。由于前驱体气体因该紧密靠近而很难从沉积空间逸出，因此前驱体注入头与衬底表面和/或衬底架的这种紧密靠近能将前驱体气体限制在沉积空间中。 在使用中界定了沉积空间的衬底表面可使前驱体注入头紧密靠近衬底表面。衬底表面在使用中优选不与前驱体注入头机械接触。这种接触容易损坏衬底。可选地，前驱体供给源形成了气体注入器。然而在一个实施例中，气体注入器由用于形成气体支承层的支承气体注入器形成，该支承气体注入器与前驱体供给源是分开的。 设置这种分开的用于支承气体的注入器能够与其它气体压力、如沉积空间中的前驱体气体压力分开来地控制气体支承层中的压力。例如在使用中，前驱体气体压力可低于气体支承层的压力。可选地，前驱体气体压力低于大气压，例如在0.01到100毫巴的范围中，可选地在0. 1到1毫巴的范围中。发明人进行的数值模拟显示，在后一范围中可获得快速的沉积工艺。例如当化学动力学方面相对较快时，对于平坦衬底来说沉积时间可典型地为10微秒， 对于带沟槽的衬底来说为20微秒。沉积空间中的总气体压力典型地为10毫巴。前驱体气体压力可基于前驱体的性质、如前驱体的挥发性来选择。低于大气压、特别是在0. 01到100毫巴范围中的前驱体气体压力导致能够使用较宽范围内的前驱体，特别是具有较宽范围挥发性的前驱体。由于前驱体注入头朝向衬底表面的紧密靠近，气体支承层在使用中典型地表现出气体支承层中的压力激增。例如在使用中，若其它条件不变，当前驱体注入头运动成两倍地靠近衬底，例如从距离衬底表面50微米的位置运动到距离衬底表面25微米的位置时，气体支承层中的压力至少会成为两倍，例如典型地增加到八倍。优选地，在使用中，气体支承层的刚度在IO3和IOltl牛顿每毫米之间，但也可在该范围之外。在一个实施例中，该装置设置为可在前驱体注入头上施加朝向衬底表面的预应力。气体注入器可设置为通过控制气体支承层中的压力来抵消此预应力。在使用中，该预应力提高了气体支承层的刚度。此提高的刚度减小了所不希望的处于衬底表面的平面之外的运动。结果，可以操作前驱体注入头以更加靠近衬底表面，而不接触衬底表面。在一个实施例中，前驱体注入头设有凸起部分，在使用中气体支承层形成在凸起部分和衬底之间，和/或形成在凸起部分和衬底架的衬底支撑面之间。结果，沿衬底表面之外的平面测量，气体支承层的厚度小于沉积空间的厚度。这种前驱体注入头被认为是高效的。在此实施例中，此效率例如源自于在原子层沉积期间使前驱体气体与其它所用的可能具反应性的气体更好地分开的可能性。作为此效率的另一例子，在使用中本实施例具有在沉积空间中的位于注入器头和衬底之间的距离，其与在气体支承层中的位于注入器头和衬底之间的距离不同。这例如能使前驱体气体分子在沉积空间中有更长的停留时间，以便提高在衬底上沉积的几率。这可导致前驱体气体的更有效的使用。发明人的计算和实验表明， 在该实施例中，气体支承层的厚度可在3到7微米的范围中，典型地为5微米。在一个实施例中，凸起部分具有支承气体供给源，并可能具有包括该支承气体供给源的支承气体注入器。这样，气体支承层可形成在凸起部分和衬底之间，和/或在突起部分和衬底架的衬底支撑面之间。优选地在使用中，支承气体供给源朝向衬底表面和/或衬底架的衬底支撑面。优选地，该装置包括用于控制气体支承层中的支承气体体压力的气体支承层压力控制器，以及设置为通过设定可抵消支承气体压力的预压应力来施加预应力的预压应力控制器。在一个实施例中，该装置包括用于控制沉积空间中的总压力的沉积空间压力控制器，以及用于控制气体支承层中的压力的气体支承层压力控制器，其中气体注入器由与前驱体供给源分开的支承气体注入器形成，其中沉积空间压力控制器设置为通过设定沉积空间中的总压力来施加预应力，并且气体支承层压力控制器设置为可在气体支承层中施加高于沉积空间中的总压力的压力。预应力可由低于前驱体注入头的外部环境压力的沉积空间内的总气体压力形成。如发明人所进行的数值模拟所确定的，此实施例可与用于前驱体气体压力和沉积空间内的总气体压力的有利值很好地结合。作为替代或附加，预应力可通过磁力方式来形成，和/或通过将重物加到用于产生预应力的前驱体注入头中以重力方式来形成。作为替代或附如，预应力可由弹簧或其它弹性元件形成。作为替代或附加，可通过与沉积空间中的压力分开地在前驱体注入头和衬底之间形成低于在驱体注入器头的外部环境压力中的气体压力、例如真空来施加预应力。相应地，可通过设定与支承气体压力相抵消的预压应力来旋加预压应力，以提供该预应力。
在一个实施例中，前驱体供给源设置为使得前驱体气体沿横向于沉积空间的纵向的方向而流动。在一个实施例中，前驱体供给源由至少一个前驱体供给缝隙形成，其中沉积空间的纵向定向成沿着该至少一个前驱体供给缝隙。优选地，前驱体注入头设置为使得前驱体气体沿横向于该至少一个前驱体供给缝隙的纵向的方向流动。这能使前驱体气体的浓度沿该供给缝隙大体上恒定，这是因为不会源于前驱体气体吸附到衬底表面上而建立起浓度梯度。优选地，前驱体气体的浓度选择为稍高于原子层沉积所需的最低浓度。这加强了前驱体气体的有效使用。优选地，在衬底表面的平面中的沉积空间和衬底之间的相对运动横向于该至少一个前驱体供给缝隙的纵向。在一个实施例中，限制结构由沿着外部流动路径的前驱体气体的流动障碍形成， 该外部流动路径设置成在使用中在前驱体注入头和衬底表面之间通向外部环境，以便与所注入的前驱体气体的体积流速相比显著地阻止前驱体气体沿外部流动路径的体积流速。流动障碍优选通过前驱体注入头与衬底表面和/或衬底架的紧密靠近而获得，其由气体支承层来实现。尽管限制结构的变体不限于流动障碍，但流动障碍形成了限制结构的一有效变体。外部环境可为前驱体注入头之外的环境，此处前驱体注入头的边界偏离了衬底表面的平面，但是它也可位于沉积空间之外，处于前驱体注入头和衬底的平面之间。在此实施例的使用中，与所注入的前驱体气体的体积流速相比，流动障碍显著地阻止了前驱体气体沿外部流动路径的体积流速。例如在用前驱体气体来填充沉积空间的期间，与所注入的前驱体气体的体积流速相比，此阻挡可明显降低前驱体气体沿外部流动路径的体积流速。此外，该阻挡使得在填充后的稳态操作期间能够操作具有提高的前驱体气体压力和/或提高的沉积空间内总气体压力的装置。此提高的气体压力例如可在1. 2到20 巴的范围中，特别是在3到8巴的范围中。通常来说，更强的流动障碍导致更高的提高压力。 提高的前驱体气体压力增大了前驱体气体在衬底表面上的沉积速度。由于前驱体气体的沉积经常形成原子层沉积的重要的速度限制工艺步骤，因此本实施例允许提高原子层沉积的速度。例如在实践中经常会发生的将该装置用于建立包括多个原子层的结构的情况下，工艺的速度是重要的。速度的提高提升了可以成本效益合算的方式通过原子层沉积所实施的结构的最大层厚，例如从10纳米到高于10纳米的值，例如在从20到50纳米的范围中，或者甚至典型地为100纳米。因此，该装置使得原子层沉积能用于新的应用。在一个实施例中，气体支承层形成了限制结构，特别是流动障碍。在本实施例中， 外部流动路径可至少部分地与气体支承层相通。由于气体支承层形成了一种相当有效的限制结构和/或流动障碍的形式，因此可以阻止前驱体气体经外部流动路径的损失。在一个实施例中，流动障碍由限制气体幕和/或外部流动路径中的限制气体压力形成。它们形成了用于形成流动障碍的可靠且多用的选择。形成限制气体幕和/或压力的气体也可形成气体支承层的至少一部分。作为替代或附加，流动障碍由与前驱体注入头相连的流体结构形成。此流体结构优选由可保持高达80°c、200°c、40(rc和600°C中的一个温度的流体构成。这种流体是本领域的技术人员已知的。在一个实施例中，流动障碍由前驱体注入头和衬底表面之间的、和/或前驱体注入头和从衬底表面中沿衬底表面的平面伸出的表面之间的流动间隙形成，其中流动间隙沿着外部流动路径的厚度和长度适于与所注入的前驱体气体的体积流速相比显著地阻挡前驱体气体沿外部流动路径的体积流速。优选地，此流动间隙同时形成了外部流动路径的至少一部分。优选地，流动间隙的厚度由气体支承层决定。尽管在本实施例中少量的前驱体气体会沿着外部流动路径从沉积空间中流出，但是其实现了相当简单但是有效的用于形成流动障碍的选择。在一个实施例中，沉积空间在衬底表面的平面中具有狭长的形状。沉积空间横向于衬底表面的尺寸可显著地、例如至少5倍或至少50倍地小于沉积空间在衬底表面的平面中的一个或多个尺寸。该狭长形状可为平的或弯的。此狭长形状减小了需注入到沉积空间中的前驱体气体的体积，因此提高了注入气体的效率。这也使得能在更短时间内填充和排空沉积空间，因此提高了整个原子层沉积工艺的速度。在一个实施例中，装置的沉积空间由衬底表面和前驱体注入头之间的沉积间隙形成，其优选地具有小于50微米、更优选地小于15微米且例如在3微米左右的最小厚度。流动间隙可具有类似的尺寸。最小厚度小于50微米的沉积空间实现了相当窄的间隙，导致了前驱体气体的相当有效的使用，同时避免了对沉积系统在衬底表面以外的平面中的偏差 (其建立了沉积空间和衬底之间的在衬底表面的平面中的相对运动)施加严格的条件。这样，沉积系统的成本可以更低。沉积间隙的小于15微米的最小厚度进一步提高了前驱体气体的使用效率。气体支承层能使流动间隙和/或沉积间隙相对较小，例如具有小于50微米或小于 15微米的最小厚度，例如在10微米左右，或甚至接近3微米。在一个实施例中，前驱体注入头还包括前驱体排放管道，并设置为将前驱体气体从前驱体供给源经沉积空间注入到前驱体排放管道。前驱体排放管道的存在提供了经沉积空间的连续流的可能性。在连续流中可省略用于调节前驱体气体的流动的高速阀。优选地在装置的使用期间，从前驱体排放管道到前驱体供给源的距离是固定的。优选地在使用中， 前驱体排放管道和前驱体供给源都朝向衬底表面。前驱体排放管道和/或前驱体供给源可分别由前驱体排放管道开口和/或前驱体供给源开口形成。在一个实施例中，装置具有源自前驱体排放管道的排放流动路径，其中在使用中， 流动障碍和沿着排放流动路径的流动阻力和/或气体压力设置为与前驱体气体沿着外部流动路径的体积流速相比明显地促进了前驱体气体沿着排放流动路径的体积流速。这会降低逸散到外部环境的前驱体气体的损失。经排放管道流出沉积空间的前驱体气体可被收集起来和重新使用。在一个实施例中，装置设置为在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供至少一种反应剂气体，例如氧化气体、等离子体、激光致辐射和紫外辐射，以便使前驱体与反应剂气体进行反应，例如氧化，以在衬底表面的该至少一部分上获得原子层。反应空间可与沉积空间重合，但优选与沉积空间分开。此分开的反应空间能很好地控制所沉积的前驱体的反应，并阻止在沉积空间中由所反应的前驱体气体形成的不希望有的颗粒的产生。应注意的是，使用等离子体来使所沉积的前驱体反应能在相对低的温度下进行反应。这对于塑性的、可能为柔性的衬底来说是重要的。此外，等离子体可在较宽的压力范围中产生。结果，使用等离子体来使所沉积的前驱体反应提高了装置的工艺窗口。例如，气体支承层中的压力和/或沉积空间中的前驱体气体压力可从更大的压力范围中选择。这是可理解的，例如当等离子体的压力、前驱体气体压力和气体支承层中的压力全部都影响前驱体注入器向衬底表面和/或衬底架的靠近时实现。因此在一个实施例中，装置设置为在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供等离子体，以使前驱体与反应剂气体反应如氧化，以在衬底表面的该至少一部分上获得原子层，该实施例可与另一实施例结合地很好，在该另一实施例中，装置还设置为可在前驱体注入头和衬底之间在衬底表面之外的平面中提供相对运动，该前驱体注入头还包括用于将气体注入到前驱体注入头和衬底表面之间的气体注入器，气体因而形成了气体支承层。根据本发明的第一方面，提供了一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的装置，该装置包括前驱体注入头，该前驱体注入头包括前驱体供给源以及在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定的沉积空间，其中前驱体注入头设置为将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间中以与衬底表面接触，该装置设置为可在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动，并且设置为在前驱体气体沉积在衬底表面的一部分上之后在反应空间中提供等离子体，以使前驱体和反应剂气体反应、例如氧化，以在衬底表面的该部分上获得原子层。根据此第一方面的装置优选地包括反应空间。它可用于在前驱体气体沉积在衬底表面的一部分上之后在反应空间中提供等离子体，以使前驱体与反应气体反应，从而在衬底表面的该部分上获得原子层。 这样，通过使用该装置就能以可控的方式形成原子层。更具体地说，根据此第一方面的装置可实现在衬底上的准确的原子层沉积。更具体地，可以清楚，由于反应空间和衬底之间的相对运动以及在某一时刻仅有部分表面会进行反应，因此可获得相当均勻的沉积层。这样，可在很大程度上阻止关于等离子体在整个衬底表面上不均勻的常见问题。还应注意，根据此第一方面，尽管限制结构可以存在，但也可省略。还可清楚，反应空间在使用中优选由前驱体注入头和衬底表面来界定。相对于现有技术应注意，用于原子层沉积的具有反应空间且设置为经扩散器如多孔材料来给反应空间提供反应气体的任意已知设备都不能用于给反应空间提供等离子体，这是由于该扩散器会显著地降低等离子体的质量，例如等离子体的反应性，如等离子体余辉的反应性。为了克服该问题，更一般地，装置优选具有反应剂供给源，其对于经反应剂供给源注入的等离子体来说基本上无障碍。此障碍会与等离子体起反应。这样，可通过连续量的等离子体来将等离子体提供到反应空间中。下述或上述实施例涉及根据本发明的具有限制结构的装置，并且涉及根据第一方面的装置。在一个实施例中，装置具有包括前驱体供给源、反应剂供给源、沉积空间和反应空间的原子层沉积头，该装置设置为可在原子层沉积头和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动。此原子层沉积头使前驱体的施加和反应、例如氧化或氢化形成一体。在本实施例中，通过原子层沉积头和衬底之间的相对运动可建立沉积空间和衬底之间的相对运动。在一个实施例中，装置设置为可在沉积空间的附近提供缓冲气体幕，其中缓冲气体相对于前驱体气体是大致惰性的，并且缓冲气体幕的流速大小、流向和位置设置为可显著阻止前驱体气体与除缓冲气体之外的其它气体的混合。此缓冲气体幕有助于阻止不希望有的会沉积在衬底表面上的颗粒的形成。优选地，缓冲气体幕设置为形成了限制结构。形成缓冲气体幕的气体也可形成气体支承层的至少一部分。在一个实施例中，前驱体排放管道由至少一个前驱体排放缝隙形成。该至少一个前驱体排放缝隙和/或至少一个前驱体供给缝隙可包括多个开口，或可包括至少一个狭缝。使用缝隙能够实现在相对大的衬底表面上的有效的原子层沉积，或同时在多个衬底上的原子层沉积，因此提高了装置的生产能力。优选地，从至少一个前驱体排放缝隙到至少一个前驱体供给缝隙的距离显著地小于、例如五倍以上地小于前驱体供给缝隙和/或前驱体排放缝隙的长度。这有助于前驱体气体的浓度沿沉积空间大体上稳定。在一个实施例中，通过包括设置为可在衬底表面的平面中移动衬底的对卷式系统，该装置设置为可在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动。本实施例具有该装置的一般优点，即可以省略掉在前驱体注入头的周围的用以在其中形成真空的封闭壳体，以及可选地还可省略掉用以使衬底进入该封闭壳体而不破坏其中的真空的负载锁。优选地，该对卷式系统形成了定位系统。优选地，前驱体注入头具有凸起部分，其中在使用中气体支承层形成在凸起部分和衬底和/或衬底架的衬底支撑面之间。优选地，凸起部分之一的宽度在1到30毫米的范围中。在一个实施例中，在衬底表面之外的平面中测量，气体支承层的厚度小于沉积空间的厚度。在一个实施例中，气体支承层的厚度在3到15微米的范围中，和/或沉积空间的在衬底平面之外的厚度在3到100微米的范围中。优选地，前驱体供给源由具有波浪形状的缝隙形成。在一个实施例中，衬底为脆性的或柔性的衬底。在一个实施例中，在使用中衬底并不支撑在前驱体注入头的附近。在一个实施例中，装置设置为在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供等离子体，以使前驱体和反应剂气体反应、如氧化，以在衬底表面的该至少一部分上获得原子层。根据本发明的第二方面，提供了一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的装置， 该装置包括前驱体注入头，该前驱体注入头包括前驱体供给源以及在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定的沉积空间，前驱体注入头设置为用于将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间中以与衬底表面接触，该装置设置为可在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动，前驱体供给源由具有波浪形状的缝隙形成。此形状允许衬底表面上的压力分布的优化。此优化对于脆性或柔性的衬底来说是重要的，特别是在此衬底没有被支撑在前驱体注入头的附近时。例如，通过使用波浪状缝隙，可阻止在柔性衬底上的会促使柔性衬底按其固有模式变形的压力模式。因此，使用直的缝隙会更容易导致柔性衬底中的变形。可以清楚，根据本发明的第二方面的装置可与上文或下文中描述的一个或多个实施例相结合。本发明还提供了一种使用包括前驱体注入头的装置在衬底表面上进行原子层沉积的方法，该前驱体注入头包括前驱体供给源和沉积空间，其中沉积空间在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定，所述方法包括步骤a)将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间中以与衬底表面接触；b)在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中建立相对运动；以及c)将所注入的前驱体气体限制在衬底表面附近的沉积空间中，以提供在使用中由驱体注入器头和衬底表面来界定的沉积空间。本方法导致了前驱体气体的相对有效的使用。在一个实施例中，该装置包括反应空间，该方法包括步骤d)在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供反应剂气体、等离子体、激光致辐射和紫外线中的至少一个，以使前驱体气体与反应剂气体反应，以在衬底表面的该至少一部分上获得原子层。这样，通过使用该装置就可以可控的方式形成原子层。在一个实施例中，该方法包括在前驱体注入头和衬底表面之间的间隙中提供气体支承层。这能够达到在前驱体注入头和衬底表面之间的相对小的、例如小于15微米的间隙。下面将参考附图并以非限制性的方式来对本发明进行描述，其中图IA显示了根据本发明的第一实施例中的用于在衬底表面进行原子层沉积的装置；图IB显示了前驱体注入头的在使用中朝向衬底表面的侧面的例子；图IC和ID显示了用于前驱体供给缝隙和前驱体排放缝隙的波浪形状的例子；图2显示了前驱体注入头的在使用中朝向衬底表面的侧面；图3显示了根据本发明的第三实施例中的装置；图4显示了根据本发明装置的第四实施例中的前驱体注入头；图5显示了根据本发明的第五实施例中的装置；图6显示了根据本发明的第六实施例中的装置；图7显示了根据本发明的第七实施例中的装置；图8A以穿过前驱体注入头的透视图的方式显示了靠近前驱体注入头的在使用中朝向衬底表面的侧面的前驱体注入头；图8B显示了前驱体注入头的横截面图；图8C显示了根据本发明的第九实施例中的前驱体注入头；图9A显示了衬底和前驱体注入头之间的相对平动运动；图9B显示了衬底相对于前驱体注入器的旋转运动；图9C显示了多个衬底相对于多个前驱体注入头的组合式转动-平动运动；和
图10显示了根据本发明的第五实施例中的装置。除非另有说明，在所有的图中相同的附图标记涉及相似的部件。图IA显示了根据本发明的第一实施例中的装置2，其用于在衬底6的表面4上进行原子层沉积。表面4可包括槽8，特别是在衬底6用于制备DRAM芯片的情况下，然而该槽也可以不存在。槽8例如具有5到15微米之间的深度，以及100到300纳米之间、例如 200nm的宽度。槽密度可典型地为每平方米IO12个槽。通过槽可达到典型地在5到10范围内的表面倍增因数。衬底6例如可为由硅或其它半导体材料制成的半导体衬底。装置2 包括前驱体注入头10。前驱体注入头10包括前驱体供给源12和沉积空间14。沉积空间 14在使用中由前驱体注入头10和衬底表面4来界定。前驱体注入头10设置为将前驱体气体从前驱体供给源12注入到沉积空间14中， 以与衬底表面4接触。前驱体气体例如可包括氯化铪(HfCl4),但也可包括另一种类型的前驱体材料，例如四_(乙基-甲基氨基)铪或三甲基铝(Al (CH3)3)。可将前驱体气体与载气、例如氮气或氩气一起注入。前驱体气体在载气中的浓度可典型地在0. 01到体积的范围中。在使用中，沉积空间14中的前驱体气体压力可典型地在0. 1到1毫巴的范围中， 但是也可接近大气压，或甚至明显高于大气压。前驱体注入头可具有加热器，用于在沉积空间14中建立高温，例如接近220°C。装置2设置为可在沉积空间14和衬底6之间在衬底表面4的平面中提供相对运动。装置2可设置为可在前驱体供给源12和衬底6之间在衬底表面4的平面中提供相对运动。对于在衬底表面的平面中的相对运动来说，所述装置通常可包括定位系统，其设置为以平动和/或转动的形式相对于沉积空间或衬底中的另一个来移动沉积空间和衬底中的至少一个。图9A、9B、9C和/或10显示了定位系统的例子和衬底平面中的相对运动的多个例子。在第一实施例中，在使用中前驱体注入头10在衬底表面4的平面中基本不动，而定位系统设置为按箭头15所示方向移动衬底6。为了施加堆叠的层，定位系统设置为沿与箭头15相反的方向移回衬底6。然而显然的是，在其它实施例中该装置可以没有定位系统。—般来说，定位系统可包括用于衬底6的衬底架16，其设置为用来支撑衬底6。如图IA所示，衬底架16可与衬底一起移动。在这种情况中，定位系统可设置为相对于前驱体供给源12和衬底架16中的另一个来移动前驱体供给源12和衬底架16中的至少一个。在第一实施例中，衬底架16可具有凹陷18以装载衬底6。衬底架16的衬底支撑面20可在几微米的范围内与衬底表面4齐平。作为替代，衬底表面4可相对于衬底支撑面20下凹。第一实施例中的装置2具有限制结构，其设置为将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面4相邻的沉积空间14中。在使用中，前驱体气体不会穿过沿着衬底表面4和衬底支撑面20的虚拟面21。限制结构可由沿外部流动路径的前驱体气体的流动障碍来形成。 在本例中，外部流动路径由箭头22表示。外部流动路径22设置成在使用中在前驱体注入头10和衬底表面4之间与例如位于沉积空间14之外和/或前驱体注入头10之外的外部环境M相通。作为替代或附加，外部流动路径22设置成在使用中处在前驱体注入头10和从衬底表面4中沿衬底表面4的平面伸出的衬底支撑面20之间。在该例中，流动障碍由前驱体注入头10和衬底表面4之间的流动间隙沈形成。作为替代或附加，流动障碍由前驱体注入头10和从衬底表面4中沿衬底表面4的平面伸出的衬底支撑面20形成。这样，例如在沉积空间14的填充期间或稳态操作期间，与通过前驱体供给源12所注入的前驱体气体的体积流速相比，前驱体气体沿外部流动路径22的体积流速显著地被阻挡。以这种方式达到的沉积空间14中的前驱体气体压力提高了前驱体气体在衬底表面上的沉积速度。尽管这形成了一般性的优点，但是其对于在槽8中的原子层沉积来说特别有价值，这是因为在该槽中的沉积比在完全平坦的衬底上的沉积需要更多的时间。沿着外部流动路径的流动间隙沈的厚度和长度可适合于与所注入的前驱体气体的体积流速相比显著地阻挡前驱体气体沿外部流动路径22的体积流速。流动间隙的典型厚度在3到50微米的范围中，优选为小于15微米。在使用中，沉积空间14在衬底表面4的平面中具有狭长的形状。这意味着沉积空间14在横向于衬底表面方向上的延伸程度显著小于、例如至少10倍或至少100倍地小于沉积空间14在衬底表面的平面中的延伸程度。在使用中，装置的沉积空间可由在衬底表面 4和前驱体注入头10之间的沉积间隙观形成。优选地，沉积间隙具有小于50微米、更优选地小于15微米的最小厚度。可通过另外参考图4-8来说明的气体支承层的形成来达到流动间隙和/或沉积间隙的这些值。通常在使用中，沉积空间14在相对运动方向(在第一实施例中由箭头15所示)上沿衬底表面的尺寸明显小于衬底表面4沿相对运动方向在衬底表面4的平面中的尺寸。 沉积空间的尺寸例如可至少二倍、五倍和/或十倍地小于衬底的尺寸。这能使前驱体气体沉积在衬底表面上的分开的区域上。在第一实施例中的装置2中，前驱体注入头10还包括前驱体排放管道30，在此例中为两个前驱体排放管道30。前驱体注入头10可设置为用于将前驱体气体从前驱体供给源12经沉积空间14注入到前驱体排放管道30中。该装置可具有由箭头32所示的源自前驱体排放管道的排放流动路径，在此例中为两个排放流动路径32。在使用中，流动障碍沈和沿着排放流动路径32的流动阻力和/或气体压力设置为与前驱体气体沿着外部流动路径22的体积流速相比显著地促进前驱体气体沿着排放流动路径32的体积流速。前驱体排放管道的一般性优点为，其可用于收集未使用的前驱体气体以供重新使用。此外，前驱体排放管道的存在能够更好地控制前驱体气体流出沉积空间14。在使用中，前驱体气体沿着外部流动路径22的体积流速的典型值可在500到3000sCCm(标准立方厘米每分钟)的范围中。—般来说，装置2可设置为在前驱体气体沉积在衬底表面4的至少一部分上之后在反应空间36中提供反应剂气体、等离子体、激光致辐射和紫外辐射中的至少一个，以便使前驱体发生反应。这样例如就可实现等离子增强的原子层沉积。等离子增强的原子层沉积特别适用于沉积高质量的低_k氧化铝(Al2O3)层，例如用于制造半导体产品如芯片和太阳能电池。反应剂气体例如包括氧化剂气体，比如氧气(O2)、臭氧(O3)和/或水(H2O)。在反应后可在衬底表面4的至少一部分上获得原子层37。在第一实施例中，前驱体注入头10具有反应剂供给源38。前驱体注入头10可设置为将反应剂气体从反应剂供给源38注入到反应空间36中以与衬底表面4接触。此外，前驱体注入头10还包括反应剂排放管道40，在该例中为两个反应剂排放管道40。前驱体注入头10可设置为将前驱体气体从反应剂供给源38经反应空间36注入到反应剂排放管道40。这样描述的前驱体注入头10形成了原子层沉积头41或其一部分的例子。在该例子中，原子层沉积头包括前驱体供给源12、反应剂供给源38、沉积空间14和反应空间36。 装置2可包括该原子层沉积头41，并可设置为在原子层沉积头41和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动。图IB显示了前驱体注入头10的在使用中朝向衬底表面4的侧面(在图IA中由附图标记42指示)的例子。图IB显示了前驱体供给源12、前驱体排放管道30、反应剂供给源38和反应剂排放管道40。在该例中，前驱体供给源12和前驱体排放管道30由纵向狭缝形成，其分别为前驱体供给缝隙12和前驱体排放缝隙30的例子。作为替代，前驱体供给缝隙12和前驱体排放缝隙30也可具有可能互连的孔的阵列的形式。类似地，在该例中前驱体排放管道30和反应剂排放管道40由纵向狭缝形成。在原子层沉积工艺的例子中可区分出不同的阶段。在第一阶段中，衬底表面暴露在前驱体气体如四氯化铪中。如果衬底表面4由前驱体分子完全占据，通常就停止前驱体气体的沉积。在第二阶段中使用吹扫气体求吹扫沉积空间14，和/或使用真空来排净沉积空间14。这样便可除去过量的前驱体分子。吹扫气体优选相对于前驱体气体呈惰性。在第三阶段中，前驱体分子暴露在反应剂气体中，例如氧化剂如水蒸气(H2O)。通过反应剂与所沉积的前驱体分子的反应形成了原子层，例如氧化铪(HfO2)。该材料可在新一代晶体管中用作栅氧化层。在第四阶段中，吹扫反应空间36以除去过量的反应剂分子。第一实施例中的装置2设置为执行第一和第三阶段。一般来说可以清楚，由于采用分开的空间用于沉积和反应，它们可在装置的使用期间保持充满，例如当多个衬底具有原子层或当在一个或多个衬底上沉积多个原子层时。这样，与一个小室形成沉积空间和反应空间这两者的情况相比，可以更精确地设定诸如温度、前驱体气体压力和/或表面暴露在前驱体气体中的时间的条件。可以减小前驱体气体压力的瞬时发生。此外，可以省略掉对沉积空间的吹扫以用反应剂气体置换前驱体气体。这显著提高了原子层沉积工艺的速度。图IB显示了具有相当直的形状的前驱体供给缝隙12和前驱体排放缝隙30。然而应清楚的是，一般来说，作为这些相当直的形状的替代或附加，这些缝隙和其它缝隙中的一个或多个可具有波浪状的形状。图IC和ID显示了用于前驱体供给缝隙12和前驱体排放缝隙30的波浪形状的例子。这些变体使得衬底表面4上的压力分布优化。此优化对于易碎或柔性的衬底、特别是如果没有将这种衬底支撑在前驱体注入头10的附近来说是重要的。图2显示了在相据本发明装置的第二实施例中的前驱体注入头10的在使用中朝向衬底表面4的侧面42。在该第二实施例中，前驱体注入头10具有前驱体供给源12、前驱体排放管道30、反应剂供给源38和反应剂排放管道40。此外，第二实施例中的前驱体注入头10具有至少一个、在该例中为N+3个额外的前驱体供给源44。在此N+3个额外的前驱体供给源中，在图2中绘出了三个额外的前驱体供给源，而N个额外的前驱体供给源由双向箭头45指示。该额外的前驱体供给源44与前驱体供给源12相似。N可等于包括0在内的任何整数，例如1、5、10或50。类似地，前驱体注入头10可具有至少一个额外的前驱体排放管道46和/或至少一个额外的沉积空间，它们分别与前驱体排放管道12和/或沉积空间14 相似。一般来说，具有至少一个额外的前驱体供给源、至少一个额外的前驱体排放管道和/或至少一个额外的沉积空间(分别与前驱体供给源、前驱体排放管道和/或沉积空间相似)的前驱体注入头提供了沉积至少两个原子层而不必改变在沉积空间和衬底之间的在衬底表面的平面中的相对运动的方向的可能性。此外，对于平动和转动来说，该至少一个额外的前驱体供给源与可能的至少一个额外的前驱体排放管道和至少一个额外的沉积空间提高了使用装置来进行原子层的图案化沉积的可能性。例如，可将不同的前驱体材料按一定图案施加在衬底表面的平面中或衬底表面的平面之外。后一种情况例如涉及多种不同组成的堆叠单层。图3显示了根据本发明的第三实施例中的装置2。在此实施例中，流动障碍由外部流动路径22中的限制气体幕48形成。在此例中，限制气体幕由流出限制气体供给源50的气体构成，并且通过限制气体排放管道52排放，其中限制气体供给源50位于限制气体排放管道52之间。作为替代，可采用仅仅一个限制气体排放管道52与限制气体供给源50 —起工作。限制气体幕的流向由箭头53示出。作为气体幕的替代或附加，流动障碍可由限制气体压力来提供。限制气体压力可由限制气体幕提供，但是也可由被迫使在沉积空间14的方向上沿着流动间隙26流动的气体提供。总之，装置2设置为可相对于前驱体供给源12中的总气体压力来调节限制气体供给源50中的限制气体压力，例如将这些压力设置为彼此相等。那样，可显著地阻止前驱体气体经由限制气体排放管道52的排放。总气体压力可通过前驱体气体压力和载气压力来形成。
通过在限制气体幕48中供给缓冲气体如氮气(N2)，图3所示装置2便设置为可在沉积空间14的附近提供缓冲气体幕，其中缓冲气体优选相对于前驱体气体是基本上惰性的。缓冲气体幕48的流速大小、流向和位置设置为能显著地阻止前驱体气体与除缓冲气体之外的其它气体相混合。因此，限制气体幕在沉积空间14和反应空间36之间形成了缓冲空间讨。然而在沉积空间14和反应空间36之间也可以没有此缓冲功能，并且气体幕48可仅有对前驱体气体的限制作用。特别是在反应通过其它方式而非通过使用反应剂气体、例如通过使用激光致辐射和/或紫外辐射而发生的情况下，这具有重要意义。一般来说，通过应用限制气体幕和/或缓冲气体幕，可除去过量的前驱体气体和/ 或反应剂气体。图4显示了根据本发明的装置2的第四实施例中的前驱体注入头10。该第四实施例构成了装置2的一种基础变体。在此变体中的前驱体注入头10包括前驱体供给源12和沉积空间14。流动障碍和限制结构可由流动间隙沈形成。流动间隙沈的厚度D典型地等于10微米。从前驱体供给源到外部环境M的长度L1典型地可在1到10毫米的范围中。第四实施例中的装置2还设置为能在前驱体注入头10和衬底6之间在衬底表面 4之外的平面中、例如横向于衬底表面4地提供相对运动。在使用中，在衬底表面之外的平面中的相对运动可取决于衬底表面4和前驱体注入头10之间、和/或前驱体注入头10和与衬底6机械式相连的衬底架16之间的气体的压力，因此气体形成了气体支承层55。衬底架16可例如通过轻度真空或重力与衬底6机械式相连。前驱体注入头10可包括用于将气体注入到前驱体注入头和衬底表面之间的气体注入器，因此气体形成了气体支承层55。在此实施例中，气体注入器包括前驱体供给源12。 在此例中，支承气体由前驱体气体和载气形成。一般来说，此气体支承层55适于达到小于 50微米、优选小于15微米的流动间隙沈的厚度D值。在使用中通过气体支承层或其它方式获得的最小厚度小于15微米的流动间隙使得能形成用于前驱体气体的良好限制结构。 通常由于气体支承层的存在，前驱体注入头10可在横向于衬底表面4的方向上浮动。一般来说，气体支承层55具有令人惊讶的效果，即可将所注入的前驱体气体基本上限制在沉积空间中，而不需要用于前驱体气体的由从前驱体注入头的侧面42沿横向于该侧面42的方向延伸的壁而形成的隔室。尽管不是必要的，但是此壁也可存在于前驱体注入头10中。然而应注意的是，此壁是有缺点的，因为它们增加了需要被注入以填充沉积空间的前驱体气体的量。此外，该壁阻碍了侧面42的其余部分紧密地靠近衬底表面4，例如在 50微米的距离内，因此阻碍了气体支承层的形成。在W02007/U6585中得知了具有这种壁的装置的例子，其中该装置还缺乏在使用中用于将前驱体气体限制在邻近衬底表面的沉积空间中的设置。图5显示了根据本发明的第五实施例中的装置2，其具有前驱体注入头10。在此实施例中，前驱体注入头10包括前驱体供给源12、前驱体排放管道30和沉积空间14。所注入的前驱体气体部分地沿排放流动路径32的流动由箭头56示出。前驱体注入头10还可包括用于形成气体支承层阳的气体注入器，在本例中为支承气体注入器。支承气体注入器可与前驱体供给源12分开，并可设有支承气体供给源57，在本例中为两个支承气体供给源57。在本例中，支承气体在使用中流向外部环境M，或流向并经过前驱体排放管道30。 支承气体的流动由箭头59示出。
一般来说，在使用中通过气体支承层55中的支承气体施加在前驱体注入头10的侧面42上的作用力的反作用力可通过前驱体注入头10的重量来提供。然而，该装置可设置为在使用中在横向于侧面42的方向上给前驱体注入头10施加额外的作用力。该额外的作用力可指向衬底表面。在此情况下，该额外的作用力形成了气体支承层上的预应力。作为替代，此额外的作用力可离开衬底表面地指向。可使用例如通过弹性元件如弹簧与前驱体注入头10机械式连接的框架来施加该额外的作用力。前驱体注入头10可具有凸起部分60。例如，在使用中气体支承层形成在凸起部分 60和衬底6和/或衬底架16的衬底支撑面20之间。前驱体排放管道30之间的距离C1典型地可在1到10毫米的范围中，其也是沉积空间14在衬底6的平面中的典型长度。由D1 示出的气体支承层的典型厚度可在3到15微米的范围中。凸起部分60的典型宽度C2可在 1到30毫米的范围中。沉积空间14在衬底6的平面之外的典型厚度D2可在3到100微米的范围中。所有这些都认为是有效率的值。此效率例如源自将沉积空间的厚度D2设置为与气体支承层的厚度D1F同的可能性。这能够实现更有效的工艺设置。结果，例如从供给源 12注入到沉积空间14的前驱体的体积流速比气体支承层中的支承气体的体积流速更高， 同时注入前驱体气体所需的压力比将支承气体注入到气体支承层中所需的压力更低。因此可以理解，如图5、6和7清楚地示出，沿衬底表面之外的平面中测量，气体支承层的厚度D1 一般小于沉积空间14的厚度D2。更一般地，考虑到此效率，发明人认识到归因于在具有通道厚度D。、长度L和宽度 W的通道中流动的层流气体(具有密度P和粘度μ)而产生的压降Δρ由下式给出
权利要求
1.用于在衬底的表面上进行原子层沉积的装置，该装置包括前驱体注入头，所述前驱体注入头包括前驱体供给源以及在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定的沉积空间， 其中所述前驱体注入头设置为将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间中以与衬底表面接触，所述装置设置为能在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平面中提供相对运动， 并且所述装置具有设置为将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面相邻的沉积空间中的限制结构。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还设置为能在前驱体注入头和衬底之间在衬底表面之外的平面中提供相对运动，所述前驱体注入头还包括用于在前驱体注入头和衬底表面之间注入气体的气体注入器，所述气体因而形成了气体支承层，其中所述气体注入器由用于形成气体支承层的支承气体注入器形成，所述支承气体注入器与前驱体供给源相分离。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置设置为在所述前驱体注入头上施加指向衬底表面的预应力，其中所述气体注入器设置为通过控制气体支承层中的压力来抵消所述预应力。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置，其特征在于，所述限制结构由沿着外部流动路径的前驱体气体的流动障碍形成，所述外部流动路径设置成在使用中处于前驱体注入头和衬底表面之间且通向外部环境，以便与所注入的前驱体气体的体积流速相比显著地阻止前驱体气体沿所述外部流动路径的体积流速。
5.根据权利要求2和4所述的装置，其特征在于，所述气体支承层形成了所述流动障碍。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，所述流动障碍由所述外部流动路径中的限制气体幕和/或限制气体压力形成。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的装置，其特征在于，所述流动障碍由前驱体注入头和衬底表面之间的、和/或前驱体注入头和从衬底表面中沿衬底表面的平面延伸出的表面之间的流动间隙形成，其中所述流动间隙沿外部流动路径的厚度和长度适于与所注入的前驱体气体的体积流速相比显著地阻止前驱体气体沿着外部流动路径的体积流速。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的装置，其特征在于，所述前驱体注入头具有凸起部分，其中在使用中所述气体支承层形成在凸起部分和衬底和/或衬底架的衬底支撑面之间。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，当沿衬底表面之外的平面进行测量时，气体支承层的厚度小于沉积空间的厚度。
10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，气体支承层的厚度在3到15微米的范围，和/或沉积空间在衬底平面之外的厚度在3到100微米的范围中。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的装置，其特征在于，前驱体供给源由具有波浪状的缝隙形成。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置设置为在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供等离子体，以使前驱体与反应剂气体发生反应、例如氧化，从而在衬底表面的该至少一部分上获得原子层。
13.一种使用包括前驱体注入头的装置在衬底表面上进行原子层沉积的方法，所述前驱体注入头包括前驱体供给源和沉积空间，其中所述沉积空间在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定，该方法包括以下步骤a)将前驱体气体从前驱体供给源注入到沉积空间中以与衬底表面接触；b)在沉积空间和衬底之间在衬底表面的平中建立相对运动；和c)将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面相邻的沉积空间中，以提供在使用中由前驱体注入头和衬底表面来界定的沉积空间。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述装置包括反应空间，所述方法包括以下步骤d)在前驱体气体沉积在衬底表面的至少一部分上之后在反应空间中提供反应剂气体、 等离子体、激光致辐射和紫外辐射中的至少一个，用于使前驱体与反应剂气体反应，以在衬底表面的该至少一部分上获得原子层。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，包括在前驱体注入头和衬底表面之间的间隙中提供气体支承层。
全文摘要
本发明涉及一种用于在衬底(6)的表面(4)上进行原子层沉积的装置(2)。该装置(2)包括前驱体注入头(10)，该前驱体注入头(10)包括前驱体供给源(12)和在使用中由前驱体注入头(10)和衬底表面(1)来界定的沉积空间(14)。前驱体注入头(10)设置为可将前驱体气体从前驱体供给源(12)注入到沉积空间(14)中以与衬底表面(4)接触。该装置(2)设置为可在沉积空间(14)和衬底(6)之间在衬底表面(4)的平面中提供相对运动。该装置(2)具有限制结构(26)，其设置为可将所注入的前驱体气体限制在与衬底表面(4)相邻的沉积空间(14)中。
文档编号C23C16/455GK102197157SQ200980142914
公开日2011年9月21日 申请日期2009年8月25日 优先权日2008年8月27日
发明者卡罗勒斯·艾达·玛丽亚·安东尼乌斯·斯佩, 安东尼·埃勒特·杜伊斯特温克尔, 迪德瑞克·简·马斯, 阿克赛尔·塞巴斯蒂安·莱克斯蒙德, 阿德里亚努斯·约翰内斯·柏图斯·玛丽亚·维梅尔, 鲍勃·凡·索美伦 申请人:荷兰应用自然科学研究组织Tno